KR100579912B1

KR100579912B1 - 고체 상태 커패시터의 제조 방법

Info

Publication number: KR100579912B1
Application number: KR1020017005757A
Authority: KR
Inventors: 헌팅돈데이비드
Original assignee: 에이브이엑스 리미티드
Priority date: 1998-11-06
Filing date: 1999-10-28
Publication date: 2006-05-15
Also published as: WO2000028559A1; GB9824442D0; DE69919888D1; IL142987A0; JP2002529931A; DE69919888T2; US20050111164A1; US6699767B1; ATE275285T1; EP1127360B1; JP4405086B2; EP1127360A1; CN1329746A; KR20010099794A; CN1188875C; AU6359499A; US7687884B2

Abstract

본 발명은 고체 상태 커패시터 분야에 관한 것으로, 특히 고체 상태 커패시터를 대량으로 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 양상에 따라, 금속 기판 층(10)을 제공하고, 기판 층의 상부 표면 위에 다공성 소결 밸브-작용 금속으로 이루어진 다수의 직립 몸체(16)를 형성하고, 몸체 위에 유전체 층을 형성하고, 유전체 층 위에 음극 층을 형성하고, 액상 증착 또는 기상 증착에 의해 아니면 응고될 수 있는 페이스트 따위의 고정화된 유동성 성분을 인가함으로써 각각의 직립 몸체의 상단부에 적어도 하나의 도전 중간 층(27, 21)을 피복하여 음극 층과 중간 층 사이에 물리적인 접촉을 형성하고, 각각의 몸체의 측벽을 전기적으로 절연된 재료(24)로 둘러싸고, 처리된 기판을, 캡슐화 재료로 된 슬리브와, 노출된 기판(23)으로 이루어진 일단부에 배치된 양극 단자 표면 부분과, 노출된 중간 층(21)으로 이루어진 타단부에 배치된 음극 단자 표면 부분을 각각 갖춘 다수의 개별적인 커패시터 몸체로 분할하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법이 제공된다.

Description

고체 상태 커패시터의 제조 방법{MANUFACTURE OF SOLID STATE CAPACITORS}

본 발명은 고체 상태 커패시터 분야에 관한 것으로, 특히 고체 상태 커패시터를 대량으로 제조하는 방법에 관한 것이다.

고체 상태의 탄탈(tantalum) 커패시터를 대량으로 제조하는 방법은 미국 특허 제 5,357,399 호(발명자: 이안 살리스버리)에 개시되어 있다. 이 방법은 고체 상태의 탄탈로 된 기판 웨이퍼를 제공하고, 기판 상에 소결된 다공성 탄탈 층을 형성하고, 다공성 탄탈 층에 직교 패턴의 채널을 형성하여 직립 다공성 탄탈 선형 몸체의 어레이를 생성하고, 입방체를 양극처리하여 몸체 상에 유전체 층을 생성하고, 몸체를 질산 망간 용액 내에 담그고, 가해진 용액이 이산화망간으로 변환되도록 가열하여 음극 층을 형성하고, 각각의 상단부에 각각의 탄소로 된 도전 층과 은을 도포하고, 고체 금속의 웨이퍼로 된 덮개를 은 층 위에 접합하고, 절연 수지 재료를 기판과 덮개에 의해 구속된 몸체 사이의 채널 내로 분사하고, 웨이퍼의 평면에 직교하는 방향으로 각각의 채널의 중앙선을 따라 어셈블리를 분할함으로써, 양극 단자는 기판 재료로 이루어지고 음극 단자는 덮개 재료로 이루어지며, 용량성 몸체는 피복된 다공성 탄탈 몸체로 이루어진 다수의 커패시터를 생성하는 단계로 이루어져 있다.

이 방법에 의하면, 높은 체적 효율성으로 소형의 신뢰성 있는 커패시터를 제조할 수 있다. 그러나, 전자 산업에서 요구하는 구성요소가 계속해서 극소형화됨에 따라 더욱 작고 더욱 효율적인 커패시터를 제조할 필요가 야기되고 있다.

본 발명은 체적 효율성이 향상되고 커패시터의 극소형화가 가능한 고체 상태의 커패시터를 대량으로 제조하는 새로운 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

본 발명의 일 양상에 따라,

- 금속 기판 층을 제공하고,

- 상기 기판 층의 상부 표면 상에서 다공성 소결 밸브-작용 금속으로 구성되고 상단부와 측벽을 구비하는 다수의 직립 몸체를 형성하고,

- 상기 몸체 위에 유전체 층을 형성하고,

- 상기 유전체 층 위에 음극 층을 형성하고,

- 액상 증착 또는 기상 증착에 의하거나 아니면 응고될 수 있는 페이스트 따위의 고정화된 유동성 성분을 인가함으로써 각각의 직립 몸체의 상단부에 적어도 하나의 도전 중간 층을 피복하여 이 중간 층과 상기 음극 층 사이에 물리적인 접촉을 형성하고,

- 상기 각각의 몸체의 측벽을 전기적으로 절연된 재료로 캡슐화함으로써, 처리된 기판을 획득하고,

- 상기 처리된 기판을 다수의 개별적인 커패시터 몸체들로 분할하되, 그 각각의 커패시터 몸체는 캡슐화 재료로 된 슬리브와, 노출된 금속 기판 층으로 구성되는 일단부에 배치된 양극 단자 표면 부분과, 타단부에 배치된 음극 단자 표면 부분을 구비하도록 하며, 상기 커패시터 몸체들의 상기 타단부에 배치된 음극 단자 표면 부분들은 노출된 중간 층으로 구성되도록 하는 단계를 포함하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법이 제공된다.

노출된 음극 단자 표면 부분으로 중간 층을 사용함으로써, 커패시터로부터 고체 덮개 층을 없앨 수 있다. 이렇게 되면 종래의 방법에 있어서는 덮개가 차지하고 있던 공간이 다공성 밸브-작용 금속에 할당됨으로써 형성된 커패시터의 체적 효율이 크게 향상된다.

본 발명의 일 실시예에 따라, 캡슐화 공정은 양극 몸체의 각각의 상단부에 고체 덮개를 병렬 배치하고, 액체 상태의 캡슐화 재료를 도입하여 덮개 층과 기판 사이의 빈 공간을 채우고, 캡슐화 재료를 응고시키고, 상단부로부터 덮개를 제거하는 단계로 구성됨으로써, 각각의 직립 몸체의 측벽은 몸체의 상단부의 병렬 배치된 부분의 오염 없이 캡슐화된다.

캡슐화 공정은 예를 들어 분말 형태의 열가소성 수지가 직립 몸체 사이의 공간으로 도입되고 기판의 가열에 의해 용융되어 각각의 몸체의 측면의 일부에 열가소성 층을 형성하는 예비 단계를 포함한다. 이 예비 부분 캡슐화 공정은 주 캡슐화 수지에 각기 다른 채색의 수지를 사용하여 수행됨으로써 최종 커패시터 내에 가시적인 극성 표시를 제공하는 것이 바람직하다. 그렇지 않으면, 극성은 레이저 에칭 따위의 다른 마킹에 의해 표시될 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따라, 덮개의 표면 상에 중간 층 재료를 도포하고, 덮개에서 각각의 상단부로의 재료 이송에 의해 상단부가 접촉 피복되도록 양극 몸체 위에 덮개를 병렬 배치하고, 그런 다음 덮개를 제거함으로써, 몸체 상에 중간 층이 피복된다.

덮개와 몸체 상단부 사이에는 캡슐화 후에 덮개의 제거를 용이하게 하는 분리 작용제가 제공되는 것이 바람직하다. 분리 작용제는 덮개 위에 형성된 고표면 에너지 폴리머 층으로 이루어지는 것이 바람직하다. 적절한 폴리머 중 하나는 PTFE이다. 접촉 피복 단계가 공정의 일부인 경우, 피복될 층은 덮개에 도포된 분리 작용제 상에 도포된다.

중간 층 재료는 덮개 상에 층 재료의 고정화된 페이스트를 스크린 인쇄함으로써 몸체의 상단부에 도포될 수도 있다.

덮개와 직립 몸체 단부 사이의 접촉을 확보하기 위하여 덮개에 압력이 가해지는 것이 바람직하다. 그 밖에, 피복 부분이 덮개에 도포된 경우, 압력은 덮개에서 몸체 단부로의 재료의 효과적인 이송을 보장한다.

중간 층은 도전 페인트 또는 페이스트의 응고에 의해 형성될 수도 있다. 페이스트 용액 내에 담궈져서 층이 도포될 수도 있다.

바람직한 실시예에 있어서, 두 개의 중간 층이 담그기 공정에 의해 도포되는데, 최종 중간 층은 두번째 층에 대한 접촉 피복에 의해 도포된다.

일 실시예에 있어서, 탄소로 이루어진 하나의 중간 층이 음극 층 위에 피복되고, 은으로 이루어진 또 다른 하나의 중간 층이 탄소 층 위에 피복된다.

각각의 커패시터 몸체의 노출된 음극 및 양극 표면에 전기 회로와 각각의 커패시터의 단부와의 전기적인 연결을 촉진하는 말단 재료가 액체 또는 기체 상태로 피복되는 종료 프로세스에 의해 커패시터 몸체가 유용한 커패시터로 형성될 수도 있다.

각각의 단자 피복 부분은, 산업 표준 5면 말단 프로세스에서와 같이, 커패시터 몸체의 각각의 단부에서 캡을 형성한다.

바람직한 실시예에 있어서, 밸브-작용 금속은 탄탈이다. 그러나, 다른 밸브-작용 금속이 본 발명의 방법에서 사용될 수 있다. 예를 들어, 니오븀, 몰리브덴, 실리콘, 알루미늄, 티타늄, 텅스텐, 지르코늄 및 그 합금이 있다. 그 중 니오븀과 탄탈을 사용하는 것이 가장 바람직하다.

밸브-작용 금속이 탄탈인 경우, 기판은 고체 탄탈 웨이퍼인 것이 바람직하다. 이러한 구성을 취하면 다공성 금속과의 물리적, 화학적 호환성이 보장된다.

직립 양극 몸체는 밸브-작용 금속 분말 층을 기판 위에 압착하고 소결하여 분말 입자를 융합하는 공정에 의해 형성될 수도 있다. 전형적으로, 입자가 고운 분말이 기판 위에 압착되기 전에 입자가 거친 분말 층이 기판에 도포되고 그에 소결되어야 한다. 입자가 거친 분말은 다공성 층과 기판 사이에서 강력한 연결을 보장하는 기계적인 해결책을 제공한다. 제조 공정의 후속하는 단계에서 다공성 층이 기판으로부터 분리되지 않도록 하기 위하여 강력한 연결이 필요하다. 이렇게 제조된 다공성 밸브-작용 금속의 응집된 층은 기계 가공되거나 다른 방법으로 처리됨으로써 개개의 양극 몸체가 생성된다. 몸체는 기판 상에 형성된 다공성 소결 층을 기계 가공함으로써 형성된다. 기계 가공은 장방형 몸체를 형성하기 위하여 직교 방향 자르기에 의할 수도 있다.

본 발명의 다른 양상에 따라, 청구의 범위 제16항의 특징에 의해 정의되는 커패시터가 제공된다.

본 발명의 또 다른 양상에 따라, 그러한 커패시터를 포함하여 구성되는 전자 또는 전기 장치가 제공된다.

유전체 층은 다공성 소결 양극 몸체의 표면 상에 산화막을 신중히 형성하는 전해 양극화 프로세스에 의해 형성될 수도 있다. 기타 적절한 방법이 이 기술분야에서 숙련된 자들에게는 잘 알려져 있다.

음극 층은 질산 망간 등의 음극 충 전조 용액 내에 양극 몸체를 담그고 가열하여 이산화 망간으로 된 음극 층을 형성할 수도 있다. 점차적으로 음극 층의 요구되는 깊이 및 완전성을 확보하기 위하여 담그고 가열하는 공정을 반복할 수도 있다.

전형적으로, 담그기 공정이 행해지는 동안 음극 층은 양극 몸체 상에 형성될 뿐만 아니라 몸체 사이에 노출되어 있는 탄탈 기판 표면 상에도 형성된다. 각각의 음극 단자가 각각의 양극 단자와 절연되도록 하기 위하여, 양극 몸체 둘레의 기판으로부터 음극 층 (및 유전체 층) 을 제거하는 또 다른 프로세스가 수행될 수도 있다. 이러한 프로세스에서는 기판의 표면 층을 제거함으로써 각각의 양극 몸체 사이에 절연 채널이 형성되는 또 다른 기계 가공 공정이 포함될 수도 있다. 예를 들어, 직교하는 행이 기계 가공되어 장방형 양극 몸체가 형성되는 경우, 절연 채널이 양극 몸체 사이의 행과 열의 중앙선을 따라 기계 가공될 수 있다. 이렇게 하여, 각각의 커패시터 양극 몸체의 경계에는 계단이 형성되며, 이 계단은 피복되지 않은 표면을 가짐으로써 노출된 양극 단자로부터 음극 층을 절연시킨다.

음극 층을 형성함으로써, 양극 몸체는 금속 분말과, 금속 산화물로 된 유전 체 절연 층과, 불순물이 첨가된 산화물로 된 도전 음극 층이 상호 연결된 매트릭스로 구성된 양극 부분을 포함하는 용량성 몸체가 된다.

캡슐화 수지는 특정 수지의 적합성 및 유동성에 따라 압력을 받는 상태로 또는 간단히 침전됨으로써 도포될 수도 있다. 일단 수지가 형성되면, 수지 및 기판은 기계 가공되고, 그렇지 않으면 절단되어 인접한 커패시터 몸체가 분리된다. 캡슐화 재료는 에폭시 따위의 플라스틱 수지이다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.

도 1 및 도 3 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 공정이 수행될 때의 기판의 단면도이다.

도 2는 본 발명의 제조 공정 중 기계 가공 단계 이후의 기판의 평면도이다.

도 6은 본 발명의 방법에 따라 제조된 커패시터의 측단면도이다.

도 1에는 고체 탄탈 원형 웨이퍼의 단면이 도면부호 10으로 도시되어 있다. 웨이퍼의 상부 표면에는 입자가 거친 커패시터 등급의 탄탈 파우더(12)가 소결되어 있다. 입자가 고운 커패시터 등급의 탄탈 파우더의 소결되지 않은 혼합물이 기판의 상부 표면에 압착되어서 미소결 층(13)을 형성한다.

미소결 층은 소결되어 입자가 고운 파우더를 전체 다공성 네트워크에 융합시킨다. 소결은 대략 1600℃에서 수행된다 (최적 온도는 입자의 크기 및 소결 공정의 지속 시간에 따라 달라진다). 소결 공정을 통해 다공성 층이 입자가 거친 층(12)에 또한 융합된다.

그런 다음, 기판 어셈블리는 기계 가공되어 도 2에 도시한 바와 같은 가로 채널(14) 및 세로 채널(15)의 직교하는 격자가 생성된다. 채널은 움직이는 회전 절단 휠을 사용하여 연마된다. 도 3에 도시한 바와 같이 절단 부분이 기판에 영향을 미칠 수 있도록, 채널은 다공성 탄탈 층의 높이 이상의 깊이로 절단된다.

기계 가공에 의해 기판 상에는 직교 단면 몸체(16)의 어레이가 형성된다. 다공성 몸체는 커패시터의 양극 부분을 형성한다. 직류 전원의 양의 단자가 기판에 접속되어 있는 동안 (예를 들어, 0.1%의 인산 용액의) 전해조 내에서 양극화 처리됨으로써 절연 유전 층(도시 안됨)이 양극 몸체에 형성된다. 이 결과, 몸체의 금속 다공성 표면과 노출된 기판 위에 얇은 오산화 탄탈 층이 형성된다.

그런 다음 음극 층(도시 안됨)이 공지된 망간화 공정에 의해 양극 몸체 위에 형성된다. 이 공정에서, 양극화된 양극 몸체(16)는 질산 망간 용액에 담그어져서 각각의 몸체에 젖은 용액이 도포됨으로써 그 내부 다공이 채워지게 된다. 기판은 수분이 함유된 공기로 가열되어 도포된 질산염을 이산화물로 변환한다. 요구되는 밀착 음극 층을 형성하기 위하여 담그고 가열하는 사이클이 20회 이상 반복된다.

각각의 양극 몸체의 기판 표면 경계 상에 형성된 유전체 층 또는 음극 층이 절연될 수 있도록 하기 위하여, 직교하는 패턴의 채널(32)이 기판 표면 내에 각각의 양극 몸체를 분리시키는 중앙선을 따라 형성되는 기계 가공 단계가 또한 수행된다.

망간화가 완료되면, 액체 탄소 페이스트 욕조 내에 담궈짐으로써 망간화된 몸체에는 도전 탄소의 중간 층(27)이 피복된다. 탄소 층이 형성된 후에 액체 은 페이스트 내로 탄소 피복 몸체를 담금으로써 은으로 된 또 다른 중간 층(21)이 탄소 층에 도포된다. 은 층은 탄소 층(27) 위로 통과하지 못하게 되어 은은 양립하지 않는 산화물 층과 직접적으로 접촉하지 못하게 된다. 그러면 은 층(21)은 고체 상태로 형성되게 된다.

그런 다음 탄탈 고체 시트(9)의 일 표면에는 분리 작용제로서 PTFE 층(5)이 도포된다. 그런 다음 균일한 은 페이스트 층(22)이 PTFE의 노출 표면에 도포된다. 그런 다음 시트는 은쪽을 아래로 하여 몸체(16)의 상단부 위에 놓여져서 도 4에 도시한 바와 같은 덮개(9)를 형성한다.

하향 압력이 시트의 상부쪽에 가해져서 고정화된 페이스트(22)가 중간 은 층(21)과 접촉하고 있는 접착면으로 흘러 들어간다. 이에 더하여, 각각의 커패시터의 측벽 아래로 약간 그러나 탄소 층을 넘어서지 않도록 페이스트를 유동시킴으로써 접촉이 더욱 향상될 수 있다.

덮개를 소정의 위치에 놓은 후에, 커패시터 몸체 사이의 채널(14, 15)은 도 4에 도시한 바와 같이 액상 에폭시 수지(20)로 채워진다. 수지는 덮개 페이스트(22)의 높이까지 각각의 커패시터 몸체의 측면을 둘러싼다. 채널은 수지의 압력에 따른 분사에 의해 채워짐으로써 채널에 의해 한정된 공간을 완전히 채우게 된다. 탄탈 덮개(9)에 의해 제공된 구조적인 제약에 의해 캡슐화 공정이 수행되는 동안 중간 층(27, 21 및 22)의 완전성이 유지된다.

수지(20)가 제자리에 놓인 후, 덮개 시트는 제거된다. PTFE 층(5)은 형성된 은 층(22)에서 쉽게 분리됨으로써 고체 은 층 내에 피복된 각각의 몸체의 상단부 영역이 남게 된다. 덮개(9)가 제공됨으로써 도 5에 도시한 바와 같이 덮개가 제거된 후에 평평한 상부 표면 층(22)이 형성된다.

각각의 커패시터 몸체를 상호 분리하기 위하여 웨이퍼가 각각의 채널(14, 15)의 (도 5에서 점선으로 도시한) 중앙 선을 따라 분할된다. 그 결과 얻어지는 개개의 커패시터 구조가 도 6에 도시되어 있다. 각각의 커패시터는 기판 재료로 구성된 양극 단자 부분(23)으로 이루어져 있다. 에폭시 수지 측벽(24, 25) 내에 놓인 커패시터 몸체(16)는 기판에서 직립 배치되어 있다. 기판 내의 계단 부분(30, 31)은 원래의 기판 웨이퍼 내에 형성된 기계 가공된 절연 채널(32)에 해당한다. 이 계단 부분에는 망간화된 피복 부분이나 오염 물질이 존재하지 않으며, 따라서 노출된 양극 단자와 음극 단자는 서로 절연 상태로 배치될 수 있게 된다. 각각의 커패시터의 상단부 영역은 탄소 페이스트 층(27), 은 페이스트 층(21) 및 구성 요소의 음극 단자 부분을 형성하는 또 다른 은 페이스트 층(22) 내에 피복되어 있다.

최종 처리 단계는 5면 말단 프로세스이다. 이것은 커패시터의 외부 단자를 형성하는 단부 캡(28, 29)의 형성을 포함하는 전자 산업 분야에서는 잘 알려진 방법이다. 말단 층 금속은 은, 니켈 및 주석 (이러한 순서로 배치되는 것이 바람직하다)의 불연속 층으로 구성된다. 이들은 전기 또는 전자 회로의 접촉부 또는 다른 구성 요소에 커패시터 단자를 납땜함으로써 전기적인 연결을 형성하기에 적절한 금속이다.

본 발명은 기존의 공지된 방법을 채용하여 각각의 커패시터의 체적 효율성을 현저히 향상시킨다. 이것은 종래의 프로세스의 고체 금속 덮개 층을 제거함으로써 달성된다. 고체 금속 덮개 층을 제거함으로서 용량성 밸브-작용 금속의 작업 체적이 전체적인 커패시터 체적의 훨씬 더 많은 부분을 차지하게 되고, 따라서 체적 효율성이 현저히 향상된다.

Claims

- 금속 기판 층(10)을 제공하고,

- 상기 기판 층의 상부 표면 위에서 다공성 소결 밸브-작용 금속으로 구성되고 상단부와 측벽을 구비하는 다수의 직립 몸체(16)를 형성하고,

- 상기 몸체 위에 유전체 층을 형성하고,

- 상기 유전체 층 위에 음극 층을 형성하고,

- 액상 증착 또는 기상 증착에 의해서나 아니면 응고될 수 있는 페이스트 따위의 고정화된 유동성 성분을 인가함으로써 각각의 직립 몸체의 상단부에 적어도 하나의 도전 중간 층(21, 27)을 피복하여 이 중간 층과 상기 음극 층 사이에 물리적인 접촉을 형성하고,

- 상기 각각의 몸체의 측벽을 전기적으로 절연된 재료(20)로 캡슐화시킴으로써 처리된 기판을 획득하고,

- 상기 처리된 기판을 다수의 개별적인 커패시터 몸체들로 분할하되, 그 각각의 커패시터 몸체는 캡슐화 재료로 된 슬리브와, 노출된 금속 기판 층으로 구성되는 일단부에 배치된 양극 단자 표면 부분과, 타단부에 배치된 음극 단자 표면 부분을 구비하도록 하며, 상기 커패시터 몸체들의 상기 타단부에 배치된 음극 단자 표면 부분들은 노출된 중간 층으로 구성되도록 하는 단계를 포함하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
제1항에 있어서, 캡슐화 공정은 양극 몸체의 각각의 상단부에 고체 덮개(9)를 병렬 배치하고, 액체 상태의 캡슐화 재료를 도입하여 덮개 층과 기판 사이의 빈 공간을 채우고, 캡슐화 재료를 응고시키고, 상단부로부터 덮개를 제거하는 단계로 구성됨으로써, 각각의 직립 몸체의 측벽은 몸체의 상단부의 병렬 배치된 부분의 오염 없이 캡슐화되는 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 덮개의 표면 상에 중간 층 재료를 도포하고, 덮개에서 각각의 상단부로의 재료 이송에 의해 상단부가 접촉 피복되도록 양극 몸체 위에 덮개를 병렬 배치하고, 그런 다음 덮개를 제거함으로써, 몸체 상에 중간 층을 피복하는 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
제2항에 있어서, 덮개와 몸체 상단부 사이의 분리 작용제(5)에 의해 덮개가 손쉽게 제거되는 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
제4항에 있어서, 분리 작용제는 덮개 위에 형성된 고표면 에너지 폴리머 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
제3항에 있어서, 중간 층 재료는 덮개 상에 층 재료를 스크린 인쇄함으로써 몸체의 상단부에 도포되는 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
제2항에 있어서, 덮개와 직립 몸체 단부 사이의 접촉을 확보하기 위하여 덮개에 압력이 가해지는 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
제1항에 있어서, 중간 층(27)은 도전 페인트 또는 페이스트의 응고에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
제1항에 있어서, 탄소를 포함하는 하나의 중간 층(27)이 음극 층 위에 피복되고, 은으로 이루어진 또 다른 하나의 중간 층이 탄소 층 위에 피복되는 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
제1항에 있어서, 각각의 커패시터 몸체의 노출된 음극 및 양극 표면에는 전기 회로와 각각의 커패시터의 단부와의 전기적인 연결을 촉진하는 말단 재료가 액체 또는 기체 상태로 피복되는 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
제10항에 있어서, 각각의 단자 피복 부분은 커패시터 몸체의 각각의 단부에서 캡(28)을 형성하는 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
제1항에 있어서, 밸브-작용 금속은 탄탈인 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
제1항에 있어서, 기판(10)은 탄탈 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
제1항에 있어서, 몸체는 기판 상에 형성된 다공성 소결 층을 기계 가공함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
제1항에 있어서, 캡슐화 재료(20)는 플라스틱 수지인 것을 특징으로 하는 다중 고체 상태 커패시터의 제조 방법.
- 금속 기판 층(10)과,

- 다공성 소결 밸브-작용 금속으로 구성되고 상단부와 측벽을 구비하며, 상기 기판 층의 상부 표면 위에 형성되는 직립 몸체(16)와,

- 상기 몸체 위의 유전체 층과,

- 상기 유전체 층 위의 음극 층과,

- 액상 증착 또는 기상 증착에 의해 또는 응고될 수 있는 페이스트 따위의 고정화된 유동성 성분을 인가함으로써 상기 직립 몸체의 상단부에 형성되며, 상기 음극 층과 물리적인 접촉 상태에 있는 적어도 하나의 도전 중간 층(21, 27)과,

- 전기적으로 절연된 재료(20)로 캡슐화된 상기 몸체의 측벽과,

- 캡슐화 재료로 된 슬리브와, 노출된 금속 기판 층으로 구성되는 일단부에 배치된 양극 단자 표면 부분과, 타단부에 배치된 음극 단자 표면 부분을 구비하며, 상기 음극 단자 표면 부분은 노출된 중간 층으로 구성되는 커패시터 몸체를 포함하는 커패시터.
제16항에 따른 커패시터를 포함하여 구성되는 전자 또는 전기 장치.
제16항에 있어서, 상기 커패시터 몸체의 노출된 음극 및 양극 표면 각각에, 상기 커패시터의 각 단부가 전기 회로와 쉽게 전기적으로 연결되도록 하는 말단 재료가 액체 또는 기체 상태로 피복되는 것을 특징으로 하는 커패시터.
제18항에 있어서, 상기 각 단자 피복이 상기 커패시터 몸체의 각 단부 상에서 캡(28)을 형성하는 것을 특징으로 하는 커패시터.