JPS59158379A - 内燃機関用点火装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は内燃機関の点火装置に関し、キ「に閉角度制御
回路を備えた内燃機関用点火装置に関する。

一般に内燃機関の点火プラグに供給すべき点火電圧、す
なわち点火コイルの２次高圧電圧は、点火コイルの１次
側遮断電流の大きさに比例することが知られており、ま
たこの１次側遮断電流の大きさは点火コイルへの通電時
間及び電源電圧にょシ変化する。従って点火コイルに通
電する通電角度（以下これを閉角度と呼ぶ）が機関回転
速度に対して一定であると点火コイルへの通電時間は機
関回転速度の一ヒ昇に伴ない減少してしまうため、点火
電圧も減少してしまう。そこで機関回転速度の上昇に伴
ない閉角度を増加するような点火装置が知られている。

例えば、特公昭５４−２５５７２号公報の内燃機関用無
接点点火装置では、機関の回転に同期して交流電圧を発
生するピックアップからの信号と基準電圧とを比較器で
比較して点火コイルへの通電時間を決定する信号を形成
する場合に、この通電時間を決定する信号と所定の一定
時間を表わす基準時間との時間差を検出し、この時間差
が最小になるように比較器の一方の端子に与えられる基
準電圧を変え、これにより点火コイルに供給される電流
の通電時間が機関の回転数に拘わらず一定に制御するも
のである。

また、特公昭５４−３３３２７号公報の点火装置では、
点火コイルの１次電流の通電時間が−・定の場合、電源
電圧の増加又は減少によって１次遮断宅流が指数関数的
に増加又は減少する影響を修正するため、前述の特公昭
５４−２５５７２号公報の点火装置における、前述の一
定時間を電源電圧の変動に応じて変化させるものである
。

しか（−７、このような従来の点火装置は、最近特に強
く要請される装置の小型、軽量化及び製造コストの低減
の面から不具合がある。即ち、この様な回路を製品化す
る場合には、回路部分を他力集積化し、半導体集積回路
と成し、どうしても集積化できない、コンデンサ、パワ
ートランジスタ等は個別部品として先の半導体集積回路
素子と共に混成集積回路として構成することになる。従
って回路を構成する場合は極力個別部品、特にコンデン
サの使用個数を減らすことが１吸なポイントとなる。と
ころで先の特公昭５４−２ｂ５７２号公報及び特公昭５
４−６６６２７号公報においては、いずれもまず第１に
コンデンサの数が閉角度制御用Ｃ１と、基準時間発生用
ｃ３と、基準電圧を負帰還制御で変更する隙の平滑用の
コンデンサｃ２と６１６個ものコンデンサを必要とする
。

本発明は、上述の従来装置における不具合点を改善し、
使用するコンデンサの数を極カ減らし、より小型、軽量
化した混成集積回路として形成するのに適した点火装置
を提供することを目的とする。

本発明においては、信号発生器からの機関の回転に同期
した交流信号を所定の比較電圧と比較して、点火コイル
の１次側電流を制御する通電時間信号を発生するが、前
記交流係号と所定の比較電圧との相対関係は、バイアス
回路で発生される機関回転数の増加につれて増加し、電
源電圧の増加につれて減少するバイアス電圧で偏倚され
る。このため、バイアス回路は、所定の一定時間の表わ
す一定時間信号及び通電時間とこの一定時間との差時間
を表わす差時間１ハ号に応答して、電源電圧の増加につ
れて減少する電流で、この一定時間の期間バイアスコン
デンサを充電し、この差時間の期間放電させ、この充放
電を機関の回転に同期して反復することにより上述のバ
イアス電圧を作る。

この場合、コンデンサの使用数は、バイアス回路のバイ
アスコンデンサと、一定時間信号を発生するだめのコン
デンサの２個のみである。従って、１個のバイアスコン
デンサを含むこのようなバイアス回路の使用によシ、上
述の特公昭５４−２５５７２号公報及び特公昭５４−３
３３２７号公報における閉角度制御用コンデンサ０１及
び基阜電圧発生回路における平滑用コンデンサｃ２の２
個のコンデンサを１個に減らすことができ、またバイア
ス用コンデンサへの充電および放電量のうち少なくとも
一つを電源電圧に応じて補正することによシ、使用コン
デンサ２個のみの極めて簡単な構成で高回転域までむら
なく閉角度を広げることができる。

次に本発明の実施例を第１図に示す電気回路図について
説明する。まず１は機関の回転に同期して交流信号を発
生する電磁式ピックアップであシ、１ａは回転ロータで
あり、ｉｂはピックアップコイルである。１０はバイア
ス形成回路であシ、バイアスコンデンサ１２および抵抗
１３，１４゜１５．１６，１γ、１８．１９およびトラ
ンジスタ２０，２１．２２，２３，２４，２５，２６゜
２７とから構成されている。次に３０は通電時間信号発
生回路５０で用いる比較電圧Ｖｔｈを作る比較電圧作成
回路であシ、抵抗３１．３２，３３゜３４とダイオード
３５とトランジスタ３６，３７゜３８．３９，４０．４
１とから成っている。そして通電時間信号発生回路５０
は抵抗５１．５２とトランジスタ５３と比較器５４とか
ら成っている。

次に８０は一定時間信号と差時間信号を発生する時間信
号発生回路であり、抵抗８１，８２，８３゜８４．８５
．８６，８７，８８．８９，９０゜９１．９２とトラン
ジスタ９３，９４，９５゜９６それに比較器９７とコン
デンサ９８とから成っている。そして６０はバイアス電
圧の値を制御するバイアス制御回路であシ、抵抗６１．
６２゜６３．６４とトランジスタ６５，６６．６７゜６
８．６９．７０それにダイオード１１よシ成っている。

バイアス形成回路１０とバイアス制御回路６０を総称し
てバイアス回路という。そしてさらに点火回路は定電圧
回路および出力回路として抵抗１０１．１０２，１０３
，１０４，１０５とツェナーダイオード１０６，１０７
とトランジスタ１０８，１０９，１１０，１１１と、点
火コイル１１２とからなっている。

次に動作を第２図（Ａ）　（Ｂ）　（０）　（Ｄ）の動
作波形図を交えて説明する。まず比較電圧作成回路３０
について説明すると、まずトランジスタ３６と３７はカ
レントミラー回路を作シ、一方のトランジスタ３６は、
電源Ｂに定電圧回路（ツェナーダイオード１０６、トラ
ンジスタ１０８等）を経て接続される定電圧母線１１３
に、また他方のトランジスタ３７は電源Ｂからの母線１
１４に接続される。このためトランジスタ３７には所定
の定電圧と抵抗３１によシ決まる一定電流１０１が流れ
る。そのためダイオード３５を流れる電流は抵抗３２と
電源電圧とにより決まる電流１Ｂ１に対しｉｏｌだけ差
し引かれたｉＢｌ　　１０１なる電流となシ、これが次
段のカレントミラー回路のトランジスタ３８に流れる。

トランジスタ３８は抵抗３３がら母線１１４を経て電源
に接続されるので、抵抗３３と電源電圧とによシ決まる
ｉＢｚなる電流と足されてカレントミラー回路のトラン
ジスタ３８に、従ってまたトランジスタ３９にはｉＢ２
＋　（１Ｂ１１ｃ１）、なる電流（但し１Ｂ１−１ａ１
〉Ｏ）が流れるため、定電圧の母線１１３に接続され、
かつトランジスタ３９に結合されたトランジスタ４０と
４１とによシ構成されるカレントミラー回路にも同様の
電流が流れる。従って、トランジスタ４１と直列の、比
較器５４のだめの比較電圧発生用、抵抗３４に発生する
電圧はｉＢｚ　＋　（ｉＢｌ　−１ａ１）なる電流値に
よシ決定される。ここで１Ｂｌ＝　１０４となる電源電
圧を例えば１０Ｖ程度に選定しておくと、電源電圧１０
Ｖ以下の領域ではｉＢｚにのみより決まるが、１０Ｖ以
上の領域においては（１Ｂｌ−Ｌａ１）の頂が０から急
に増加するため、比較器５４の比較電圧は１０Ｖ以下で
は電源電圧に従って漸増するが１０■以上の領域では急
増することになる。このようにした目的を第２図（Ａ）
　（Ｂ）について説明する。

第２図（Ａ）　（Ｂ）は共に機関回転速度が低い領域を
示すものであシ、第２図（蜀は電源電圧が低い場合を、
第２図（Ｂｌは高い場合を示す。そして第２図（Ａ）お
よび（Ｂ）における（（転）および（麹の各波形は第１
図における同一符号を付した個所の各波形を示す。第２
図（Ａ）において機関回転速度が低い領域において機関
回転速度が増加すると、電源電圧が小さいため、比較電
圧ｖｔｈが小さく、（ｂ）波形に示す如く閉角度が比較
的広い状態で閉角度制御が行なわれる。ところが電源電
圧が高い状態を考えると、点火コイル１１２へ流れる電
流値ｒ１は周知の如くＩＬｌ ＶＢ：電源電圧　　　　　　　　　　（Ｖ）Ｒ１：点火
コイル１次側抵抗　　　　（Ω）Ｌｌ　：　　　　／／
　　　　１次側インダクタンス（Ｈ）ｔ　：通電時間　
　　　　　　　　　（ＳｅＣ）で表わされる通ｐに電源
電圧に比例して増加するため、通電時間ｔを減らして調
節する必要が生じる。そのため第２図ＦＢ）に示す如く
、電源電圧が上昇した場合には比較電圧Ｖｔｈを増して
閉角度を縮少する様に動作させる。

次に差時間信号発生回路８０について説明する。

まず比較器５４の出力波形を第２図（０）　（ＩＪの（
ｂ）波形に示す。この出力に応じてトランジスタ９６が
１オン」とな９、次いでトランジスタ９５が「オフ」動
作し、コンデンサ９８には抵抗８７　、８８とコンデン
サ９８の容量によって決まる時定数で定電圧母線１１４
から充電が行なわれ、その波形を（ｃ）に示す。この充
放電波形（ｃ）を定電圧母線１１４の電圧を分圧する抵
抗８４と８５とで決まる比較電圧ＶＱで比較することに
より、一定時間Ｔを表わす信号が比較器９７の出力とし
て得られ、この出力をトランジスタ９３にて反転した出
力波形（ｅ）が得られる。このことはコンデンサ９８の
充電々圧が所定のレベルＶＣに到達するまでの時間であ
る所定の一定時間Ｔを通電時間信号発生回路５０の出力
波形（−Ｄ）の時間よシ差し引いた差時間信号（θ）を
作っていることになる。この一定時間Ｔは、電Ｗ電圧の
変化に無関係であシ、まだ機関回転速度にも影響されな
い。

次にバイアス制御回路６０について説明する。

まずトランジスタ６５と６６とによシカレントミラー回
路を作シ、これらトランジスタは定電母線１１４に接続
されているのでトランジスタ６６には電源電圧に関係な
く一定な電流１０２が流れる。

次にトランジスタ６７と６８とによシ構成されるカレン
トミラー回路のトランジスタ６７は抵抗６２を介して電
源電圧母線１１３に接続され、他方のトランジスタ６８
は前段のカレントミラー回路のトランジスタ６６に接続
されるので、トランジスタ６８には電源電圧と抵抗６２
とによシ決まる電流ｉＢ３が流れる。一対のトランシス
タロ９と７０はそれぞれのコレクタ及びエミッタが共通
に接続され、コレクタ共通接続点はトランジスタ６６と
６８の接続点に接続すると共にダイオード７１を経てバ
イアス形成回路１０のバイアスコンデンサ１２の充電路
となっている。また、トランジスタ６９０ベースには差
時間信号発生回路８０から信号（ｄ）が、他方トランジ
スタ７０のペースには差時間信号（ｅ）が印加されてい
る。従ってトランジスタ６９と７０が共に「オフ」状態
である時、即ち、信号（ｄ）及び（ｅ）が印加されない
時にダイオード７１を含む充電路を経てバイアスコンデ
ンサ１２を充電する電流は１ｃ２１Ｂ３となシ、電源電
圧の上昇に伴ない減少する。ところでこのバイアスコン
デンサ１２へ充電する期間はトランジスタ６９と７０が
共に「オフ」状態である期間、つまり信号（ｄ）及び（
ｅ）の存在しない先の一定時間Ｔである。この一定時間
Ｔは電源電圧にも、また機関回転速度にも関係なく一定
な時間であるが、機関回転速度の上昇に伴ない充電反復
回数が増加（放電については後述）することから機関回
転速度に比例した電圧がバイアス用コンデンサ１２に作
うれる。そして電源電圧が増加するとそれに伴ない充電
々流が減少するため、電源電圧の上昇に伴ない減少する
バイアス亀圧が得られる。

次にバイアス形成回路１０について説明する。

前述の如くバイアス用コンデンサ１２に充電された′出
：圧は、エミッタフォロワのトランジスタ２５と２６と
２７を各々介して抵抗１９を経て、比較器５４に入力さ
れる電磁ピックアップの出力波形（ａ）をバイアスする
。ところでバイアス用コンデンサ１２の充電電荷は、前
記差時間信号発生回路８０の出力信号（ｅ）に応じて信
号（ｅ）の期間放電される。まずトランジスタ２０と２
１とによシ構成されるカレントミラー回路のトランジス
タ２０は抵抗１３を経て定電圧導線１１４に接続される
ため、トランジスタ２１にも定電圧と抵抗１３により決
まる電源電圧には関係ない一定電流１０３が流れる。

また、トランジスタ２１はトランジスタ２２とそれぞれ
のコレクタ及びエミッタが共通に接続され、コレクタの
共通接続点は抵抗１４を経て電源母線１１３に接続され
ると共にトランジスタ２３と２４からなるカレントミラ
ー回路に接続される。

従って電源より抵抗１４を経てカレントミラー回路のト
ランジスタ２３に流れる電流は１Ｂｔ−１ａｓとなシ、
１Ｂ４　＝　１０３となる電源電圧よシも電源電圧が上
昇すると急激に上昇する。そしてこの１Ｂ４−１０３に
等しい電流はカレントミラー回路の他方のトランジスタ
２４にも流れるが、トランジスタ２４はバイアス用コン
デンサ１２に並列に接続されて放電路となっているので
バイアス用コンデンサ１２はこの電流ｉＢｔ　　ｉｃ３
で放電する。ところでトランジスタ２２のベースには差
時間信号発生回路８０から差時間信号（ｅ）が印加され
、またトランジスタ２１はトランジスタ２２の動作によ
）制御されるため、バイアス用コンデンサの充電々圧は
差時間信号（ｅ）が印加されている期間放電するように
制御されると共に、その放電量は電源電圧の上昇に伴な
い増加する様に動作する。このことを第２図（Ｃ１（Ｄ
）について説明すると、第２図（０り　（Ｄ）は機関回
転速度が中速以上の領域である場合を示す。

また第２図（０）は電源電圧が普通である場合を示し、
第２図（Ｄ）は電源電圧がこれより高い場合を示す。

これによると電源電圧が低い場合には第２図（Ｃ）に示
すバイアス電圧波形（ｆ）の如くバイアスコンデンサ１
２の充電電流が（ｉｏ２１Ｂ３）多く、かつ差時間信号
発生回路８０の出力（ｅ）の期間放電する放電々流（ｉ
Ｂ４１ｃ３）が少ないため、バイアスコンデンサ１２の
充電々圧、即ちバイアス電圧（ｆ）が太きい。

そのためトランジスタ２５，２６．２７を経て抵抗１９
を介して与えられるバイアス量が太きいため、（ａ）波
形に示すように電磁ピックアップ波形は大きくバイアス
され、その結果（ｂ）波形に示す如く大きな閉角度で制
御される。この逆に電源電圧が比較的高い場合には、第
２図（Ｄ）の（ｆ）波形に示す如く、バイアスコンデン
サの充電電流は小さく、また放電々流は大きくなるため
、その充電々圧は低めとなシ、閉角度は低めに制御され
、（ｂ）波形に示すような閉角度の出力が得られる。な
お、機関回転速度が低速域においてはバイアス形成回路
１０のバイアスコンデンサ１２の充電反復回数が少いた
め充電々圧部ちバイアス電圧も小さいため通電時間信号
発生回路５０の正入力端子には電磁ピックアップ１の交
流信号出力がそのまま加わることになる。

さて通電時間信号発生回路５０からの通電時間信号（ｂ
）はトランジスタ１０９と１１０で増巾され、パワート
ランジスタ１１１を駆動しこれにょシ点火コイル１１２
の１次１１１１１電流の通電を制御する。

尚ツェナーダイオード１０７はパワートランジスタ１１
１の耐圧保護用である。

次に本発明の第２実施例を第６図について説明する。尚
第６図において第１図と同一符号を付したる部分は同一
部分を示すので説明を省略する。

第２実施例において第１実施例と大きく異なるのは、第
１実施例が通電時間信号発生回路５０の出力信号を直接
点火コイル１１２の１次電流制御のだめの通電信号とし
ているのに対し、第２実施例では第６図に示す如く通電
時間信号発生回路５０の出力信号を点火時期補正回路２
００へ導き、点火時期補正回路２００によシ、通電時間
信号発生回路５０の出力信号とは異なるタイミングで点
火コイル１１２の通電信号と成すと共に、この点火時期
補正回路２００の出力を差時間信号発生回路８０に導く
ことであシ、以上の構成と成すことによシ、点火時期補
正回路２００は点火コイル１１２の通電遮断タイミング
のみを補正すれば良く、例えば通電遮断タイミングのみ
を遅らせる簡単な構成であっても、通電時間の増加によ
シ、差時間信号発生回路８０の出力でバイアス制御回路
６０を経てバイアス形成回路１０のバイアス電圧が減少
し、通電開始タイミングをも自動的に送らせることがで
き、点火時期補正回路２００の構成とじて通電開始タイ
ミングの補正回路を含まなくても良く、回路構成を簡略
化できるという優れた効果が期待できる。

第６図における点火時期補正回路２００の具体化回路例
を第４図について説明すると共にその動作を第５図に示
す動作波形図で説明する。尚第５図において（蜀は遅角
入力端子２０１の入力がない場合の各部動作波形を示し
、（Ｂ）は遅角入力端子２０１に所定量の遅角人力（ア
ナログ電圧）がある場合を示す。また第５図（Ａ）　（
Ｂ）において（ａ、ｌ　（ｂ）　（ｇｌ（ｈ）（ｉ）　
Ｌ＋）　（ｋ）　（１）　（ｒ！　（ｃ）　（ａ）　（
ｅ）　（ｆ）の各部波形は第４図および一部第１図にお
ける同一符号を付した部分の波形を示すものである。

まず第４図の構成がら説１明する。２０１は遅角入力端
子であシ、機関運転状態に応じた点火時期の遅角制御の
だめのアナログ電圧を受ける。２０．２は遅角入力に応
じて点火時期を遅角した出方を出す端子であυ、２０３
は定電圧回路に接続される電源母線であり、２０４は接
地端子であり、２ｏ５は入力端子で通電時間信号発生回
路５ｏからの出力を受ける。次に２０６は鋸歯状波発生
回路であシ、第５図（−に示す様な定振幅の鋸歯状波を
発生する。２０７はランプ波回路であシ、遅角入力端子
２０１のアナログ電圧に応じて第５図（Ｂ）の（１）に
示す様なランプ波を発生する。２０８は第１パルス発生
回路であｐ１第５図（ｋ）に示す様に基本点火時期毎に
第１のパルスを発生する。２１０は第２パルス発生回路
であシ、第５図ＣＢ）のランプ波（１）が所定レベル以
下になるとレベル「１」信号の第２のパルス（ｊ）を発
生する。そして２０９はフリップフロップ回路であシ、
前記第１のパルス（ｋ）が出てから第２のパルス（ｊ）
がでるまでの間、第５図（Ｂ）に示す（１）の様なフリ
ップフロップ出力を発生する。そして各回路を構成する
素子は２１１〜２４１が抵抗であり、２４２〜２６３が
トランジスタであ、Ｃ１２６４〜２６７が比較器であり
、２６８がダイオードで２６９〜２７１がコンデンサで
ある。

次に回路動作を第５図（Ａ）　（Ｂ）の各部動作波形図
を交えて説明する。まず鋸歯状波発生回路２０６につい
て説明する。抵抗２１１と２１２の接続点電位はトラン
ジスタ２４２が導通時には零電位に近い第１の電位に、
非導通時にはそれよシも高い第２の電位に設定しておく
。今仮にコンデンサ２６９の電位が第２電位よυ若干高
いと仮定すると比較器２６４の出力はｒＯＪであシ、比
較器２６４の出力にそのベースが接続されたトランジス
タ２４３が「オフコしているため、トランジスタ２４３
のコレクタにそれぞれのベースが接続されたトランジス
タ２４４．２４５は共に導通し、トランジスタ２４６が
「オフ」、従ってトランジスタ２４９゜２５０は導通す
る。トランジスタ２４７、抵抗２１８、トランジスタ２
４９へ流れる電流に等しい電流がトランジスタ２４９と
共にカレントミラー回路を構成するトランジスタ２５０
に流れ、トランジスタ２５０はコンデンサ２６９の放電
路となっているのでコンデンサ２６９の充電々荷は放電
される。そしてその充電電圧が第１の電圧よυも低くな
った時点で比較器２６４の出力は反転して「１」レベル
となるため、先の動作とは反対に、トランジスタ２４７
、抵抗２１８、トランジスタ２４６へ流れる電流に等し
い電流がトランジスタ２４７と共にカレントミラー回路
を構成するＩ・ランジスタ２４８へ流れ、ダイオード２
６８を経てコンデンサ２６９が再充電され、以上の動作
を繰り返すことによシ、第７図（Ａ）　（Ｂ）に示す（
−波形の如く「０」電位に近い第１電位と第２電位で決
まる振幅の鋸歯状波が得られる。

次にランプ波回路２０７について説明する。比較器２６
５には鋸歯状波発生回路２０６の出力（−と所定の遅角
入力が入る。遅角入力端子２０１の入力がｒＯＪレベル
である場合は比較器２６５の出力も「０」レベルである
が、遅角入力端子２０１に先の第２電位（鋸歯状波の高
い方の電位）よυも低いアナログ電圧Ｖ、が加わると比
較器２６５は第５図（Ｂ）に示す（ｈ）波形の様な矩形
波を発生する。

そしてこの矩形波のデユーティ比は遅角入力端子２０１
へ加えられるアナログ電圧Ｖａに比例する。

トランジスタ２５１のベースには比較器２６５の出力矩
形波（ｈ）が印加され、またトランジスタ２５１と定電
圧母線１１３間にはトランジスタ２５２が接続され、さ
らにトランジスタ２５２のベースにはトランジスタ２５
３が接続されている。今仮にトランジスタ２５３が１オ
フ」していると仮定すると、トランジスタ２５２は「オ
フ」に々るので矩形波（ｈ）のデユーティ比に比例した
平均傾斜でコンデンサ２７０が抵抗２２１と導通してい
るトランジスタ２５１によい充電されていく。

ここで第１パルス発生回路２０８について説明する。入
力端子２０５に入力される通電時間信号発生回路５０か
らの矩形波信号（ｂ）が１１」かう「０」レベルに々る
と、トランジスタ２５４は「オフ」となシ、トランジス
タ２５５は導通するが、コンデンサ２７１がトランジス
タ２５５のベースに接続されているのでコンデンサ２７
１によシ遅延されるため、トランジスタ２５５と２５６
のコレクタには第５図に示す（ｋ１波形の如く第１パル
スが得られる。次に第２パルス発生回路２１０とフリツ
プフロツゾ回路２０９を合せて説明する。先の第１パル
ス（→が発生すると、抵抗２３１を経てトランジスタ２
５８が瞬間的に「オン」シ、これによｐ）ランジスタ２
５７が「オフ」するため、抵抗２３６を経てトランジス
タ２５９が「オン」して（この時比較器２６７出力は「
０」であ）その出力の印加されるトランジスタ２６０が
「オフ」である。）トランジスタ２５７の「オフ」を保
持する。またこれと同時に抵抗２３５を介してランプ回
路２０７のトランジスタ２５３が「オン」するだめ、ト
ランジスタ２５２も「オン」するため、コンデンサ２７
０が抵抗２２０とトランジスタ２５２によ逆放電を開始
する。そしてコンデンサ２７０の電位を、抵−抗２３７
と２３８で決まるｒＯＪレベルに近い電位で比較器２６
γで比較検出することによシ、コンデンサ２７０の電位
が１０」レベル近くまで低下した時点で比較器２６７が
「１」レベル出力（ｊ）を発生し、トランジスタ２６０
が「オン］してトランジスタ２５９が「オフ」すること
によ°シ、トランジスタ２５７が「オン」することによ
シ、またトランジスタ２５３が「オフ」してトランジス
タ２５２が「オフ」することによシコンデンサ２７０の
放電が停止され、再び充電開始される。このフリツノフ
ロツゾ回路２０９の出力を第５図（］３）の（１）波形
に示す。尚この（１）波形のパルス角度は（ｋ）信号の
発生からＬ＋）信号の発生布のコンデンサ２７０の放電
期間に相当し、従って、コンデンサ２７０の充電々荷量
、つまシ遅角入力端子２０１のアナログ電圧に比例する
ことになる。そしてこの（１）波形と入力波形（ｂ）を
一対のトランジスタ２６１．２６２のそれぞれのベース
に印加して合せることにより出力端子２０２には第７図
（回波形の様な出力が得られる。そしてこの出力を差信
号発生回路８０に入力することによシ、遅角入力端子２
０１の遅角入力が増加した場合にその遅角塵に相当する
閉角度分だけ一時的に閉角度が増加するが、時間Ｔは前
述のように一定であるため△Ｔがその角度分だけ増加し
て第７図（ｆ１波形に示すバイアス電圧を放電するため
、実際の閉角度は遅角塵が増加しても余シ変らない様に
動作することができる。尚上記の説明ではふれな／〕・
つだが、上記の構成に、さらに第７図（１）波形に示す
遅角塵パルスに応じてバイアス電圧を独立制御、つま如
遅角度が増加した場合にはバイアス電圧の放電量を増加
する等の構成を追加することにより、さらにきめ細かい
閉角度制御が期待できることは言うまでもない。

また、各上述した実施例においては、バイアスコンデン
サ１２の電圧を交流信号−加算することによって、交流
信号と所定の比較電圧との相対関係を偏倚させて通電時
間信号の出力時間幅を制御するようにしたが、バイアス
コンデンサ１２の電圧により比較器５４の比較電圧を変
化させることによって、交流信号と比較電圧との相対関
係を偏倚させるようにしてもよい。

この場合、上記各実施例に対し交流信号の極性を反転す
ると共に、比較器５４の入力極性もしくは出力極性を反
転すればよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１の実施例の電気回路図、第２図
は、第１の実施例の動作を説明するだめの各部の信号波
形図、 第３図は、本発明の第２の実施例を示すブロック図、 第４図は、第６図の点火時期補正回路２００の電気回路
図、 第５図は、第２実施例の動作を説明するための各部の信
号波形図である。 図において、 １・・・信号発生器、 １０．６０・・・バイアス回路、 ３０・・・比較電圧作成回路、 ５０・・・通電時間係号発生回路、 ８０・・・時間信号発生回路、 １２・・・バイアスコンデンザ、 １１２・・・点火コイル。 代理人　浅　　村　　　皓 外４名 第２図 （Ａ）　　　　　　　　（Ｂ） 〇−−−−−−−−−−−−−−−−−−−一−−０□
□−−□□第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　内燃機関の回転に同期して交流信号を発生す
   る信号発生器、 前記交流信号と所定の比較電圧とを比較して通電時間信
   号を発生する通電時間信号発生回路、前記通電時間信号
   の発生に同期して所定の一定時間を表わす信号を発生す
   ると共に、前記通電時間信号とこの一定時間信号との持
   続時間の差を表わす時間信号発生回路、 電源電圧の変動によって変化する電流で前記一定時間の
   期間バイアスコンデンサを充電すると共に所定の電流で
   前記差時間の期間前記バイアスコンデンサを放電させる
   か、または所定の電流で前記一定時間の期間前記バイア
   スコンデンサを充電すると共に電源電圧の変動によって
   変化する電流で前記バイアスコンデンサを放電させ、こ
   の充放電を機関の回転に同期して反復することにより、
   機関の回転速度が増す程増加し、かつ電源電圧が増す程
   減少するバイアス電圧を発生し、前記通電時間信号発生
   回路に印加される前記交流信号発生器からの前記交流信
   号と前記所定の比較電圧との相対関係を偏倚させるバイ
   アス回路、 点火コイルをもち、その−次側電流の通電が前記通電時
   間信号発生回路からの前記通電時間信号によシ制御され
   る点火回路からなる内燃機関用点火装置。 （２、特許請求の範囲第１項の点火装置であって、前記
   バイアス回路は、前記一定時間信号に応答して第１の定
   電流と電源電圧に比例する電流との差の電流によシ前記
   バイアスコンデンサを充電する充電制御回路と、 前記差時間信号に応答して電源電圧に比例する電流と第
   ２の定電流との差の電流によシ前記バイアスコンデンサ
   を放電する放電制御回路を含む内燃機関用点火装置。 （３）特許請求の範囲第１項の点火装置であって、前記
   通電時間信号発生回路は、前記交流信号と前記所定の比
   較電圧とを比較する比較器を含み、また前記所定の比較
   電圧は、電源電圧に比例する第１の電流と定電流源から
   の定電流との差の電流と、電源電圧に比例する第２の電
   流との和の電流が流れる抵抗回路に発生し、前記比較電
   圧は所定の電源電圧よシ低い電源電圧の下ではこれに比
   例するが、前記所定の電源電圧を超えると急増する内燃
   機関用点火装置。