DE69919888T2 - Herstellungsverfahren von festelektrolytkondensatoren in chip-bauweise - Google Patents
Herstellungsverfahren von festelektrolytkondensatoren in chip-bauweise Download PDFInfo
- Publication number
- DE69919888T2 DE69919888T2 DE69919888T DE69919888T DE69919888T2 DE 69919888 T2 DE69919888 T2 DE 69919888T2 DE 69919888 T DE69919888 T DE 69919888T DE 69919888 T DE69919888 T DE 69919888T DE 69919888 T2 DE69919888 T2 DE 69919888T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- capacitor
- cathode
- bodies
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000010276 construction Methods 0.000 title 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 2
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 abstract 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 208000031872 Body Remains Diseases 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000353345 Odontesthes regia Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011529 conductive interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 210000001654 germ layer Anatomy 0.000 description 1
- 230000035784 germination Effects 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Festkörperkondensatoren und betrifft insbesondere Verfahren zur Massenherstellung von Festkörperkondensatoren.
- Ein Verfahren zur Massenherstellung von Festkörper-Tantal-Kondensatoren wird in der Beschreibung des US-Patents mit der Nummer 5,357,399 (Erfinder Ian Salisbury) beschrieben. Dieses Verfahren beinhaltet das Bereitstellen eines Substrat-Wafers aus Festkörper-Tantal, Bilden einer gesinterten, hochporösen Schicht aus Tantal auf dem Substrat, Zersägen der Schicht aus porösem Tantal in einem orthogonalen Muster aus Kanälen, um eine Matrix aus aufrecht stehenden porösen quaderförmigen Tantal-Körpern zu erzeugen, Anodisieren der Würfel, um eine dielektrische Schicht auf den Körpern zu bilden, Eintauchen der Körper in eine Mangan-Nitrat-Lösung und Aufheizen, um die aufgetragene Lösung in Mangandioxid umzuwandeln und so eine Kathodenschicht zu bilden, Aufbringen von jeweils leitfähigen Schichten aus Kohlenstoff und anschließend Silber auf die oberen Enden jedes Körpers, Bonden eines Deckels aus einem Wafer aus Festkörpermetall auf der Silberschicht; Einspritzen von isolierendem Harz in die Kanäle zwischen den Körpern, die durch das Substrat und den Deckel begrenzt werden, und Zerschneiden des Aufbaus senkrecht zur Ebene der Wafer und entlang der Mittellinie jedes Kanals, um auf diese Art mehrere Kondensatoren zu bilden, bei denen der Anodenanschluss aus Substratmaterial besteht, der Kathodenanschluss aus Deckelmaterial besteht und der Kondensatorkörper aus dem beschichteten porösen Tantal-Körper besteht.
- Dieses Verfahren ermöglicht die Herstellung von sehr kompakten, zuverlässigen Kondensatoren mit hoher Volumeneffizienz. Mit der fortschreitenden Miniaturisierung der Komponenten, wie sie durch die Elektronikindustrie gefordert wird, besteht jedoch die Notwendigkeit, immer kleinere und effizientere Kondensatoren herzustellen.
- Mit der vorliegenden Erfindung wird versucht, ein neues Verfahren für die Massenherstellung von Festkörperkondensatoren anzugeben, so dass sich weitere Verbesserungen in Bezug auf die Volumeneffizienz und/oder weitere Miniaturisierung der Kondensatoren erzielen lassen.
- Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung von mehreren Festkörperkondensatoren angegeben, das umfasst:
Bereitstellen einer Metallsubstratschicht,
Formung von mehreren aufrecht stehenden Körpern, die aus porösem, gesintertem Gleichrichtermetall bestehen, auf einer oberen Oberfläche der Substratschicht, wobei die genannten Körper ein oberes Ende und Seitenwände aufweisen,
Ausbilden einer dielektrischen Schicht auf den Körpern,
Ausbilden einer Kathodenschicht auf der dielektrischen Schicht, Überziehen eines oberen Endes jedes hochstehenden Körpers mit mindestens einer leitenden Zwischenschicht durch Flüssig- oder Dampfphasenabscheidung oder durch Aufbringen einer immobilisierten fließfähigen Zusammensetzung, wie zum Beispiel einer zu verfestigenden Paste, wodurch ein inniger physikalischer Kontakt zwischen der Kathodenschicht und der Zwischenschicht gebildet wird, Einkapseln der Seitenwände jedes Körpers mit einem elektrisch isolierenden Material, wodurch ein bearbeitetes Substrat erhalten wird, und
Unterteilen des bearbeiteten Substrats in eine Mehrzahl einzelnen Kondensatorkörper, die jeweils eine Hülse aus Einkapselmaterial, einen Anodenanschluss-Oberflächenteil an einem Ende, der aus freigelegter Metallsubstratschicht besteht, und einen Kathodenanschluss- Oberflächenteil an dem anderen Ende aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Kathodenanschluss-Oberflächenteile der genannten Kondensatorkörper aus der freigelegten Zwischenschicht bestehen. - Durch Einsatz einer Zwischenschicht als freigelegter Oberflächenabschnitt des Kathodenanschlusses ist es möglich, die feste Deckelschicht von dem Kondensator beiseite zu lassen. Dies ist eine wesentliche Verbesserung bezüglich der Volumeneffizienz des hergestellten Kondensators, da der Raum, der zuvor durch den Deckel beim Verfahren nach Stand der Technik eingenommen wurde, dem porösen Gleichrichtermetall zur Verfügung gestellt werden kann.
- Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung umfasst der Einkapselungsprozess, eine massive Abdeckung neben den jeweiligen oberen Enden der Anodenkörper aufzusetzen, das Einkapselmaterial in einer flüssigen Phase einzubringen, um einen jeglichen Raum zwischen der Abdeckschicht und dem Substrat zu füllen, zu veranlassen oder zuzulassen, dass sich das Einkapselmaterial verfestigt, und die Abdeckung von den oberen Enden zu entfernen, wobei die Seitenwände jedes hochstehenden Körpers ohne Verunreinigung der nebengesetzten Teile der oberen Enden der Körper eingekapselt werden.
- Die Einkapselung kann eine vorläufige Stufe beinhalten, bei der z. B. pulverförmiges Thermoplastikharz in die Räume zwischen den aufrecht stehenden Körpern eingefüllt wird und dann durch Heizen des Substrats geschmolzen wird, um eine Schicht aus thermoplastischem Durchgang (Partway) die Seiten jedes Körpers hoch zu bilden. Vorzugsweise wird diese vorläufige Teileinkapselung mit einem Harz durchgeführt, dessen Farbe sich von dem Haupteinkapselharz unterscheidet, so dass man eine sichtbare Indizierung der Polarität bei den fertiggestellten Kondensatoren erhält. Alternativ kann die Polarität durch andere Markierungsvorgänge angezeigt werden, wie zum Beispiel durch Ätzen mit Lasern.
- Gemäß noch einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird eine Zwischenschicht auf die Körper durch Aufbringen eines Zwischenschichtmaterials auf eine Oberfläche des oder eines Deckels gedeckt, gefolgt von dem Aufsetzen des Deckels auf die Anodenkörper, so dass die oberen Enden kontaktbeschichtet werden durch Transfer des Materials von dem Deckel auf die jeweiligen oberen Enden, und anschließendes Entfernen des Deckels.
- Ein Ablösungsagens wird vorzugsweise zwischen dem Deckel und den oberen Körperenden vorgesehen, wobei das Agens das Entfernen des Deckels nach der Einkapselung vereinfacht. Vorzugsweise umfasst das Ablöseagens eine Polymerschicht mit hoher Oberflächenenergie auf dem Deckel. Ein geeignetes Polymer ist PTFE. Soweit die Kontaktbeschichtung Teil des Prozesses ist, wird die Schicht, die bedeckt werden soll, auf dem Ablöseagens angeordnet, das seinerseits auf dem Deckel angeordnet wird.
- Das Zwischenschichtmaterial kann auf den oberen Enden des Körpers durch Matrixdruckverfahren einer immobilisierten Paste von Schichtmaterial auf dem Deckel angeordnet werden.
- Vorzugsweise wird Druck auf den Deckel ausgeübt, um sicherzustellen, dass ein enger Kontakt zwischen dem Deckel und den Enden der aufrecht stehenden Körper hergestellt wird. Zusätzlich, wenn eine Beschichtung auf dem Deckel angeordnet wurde, stellt der Druck den effektiven Transfer von Material von dem Deckel auf die Körperenden sicher.
- Die Zwischenschicht kann durch Verfestigen einer leitfähigen Farbe oder Paste erzeugt werden. Die Schichten können durch Eintauchen in Pasten-Lösungen aufgebracht werden.
- Bei einer bevorzugten Ausführungsform werden zwei Zwischenschichten durch Eintauchen aufgebracht, und eine endgültige Zwischenschicht wird durch Kontaktbeschichtung auf der zweiten Schicht aufgebracht.
- Bei einer Ausführungsform wird eine Zwischenschicht mit Karbon auf der Kathodenschicht bedeckt, und eine weitere Zwischenschicht mit Silber wird auf der Karbonschicht bedeckt.
- Die Kondensatorkörper können in gebrauchsfertige Kondensatoren umgewandelt werden, indem ein Anschlussprozess durchgeführt wird, bei dem die jeweiligen Oberflächen der freiliegenden Kathode und Anode bei jedem Kondensatorkörper in Flüssig- oder Dampfphase durch ein Anschlussmaterial beschichtet werden, durch das die elektrische Verbindung der jeweiligen Enden des Kondensators mit einem elektrischen Schaltkreis vereinfacht wird.
- Die jeweiligen Anschlussbeschichtungen können eine Kappe an jedem Ende des Kondensatorkörpers bilden, wie es der Fall ist bei dem industriell standardmäßigen fünfseitigen Abschlussprozess.
- Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist das Gleichrichtermetall Tantal. Jedoch können auch andere Gleichrichtermetalle bei dem Prozess gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Beispiele sind Niob, Molybdän, Silizium, Aluminium, Titan, Wolfram, Zirkon und deren Legierungen. Bevorzugte Beispiele sind Niob und Tantal.
- Wenn das Gleichrichtermetall Tantal ist, ist das Substrat vorzugsweise ein fester Tantal-Wafer, wodurch sichergestellt wird, dass physikalische und chemische Kompatibilität mit dem porösen Metall gegeben ist.
- Die aufrecht stehenden Anodenkörper können durch einen Prozess gefertigt werden, bei dem das Pressen einer Schicht aus Gleichrichtermetallpulver auf das Substrat und das Sintern zum Schmelzen der Pulverteilchen Bestandteil ist. Typischerweise muss eine Keimschicht aus grobkörnigem Pulver auf das Substrat aufgebracht werden und mit diesem gesintert werden, bevor feinkörnigeres Grünpulver bzw. eine Bindermischung auf das Substrat gepresst wird, um die aufrecht stehenden Körper zu erzeugen. Das grobkörnigere Pulver sorgt für eine mechanische Verbindung, durch die sichergestellt wird, dass eine starke Verbindung zwischen den gesinterten porösen Körpern und dem Substrat hergestellt wird. Die starke Verbindung ist notwendig, um sicherzustellen, dass sich der poröse Körpers während der darauf folgenden Schritte des Herstellungsprozesses nicht von dem Substrat lösen kann. Die kohärente Schicht aus porösem Gleichrichtermetall, die sich dadurch ergibt, kann bearbeitet oder auf andere Art beeinflusst werden, um individuelle Anodenkörper zu bilden. Die Körper können durch Bearbeiten einer porösen gesinterten Schicht hergestellt werden, die sich auf dem Substrat befindet. Die Bearbeitung kann durch orthogonales Sägen erfolgen, um quaderförmige Körper zu erzeugen.
- Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Kondensator geschaffen, der die Merkmale von Anspruch 16 aufweist.
- Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung wird eine elektronische oder elektrische Vorrichtung mit einem solchen Kondensator geschaffen.
- Die dielektrische Schicht kann durch einen elektrolytischen Anodisierungsprozess erzeugt werden, bei dem ein Oxidfilm vorsichtig auf der Oberfläche des porösen gesinterten Anodenkörpers aufgebaut wird. Geeignete Verfahren sind dem Fachmann auf diesem Gebiet bekannt.
- Die Kathodenschicht kann erzeugt werden durch Eintauchen der Anodenkörper in eine Kathodenschicht-Precursor-Lösung, wie zum Beispiel Mangannitrat, und anschließendes Aufheizen, um eine Kathodenschicht aus Mangandioxid herzustellen. Das Eintauchen und Aufheizen kann wiederholt werden, um graduell die gewünschte Tiefe und Integrität der Kathodenschicht einzustellen.
- Typischerweise wird beim Eintauchprozess die Kathodenschicht nicht nur auf den Anodenkörpern aufgebaut werden, sondern auch auf der freiliegenden Tantal-Substratoberfläche zwischen den Körpern. Damit nun jeder Kathodenanschluss von dem jeweiligen Anodenanschluss isoliert ist, kann ein weiterer Prozessschritt durchgeführt werden, um jede Kathodenschicht (und dielektrische Schicht) von dem Substrat um jeden Anodenkörper herum zu entfernen. Dieser Prozess kann einen weiteren Bearbeitungsprozess beinhalten, bei dem isolierende Kanäle zwischen jedem Anodenkörper geformt werden, indem eine Oberflächenschicht des Substrats beseitigt wird. Wo orthogonale Reihen bearbeitet worden sind, um quaderförmige Anodenkörper zu bilden, können beispielsweise isolierende Kanäle entlang der Mittellinie der Zeilen und Spalten zwischen den Anodenkörpern erzeugt werden. Auf diese Art wird entlang dem Umfang jedes Anodenkörpers des Kondensators eine Stufe gebildet, wobei die Stufe eine unbedeckte Oberfläche aufweist, so dass dadurch die Kathodenschicht von dem freiliegenden Anodenanschluss isoliert wird.
- Durch Aufbringen der Kathodenschicht wird aus dem Anodenkörper ein Kondensatorkörper mit einem Anodenabschnitt, der aus einer vernetzten Matrix aus Metallpulver, einer dielektrischen Isolatorschicht aus Metalloxid und einer leitfähigen Kathodenschicht aus dotiertem Oxid besteht.
- Das einkapselnde Harz kann unter Druck oder einfach durch einen Tauchvorgang aufgebracht werden, je nach Eignung und Fließfähigkeit des speziellen Harzes. Sobald sich das Harz gesetzt hat, können das Harz und das Substrat bearbeitet werden oder irgendwie geschnitten werden, um benachbarte Kondensatorkörper zu separieren. Das Einkapselmaterial kann ein Plastikharz sein, wie zum Beispiel Epoxy.
- Im Folgenden wird lediglich als Beispiel und mit Bezug auf die Zeichnungen ein Verfahren zur Umsetzung der vorliegenden Erfindung beschrieben.
-
1 und3 bis5 zeigen Querschnittsansichten eines Substrats bei der Bearbeitung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
2 ist eine Ansicht auf das Substrat von oben nach einem Bearbeitungsschritt in dem Prozess. -
6 zeigt eine Querschnittsansicht von einer Seite eines Kondensators, der gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde. - Ein transversaler Querschnitt durch einen festen kreisförmigen Tantal-Wafer ist in
1 als10 dargestellt. Eine Oberseite des Wafers ist mit einer darauf gesinterten Dispersion von grobkörnigem Kon densator-Tantal-Pulver12 versehen. Eine grüne (d. h. ungesinterte) Mischung aus feinkörnigem Kondensator-Tantal-Pulver wird dann auf die obere Seite des Substrats gepresst, um eine Grünschicht13 zu erzeugen. - Die Grünschicht wird gesintert, um das feinkörnige Pulver integral zu einem porösen Netz zu verschmelzen. Das Sintern wird bei etwa 1600 Grad Celsius durchgeführt (die optimale Temperatur hängt von der Korngröße und der Dauer des Sinterungsprozesses ab). Durch den Sinterungsprozess werden außerdem die porösen Körper und die grobe Keimungsschicht
12 miteinander verschmolzen. - Der Substrataufbau wird dann bearbeitet, um ein orthogonales Gitter von transversalen Kanälen
14 und longitudinalen Kanälen15 herzustellen, wie es in2 gezeigt ist. Die Kanäle werden abgeschliffen, indem man ein bewegliches, rotierendes Schneidrad verwendet. Die Kanäle werden bis zu einer Tiefe geschnitten, die gerade über dem Niveau der porösen Tantalschicht liegt, so dass die Schnitte bis auf das Substrat treffen, wie es in3 gezeigt ist. - Mit dem Bearbeitungsprozess wird eine Matrix von Körpern
16 mit orthogonalem Querschnitt auf dem Substrat erzeugt. Die porösen Körper bilden die Anodenabschnitte der Kondensatoren. Eine (nicht dargestellte) isolierende dielektrische Schicht wird auf den Anodenkörpern angebracht, indem in einem Elektrolytbad (von z. B. 0,1% Phosphorsäurelösung) ein Anodisierungsprozess durchgeführt wird, bei dem der positive Anschluss einer Gleichstromquelle mit dem Substrat verbunden wird. Dies führt zur Bildung einer dünnen Tantal-Pentoxid-Schicht auf der porösen Metalloberfläche der Körper und dem freiliegenden Substrat. - Eine (nicht dargestellte) Kathodenschicht wird dann auf den Anodenkörpern gebildet, indem der allgemein bekannte Manganisierungsprozess durchgeführt wird. Bei diesem Prozess werden die anodisierten Anodenkörper
16 in eine Mangannitratlösung eingetaucht, so dass man auf jedem Körper eine Bedeckung mit einer nassen Lösung erhält und die interne Porosität abgedeckt wird. Das Substrat wird in einer Umgebung mit hoher Luftfeuchtigkeit aufgeheizt, um die Nitrat-Bedeckung zu Dioxid umzuwandeln. Das Eintauchen und das Aufheizen kann bis zu 20 Mal oder mehr wiederholt werden, um die gewünschte kohärente Kathodenschicht zu erzeugen. - Um sicherzustellen, dass jede dielektrische oder Kathodenschicht auf dem Umfang der Substratoberfläche bei jedem Anodenkörper isoliert ist, wird ein weiterer Bearbeitungsschritt durchgeführt, bei dem ein orthogonales Muster aus Kanälen
32 in die Substratoberfläche gesägt wird, und zwar entlang der Mittellinien, durch die jeder Anodenkörper separiert wird. - Sobald die Manganisierung abgeschlossen ist, werden die manganisierten Körper mit einer Zwischenschicht
27 aus leitfähigem Kohlenstoff bedeckt, indem sie in ein Bad einer flüssigen Karbonpaste eingetaucht werden. Nachdem sich die Karbonschicht gesetzt hat, wird eine weitere Zwischenschicht21 aus Silber auf der Karbonschicht abgeschieden, indem die karbonbeschichteten Körper in eine flüssige Silberpaste eingetaucht werden. Die Silberschicht darf nicht über die Karbonschicht27 hinausgehen, damit sichergestellt ist, dass das Silber keinen direkten Kontakt mit der inkompatiblen Oxidschicht hat. Die Silberschicht21 wird dann ruhen gelassen, so dass sie sich verfestigt. - Ein festes Blatt
9 aus Tantal wird dann auf eine Oberfläche aufgebracht, wobei eine Schicht5 aus PTFE ein Trennungsagens darstellt. - Anschließend wird eine gleichförmige Schicht aus Silberpaste
22 auf die freiliegende Oberfläche des PTFE aufgebracht. Das Blatt wird dann mit der Silberseite unten auf den oberen Enden der Körper16 angeordnet, so dass sich ein Deckel9 ergibt, wie er in4 gezeigt ist. - Auf eine Oberseite des Blattes wird Druck nach unten ausgeübt, um die immobilisierte Paste
22 dazu zu bringen, fließend in engen Kontakt mit der Silberzwischenschicht21 zu treten. Außerdem wird der Kontakt verstärkt, indem bei jedem Kondensator die Paste zu einem geringen Anteil die Seitenwände hinabfließt, jedoch nicht weiter als bis zur Karbonschicht. - Wenn sich der Deckel an Ort und Stelle befindet, werden die Kanäle
14 ,15 zwischen den Kondensatorkörpern mit flüssigem Epoxyharz20 gefüllt, wie es in4 gezeigt ist. Das Harz umgibt die Seiten jedes Kondensatorkörpers bis zu dem Niveau der Deckelpaste22 . Die Kanäle werden durch Einspritzen von Harz unter Druck aufgefüllt, so dass sichergestellt wird, dass der Raum, der durch die Kanäle definiert wird, vollständig gefüllt wird. Die Integrität der Zwischenschichten27 ,21 und22 wird im Verlauf des Einkapselungsprozesses durch die strukturelle Beschränkung durch den Tantal-Deckel9 aufrechterhalten. - Wenn sich das Harz
20 gesetzt hat, wird das Deckelblatt entfernt. Die PTFE-Schicht5 lässt sich ohne weiteres von der gesetzten Silberschicht22 ablösen, so dass der Bereich am oberen Ende bei jedem Körper mit einer festen Silberschicht bedeckt zurückbleibt. Das Vorhandensein des Deckels9 stellt sicher, dass eine flache Oberflächenschicht22 am oberen Ende gebildet wird, nachdem der Deckel entfernt wurde, wie es in5 gezeigt ist. - Der Wafer kann nun entlang der Mittellinie jedes Kanals
14 ,15 (die als gestrichelte Linie in5 gezeigt ist) geschnitten werden, um jeden Kondensatorkörper von seinen Nachbarn zu trennen. Die sich daraus ergebenden individuellen Kondensatoren sind als Struktur in6 gezeigt. Jeder Kondensator besteht aus einem Anodenanschlussabschnitt23 , der aus dem Substratmaterial besteht. Auf dem Substrat steht der Kondensatorkörper16 aufrecht, der in Seitenwänden24 ,25 aus Epoxyharz eingehüllt ist. Die Stufe30 ,31 in dem Substrat entspricht den bearbeiteten Isolatorkanälen32 in dem ursprünglichen Substrat-Wafer. Diese Stufe ist frei von Manganbedeckung und sonstigen Kontaminierungen und stellt somit sicher, dass der freiliegende Anodenanschluss von dem Kathodenanschluss isoliert ist. Bei jedem Kondensator ist der Bereich am oberen Ende mit einer Schicht aus Karbonpaste27 , einer Schicht aus Silberpaste21 und einer weiteren Schicht aus Silberpaste22 , die einen Kathodenanschlussabschnitt der Komponente darstellen, bedeckt. - Eine letzte Prozessstufe ist ein Fünfseiten-Anschlussprozess. Dies ist ein allgemein bekannter Prozess in der Elektronikindustrie, bei dem die Endkappen
28 ,29 gebildet werden, die die externen Anschlüsse des Kondensators bilden. Das Metall der Anschlussschicht kann in Form diskreter Schichten aus Silber, Nickel und Zinn vorliegen (vorzugsweise in dieser Reihenfolge). Dies sind geeignete Metalle, um elektrische Verbindungen mittels Verlöten der Kondensatoranschlüsse mit Kontakten oder anderen Komponenten eines elektrischen oder elektronischen Schaltkreises herzustellen. - Die vorliegende Erfindung stellt eine elegante Anpassung des vorher bekannten Prozesses dar, so dass eine wesentliche Verbesserung bezüglich der ökonomischen Effizienz des Prozesses erreicht wird. Die Schleifvorgänge bei den bekannten Prozessen und die damit verbundene unvermeidliche Produktion von überschüssigem Tantalpulver wird umgangen. Dadurch vereinfacht sich die Herstellungsanlage, da die teure Schleifapparatur obsolet wird. Anstatt dass die gesinterte poröse Schicht abgeschliffen wird, um die Körper zu formen, erfolgt die Formung der Pulver-/Bindermischung in ihrem Grünzustand. In diesem Fall ist es einfach, überschüssige Grünmischung wieder zu verwenden oder zur erneuten Verwendung zurückzuführen.
Claims (19)
- Verfahren zum Herstellen mehrerer Festkörperkondensatoren, umfassend: – Vorsehen einer Metallsubstratschicht (
10 ), – Ausbilden einer Mehrzahl hochstehender Körper (16 ), die aus porösem gesintertem Metall mit Gleichrichterwirkung bestehen, auf einer oberen Oberfläche der Substratschicht, wobei die genannten Körper ein oberes Ende and Seitenwände aufweisen; – Ausbilden einer dielektrischen Schicht auf den Körpern; – Ausbilden einer Kathodenschicht auf der dielektrischen Schicht; – Überziehen eines oberen Ende jedes hochstehenden Körpers mit mindestens einer leitenden Zwischenschicht (21 ,27 ) durch Flüssig- oder Dampfphasenabscheidung oder durch Aufbringen einer immobilisierten, fliessfähigen Zusammensetzung wie zum Beispiel einer zu verfestigenden Paste, wodurch ein inniger physikalischer Kontakt zwischen der Kathodenschicht and der Zwischenschicht gebildet wird, – Einkapseln der Seitenwände jedes Körpers mit einem elektrisch isolierenden Material (20 ), wodurch ein bearbeitetes Substrat erhalten wird; und – Unterteilen des bearbeiteten Substrats in eine Mehrzahl einzelner Kondensatorkörper, die jeweils eine Hülse aus Einkapselmaterial, einen Anodenanschluss-Oberflächenteil an einem Ende, der aus freigelegter Metallsubstratschicht besteht, and einen Kathodenanschluss-Oberflächenteil an dem anderen Ende aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Kathoden anschluss-Oberflächenteile der genannten Kondensatorkörper aus der freigelegten Zwischenschicht bestehen. - Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Einkapselprozess aufweist, eine massive Abdeckung (
9 ) neben den jeweiligen oberen Enden der Anodenkörper aufzusetzen, das Einkapselmaterial in einer flüssigen Phase einzubringen, um einen jeglichen Raum zwischen der Abdeckschicht and dem Substrat zu füllen, zu veranlassen oder zuzulassen, dass das Einkapselmaterial sich verfestigt, und die Abdeckung von den oberen Enden zu entfernen, wodurch die Seitenwände jedes hochstehenden Körpers ohne Verunreinigung der nebengesetzten Teile der oberen Enden der Körper eingekapselt werden. - Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei dem die Körper durch Aufbringen eines Zwischenschichtmaterials auf eine Oberfläche der oder einer Abdeckung mit einer Zwischenschicht überzogen werden, gefolgt durch das Nebensetzen der Abdeckung auf die Anodenkörper, so dass die oberen Enden durch Übertragung des Materials von der Abdeckung zu den jeweiligen oberen Enden kontaktbeschichtet werden, und anschliessendes Entfernen der Abdeckung.
- Verfahren nach Anspruch 2 oder Anspruch 3, bei dem ein Freigabemittel (
5 ) zwischen der Abdeckung und den oberen Körperenden Entfernung der Abdeckung vereinfacht. - Verfahren nach Anspruch 4, bei dem das Freigabemittel eine Polymerschicht hoher Oberflächenenergie aufweist, die auf der Abdeckung ausgebildet wird.
- Verfahren nach einem der Anspruche 3 bis 5, bei dem das Zwischenschichtmaterial auf die oberen Körperenden durch Siebdruck des Schichtmaterials auf die Abdeckung aufgebracht wird.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 6, bei dem Druck auf die Abdeckung ausgeübt wird, um einen innigen Kontakt zwischen der Abdeckung und den hochstehenden Körperenden sicherzustellen.
- Verfahren nach einem vorhergehenden Anspruch, bei dem eine Zwischenschicht (
27 ) durch Verfestigung einer leitenden Farbe oder Paste gebildet wird. - Verfahren nach einem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Kathodenschicht mit einer Kohlenstoff aufweisenden Zwischenschicht (
27 ) überzogen wird und die Kohlenstoffschicht mit einer weiteren, Silber aufweisenden Zwischenschicht (21 ) überzogen wird. - Verfahren nach einem vorhergehenden Anspruch, bei dem die jeweiligen freigelegten Kathoden- und Anodenoberflächen jedes Kondensatorkörpers mit einem Abschlussmaterials flüssig- oder dampfphasenbeschichtet werden, das elektrischen Anschluss der jeweiligen Enden des Kondensators an eine elektrische Schaltung vereinfacht.
- Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die jeweiligen Anschlussbeschichtungen eine Kappe (
28 ) an jedem Ende des Kondensatorkörpers bilden. - Verfahren nach einem vorhergehenden Anspruch, bei dem das Metall mit Gleichrichterwirkung Tantal ist.
- Verfahren nach einem vorhergehenden Anspruch, bei dem das Substrat (
10 ) ein Tantalwafer ist. - Verfahren nach einem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Körper durch Bearbeiten einer auf dem Substrat ausgebildeten porösen gesinterten Schicht ausgebildet werden.
- Verfahren nach einem vorhergehenden Anspruch, bei dem das Einkapselmaterial (
20 ) ein Kunststoffharz ist. - Kondensator, umfassend: – eine Metallsubstratschicht (
10 ); – einen hochstehenden Körper (16 ), der auf der oberen Oberfläche der Substratschicht ausgebildet ist und aus porösem gesintertem Metall mit Gleichrichterwirkung besteht und ein oberes Ende und Seitenwände aufweist; – eine dielektrische Schicht auf dem Körper; – eine Kathodenschicht auf der dielektrischen Schicht; – mindestens eine leitende Zwischenschicht (21 ,27 ), die durch Flüssig- oder Dampfphasenabscheidung oder durch Aufbringung einer immobilisierten fliessfähigen Zusammensetzung wie zum Beispiel einer zu verfestigenden Paste auf dem oberen Ende des hochstehenden Körpers gebildet wird, wobei die genannte Zwischenschicht in innigem physikalischem Kontakt mit der Kathodenschicht ist; – wobei die Seitenwände des Körpers mit einem elektrisch isolierenden Material (20 ) eingekapselt sind; – wobei der Körper eine Hülse aus Einkapselmaterial, einen Anodenanschluss-Oberflächenteil an einem Ende, der aus einer freigelegten Metallsubstratfläche besteht, und einen Kathodenanschluss-Oberflächenteil an dem anderen Ende auf weist, dadurch gekennzeichnet, dass der Kathodenanschluss-Oberflächenteil aus freigelegter Zwischenschicht besteht. - Elektronische oder elektrische Vorrichtung, die den Kondensator von Anspruch 16 aufweist.
- Kondensator nach Anspruch 16, bei dem die jeweiligen freigelegten Kathoden- und Anodenoberflächen des Kondensatorkörpers mit einem Abschlussmaterial flüssig- oder dampfphasenbeschichtet werden, das elektrischen Anschluss der jeweiligen Enden des Kondensators an eine elektrische Schaltung vereinfacht.
- Kondensator nach Anspruch 18, bei dem die jeweiligen Anschlussbeschichtungen eine Kappe (
28 ) auf jedem Ende des Kondensatorkörpers bilden.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB9824442.9A GB9824442D0 (en) | 1998-11-06 | 1998-11-06 | Manufacture of solid state capacitors |
GB9824442 | 1998-11-06 | ||
PCT/GB1999/003566 WO2000028559A1 (en) | 1998-11-06 | 1999-10-28 | Manufacture of solid state capacitors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69919888D1 DE69919888D1 (de) | 2004-10-07 |
DE69919888T2 true DE69919888T2 (de) | 2005-09-08 |
Family
ID=10842040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69919888T Expired - Lifetime DE69919888T2 (de) | 1998-11-06 | 1999-10-28 | Herstellungsverfahren von festelektrolytkondensatoren in chip-bauweise |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6699767B1 (de) |
EP (1) | EP1127360B1 (de) |
JP (1) | JP4405086B2 (de) |
KR (1) | KR100579912B1 (de) |
CN (1) | CN1188875C (de) |
AT (1) | ATE275285T1 (de) |
AU (1) | AU6359499A (de) |
DE (1) | DE69919888T2 (de) |
GB (1) | GB9824442D0 (de) |
IL (1) | IL142987A0 (de) |
WO (1) | WO2000028559A1 (de) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9916048D0 (en) | 1999-07-08 | 1999-09-08 | Avx Ltd | Solid state capacitors and methods of manufacturing them |
CN1226759C (zh) | 1999-07-08 | 2005-11-09 | Avx有限公司 | 固态电容器及其制造方法 |
GB9918852D0 (en) * | 1999-08-10 | 1999-10-13 | Avx Ltd | Manufacture of solid state capacitors |
GB9922091D0 (en) | 1999-09-17 | 1999-11-17 | Avx Ltd | Manufacture of solid state capacitors |
GB9926975D0 (en) | 1999-11-15 | 2000-01-12 | Avx Ltd | Solid state capacitors and methods of manufacturing them |
JP2004513514A (ja) | 2000-11-06 | 2004-04-30 | キャボット コーポレイション | 酸素を低減した改質バルブ金属酸化物 |
US7149074B2 (en) | 2001-04-19 | 2006-12-12 | Cabot Corporation | Methods of making a niobium metal oxide |
GB0112674D0 (en) | 2001-05-24 | 2001-07-18 | Avx Ltd | Manufacture of solid state electronic components |
US6950300B2 (en) * | 2003-05-06 | 2005-09-27 | Marvell World Trade Ltd. | Ultra low inductance multi layer ceramic capacitor |
CN101676217A (zh) | 2003-05-19 | 2010-03-24 | 卡伯特公司 | 生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物 |
US7085126B2 (en) * | 2004-03-01 | 2006-08-01 | Wilson Greatbatch Technologies, Inc. | Molded polymeric cradle for containing an anode in an electrolytic capacitor from high shock and vibration conditions |
US7092242B1 (en) | 2005-09-08 | 2006-08-15 | Greatbatch, Inc. | Polymeric restraints for containing an anode in an electrolytic capacitor from high shock and vibration conditions |
US8257463B2 (en) * | 2006-01-23 | 2012-09-04 | Avx Corporation | Capacitor anode formed from flake powder |
GB0613491D0 (en) * | 2006-07-06 | 2006-08-16 | Avx Ltd | Binder removal particulate bodies |
US7813107B1 (en) * | 2007-03-15 | 2010-10-12 | Greatbatch Ltd. | Wet tantalum capacitor with multiple anode connections |
KR101009850B1 (ko) * | 2008-06-17 | 2011-01-19 | 삼성전기주식회사 | 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법 |
US20100085685A1 (en) * | 2008-10-06 | 2010-04-08 | Avx Corporation | Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates |
JP2012517717A (ja) * | 2009-02-12 | 2012-08-02 | ラオール・コンサルティング・エルエルシー | 焼結ナノ細孔電気キャパシタ、電気化学キャパシタおよびバッテリーならびにその製造方法 |
US8199461B2 (en) | 2009-05-29 | 2012-06-12 | Avx Corporation | Refractory metal paste for solid electrolytic capacitors |
US8279583B2 (en) * | 2009-05-29 | 2012-10-02 | Avx Corporation | Anode for an electrolytic capacitor that contains individual components connected by a refractory metal paste |
US8441777B2 (en) * | 2009-05-29 | 2013-05-14 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with facedown terminations |
US8218292B2 (en) * | 2009-07-31 | 2012-07-10 | Avx Corporation | Dry powder stencil printing of solid electrolytic capacitor components |
GB2505566A (en) | 2012-08-31 | 2014-03-05 | Avx Corp | Iterative screening method for electrolytic capacitors |
KR102149799B1 (ko) * | 2014-09-23 | 2020-08-31 | 삼성전기주식회사 | 탄탈륨 커패시터 |
US9916935B2 (en) | 2014-11-07 | 2018-03-13 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with increased volumetric efficiency |
US9837216B2 (en) | 2014-12-18 | 2017-12-05 | Avx Corporation | Carrier wire for solid electrolytic capacitors |
US9966196B2 (en) | 2015-03-23 | 2018-05-08 | Avx Corporation | Tantalum embedded microchip |
US11257629B2 (en) | 2018-02-12 | 2022-02-22 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor for a tantalum embedded microchip |
CN111819016A (zh) | 2018-03-05 | 2020-10-23 | 全球先进金属美国股份有限公司 | 球形钽粉末、含其的产品以及其制造方法 |
KR102389784B1 (ko) | 2018-03-05 | 2022-04-22 | 글로벌 어드밴스드 메탈스 유에스에이, 아이엔씨. | 구형 분말을 함유하는 애노드 및 커패시터 |
CN112243529B (zh) * | 2018-06-11 | 2022-06-28 | 株式会社村田制作所 | 电容器阵列、复合电子部件、电容器阵列的制造方法以及复合电子部件的制造方法 |
US11222754B2 (en) | 2018-11-19 | 2022-01-11 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor for a tantalum embedded microchip |
EP3870382A1 (de) | 2018-12-12 | 2021-09-01 | Global Advanced Metals USA, Inc. | Kugelförmiges niob-legierungspulver, produkte damit und verfahren zur herstellung davon |
CN111383844B (zh) * | 2018-12-26 | 2022-04-08 | 株式会社村田制作所 | 电解电容器 |
TW202106893A (zh) | 2019-07-19 | 2021-02-16 | 美商環球高級金屬美國公司 | 球形鉭-鈦合金粉末,包含彼之產品及製備彼之方法 |
US11448680B2 (en) | 2020-03-31 | 2022-09-20 | KYOCERA AVX Components Corporation | Screening method for electrolytic capacitors that maintains individual capacitor unit identity |
CN116190110A (zh) * | 2023-03-30 | 2023-05-30 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 一种片式固体电解电容器制备方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3588627A (en) * | 1969-04-10 | 1971-06-28 | Sprague Electric Co | Leadless solid electrolyte tantalum capacitor |
US3889357A (en) * | 1973-07-05 | 1975-06-17 | Sprague Electric Co | Screen printed solid electrolytic capacitor |
US4085435A (en) * | 1976-06-14 | 1978-04-18 | Avx Corporation | Tantalum chip capacitor |
US4059887A (en) * | 1976-06-14 | 1977-11-29 | Avx Corporation | Tantalum chip capacitor and method of manufacture |
US4164005A (en) * | 1977-09-02 | 1979-08-07 | Sprague Electric Company | Solid electrolyte capacitor, solderable terminations therefor and method for making |
US4599788A (en) * | 1984-07-13 | 1986-07-15 | Sprague Electric Company | Solid electrolytic capacitor manufacture |
US4571664A (en) * | 1984-11-09 | 1986-02-18 | Mepco/Electra, Inc. | Solid electrolyte capacitor for surface mounting |
US4945452A (en) * | 1989-11-30 | 1990-07-31 | Avx Corporation | Tantalum capacitor and method of making same |
US4984134A (en) * | 1990-01-16 | 1991-01-08 | Avx Corporation | Surface mount non-polar tantalum capacitor |
US5198968A (en) * | 1992-07-23 | 1993-03-30 | Avx Corporation | Compact surface mount solid state capacitor and method of making same |
US5357399A (en) * | 1992-09-25 | 1994-10-18 | Avx Corporation | Mass production method for the manufacture of surface mount solid state capacitor and resulting capacitor |
US5394295A (en) * | 1993-05-28 | 1995-02-28 | Avx Corporation | Manufacturing method for solid state capacitor and resulting capacitor |
JP3088907B2 (ja) * | 1994-07-05 | 2000-09-18 | エイ ブイ エックス コーポレイション | 固体コンデンサとその製作方法 |
JP3519739B2 (ja) * | 1995-03-03 | 2004-04-19 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP3696341B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2005-09-14 | ローム株式会社 | アレイ型固体電解コンデンサの構造及びその製造方法 |
GB9708944D0 (en) | 1997-05-01 | 1997-06-25 | Avx Ltd | Capacitor manufacture |
JPH11162786A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
CN1226759C (zh) * | 1999-07-08 | 2005-11-09 | Avx有限公司 | 固态电容器及其制造方法 |
GB9916048D0 (en) * | 1999-07-08 | 1999-09-08 | Avx Ltd | Solid state capacitors and methods of manufacturing them |
GB9918852D0 (en) * | 1999-08-10 | 1999-10-13 | Avx Ltd | Manufacture of solid state capacitors |
GB9922091D0 (en) * | 1999-09-17 | 1999-11-17 | Avx Ltd | Manufacture of solid state capacitors |
GB9926975D0 (en) * | 1999-11-15 | 2000-01-12 | Avx Ltd | Solid state capacitors and methods of manufacturing them |
GB0112674D0 (en) * | 2001-05-24 | 2001-07-18 | Avx Ltd | Manufacture of solid state electronic components |
-
1998
- 1998-11-06 GB GBGB9824442.9A patent/GB9824442D0/en not_active Ceased
-
1999
- 1999-10-28 CN CNB99814049XA patent/CN1188875C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-28 IL IL14298799A patent/IL142987A0/xx not_active IP Right Cessation
- 1999-10-28 KR KR1020017005757A patent/KR100579912B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-10-28 WO PCT/GB1999/003566 patent/WO2000028559A1/en active IP Right Grant
- 1999-10-28 AT AT99951018T patent/ATE275285T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-10-28 AU AU63594/99A patent/AU6359499A/en not_active Abandoned
- 1999-10-28 US US09/831,174 patent/US6699767B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-28 EP EP99951018A patent/EP1127360B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-28 JP JP2000581661A patent/JP4405086B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-10-28 DE DE69919888T patent/DE69919888T2/de not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-02-26 US US10/788,079 patent/US7687884B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010099794A (ko) | 2001-11-09 |
GB9824442D0 (en) | 1999-01-06 |
CN1329746A (zh) | 2002-01-02 |
KR100579912B1 (ko) | 2006-05-15 |
WO2000028559A1 (en) | 2000-05-18 |
JP2002529931A (ja) | 2002-09-10 |
EP1127360B1 (de) | 2004-09-01 |
CN1188875C (zh) | 2005-02-09 |
US6699767B1 (en) | 2004-03-02 |
DE69919888D1 (de) | 2004-10-07 |
US20050111164A1 (en) | 2005-05-26 |
IL142987A0 (en) | 2002-04-21 |
US7687884B2 (en) | 2010-03-30 |
AU6359499A (en) | 2000-05-29 |
ATE275285T1 (de) | 2004-09-15 |
JP4405086B2 (ja) | 2010-01-27 |
EP1127360A1 (de) | 2001-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69919888T2 (de) | Herstellungsverfahren von festelektrolytkondensatoren in chip-bauweise | |
DE60015141T2 (de) | Herstellungsverfahren von festelektrolytkondensatoren | |
DE60010505T2 (de) | Festelektrolytkondensatoren und deren herstellungsverfahren | |
DE60016249T2 (de) | Herstellungsverfahren von festelektrolytkondensatoren | |
DE10296884B4 (de) | Herstellung festkörperelektronischer Bauteile | |
DE60014648T2 (de) | Festelektrolytkondensatoren und herstellungsverfahren | |
DE60019592T2 (de) | Festelektrolytkondensatoren und herstellungsverfahren | |
DE4319552A1 (de) | Kompakter oberflächenmontierter Festkörperkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2432163A1 (de) | Kondensator und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2725137A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines kondensators und nach diesem verfahren hergestellter kondensator | |
DE4020556A1 (de) | Verbesserter tantalkondensator und verfahren zu seiner herstellung | |
DE102005009506A1 (de) | Oberflächenmontierbarer MELF-Kondensator | |
DE2703846A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines festelektrolytkondensators | |
WO2018050473A1 (de) | Verfahren zur herstellung von elektronischen bauteilen mittels 3d-druck | |
DE1589728C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Elektrolytkondensatoren mit einem gesinterten Anodenkörper | |
WO2001016973A1 (de) | Anode für elektrolytkondensatoren, elektrolyt-kondensator und verfahren zur herstellung der anode | |
DE102005009508A1 (de) | Oberflächenmontierbarer Flipchip-Kondensator | |
DE2631776C3 (de) | Elektrolytkondensator | |
DE69028790T2 (de) | Festelektrolytkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP0024302A2 (de) | Trockenelektrolyt-Kondensator | |
DE69421906T2 (de) | Massenherstellungsverfahren von Festelektrolytkondensatoren | |
DE69434554T2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Festkörper-Kondensatoren | |
DE69433022T2 (de) | Vorformen für die Herstellung von oberflächenmontierbaren Festelektrolytkondensatoren und Herstellungsverfahren der genannten Kondensatoren | |
DE112020003670T5 (de) | Kompakte lithium-dünnschicht-batterie mit einer hohen kapazität | |
DE2230629C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Elektrolytkondensatoren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |