JPS59155151A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents

樹脂封止半導体装置

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JPS59155151A
JPS59155151A JP58029814A JP2981483A JPS59155151A JP S59155151 A JPS59155151 A JP S59155151A JP 58029814 A JP58029814 A JP 58029814A JP 2981483 A JP2981483 A JP 2981483A JP S59155151 A JPS59155151 A JP S59155151A
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JP
Japan
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resin
semiconductor device
sealed semiconductor
glass layer
sealed
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Pending
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JP58029814A
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English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
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Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂封止半導体装置の構造に関する。
従来、樹脂封止半導体装置は、８１図に示すごとき断面
構造を有していた。すなわち、リード・フレームには半
導体素子２が貼付けられると共に金線３により結線して
組立てられ、エポキシ樹脂４で封止されるのが通例であ
った。
しかし、上記従来技術では樹脂の耐湿性が悪く耐湿テス
トに於て、半導体素子の特性を劣化させるという欠点が
あ−た。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、耐湿性の優れ
た樹脂封止半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、樹
脂封止半導体装置に於て、樹脂封止された半導体装置の
樹脂表面と外部環り出し電極の接続部以外の一部にガラ
ス層が形成されて成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明の一実施例を示す樹脂封止半導体装買の
断面図である。リード・フレーム１１には半導体素子１
２が貼付けられ、金線１５によって組立てられ、エポキ
シ樹！１４によって封止された後、化学蒸着法、スパダ
タ法あるいは塗布ガラスの塗布によりガラス層１５が樹
脂表面及び。
リード・フレームの外部電葎との接続部を除く部分に被
れる。
第３図は、本発明のその他の実施例を示す断面図であ打
、セラミック基板２１の一生裏面に半導体素子２２が貼
付けられ、セラミック基板２１に印刷して形成されたリ
ード線２３と金＠２４により組立てられ、エポキシ樹＃
２５で封止された樹脂封止半導体装置の樹脂表面とリー
ド線２３の外部接続部以外の部分にガラス層２６を形成
した構造である。
尚、形成されるガラス層けＢｉ　Ｏ，−Ｂ、　Ｏ，系ガ
ラス。
８４　Ｑ、　−Ａ４０．系ガラス、あるいは七ラミック
。
Ａ４０ｓ’ｌ！及びＢｉｊｋｋ膜が可能である。
上２の如く、樹脂封止半導体装置の樹脂表面等にガラス
層を形成することによ抄、ガラス層が水分の樹脂への侵
入を防止し、耐湿性にすぐれた樹脂封止半導体装置を提
供できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
ｔ４１図は従来技術による樹脂封止半導体装置の断面図
、第２図及びｆｓ３図は本発明による樹脂封止半導体装
置の断面図である、 １．１１・・・・・・リード・フレーム２．１２．２２
・・・・・・半導体素子３．１３．２４・・・・・・金
線 ４．１４．２５・・・・・・樹脂 １５．２６・・・・・・ガラス層 ２１　・・・・・・セラミック基板 ２３　・・・・・・リード線 以　　上 出願人　株式会社　諏訪精工舎

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　樹脂封止された半導体装置の樹脂表面と、外
    部環ね出し電極の接続部以外の一部分にガラス層が形成
    されて成ることを特徴とする樹脂封止半導体装置。
  2. （２）　　ガラス層を１Ｍ０２層となすことを特徴とす
    る特許請求範囲第１項記載の樹脂封止半導体装置。
  3. （３）　　ガラス層をＳｉＮ４層となすことを特徴とす
    る特許請求範囲第１項記載の樹脂封止半導体装ｔ（４）
    　　ガラス層をＡｔ２ａｓ層となすことを特徴とする特
    許請求範囲第１項記載の樹脂封止半導体装ｔ（５）　　
    ガラス層を多層となすことを特徴とする樹脂封止半導体
    装置。
JP58029814A 1983-02-24 1983-02-24 樹脂封止半導体装置 Pending JPS59155151A (ja)

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ID=12286483

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9373558B2 (en) 2013-02-22 2016-06-21 Hitachi, Ltd. Resin-sealed electronic control device
JP2016527701A (ja) * 2013-04-12 2016-09-08 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ 無機及び有機の過渡電子デバイス
CN110739277A (zh) * 2019-09-11 2020-01-31 珠海格力电器股份有限公司 一种封装结构及其制造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9373558B2 (en) 2013-02-22 2016-06-21 Hitachi, Ltd. Resin-sealed electronic control device
JPWO2014128899A1 (ja) * 2013-02-22 2017-02-02 株式会社日立製作所 樹脂封止型電子制御装置
JP2016527701A (ja) * 2013-04-12 2016-09-08 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ 無機及び有機の過渡電子デバイス
US10143086B2 (en) 2013-04-12 2018-11-27 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Transient electronic devices comprising inorganic or hybrid inorganic and organic substrates and encapsulates
CN110739277A (zh) * 2019-09-11 2020-01-31 珠海格力电器股份有限公司 一种封装结构及其制造方法

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