JP4961096B2 - 固体容量部品の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 93
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 58
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 239000008207 working material Substances 0.000 claims description 8
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 4
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YTAHJIFKAKIKAV-XNMGPUDCSA-N [(1R)-3-morpholin-4-yl-1-phenylpropyl] N-[(3S)-2-oxo-5-phenyl-1,3-dihydro-1,4-benzodiazepin-3-yl]carbamate Chemical compound O=C1[C@H](N=C(C2=C(N1)C=CC=C2)C1=CC=CC=C1)NC(O[C@H](CCN1CCOCC1)C1=CC=CC=C1)=O YTAHJIFKAKIKAV-XNMGPUDCSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
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- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
(i)多孔性焼結バルブ作用材料を含み第1の素子と第1の銀ペースト層とを複数備えた第1の基板を形成するステップと、
(ii)多孔性焼結バルブ作用材料を含み第2の素子と第2の銀ペースト層とを複数備えた第2の基板を形成するステップと、
(iii)前記第1及び第2の素子の各々が互いに相互整列するように、前記第1及び第2の基板を整列させるステップと、
(iv)前記第1及び第2の素子を互いに動作接続して、サンドイッチ基板を形成するように、前記第1の導電性中間層と前記第2の導電性中間層との間に形成された接着層によって前記第1及び第2の基板を一体的に固定するステップと、
(v)前記第1及び第2の素子を電気絶縁材料で封止するステップと、
(vi)第2の容量部品に動作接続された第1の容量部品を備えた複数の個別部品を形成するために、前記サンドイッチ基板を分割するステップと
を備えたマルチプル固体容量部品(multiple solid state capacitive component)の製造方法が提供される。
a)第1の基板層を形成するステップと、
b)該第1の基板層の一方の表面に、多孔性焼結バルブ作用材料からなる複数の第1の直立ボディと複数の第1のチャネルを形成するステップと、
c)第2の基板層を形成するステップと、
d)該第2の基板層の一方の表面に、多孔性焼結バルブ作用材料からなる複数の第2の直立ボディと複数の第2のチャネルを形成するステップと、
e)前記第1の直立ボディ上に第1の絶縁層と第1の陰極層を形成するとともに、前記第2の直立ボディ上に第2の絶縁層と第2の陰極層を形成するステップと、
f)前記第1の陰極層上に第1の銀ペースト層を形成するとともに、前記第2の陰極層上に第2の銀ペースト層を形成するステップと、
g)前記直立ボディが相互整列するよう、前記第1及び第2の基板を整列させるステップと、
h)前記第1及び第2の直立ボディが動作接続されたサンドイッチ基板を形成するために、前記第1の銀ペースト層と前記第2の銀ペースト層との間に挿入された金属プレートによって前記第1の基板と前記第2の基板を一体的に固定するステップと、
i)前記第1及び第2チャネルに樹脂浸透させることによって前記直立ボディを電気絶縁材料で封止するステップと、
j)前記サンドイッチ基板を、それぞれ、第1のコンデンサが前記第1の直立ボディに対応し、第2のコンデンサが前記第2の直立ボディに対応する2つのコンデンサを備えた複数の個別容量部品に分割、前記チャネルに形成されたサイドウォール上で、かつ前記金属プレートと電気接触する陰極端子帯を形成するステップと
を備えたマルチプル固体容量部品(multiple solid state capacitive component)の製造方法を提供する。
Claims (6)
- (i)多孔性焼結バルブ作用材料を含み第1の素子と第1の銀ペースト層とを複数備えた第1の基板を形成するステップと、
(ii)多孔性焼結バルブ作用材料を含み第2の素子と第2の銀ペースト層とを複数備えた第2の基板を形成するステップと、
(iii)前記第1及び第2の素子の各々が互いに相互整列するように、前記第1及び第2の基板を整列させるステップと、
(iv)前記第1及び第2の素子を互いに動作接続して、サンドイッチ基板を形成するように、前記第1の銀ペースト層と前記第2の銀ペースト層との間に形成された接着層によって前記第1及び第2の基板を一体的に固定するステップと、
(v)前記第1及び第2の素子を電気絶縁材料で封止するステップと、
(vi)第2の容量部品に動作接続された第1の容量部品を備えた複数の個別部品を形成するために、前記サンドイッチ基板を分割するステップと
を備えたことを特徴とするマルチプル固体容量部品の製造方法。 - 前記第1及び第2の容量部品は、同じ電子的機能を有することを特徴とする請求項1に記載のマルチプル固体容量部品の製造方法。
- 前記第1及び第2の容量部品の個々は、異なる動作特性を有することを特徴とする請求項1に記載のマルチプル固体容量部品の製造方法。
- a)第1の基板層を形成するステップと、
b)該第1の基板層の一方の表面に、多孔性焼結バルブ作用材料からなる複数の第1の直立ボディと複数の第1のチャネルを形成するステップと、
c)第2の基板層を形成するステップと、
d)該第2の基板層の一方の表面に、多孔性焼結バルブ作用材料からなる複数の第2の直立ボディと複数の第2のチャネルを形成するステップと、
e)前記第1の直立ボディ上に第1の絶縁層と第1の陰極層を形成するとともに、前記第2の直立ボディ上に第2の絶縁層と第2の陰極層を形成するステップと、
f)前記第1の陰極層上に第1の銀ペースト層を形成するとともに、前記第2の陰極層上に第2の銀ペースト層を形成するステップと、
g)前記直立ボディが相互整列するよう、前記第1及び第2の基板を整列させるステップと、
h)前記第1及び第2の直立ボディが動作接続されたサンドイッチ基板を形成するために、前記第1の銀ペースト層と前記第2の銀ペースト層との間に挿入された金属プレートによって前記第1の基板と前記第2の基板を一体的に固定するステップと、
i)前記第1及び第2チャネルに樹脂浸透させることによって前記直立ボディを電気絶縁材料で封止するステップと、
j)前記サンドイッチ基板を、それぞれ、第1のコンデンサが前記第1の直立ボディに対応し、第2のコンデンサが前記第2の直立ボディに対応する2つのコンデンサを備えた複数の個別容量部品に分割し、前記チャネルに形成されたサイドウォール上で、かつ前記金属プレートと電気接触する陰極端子帯を形成するステップと
を備えたことを特徴とするマルチプル固体容量部品の製造方法。 - 前記ステップg)で前記基板の面と面が整列して、それらの個々の第1及び第2の直立ボディの面が互いに整列し、また、前記ステップh)には、前記第1及び第2の基板層を外側の層にしたサンドイッチ構成を形成するための、前記直立ボディの整列した自由端を電気接続するステップを備え、それにより、前記サンドイッチ基板が分割されると、それぞれ、前記外側の第1及び第2の基板に対応する第1及び第2の陽極端子と、前記直立ボディの前記自由端間の電気接続部に対応する陰極領域とを有する複数の部品対が形成されることを特徴とする請求項4に記載のマルチプル固体容量部品の製造方法。
- 前記ステップj)の分割ステップでさらに前記金属プレートが分割され、各部品の陰極端子が、分割によって各々の部品に形成される前記金属プレートの露出表面部分によって形成されることを特徴とする請求項4に記載のマルチプル固体容量部品の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB0112674.7 | 2001-05-24 | ||
GBGB0112674.7A GB0112674D0 (en) | 2001-05-24 | 2001-05-24 | Manufacture of solid state electronic components |
PCT/GB2002/002466 WO2002097832A2 (en) | 2001-05-24 | 2002-05-24 | Manufacture of solid state electronic components |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004522306A JP2004522306A (ja) | 2004-07-22 |
JP4961096B2 true JP4961096B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=9915225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003500927A Expired - Fee Related JP4961096B2 (ja) | 2001-05-24 | 2002-05-24 | 固体容量部品の製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7323395B2 (ja) |
JP (1) | JP4961096B2 (ja) |
KR (1) | KR100932006B1 (ja) |
CN (1) | CN100382210C (ja) |
AU (1) | AU2002256822A1 (ja) |
DE (1) | DE10296884B4 (ja) |
GB (2) | GB0112674D0 (ja) |
WO (1) | WO2002097832A2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9824442D0 (en) | 1998-11-06 | 1999-01-06 | Avx Ltd | Manufacture of solid state capacitors |
US8065475B2 (en) * | 2005-05-11 | 2011-11-22 | Stec, Inc. | Registered dual in-line memory module having an extended register feature set |
US7799612B2 (en) * | 2007-06-25 | 2010-09-21 | Spansion Llc | Process applying die attach film to singulated die |
TWI347810B (en) * | 2008-10-03 | 2011-08-21 | Po Ju Chou | A method for manufacturing a flexible pcb and the structure of the flexible pcb |
US8279583B2 (en) * | 2009-05-29 | 2012-10-02 | Avx Corporation | Anode for an electrolytic capacitor that contains individual components connected by a refractory metal paste |
US8199461B2 (en) * | 2009-05-29 | 2012-06-12 | Avx Corporation | Refractory metal paste for solid electrolytic capacitors |
US8441777B2 (en) * | 2009-05-29 | 2013-05-14 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with facedown terminations |
TWI443698B (zh) * | 2012-09-13 | 2014-07-01 | Ind Tech Res Inst | 去耦合元件及其製造方法 |
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CN111223665A (zh) * | 2020-03-19 | 2020-06-02 | 福建火炬电子科技股份有限公司 | 一种五端陶瓷电容器及其使用方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6130059A (ja) * | 1984-07-20 | 1986-02-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0666235B2 (ja) * | 1989-09-02 | 1994-08-24 | いすゞ自動車株式会社 | 電気二重層コンデンサ |
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GB9922091D0 (en) * | 1999-09-17 | 1999-11-17 | Avx Ltd | Manufacture of solid state capacitors |
-
2001
- 2001-05-24 GB GBGB0112674.7A patent/GB0112674D0/en not_active Ceased
-
2002
- 2002-05-24 GB GB0326528A patent/GB2392560B/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-24 US US10/478,839 patent/US7323395B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-24 DE DE10296884T patent/DE10296884B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-24 JP JP2003500927A patent/JP4961096B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-24 CN CNB028141849A patent/CN100382210C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-24 WO PCT/GB2002/002466 patent/WO2002097832A2/en active Application Filing
- 2002-05-24 KR KR1020037015368A patent/KR100932006B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-05-24 AU AU2002256822A patent/AU2002256822A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB0112674D0 (en) | 2001-07-18 |
US7323395B2 (en) | 2008-01-29 |
CN100382210C (zh) | 2008-04-16 |
WO2002097832A3 (en) | 2003-11-27 |
CN1529891A (zh) | 2004-09-15 |
KR100932006B1 (ko) | 2009-12-15 |
US20050000071A1 (en) | 2005-01-06 |
GB2392560B (en) | 2004-08-11 |
DE10296884B4 (de) | 2008-08-28 |
AU2002256822A1 (en) | 2002-12-09 |
KR20040014530A (ko) | 2004-02-14 |
WO2002097832A2 (en) | 2002-12-05 |
JP2004522306A (ja) | 2004-07-22 |
GB0326528D0 (en) | 2003-12-17 |
DE10296884T5 (de) | 2005-01-27 |
GB2392560A (en) | 2004-03-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
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A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
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|
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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