JPS59157779A - 赤外光情報媒体 - Google Patents
赤外光情報媒体Info
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- JPS59157779A JPS59157779A JP58031507A JP3150783A JPS59157779A JP S59157779 A JPS59157779 A JP S59157779A JP 58031507 A JP58031507 A JP 58031507A JP 3150783 A JP3150783 A JP 3150783A JP S59157779 A JPS59157779 A JP S59157779A
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- infrared
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/08—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code using markings of different kinds or more than one marking of the same kind in the same record carrier, e.g. one marking being sensed by optical and the other by magnetic means
- G06K19/10—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code using markings of different kinds or more than one marking of the same kind in the same record carrier, e.g. one marking being sensed by optical and the other by magnetic means at least one kind of marking being used for authentication, e.g. of credit or identity cards
- G06K19/14—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code using markings of different kinds or more than one marking of the same kind in the same record carrier, e.g. one marking being sensed by optical and the other by magnetic means at least one kind of marking being used for authentication, e.g. of credit or identity cards the marking being sensed by radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光情報媒体、特に赤外光情報媒体に関するもの
である。
である。
近年ホテルの客室ドアや企業の研究所人口のドア等に磁
気カード式のドアロックシステムが利用されているが、
磁気情報は最近の銀行カード偽造事件に見られるように
偽造され易く機密性に劣っているし、うっかり磁石に近
づけることにより磁気情報が消失してしまう恐れがあり
、また磁気面に傷や汚れかつ（と情報が正しい伝達され
ない等の欠点を有する。
気カード式のドアロックシステムが利用されているが、
磁気情報は最近の銀行カード偽造事件に見られるように
偽造され易く機密性に劣っているし、うっかり磁石に近
づけることにより磁気情報が消失してしまう恐れがあり
、また磁気面に傷や汚れかつ（と情報が正しい伝達され
ない等の欠点を有する。
本発明は上記に鑑みなされたもので、目に見えない赤外
光を情報信号として利用するため、機密性が高く傷や汚
れがついても情報が正しく伝達される赤外光情報媒体を
提供することを目的とするものである。
光を情報信号として利用するため、機密性が高く傷や汚
れがついても情報が正しく伝達される赤外光情報媒体を
提供することを目的とするものである。
本発明は半導体が金属光沢を有する性質と基礎吸収端波
長より長波長の赤外光を透過する性質とを利用したもの
である。すなわち、赤外光非透過材で描かれた情報パタ
ーンを半導体膜で被いかくずことにより描かれた情報パ
ターンが目視できず機密性の高い赤外光情報媒体を提供
できる。
長より長波長の赤外光を透過する性質とを利用したもの
である。すなわち、赤外光非透過材で描かれた情報パタ
ーンを半導体膜で被いかくずことにより描かれた情報パ
ターンが目視できず機密性の高い赤外光情報媒体を提供
できる。
次に本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第１
図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図はそのＡＡ
断面図であり、図法符号１はガラス、樹脂、紙等の赤外
光透過材からなる基板、２は基板１上に赤外光非透過材
、例えばアルミニウム、銅、カーポンプフック等を真空
蒸着、スパッタリング、印刷等の薄膜形状方法により形
成された情報パターンで、この情報パターンに赤外光が
照射されても赤外光は透過せず、これが情報信号となる
情報パターン２は予め決められた符号化方式に従って配
置されてりる。
図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図はそのＡＡ
断面図であり、図法符号１はガラス、樹脂、紙等の赤外
光透過材からなる基板、２は基板１上に赤外光非透過材
、例えばアルミニウム、銅、カーポンプフック等を真空
蒸着、スパッタリング、印刷等の薄膜形状方法により形
成された情報パターンで、この情報パターンに赤外光が
照射されても赤外光は透過せず、これが情報信号となる
情報パターン２は予め決められた符号化方式に従って配
置されてりる。
３は前記情報パターン２を被いかくすための例えばＳｅ
、Ｇｅ、３ｉ等の元素半導体やＩｎＳｂ、ＩｎＡｓＸ
ＩｎＰＸ、ＧａＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＰ。
、Ｇｅ、３ｉ等の元素半導体やＩｎＳｂ、ＩｎＡｓＸ
ＩｎＰＸ、ＧａＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＰ。
ＡβＳｂ、Ａ＃Ａｓ等の化合物半導体からなり赤外光を
透過する半導体膜であり、真空基若法等によって基板１
および情報パターン２上に得られ、その表面は金属光沢
をなし肉眼ではその下に形成された情報パターン２は全
く認識できない。なお目視しようと分解しても解体する
だけで機密は守られる。半導体膜３が透過する赤外光は
各半導体膜の基礎吸収端波長より長波長である。各半導
体膜の基礎吸収端波長を表１に示すが例えばＧａＡＳの
基礎吸収端波長は９００ｎｍであるからこれ以上長波長
の赤外光を透過する。またＧａＰの基礎吸収端波長は５
１０ｎｍであるからこれ以上長波、長の可視光及び赤外
光を透過する。
透過する半導体膜であり、真空基若法等によって基板１
および情報パターン２上に得られ、その表面は金属光沢
をなし肉眼ではその下に形成された情報パターン２は全
く認識できない。なお目視しようと分解しても解体する
だけで機密は守られる。半導体膜３が透過する赤外光は
各半導体膜の基礎吸収端波長より長波長である。各半導
体膜の基礎吸収端波長を表１に示すが例えばＧａＡＳの
基礎吸収端波長は９００ｎｍであるからこれ以上長波長
の赤外光を透過する。またＧａＰの基礎吸収端波長は５
１０ｎｍであるからこれ以上長波、長の可視光及び赤外
光を透過する。
表１
４は保護膜で、真空蒸着で形成したＳ！０２やＳｉＯの
薄膜を利用したり、ディップやモールドにより形成した
エポキシ樹脂膜や溶射やディップにより形成したガラス
膜を利用したり、熱圧着で形成できる熱硬化性ポリエス
テル膜を利用すると防水、防傷等が効果的に行なわれる
。
薄膜を利用したり、ディップやモールドにより形成した
エポキシ樹脂膜や溶射やディップにより形成したガラス
膜を利用したり、熱圧着で形成できる熱硬化性ポリエス
テル膜を利用すると防水、防傷等が効果的に行なわれる
。
以上のような構成の赤外光情報媒体を情報処理装置に利
用する場合、光源と受光素子とを、形成する半導体（３
）に合わせて適切に選択する必要があり、第３図はそれ
らの組合せを選択するのに効果的な半導体膜の基礎吸収
端、光源の相対放射束、受光素子の相対感度と波長との
相関関係を表わした図である。なお第３図に通用される
素子の型式は次の通りである。
用する場合、光源と受光素子とを、形成する半導体（３
）に合わせて適切に選択する必要があり、第３図はそれ
らの組合せを選択するのに効果的な半導体膜の基礎吸収
端、光源の相対放射束、受光素子の相対感度と波長との
相関関係を表わした図である。なお第３図に通用される
素子の型式は次の通りである。
（］）シリコンメサ型ホトダイード１ｓＰｏシリーズ
（２）シリコンプレーナ型ホトダイオード；ＰＤ５００
Ｕシリーズ （３）シリコンＰＩＮ型ホトダイオード、ＰＤ４１Ｐ１
．４３Ｐ１．４６ＰＩ、５０ＰＩ、８０Ｐ■ （４）シリ７コンＰＩＮ型ブルーセル、ＳＢＣシリーズ （５）シリコンブレーナ型ブルーセル１Ｂｓ−１１２、
ｉ４２．Ｂ５−１００Ｄ 第３図を利用して具体的な組合せを選択すると、例えば
基礎吸収端波長９００ｎｍのＧａＡｓ薄膜を形成した赤
外光情報媒体には、それ以上長波長の９５０ ｎｍのピ
ーク発行波長の特性を有するＧａＡｓＵＥＤを光源に選
び、受光には９８０ｎｍにピーク波長を有するシリコン
ＰＩＮ型ホトダオードを選べは効果的である。第３図に
は示してないが、基礎吸収端波長１８００ｎｍのＧｅや
１８４０ｎｍのＧａＳｂ薄膜を形成した赤外光情報媒体
には、光源には遠赤外ランプ、受光にはＧａｘＩｎｌ−
ｘｓｂ赤外ホトダイオードやＩｎＳｂホトダイオード等
を組合せられる。また基礎吸収端波長５１０ｎｍのＧａ
Ｐ、Ａ７！Ａｓや６００ ｎｍの非晶質Ｓｅの薄膜の場
合には光源には赤外ＬＢＤのみでなく可視光ＬＥＤが利
用できることが第３図から理解され、すなわちＧＡＰや
Ａ６Ａｓ薄膜には緑色ＬＥＤや黄色ＬＥＤが利用でき非
晶質Ｓｅには赤色ＬＥＤが利用できる。表２に各半導体
膜に適する光源と受光素子の例を掲げた。
Ｕシリーズ （３）シリコンＰＩＮ型ホトダイオード、ＰＤ４１Ｐ１
．４３Ｐ１．４６ＰＩ、５０ＰＩ、８０Ｐ■ （４）シリ７コンＰＩＮ型ブルーセル、ＳＢＣシリーズ （５）シリコンブレーナ型ブルーセル１Ｂｓ−１１２、
ｉ４２．Ｂ５−１００Ｄ 第３図を利用して具体的な組合せを選択すると、例えば
基礎吸収端波長９００ｎｍのＧａＡｓ薄膜を形成した赤
外光情報媒体には、それ以上長波長の９５０ ｎｍのピ
ーク発行波長の特性を有するＧａＡｓＵＥＤを光源に選
び、受光には９８０ｎｍにピーク波長を有するシリコン
ＰＩＮ型ホトダオードを選べは効果的である。第３図に
は示してないが、基礎吸収端波長１８００ｎｍのＧｅや
１８４０ｎｍのＧａＳｂ薄膜を形成した赤外光情報媒体
には、光源には遠赤外ランプ、受光にはＧａｘＩｎｌ−
ｘｓｂ赤外ホトダイオードやＩｎＳｂホトダイオード等
を組合せられる。また基礎吸収端波長５１０ｎｍのＧａ
Ｐ、Ａ７！Ａｓや６００ ｎｍの非晶質Ｓｅの薄膜の場
合には光源には赤外ＬＢＤのみでなく可視光ＬＥＤが利
用できることが第３図から理解され、すなわちＧＡＰや
Ａ６Ａｓ薄膜には緑色ＬＥＤや黄色ＬＥＤが利用でき非
晶質Ｓｅには赤色ＬＥＤが利用できる。表２に各半導体
膜に適する光源と受光素子の例を掲げた。
表２
次に本発明の赤外光情報媒体を情報処理に利用する場合
を説明する。第４図、第５図にドアロックシステム等に
利用する光カードリーグの側面図と正面図を示しており
、５−は本り明赤外光情報媒体からなるカード１３の受
は入れユニットで挿入口６、通路７、一対のスリット８
が樹脂等で一体に形成されている。９はランプ、ＬＥＤ
、半導体レーザー等の光源で受は入れユニット５の光源
保持孔１０に圧入や接着等により取付けられている。
を説明する。第４図、第５図にドアロックシステム等に
利用する光カードリーグの側面図と正面図を示しており
、５−は本り明赤外光情報媒体からなるカード１３の受
は入れユニットで挿入口６、通路７、一対のスリット８
が樹脂等で一体に形成されている。９はランプ、ＬＥＤ
、半導体レーザー等の光源で受は入れユニット５の光源
保持孔１０に圧入や接着等により取付けられている。
１１はやはり受は入れユニット５の受光素子保持孔１２
に圧入や接着により取付けられた光電変換素子でｃｄｓ
やシリコンホトダイオードあるいはシリコンブルーセル
等が利用され、その受感波長中は第３図からも解るよう
に一般に広い。光源９および光電変換素子１１の端子は
、光源のための電源や、受光信号の増幅、整形、比較回
路等に接続されている。前記したように光源と光電交換
素子とは使用する赤外光情報媒体によって選択さねばな
らないから、ここではＧ ａ Ａ Ｓ薄膜を形成した情
報媒体を利用するとして、光源にＧ ｓ Ａ Ｓ ＬＥ
Ｄを光電変換素子にシリコンＰＩＮ型ホトダイオードを
組合せて以下の動作を説明する。
に圧入や接着により取付けられた光電変換素子でｃｄｓ
やシリコンホトダイオードあるいはシリコンブルーセル
等が利用され、その受感波長中は第３図からも解るよう
に一般に広い。光源９および光電変換素子１１の端子は
、光源のための電源や、受光信号の増幅、整形、比較回
路等に接続されている。前記したように光源と光電交換
素子とは使用する赤外光情報媒体によって選択さねばな
らないから、ここではＧ ａ Ａ Ｓ薄膜を形成した情
報媒体を利用するとして、光源にＧ ｓ Ａ Ｓ ＬＥ
Ｄを光電変換素子にシリコンＰＩＮ型ホトダイオードを
組合せて以下の動作を説明する。
さて受部５の挿入口６にＧａＡｓ薄膜を形成した赤外光
情報媒体１３を差し込むと、ＧａＡｓＬＥＤからのピー
ク波長９５０ｎｍの赤外光は第６図１４に示すように赤
外先非透過材で形成された情報パターン２に照射された
分は透過せず、それ以外の部分を透過するから、シリコ
ンＰＩＮ型ホトダイオード１１に到達し光電変換された
信号は第６図１５に示すように、媒体１３の差し込み速
度に応じた速度でかつ情報パターン２が有する符号に対
応して強弱レベルが順次変化する信号となる。この信号
は増幅、整形された後、符号解読され、さらに予め設定
された基準符号と比較される。
情報媒体１３を差し込むと、ＧａＡｓＬＥＤからのピー
ク波長９５０ｎｍの赤外光は第６図１４に示すように赤
外先非透過材で形成された情報パターン２に照射された
分は透過せず、それ以外の部分を透過するから、シリコ
ンＰＩＮ型ホトダイオード１１に到達し光電変換された
信号は第６図１５に示すように、媒体１３の差し込み速
度に応じた速度でかつ情報パターン２が有する符号に対
応して強弱レベルが順次変化する信号となる。この信号
は増幅、整形された後、符号解読され、さらに予め設定
された基準符号と比較される。
比較照合の結果合致する場合は、ドアの口・ツクを解除
する信号が出力される。
する信号が出力される。
以上のように本発明情報媒体によれば、描かれた情報を
目視できず、分解を試みても解体するのみで解読できな
いので機密性が高く、磁石等に近づけても情報が消失し
ない。また真空蒸着環一般には扱えない装置で情報パタ
ーンを作るので偽造できない傷や汚れがついても赤外光
を利用するので情報が誤認されない等多くの効果を有し
ている。
目視できず、分解を試みても解体するのみで解読できな
いので機密性が高く、磁石等に近づけても情報が消失し
ない。また真空蒸着環一般には扱えない装置で情報パタ
ーンを作るので偽造できない傷や汚れがついても赤外光
を利用するので情報が誤認されない等多くの効果を有し
ている。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図はその
Ａ−Ａ断面図、第３図は半導体膜の括礎吸収端、光源の
相対放射束、受光素子の相対感度との相関関係を説明す
る図、第４図は本発明の応用例を示す（ｌｌｌＹ面図、
第５図はその正面図および電気回路ブロック図、第６図
は本発明の動作状態を示す図である。 １・・・赤外光透過材からなる基板、２・・・情報パタ
ーン、３・・・半導体膜、４・・・保護膜。 代理人弁理士 岡 部 隆 第４図 第５図 第 ６図
Ａ−Ａ断面図、第３図は半導体膜の括礎吸収端、光源の
相対放射束、受光素子の相対感度との相関関係を説明す
る図、第４図は本発明の応用例を示す（ｌｌｌＹ面図、
第５図はその正面図および電気回路ブロック図、第６図
は本発明の動作状態を示す図である。 １・・・赤外光透過材からなる基板、２・・・情報パタ
ーン、３・・・半導体膜、４・・・保護膜。 代理人弁理士 岡 部 隆 第４図 第５図 第 ６図
Claims (2)
- （１）赤外光非透過材によって情報パターンが形成され
た赤外光透過材からなる基板上に赤外光を透過する半導
体膜を形成したことを特徴とする赤り）光情報媒体。 - （２）前記半導体膜上に赤外光透過材からなる保護膜を
形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
赤外光情報媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58031507A JPS59157779A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 赤外光情報媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58031507A JPS59157779A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 赤外光情報媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59157779A true JPS59157779A (ja) | 1984-09-07 |
Family
ID=12333127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58031507A Pending JPS59157779A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | 赤外光情報媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59157779A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62278083A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 記録媒体 |
| JPS63165956A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Digital:Kk | レストラン業務自動化システム |
| JPH01146981U (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-11 | ||
| US5559398A (en) * | 1991-11-28 | 1996-09-24 | Hitachi, Ltd. | Cathode ray tube and method of making the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224000A (en) * | 1975-08-14 | 1977-02-23 | Landis & Gyr Ag | Multi pack discrimination card |
| JPS5346041A (en) * | 1976-10-08 | 1978-04-25 | Canon Inc | Secret and invisible record and its manufacture |
| JPS5938099A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-03-01 | シ−レクトロ・コ−ポレ−シヨン | 確認カ−ド |
-
1983
- 1983-02-25 JP JP58031507A patent/JPS59157779A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5224000A (en) * | 1975-08-14 | 1977-02-23 | Landis & Gyr Ag | Multi pack discrimination card |
| JPS5567462U (ja) * | 1975-08-14 | 1980-05-09 | ||
| JPS5346041A (en) * | 1976-10-08 | 1978-04-25 | Canon Inc | Secret and invisible record and its manufacture |
| JPS5938099A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-03-01 | シ−レクトロ・コ−ポレ−シヨン | 確認カ−ド |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62278083A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 記録媒体 |
| JPS63165956A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Digital:Kk | レストラン業務自動化システム |
| JPH01146981U (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-11 | ||
| US5559398A (en) * | 1991-11-28 | 1996-09-24 | Hitachi, Ltd. | Cathode ray tube and method of making the same |
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