JPS59145518A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPS59145518A JPS59145518A JP934284A JP934284A JPS59145518A JP S59145518 A JPS59145518 A JP S59145518A JP 934284 A JP934284 A JP 934284A JP 934284 A JP934284 A JP 934284A JP S59145518 A JPS59145518 A JP S59145518A
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体′電解コンデンサの製造方法に関する。
従来周体１解コンデンサはその表面積を拡大するために
基体金属粉末全プレス成形した後、焼結することによっ
て得られた多孔質の焼結体を用いている。このような焼
結体からコンデンサ′ｆｃ製造するに当っては、まず焼
結体表面を陽極酸化することによって誘電体絶縁皮膜を
形成した後、二酸化マンガン等の半導体層を形成し、さ
らに順次グラファイト層、銀ペースト層、半田層等から
なる陰極導電体層を形成する。続いて陽極基体金属に半
田付可能な陽極引出リード線を接続するが、このために
は、あらかじめ基体金属焼結体に埋設あるいは溶接等に
よｆ）９続されしかも、陰極層の被ｆＪＥｔ避けて保持
されてきた基体金属と同材質の突出リード線を設けてお
く必要がある。そのために従来方法で製造される固体電
解コンデンサでは突出リード線と、陽極引出リード線の
突出リード線への溶接等による接続余裕のだめの空間が
不可欠であり、コンデンサの小型化への大きな障害とな
っていると共に上記埋設、溶接等の製造工程をそれだけ
余分に必要′；とし経済性が低いものであった。
基体金属粉末全プレス成形した後、焼結することによっ
て得られた多孔質の焼結体を用いている。このような焼
結体からコンデンサ′ｆｃ製造するに当っては、まず焼
結体表面を陽極酸化することによって誘電体絶縁皮膜を
形成した後、二酸化マンガン等の半導体層を形成し、さ
らに順次グラファイト層、銀ペースト層、半田層等から
なる陰極導電体層を形成する。続いて陽極基体金属に半
田付可能な陽極引出リード線を接続するが、このために
は、あらかじめ基体金属焼結体に埋設あるいは溶接等に
よｆ）９続されしかも、陰極層の被ｆＪＥｔ避けて保持
されてきた基体金属と同材質の突出リード線を設けてお
く必要がある。そのために従来方法で製造される固体電
解コンデンサでは突出リード線と、陽極引出リード線の
突出リード線への溶接等による接続余裕のだめの空間が
不可欠であり、コンデンサの小型化への大きな障害とな
っていると共に上記埋設、溶接等の製造工程をそれだけ
余分に必要′；とし経済性が低いものであった。
本発明はかかる欠点を解決した大きな容量効率分有する
と共にチップ状のコンデンサとしての使用に最適の構造
を有するコンデンサの製造方法を提供することを目的と
するものである。
と共にチップ状のコンデンサとしての使用に最適の構造
を有するコンデンサの製造方法を提供することを目的と
するものである。
本発明による固体′α解コンデンサの製造方法は、複数
の塊状体を相互にその一部でもって一体化した形状の弁
作用を有する金属の焼結体の表面を陽極酸化するーＬ程
と、所定の陰極導電体層を形成する工程と、上記金属焼
結体を個々の塊状体に上記一部を切断することにより分
割する工程と、上記塊状体の切断面に含まれる上記陰極
導電体層の露出部全絶縁性樹脂で被覆する工程と、上記
切断面に含まれる上記金属焼結体の表面に陽極端子を取
り付ける工程とを含むことを特徴とするものであり、上
述した製造方法は好ましくは式らに陰極導電体要分形成
したちと絶縁性樹脂で被覆する工程と、上記金属焼結体
全個々の塊状に分割した後、分割面近傍の陰極導電体層
を除去する工程を含むものである。
の塊状体を相互にその一部でもって一体化した形状の弁
作用を有する金属の焼結体の表面を陽極酸化するーＬ程
と、所定の陰極導電体層を形成する工程と、上記金属焼
結体を個々の塊状体に上記一部を切断することにより分
割する工程と、上記塊状体の切断面に含まれる上記陰極
導電体層の露出部全絶縁性樹脂で被覆する工程と、上記
切断面に含まれる上記金属焼結体の表面に陽極端子を取
り付ける工程とを含むことを特徴とするものであり、上
述した製造方法は好ましくは式らに陰極導電体要分形成
したちと絶縁性樹脂で被覆する工程と、上記金属焼結体
全個々の塊状に分割した後、分割面近傍の陰極導電体層
を除去する工程を含むものである。
あるいは１本発明の固体酸等コンデンサの製造方法は、
焼結された弁作用を有する金属の焼結体を表面から内部
へ厚さ方向の一部を陽極酸化する工程と、所定の陰極導
電体層を形成する工程と、上記導電体層の形成された上
記金属焼結体をその厚さ方向の面で複数に切断して複数
のコンデンサ素子を形成する工程と、上記コンデンサ素
子の切断面に露出している上記金属をその所定部を除い
て絶縁性樹脂で被覆する工程と、上記切断面の所定部に
陽極端子を取り付ける工程とを含むことを特徴とするも
のである。
焼結された弁作用を有する金属の焼結体を表面から内部
へ厚さ方向の一部を陽極酸化する工程と、所定の陰極導
電体層を形成する工程と、上記導電体層の形成された上
記金属焼結体をその厚さ方向の面で複数に切断して複数
のコンデンサ素子を形成する工程と、上記コンデンサ素
子の切断面に露出している上記金属をその所定部を除い
て絶縁性樹脂で被覆する工程と、上記切断面の所定部に
陽極端子を取り付ける工程とを含むことを特徴とするも
のである。
かがる本発明によれば陽極端子部の取り出し構造が大巾
に小型化された高体積効率を有する固体電解コンデンサ
を得ると共に非常に量産性の優れた該コンデンサの浪遣
方法をも併せて可能ならしめるものである。
に小型化された高体積効率を有する固体電解コンデンサ
を得ると共に非常に量産性の優れた該コンデンサの浪遣
方法をも併せて可能ならしめるものである。
次に本発明の第１の実施例について第１図（５）〜０を
用いて説明を加える。
用いて説明を加える。
クンタル、アルミニウム等の弁作用を有するコンデンサ
用基体金属の粉体を圧縮成形後たとえば、タンス、ルで
は１０００℃〜２２００°Ｃ，アルミニウムでは４００
〜５５０℃の高温中にて真空焼結して第１図（Ａ）に示
す如き複数の六面体ブロックを１つの柱状体で連結した
連結焼結体１を得る。このような連結焼結体１を得るも
う一つの方法として、金属の粉体を所望の焼結体形状に
合わせて、抜き型加工した窒化ジルコニウム等の耐熱性
容器に静置した状態で真空高温焼結しでも良い。このよ
うにして得た連結焼結体の上記柱状体の一端を弁作用を
有する金属線２に溶接、保持することにより多数個の連
結焼結体を同時に化成、陰極体等の処理を行なえるよう
にバッチ組みする。この際、金属線２の代りに弁作用を
有する金属板で保持しても、また、通常の金属線でも化
成液処浸されなければ同様に用いることができる。しか
る後、連結焼結体１全体に陽極酸化によって誘電体絶縁
皮膜を形成した後、順次Ｍ ｎ Ｏ２、又はＰｌ）０２
等の半導体層及び、グラファイト層、銀ペースト層、半
田層等全台む陰極層３を形成する。このようにして形入 成された、連結フンデンサ素子群に陰極端子４を接続し
、絶縁樹脂５にて外装することにより、第１図（ト）の
如き断面を有する連結コンデンサ素子群を得る。もちろ
ん場合によっては陰極端子４の接続を後工程に回しても
よい。次に該連結コンデンサ素子群を個々のコンデンサ
素子に分割するために連結している上記柱状部を第１図
（ロ）に示した一点鎖線部α−α′ 及び二点鎖線部β
−β′ 等で切断し各素子を必要に応じて、切り離す。
用基体金属の粉体を圧縮成形後たとえば、タンス、ルで
は１０００℃〜２２００°Ｃ，アルミニウムでは４００
〜５５０℃の高温中にて真空焼結して第１図（Ａ）に示
す如き複数の六面体ブロックを１つの柱状体で連結した
連結焼結体１を得る。このような連結焼結体１を得るも
う一つの方法として、金属の粉体を所望の焼結体形状に
合わせて、抜き型加工した窒化ジルコニウム等の耐熱性
容器に静置した状態で真空高温焼結しでも良い。このよ
うにして得た連結焼結体の上記柱状体の一端を弁作用を
有する金属線２に溶接、保持することにより多数個の連
結焼結体を同時に化成、陰極体等の処理を行なえるよう
にバッチ組みする。この際、金属線２の代りに弁作用を
有する金属板で保持しても、また、通常の金属線でも化
成液処浸されなければ同様に用いることができる。しか
る後、連結焼結体１全体に陽極酸化によって誘電体絶縁
皮膜を形成した後、順次Ｍ ｎ Ｏ２、又はＰｌ）０２
等の半導体層及び、グラファイト層、銀ペースト層、半
田層等全台む陰極層３を形成する。このようにして形入 成された、連結フンデンサ素子群に陰極端子４を接続し
、絶縁樹脂５にて外装することにより、第１図（ト）の
如き断面を有する連結コンデンサ素子群を得る。もちろ
ん場合によっては陰極端子４の接続を後工程に回しても
よい。次に該連結コンデンサ素子群を個々のコンデンサ
素子に分割するために連結している上記柱状部を第１図
（ロ）に示した一点鎖線部α−α′ 及び二点鎖線部β
−β′ 等で切断し各素子を必要に応じて、切り離す。
この時、焼結体の連結部が切り離されることによって、
焼結体の一部が切断面となって露出される。この時の端
面の拡大図を第１図（ＣＩに示す。
焼結体の一部が切断面となって露出される。この時の端
面の拡大図を第１図（ＣＩに示す。
このあと切断面における陽極金属体７に銀ベースト、半
田等の導・電性接合手段を用いて陽極端子を形成すれば
良いわけであるがこの際切断面において陰極導電体層が
陽極金属体、上記導電性接合手段、および陽極端子と接
触し７カいように切断面における陽極全風体７の所定部
を残して少なくとも切断面における陰極導体層を絶縁樹
脂等で絶縁鼠・理しておけば良へのである力８本実施例
では、図のごとく端面に露出した焼結体の基体金属６及
びその誘電体層７以外の半導体陰極層８、グラファイト
層９、銀ペースト層１０、半田層１１．１：りなる陰極
層２を取り除く方法としては例えば基体金属がタンタル
で半導体陰極層８がＭ ｎ ０２で、導電体陰極層がグ
ラファイト９、銀ペースト１０、半田１１である場合に
は過酸化素水と塩酸を含んだ水溶液等に浸漬することに
よって陰極層を溶解した後、温水洗浄して乾燥する。こ
の後、低粘度の絶縁フェノ等の樹脂１２にて溶解部分被
覆した後、姻面に露出した焼結体の基体金へ面に、例え
ば銀ペースト、セラミック用半田等の弁作用金属と接続
可能な接合剤１９を用いて陽極端子１７を接合する。同
様に陰極端子４にも陰極外部端子１８が取り付けられる
。
田等の導・電性接合手段を用いて陽極端子を形成すれば
良いわけであるがこの際切断面において陰極導電体層が
陽極金属体、上記導電性接合手段、および陽極端子と接
触し７カいように切断面における陽極全風体７の所定部
を残して少なくとも切断面における陰極導体層を絶縁樹
脂等で絶縁鼠・理しておけば良へのである力８本実施例
では、図のごとく端面に露出した焼結体の基体金属６及
びその誘電体層７以外の半導体陰極層８、グラファイト
層９、銀ペースト層１０、半田層１１．１：りなる陰極
層２を取り除く方法としては例えば基体金属がタンタル
で半導体陰極層８がＭ ｎ ０２で、導電体陰極層がグ
ラファイト９、銀ペースト１０、半田１１である場合に
は過酸化素水と塩酸を含んだ水溶液等に浸漬することに
よって陰極層を溶解した後、温水洗浄して乾燥する。こ
の後、低粘度の絶縁フェノ等の樹脂１２にて溶解部分被
覆した後、姻面に露出した焼結体の基体金へ面に、例え
ば銀ペースト、セラミック用半田等の弁作用金属と接続
可能な接合剤１９を用いて陽極端子１７を接合する。同
様に陰極端子４にも陰極外部端子１８が取り付けられる
。
以上のように製造された固体電解コンデンサの特徴は陽
極端子を焼結体面から直接引き出しているために、その
体積効率がきわめて大きい点にあり、また、このような
構造のコンデンサは連結焼結体を用いてシステム化され
た工法をとることが可能となるため工程が著しく簡略化
され、安価に製造することが可能となる点にある。
極端子を焼結体面から直接引き出しているために、その
体積効率がきわめて大きい点にあり、また、このような
構造のコンデンサは連結焼結体を用いてシステム化され
た工法をとることが可能となるため工程が著しく簡略化
され、安価に製造することが可能となる点にある。
次に本発明の第２の実施例について第２図へ）〜０を用
いて説明する。
いて説明する。
高純度窒化ホウ素（ＢＮ）焼結体でつくられた縁付板状
の支持材に、縦１５０ｍ＋、横２０簡、厚さ２１にタン
タル粉末を充填し、１０−６〜１０’Ｔｏｒｒの真空下
温度１９００℃で３０分間焼結した後、支持材より板状
の焼結塊２１を取り出し、焼結塊２１の一端にタンタル
線２２を抵抗溶接して第２図（５）タンタル線２２の他
端を陽極化成の市流を供給する支持架２３に取υ付ける
ことにより多数個の焼結塊を同時に陽極酸化して焼結塊
２１の全表面にわたって誘電体絶縁層２４全形成した（
第２図（ハ））。さらに焼結塊２１を硝酸マンガン溶液
に浸漬し、温度２００℃〜３００℃の恒温炉中にて誘電
体絶縁層２４表面に半導体陰極層１・、１として二酸化
マンガン（ＭｎＯ２）層を形成した。その後通常の如く
、順次グラファイト、銀ペースト、半田層よりなる陰極
層′「１層２５′ｆ、形成する。さらに該コンデンサ素
体ｆ Ｋｅ３緑性工性エポキシ樹脂２６キャスティング
モールド被覆した後（第２図０）、ダイアモンドカッタ
ーにて縦横に切断し、１個の素子の大きさが樅１０箭、
横５霧、高さ３０の一複数のコンデンサ素子３０を得た
（第２図（ハ））。
の支持材に、縦１５０ｍ＋、横２０簡、厚さ２１にタン
タル粉末を充填し、１０−６〜１０’Ｔｏｒｒの真空下
温度１９００℃で３０分間焼結した後、支持材より板状
の焼結塊２１を取り出し、焼結塊２１の一端にタンタル
線２２を抵抗溶接して第２図（５）タンタル線２２の他
端を陽極化成の市流を供給する支持架２３に取υ付ける
ことにより多数個の焼結塊を同時に陽極酸化して焼結塊
２１の全表面にわたって誘電体絶縁層２４全形成した（
第２図（ハ））。さらに焼結塊２１を硝酸マンガン溶液
に浸漬し、温度２００℃〜３００℃の恒温炉中にて誘電
体絶縁層２４表面に半導体陰極層１・、１として二酸化
マンガン（ＭｎＯ２）層を形成した。その後通常の如く
、順次グラファイト、銀ペースト、半田層よりなる陰極
層′「１層２５′ｆ、形成する。さらに該コンデンサ素
体ｆ Ｋｅ３緑性工性エポキシ樹脂２６キャスティング
モールド被覆した後（第２図０）、ダイアモンドカッタ
ーにて縦横に切断し、１個の素子の大きさが樅１０箭、
横５霧、高さ３０の一複数のコンデンサ素子３０を得た
（第２図（ハ））。
この後、素子３０をクエン酸５％の液中に投入し５分間
加熱エツチングすることによって、切断面３１．３２に
露出した陰極物質２５を０．５闘程度溶解除去し、純水
にてクエン酸液と溶解物を洗い流した後乾燥した（第２
図■）。しかる後、素子を低粘度のエポキシ樹脂中に浸
漬して切断面３１．３２に絶縁保設層２９を形成した後
（第２図（Ｆ））、一端の切断面３１を研摩してタンタ
ル金属部２０を露出させた後セラミック用高温半田によ
って陽極端子板２７を取９つけた。又、この時同時に陰
極予定部の樹脂被覆２６．２９も研摩して通常の高温半
田にて陰極端子板２８を取りつけコンデンサを完成した
（゛第２図◎）。
加熱エツチングすることによって、切断面３１．３２に
露出した陰極物質２５を０．５闘程度溶解除去し、純水
にてクエン酸液と溶解物を洗い流した後乾燥した（第２
図■）。しかる後、素子を低粘度のエポキシ樹脂中に浸
漬して切断面３１．３２に絶縁保設層２９を形成した後
（第２図（Ｆ））、一端の切断面３１を研摩してタンタ
ル金属部２０を露出させた後セラミック用高温半田によ
って陽極端子板２７を取９つけた。又、この時同時に陰
極予定部の樹脂被覆２６．２９も研摩して通常の高温半
田にて陰極端子板２８を取りつけコンデンサを完成した
（゛第２図◎）。
このようにしてできた本発明によるコ゛ンデンサの体積
は従来のものと比較しＣ第１表に示す。
は従来のものと比較しＣ第１表に示す。
第１表によれば本発明の方法によるコンデンサは従来の
コンデンサに比較して体積効率が著しくすぐれているこ
とが明らかである。
コンデンサに比較して体積効率が著しくすぐれているこ
とが明らかである。
第１表
なお上述した第１の実施例では直方体の弁作用を有する
金属ブロックを相互にその一端を柱状体で一体化した形
状としたが、かかる形状の他にも例えば円柱状金属ブロ
ックを柱状体で一体化しても又、放射状に同性状金属ブ
ロックを配Ｉユして中心部で相互に一体化しても良く、
実施例の形状に限定する必要は全くない。
金属ブロックを相互にその一端を柱状体で一体化した形
状としたが、かかる形状の他にも例えば円柱状金属ブロ
ックを柱状体で一体化しても又、放射状に同性状金属ブ
ロックを配Ｉユして中心部で相互に一体化しても良く、
実施例の形状に限定する必要は全くない。
また第２の実施例では陰極導電層全形成した弁作用を有
する角柱状虜属塊を樹脂処理した後、縦横に切断したが
、かかる樹脂処理は切断後に必要に応じて行なっても良
い。また前述した切断は全く自由に行なうことができ長
さ方向にのみ切断しても良いことは勿論であシ制限され
るものではない。
する角柱状虜属塊を樹脂処理した後、縦横に切断したが
、かかる樹脂処理は切断後に必要に応じて行なっても良
い。また前述した切断は全く自由に行なうことができ長
さ方向にのみ切断しても良いことは勿論であシ制限され
るものではない。
さらに本発明は陰極導電体層として有機半導体を含む場
合についてもそのまま適用しうるものであることは勿論
である。
合についてもそのまま適用しうるものであることは勿論
である。
さらに上述した実施例においては陽極、陰極の端子は半
田付は等により取り付けた場合について示したが露出し
ている陽極金属面および最外層あるいは陰極′ｄ極の表
面に直接細線等をレーザ溶接により取り付けても良いも
のである。
田付は等により取り付けた場合について示したが露出し
ている陽極金属面および最外層あるいは陰極′ｄ極の表
面に直接細線等をレーザ溶接により取り付けても良いも
のである。
第１図（Ａ）〜０は本発明の第１の実施例におけるコン
デンサの製造工程を順次説明する斜視図（同図（Ａ）、
（Ｑ）および断面図（同図（Ｂ）、（Ｄ））であシ、第
２図（ト）〜０は本発明の第２の実施例におけるコンデ
ンサの與査１．工程を順次説明する斜視図（同図（ト）
、（均）および断面図（同［ｇ（Ｑ−（！、））である
。 図中の符号 １：弁作用を有する金属焼結体、２，２２：弁作用を有
する金属の線、３．２５：陰極導電体層（誘゛Ｂ体層を
含む）、４：陰極電極、５゜１２．２６，２９：絶縁性
樹脂、６，２０７基体金属、７，２４：陽極酸化層、８
：半導体層、９；グラファイト層、１０：銀ペースト層
、１１、．１９：半田層、１７，２７：陽極端子、１８
．２８：陰極端子、２３：支時架、３０：コンデンサ素
子、３１，３２：切断面 一・′・・１、。 代理人 弁理士 内 原 晋 □茅 １ 回 ／ （Ａ） 第 １ 目 Ｃρノ 某 ２ 格 Ｃβノ 第 ２ 目 ７９−
デンサの製造工程を順次説明する斜視図（同図（Ａ）、
（Ｑ）および断面図（同図（Ｂ）、（Ｄ））であシ、第
２図（ト）〜０は本発明の第２の実施例におけるコンデ
ンサの與査１．工程を順次説明する斜視図（同図（ト）
、（均）および断面図（同［ｇ（Ｑ−（！、））である
。 図中の符号 １：弁作用を有する金属焼結体、２，２２：弁作用を有
する金属の線、３．２５：陰極導電体層（誘゛Ｂ体層を
含む）、４：陰極電極、５゜１２．２６，２９：絶縁性
樹脂、６，２０７基体金属、７，２４：陽極酸化層、８
：半導体層、９；グラファイト層、１０：銀ペースト層
、１１、．１９：半田層、１７，２７：陽極端子、１８
．２８：陰極端子、２３：支時架、３０：コンデンサ素
子、３１，３２：切断面 一・′・・１、。 代理人 弁理士 内 原 晋 □茅 １ 回 ／ （Ａ） 第 １ 目 Ｃρノ 某 ２ 格 Ｃβノ 第 ２ 目 ７９−
Claims (1)
- 弁作用を有する金属の焼結体の表面を陽極酸化する工程
と、所定の陰極導電体層を形成する工程と、前記金属焼
結体を切断することにょシ復数の塊状体を得る工程と、
前記各塊状体の切断面に含まれる前記陰極４電体層の露
出部を絶縁性樹脂で被覆する工程と、前記切断面に含ま
れる前記金属焼結体の表面に陽極端子を取り付ける工程
とを有することを特徴とする固体電解コンデンサの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP934284A JPS59145518A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP934284A JPS59145518A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59145518A true JPS59145518A (ja) | 1984-08-21 |
| JPS633445B2 JPS633445B2 (ja) | 1988-01-23 |
Family
ID=11717793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP934284A Granted JPS59145518A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59145518A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198260A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Nippon Chemicon Corp | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2011159659A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ |
| JP2013074081A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Hitachi Aic Inc | 電解コンデンサ用の焼結体電極の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4241575A1 (de) * | 1992-12-10 | 1994-06-16 | Baldwin Gegenheimer Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum kontaktfreien Entfernen von Schmutz von Gegenständen, insbesondere von Druckmaschinen-Zylindern |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP934284A patent/JPS59145518A/ja active Granted
Cited By (4)
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS633445B2 (ja) | 1988-01-23 |
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