CN214122965U - 自发光显示屏下光学指纹识别装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种自发光显示屏下光学指纹识别装置，用于设置于自发光显示屏下方，自发光显示屏上设置有指纹识别区，自发光显示屏的光源作为探测光源照射至指纹识别区上的识别对象，光学指纹识别装置包括：光学组件，其朝向识别对象设置，收集识别对象反射的光信号；光成像芯片，其设置于光学组件下方；用于接收光学组件传播过来的光信号以获得识别对象的指纹信息；滤波层，其设置于自发光显示屏至光成像芯片之间的光路中；通过滤波层的光信号的波段与探测光的波段相同或者通过滤波层的光信号为探测光中部分波段。本实用新型提供了一种能提高信噪比的自发光显示屏下光学指纹识别装置。

Description

自发光显示屏下光学指纹识别装置

技术领域

本实用新型涉及指纹识别技术领域，尤其涉及一种自发光显示屏下光学指纹识别装置。

背景技术

本部分的描述仅提供与本实用新型公开相关的背景信息，而不构成现有技术。

随着手机全面屏时代的到来，屏下指纹识别装置的应用越来越广泛，其中屏下光学指纹识别装置的应用最广。而目前应用于智能手机的显示屏主要以自发光的显示屏为主，例如OLED屏。目前对于这种自发光的显示屏，其指纹识别区域设置于显示屏的显示区域，利用显示区域中的部分发光像素形成照射识别对象的光源。在光学指纹识别过程中，指纹识别装置需接收经过识别对象反射的光源信号光而形成指纹图像。

由于智能手机会在不同的环境下使用，例如白天、晚上或者灯光照射区等不同光线环境下使用，屏下光学指纹识别装置需要能准确和有效的捕捉到手指反射的光信号而进行有效的识别。而不同光线的应用环境均会对屏下光学指纹识别装置的成像造成或多或少的干扰，而影响光学指纹识别装置形成的图像质量。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本实用新型的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

实用新型内容

基于前述的现有技术缺陷，本实用新型提供了一种能提高信噪比的自发光显示屏下光学指纹识别装置。

为了实现上述目的，本实用新型提供了如下的技术方案。一种自发光显示屏下光学指纹识别装置，用于设置于自发光显示屏下方，所述自发光显示屏上设置有指纹识别区，所述自发光显示屏的光源作为探测光源照射至所述指纹识别区上的识别对象，所述光学指纹识别装置包括：光学组件，其朝向所述识别对象设置，收集所述识别对象反射的光信号；光成像芯片，其设置于所述光学组件下方；用于接收所述光学组件传播过来的光信号以获得所述识别对象的指纹信息；滤波层，其设置于所述自发光显示屏至所述光成像芯片之间的光路中；通过所述滤波层的光信号的波段与所述探测光的波段相同或者通过所述滤波层的光信号为所述探测光中部分波段，以滤除探测光波段之外的干扰光信号；其中，所述探测光为所述自发光显示屏的红光、绿光和蓝光的任意组合的波段。

作为一种优选的实施方式，所述光学组件包括镜头组件和滤光组件；所述滤光组件设置于所述光成像芯片中成像区的上方，所述滤光组件设置于所述成像区上方的区域形成有红外截止膜。

作为一种优选的实施方式，所述滤波层形成于所述滤光组件。

作为一种优选的实施方式，所述滤波层形成于所述光学镜头上。

作为一种优选的实施方式，还包括：硬质线路板，所述硬质线路板设置于所述光成像芯片上方，对应于所述光成像芯片的成像区域位置设有开孔，所述滤光组件设置于所述硬质线路板的开孔上。

作为一种优选的实施方式，所述滤光组件或者所述形成有滤波层的光学镜头部分为玻璃基材。

作为一种优选的实施方式，所述光学组件为微透镜阵列，所述滤波层集成于所述光成像芯片中。

作为一种优选的实施方式，所述微透镜阵列为呈薄膜光学器件，通过光学胶粘附于所述光成像芯片朝向所述自发光显示屏的表面。

作为一种优选的实施方式，所述滤波层厚度为4um至7um之间。

作为一种优选的实施方式，所述滤波层为若干二氧化钛层和若干氧化硅层交替堆叠组成。

本实用新型实施例的自发光显示屏下光学指纹识别装置，设置光学组件和光成像芯片，光成像芯片用于接收光学组件传播过来的光信号以获得识别对象的指纹信息。滤波层设置于自发光显示屏至光成像芯片之间的光路中。由于自发光显示屏上设置有指纹识别区，且自发光显示屏的光源作为探测光源照射至指纹识别区上的识别对象，所以光成像芯片所接受到的携带有指纹信息且与探测光的波段相同或者为探测光中的部分波段的光信号为有效光信号。而光成像芯片所接受到的位于探测光的波段范围外的光信号为无效光信号。例如光成像芯片所接受到的来自于自发光显示屏的背景光的光信号为无效光信号，也即为噪声。而本申请的自发光显示屏下光学指纹识别装置中通过滤波层的光信号的波段与探测光的波段相同或者通过滤波层的光信号为探测光中部分波段，以滤除探测光波段之外的干扰光信号；所以滤波层能在光信号到达光成像芯片之前将位于探测光的波段范围外的光信号滤除掉，也即将无效光信号过滤掉，而只保留有效光信号，因此可以有效提高信噪比。例如如图7所示，经过滤波层滤除前的光信号为可见光波段内的光线。而如图8所示，经过滤波层滤除后的光信号只保留了与探测光的波段相同的光线。如此提高了信噪比。因此，本实用新型提供了一种能提高信噪比的自发光显示屏下光学指纹识别装置。

参照后文的说明和附图，详细公开了本实用新型的特定实施例，指明了本实用新型的原理可以被采用的方式。应该理解，本实用新型的实施例在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本实用新型的实施例包括许多改变、修改和等同。

针对一种实施例描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施例中使用，与其它实施例中的特征相组合，或替代其它实施例中的特征。

应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

附图说明

在此描述的附图仅用于解释目的，而不意图以任何方式来限制本实用新型公开的范围。另外，图中的各部件的形状和比例尺寸等仅为示意性的，用于帮助对本实用新型的理解，并不是具体限定本实用新型各部件的形状和比例尺寸。本领域的技术人员在本实用新型的教导下，可以根据具体情况选择各种可能的形状和比例尺寸来实施本实用新型。在附图中：

图1为本实用新型一个实施方式所提供的指纹识别装置的原理图；

图2为本实用新型另一个实施方式所提供的指纹识别装置的原理图；

图3为本实用新型一个实施方式所提供的指纹识别装置的结构示意图；

图4为本实用新型另一个实施方式所提供的指纹识别装置的结构示意图；

图5为本实用新型另一个实施方式所提供的指纹识别装置的结构示意图；

图6为OLED屏幕发光波长的曲线图；

图7为本实用新型实施方式所述的滤波层滤波前的光信号的示意图；

图8为本实用新型实施方式所述的滤波层滤波后的光信号的示意图。

附图标记说明：

10、自发光显示屏；31、光学组件；6、光成像芯片；40、滤波层；32、滤光组件；5、硬质线路板；51、开孔；2、柔性电路板；33、薄膜光学器件；17、支撑件；19、识别对象。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型中的技术方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施例。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

在本说明书中，将本实用新型实施例的组件在正常使用状态下，指向或面对使用者的方向定义为“上”，将与之相反，或者背对使用者的方向定义为“下”。

具体的，当本实用新型实施例的光学指纹识别装置被配置在显示屏下方时，将显示屏指向或面对使用者的方向定义为“上”，将与之相反，或者背对使用者的方向定义为“下”。

更具体的，将图1至图8中所示意的向上的方向定义为“上”，将图1至图8中所示意的向下的方向定义为“下”。

值得注意的是，本说明书中的对各方向定义，只是为了说明本实用新型技术方案的方便，并不限定本实用新型实施例的光学指纹识别装置在包括但不限定于使用、测试、运输和制造等等其他可能导致组件方位发生颠倒或者位置发生变换的场景中的方向。

本实用新型实施例提供的光学指纹识别装置，其能提高信噪比，提高成像质量。具体的，该指纹识别装置大致可以包括光学组件30、光成像芯片6和滤波层40。

进一步地，例如如图1至图5所示，本申请实施例提供的光学指纹识别装置用于设置于自发光显示屏10下方。该自发光显示屏10上设置有指纹识别区。该自发光显示屏10的光源作为探测光源照射至指纹识别区上的识别对象19。具体地，如图1至图5所示，该指纹识别区位于自发光显示屏10的左侧。该识别对象19为按压在该指纹识别区上的手指。当然该识别对象19不限于为手指，还可以是其他的识别对象19，对此本申请不做规定。如图6所示，OLED自发光显示屏能发出的探测光的波长范围为450nm至500nm、500nm至550nm以及600nm至650nm。进一步地，自发光显示屏10的光源作为探测光源向上照射至手指，并被手指向下反射。

进一步地，作为一种常见的应用场景，本申请实施例提供的光学指纹识别装置可以应用在智能手机、平板电脑以及其他具有自发光显示屏10的移动终端或者其他终端设备。更具体地，本实施例提供的光学指纹识别装置可以设置于自发光显示屏10下方的局部区域或者全部区域，从而形成屏下光学指纹系统。或者，本实施例提供的光学指纹识别装置也可以部分或者全部集成至终端设备的自发光显示屏10内部，形成屏内光学指纹系统。

进一步地，以应用于手机中进行屏下指纹识别为例，本实施例所提供的指纹识别装置可设置于手机的自发光显示屏10下方进行光学指纹识别。入射到识别对象19(例如手指)上的光束由自发光显示屏10提供。该自发光的显示屏例如为OLED显示屏。如此可以利用该自发光显示屏10作为光源照射识别对象19。

在本实施方式中，光学组件30朝向识别对象19设置。光成像芯片6设置于光学组件30下方。该光成像芯片6用于接收光学组件30传播过来的光信号以获得所述识别对象19的指纹信息。具体地，例如如图1至图5所示，该光学组件30通过支撑件17设置于光成像芯片6的上方。

在一个实施方式中，光学组件30包括镜头组件和滤光组件32。例如如图1所示，镜头组件通过支撑件17支撑于滤光组件32的上方。进一步地，该滤光组件32设置于光成像芯片6中成像区的上方。该滤光组件32设置于成像区上方的区域形成有红外截止膜。该红外截止膜阻止红外光(波长范围约760nm至1mm)通过。通过设置红外截止膜，对照射到光成像芯片6的光线有滤除作用，降低红外光(波长范围约760nm至1mm)对最后获得的识别对象19指纹图像信息的干扰。在另一个实施方式中，例如如图5所示，光学组件30为微透镜阵列。进一步地，该微透镜阵列为薄膜光学器件33。该薄膜光学器件33通过光学胶粘附于光成像芯片6朝向自发光显示屏10的表面。

进一步地，光成像芯片6包括感光像素阵列和信号处理部分。该感光像素阵列所在的区域或者其感应区域为指纹识别装置的成像区。进一步地，该成像区位于自发光显示屏10的指纹识别区中。从而对识别对象19进行识别时，只需要将识别对象19(例如手指)按压在位于自发光显示屏10的指纹识别区内，即可实现指纹输入。具体地，以采用OLED显示屏为例，当识别对象19(例如手指)按压在指纹识别区时，自发光显示屏10向指纹识别区上方的识别对象19发出一束光，该光在手指的表面发生反射形成反射光或者经过手指内部散射而形成散射光，在相关专利中，为便于描述，上述反射光和散射光统称为反射光。由于指纹的嵴与谷对于光的反射能力不同，因此，来自指纹嵴的反射光和来自指纹谷的反射光具有不同的光强，反射光经过光学组件30后，被光成像芯片6中的感光像素阵列所接受并转换为相应的电信号，进而进行指纹识别。

进一步地，该感光像素阵列包括多个呈阵列式分布的用于将光信号转换为相应的载流子的光电转换元件。该光电转换元件例如可以是光电二极管。该信号处理部分可以是与感光像素阵列电性连接的读取电路及其他辅助电路。该信号处理部分用于读出并处理感光像素阵列输出的信号。

在一个实施例中，光成像芯片6的感光像素阵列为利用CMOS工艺制作的感光像素阵列。具体地，例如该感光像素阵列设置于硅片上，并且利用在硅片上兼容的CMOS工艺(或集成电路工艺)制作出该感光像素阵列。进一步地，在上述利用CMOS工艺制作的感光像素阵列的实施例中，光成像芯片6的信号处理部分可以和感光像素阵列制作于同一半导体芯片中并形成电连接。

在一个实施例中，光成像芯片6的感光像素阵列还可以形成于玻璃基底或者陶瓷基底上，例如在玻璃基底上利用兼容TFT的工艺形成。相对于CMOS基底，玻璃基底上利用TFT工艺制得的感光像素面积更大一些。这种大面积TFT工艺制作的感光像素阵列的制作成本相对于CMOS工艺制作的成本会低很多。进一步地，光成像芯片6的信号处理部分可以和感光像素阵列一起集成在玻璃基底上，也可以通过另外的基底(如硅基底上的CMOS工艺)形成为独立的芯片再绑定到玻璃基底，以与感光像素阵列的电路引出端连接。本实用新型不限于此，本实用新型实施例中的感光像素阵列以及信号控制和信号读取及输出的方式可以根据公开技术进行设计。

在本实施方式中，滤波层40设置于自发光显示屏10至光成像芯片6之间的光路中。通过滤波层40的光信号的波段与探测光的波段相同或者通过滤波层40的光信号为探测光中部分波段，以滤除探测光波段之外的干扰光信号；其中，探测光为自发光显示屏10的红光、绿光和蓝光的任意组合的波段。由于本申请实施方式所述的光学指纹识别装置设置于自发光显示屏10下方，所以当识别对象19(例如手指)按压在自发光显示屏10的指纹识别区时，首先自发光显示屏10向指纹识别区上方的识别对象19发出探测光，然后该探测光在手指的表面发生反射形成反射光，最终该反射光又经过光学组件30在光成像芯片6上成像。因此传播至光成像芯片6的有效光信号的波段与探测光的波段相同或者为探测光中的部分波段。但传播至光成像芯片6的光信号中不仅仅包括有效光信号，还包括其他光线。例如还包括来自自发光显示屏10背景光的光线。所以在自发光显示屏10至光成像芯片6之间的光路中设置滤波层40，通过滤波层40滤除探测光波段之外的干扰光信号，使得传播至光成像芯片6的光信号中只保留有效光信号，就可以有效提高信噪比。

具体地，例如如图7所示，传播至光成像芯片6的光信号的波段与可见光波段相同。更具体地，该可见光波段为发出白光的波段。该可见光波段外的波段有紫外波段和红外波段。该可见光波段包括与自发光显示屏10所发出的探测光的波段相同的波段H1和与自发光显示屏10所发出的探测光的波段不同的波段H2。以自发光显示屏10所发出的光作为探测光，此探测光的波段H1包括蓝色波段B和绿色波段C和红色波段，为三种不同发光像素所发出的三种颜色的光。如此，与自发光显示屏10所发出的探测光的波段不同的波段H2即为白光中除蓝色波段B、绿色波段C和红色波段D外的波段，例如该与自发光显示屏10所发出的探测光的波段不同的波段H2为橙色波段。

进一步地，如图8所示，经过滤波层40滤除后传播至光成像芯片6的光信号只保留了自发光显示屏10所发出的探测光的波段H1。具体地，如图8所示，经过滤波层40滤除后传播至光成像芯片6的光信号的波段只剩下蓝色波段B和绿色波段C和红色波段D。如此经过滤波层后携带有指纹信息的有效光信号的波段蓝色波段B和绿色波段C和红色波段D可到达光成像芯片6。而与自发光显示屏10所发出的探测光的波段不同的波段H2，例如橙色波段被滤波层40滤除，如此与自发光显示屏10所发出的探测光的波段不同的波段H2例如橙色波段内的光信号不会传播至光成像芯片6，进而不会被光成像芯片6所接受，如此降低了传播至光成像芯片6的噪声光。

以上所描述的具体实施例中，是以OLED屏幕中三像素作为探测光源照射手指时，滤波层主要用于滤出探测光之外其他波段的光。这样可以让尽可能多的携带指纹信息的信号光到达光成像芯片。当然，在手指所反射的携带指纹信息的光信号较为充足时，滤波层甚至可以滤除探测光波段之外的光的同时，也可以滤除探测光中部分波段的光，例如红光、蓝光。

在一个实施方式中，如图1、图3所示，滤波层40形成于滤光组件32。具体地，例如如图1、图3所示，该滤波层40形成于滤光组件32朝向光学组件30的一侧。当然该滤波层40不限于形成于滤光组件32朝向光学组件30的一侧，还可以是该滤波层40形成于滤光组件32远离光学组件30的一侧，对此本申请不作规定。更具体地，本申请实施方式所述的光学指纹识别装置还包括：硬质线路板5。该硬质线路板5设置于光成像芯片6上方，对应于光成像芯片6的成像区域位置设有开孔51，滤光组件32设置于硬质线路板5的开孔51上。由于硬质线路板5具有厚度，所以将硬质线路板5设置于光成像芯片6上方一方面可以有效利用光学组件30与光成像芯片6之间的成像空间，进而减少整个光学指纹识别装置的厚度；另一方面可以实现硬质线路板5的功能。在另一个实施方式中，如图2、图4所示，滤波层40形成于光学镜头上。具体地，例如如图2、图4所示，该滤波层40形成于光学镜头朝向滤光组件32的一侧。当然该滤波层40不限于形成于光学镜头朝向滤光组件32的一侧，还可以是该滤波层40形成于光学镜头远离滤光组件32的一侧，对此本申请不作规定。更具体地，本申请实施方式所述的光学指纹识别装置还包括：硬质线路板5。该硬质线路板5设置于光成像芯片6上方，对应于光成像芯片6的成像区域位置设有开孔51，滤光组件32设置于硬质线路板5的开孔51上。由于硬质线路板5具有厚度，所以将硬质线路板5设置于光成像芯片6上方一方面可以有效利用光学组件30与光成像芯片6之间的成像空间，进而减少整个光学指纹识别装置的厚度；另一方面可以实现硬质线路板5的功能。

在另一个实施方式中，如图5所示，滤波层40集成于光成像芯片6中。该光学组件30为微透镜阵列。具体地，该滤波层40可以集成于光成像芯片6的感光像素阵列内。

由以上介绍的所描述的滤波层所制作的位置的实施例，制作滤波层的载体可分为耐受高温的载体和不耐受高温的载体。耐受高温的载体，例如玻璃材质可以理解为相对耐受高温的滤波层的载体。而树脂相对玻璃而言，对于滤波层而言相对为不耐受高温的材质。对于耐受高温的载体材质，滤波层可以采用电子束加热蒸发镀膜和磁控溅射镀膜方式。采用电子束蒸发镀膜，可使用Ti₃O₅(氧化钛)和SiO₂交替堆叠形成厚度约为4um至7um之间。理论上而言，若滤波层的厚度增加，可以使滤波层的滤波效果更好。但滤波层的总体厚度还是需尽量控制在7um以内，以避免材料治具变化等因素引起的累计误差，导致滤波层滤波光谱变化更大。

针对耐受高温的基底材料，也可采用磁控溅射镀膜方式制作此滤波层。采用磁控溅射镀膜时，可采用Nb₂O₅(氧化铌)和SiO₂两种材料交替堆叠制作滤波层。采用溅射方式制作时，靶材工作稳定，减少因材料治具变化引起的累计误差，而导致滤波层的光谱变差。

而针对滤波层的载体为非耐受高温材料时，例如树脂。在树脂这种材料上面用溅射镀膜方式制作滤波层时，易存在因材料应力大等原因，易发生膜裂现象。而采用蒸发方式镀膜形成此滤波层时，需要使用离子源辅助，控制镀膜温度在100℃左右，配合减少高折射率膜层的厚度，减小温升。若有脱膜现象，与树脂材料接触的第一层，可以尝试采用L5(硅铝混合物)或一氧化硅等。因Ti₃O₅(氧化钛)材料特性不适宜在较低温度下成膜(离子辅助温度需>100℃)。由于树脂这种基材在高温时易发生变形，所以若滤波层需要在较高的温度进行制作时，则不建议采用不耐受高温的载体。

进一步地，本申请实施方式所述的光学指纹识别装置还包括：柔性电路板2。例如如图7、图8所示，该柔性电路板2设置于光成像芯片6远离硬质线路板5的一侧。如图5所示，该柔性电路板2设置于光成像芯片6远离薄膜光学器件33的一侧。该柔性电路板2用于与光成像芯片6电连接，以能为光成像芯片6提供输出接口。

进一步地，滤波层40可以与红外截止膜集成制作于同一层。或者滤波层40与红外截止膜分层设置。

需要说明的是，在本实用新型的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的和区别类似的对象，两者之间并不存在先后顺序，也不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

应该理解，以上描述是为了进行图示说明而不是为了进行限制。通过阅读上述描述，在所提供的示例之外的许多实施例和许多应用对本领域技术人员来说都将是显而易见的。因此，本教导的范围不应该参照上述描述来确定，而是应该参照前述权利要求以及这些权利要求所拥有的等价物的全部范围来确定。出于全面之目的，所有文章和参考包括专利申请和公告的公开都通过参考结合在本文中。在前述权利要求中省略这里公开的主题的任何方面并不是为了放弃该主体内容，也不应该认为申请人没有将该主题考虑为所公开的实用新型主题的一部分。

Claims (10)

1.一种自发光显示屏下光学指纹识别装置，用于设置于自发光显示屏下方，所述自发光显示屏上设置有指纹识别区，所述自发光显示屏的光源作为探测光源照射至所述指纹识别区上的识别对象，其特征在于，所述光学指纹识别装置包括：

光学组件，其朝向所述识别对象设置，收集所述识别对象反射的光信号；

光成像芯片，其设置于所述光学组件下方；用于接收所述光学组件传播过来的光信号以获得所述识别对象的指纹信息；

滤波层，其设置于所述自发光显示屏至所述光成像芯片之间的光路中；通过所述滤波层的光信号的波段与所述探测光的波段相同或者通过所述滤波层的光信号为所述探测光中部分波段，以滤除探测光波段之外的干扰光信号；其中，所述探测光为所述自发光显示屏的红光、绿光和蓝光的任意组合的波段。

2.如权利要求1所述的光学指纹识别装置，其特征在于，所述光学组件包括镜头组件和滤光组件；所述滤光组件设置于所述光成像芯片中成像区的上方，所述滤光组件设置于所述成像区上方的区域形成有红外截止膜。

3.如权利要求2所述的光学指纹识别装置，其特征在于，所述滤波层形成于所述滤光组件。

4.如权利要求2所述的光学指纹识别装置，其特征在于，所述滤波层形成于所述镜头组件上。

5.如权利要求2所述的光学指纹识别装置，其特征在于，还包括：硬质线路板，所述硬质线路板设置于所述光成像芯片上方，对应于所述光成像芯片的成像区域位置设有开孔，所述滤光组件设置于所述硬质线路板的开孔上。

6.如权利要求3或4所述的光学指纹识别装置，其特征在于，所述滤光组件或者形成有滤波层的所述镜头组件部分为玻璃基材。

7.如权利要求1所述的光学指纹识别装置，其特征在于，所述光学组件为微透镜阵列，所述滤波层集成于所述光成像芯片中。

8.如权利要求7所述的光学指纹识别装置，其特征在于，所述微透镜阵列为呈薄膜光学器件，通过光学胶粘附于所述光成像芯片朝向所述自发光显示屏的表面。

9.如权利要求1至5任一项或权利要求7所述的光学指纹识别装置，其特征在于，所述滤波层厚度为4um至7um之间。

10.如权利要求9所述的光学指纹识别装置，其特征在于，所述滤波层为若干二氧化钛层和若干氧化硅层交替堆叠组成。

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