DE102005009506A1

DE102005009506A1 - Oberflächenmontierbarer MELF-Kondensator

Info

Publication number: DE102005009506A1
Application number: DE200510009506
Authority: DE
Inventors: Haim Goldberger
Original assignee: Vishay Sprague Inc
Current assignee: Vishay Sprague Inc
Priority date: 2004-03-02
Filing date: 2005-03-02
Publication date: 2005-09-22
Also published as: GB2412242B; US20050195553A1; GB2412242A; JP2005252262A; US20060056134A1; US20060104007A1; FR2867302A1; FR2867302B1; GB0504292D0; US7221555B2; US7088573B2; US7167357B2

Abstract

Der oberflächenmontierbare MELF-Kondensator (30) der vorliegenden Erfindung enthält einen Draht (32) und ein leitfähiges Pulverelement (34), das elektrisch mit dem Draht verbunden ist. Der oberflächenmontierbare MELF-Kondensator hat ein Isoliermaterial (46), das mindestens einen Teil des leitfähigen Pulverelementes und des Drahtes umgibt, der sich aus dem leitfähigen Pulverelement erstreckt. Ein erster Anschluß (60) ist auf dem oberflächenmontierbaren MELF-Kondensator an der ersten Endfläche des Drahtes gebildet und ein zweiter Anschluß (56) ist dadurch gebildet, daß er mit dem leitfähigen Pulverelement elektrisch verbunden ist. Der oberflächenmontierbare MELF-Kondensator der vorliegenden Erfindung wird durch Verfahren geschaffen, die die Schritte enthalten, daß ein Draht bereitgestellt wird und ein leitfähiges Pulver auf den Draht plaziert wird. Bei einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird der Draht in einem Zweispulensystem geführt und das leitfähige Pulverelement elektrophoretisch auf dem Draht abgeschieden.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft Kondensatoren. Genauer, aber nicht ausschließlich betrifft die vorliegende Erfindung verbesserte oberflächenmontierbare MELF-Kondensatoren und Verfahren für deren Herstellung.

KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Es gibt Kondensatoren, die aus einem kapazitiven Element wie z.B. einem Tantalblöckchen oder einer Tantaltablette hergestellt sind. Um ein herkömmliches Tantalblöckchen zu erzeugen, wird Tantalpulver mit einem Bindemittel verpresst und dann einem Verfahren zum Bilden eines polarisierten Kondensators, der ein positives Ende und ein negatives Ende hat, unterzogen. Ein typisches Tantalblöckchen hat eine Anode, die aus einem von dem Blöckchen abstehenden Draht besteht, und eine Kathode, die aus einer auf der gegenüberliegenden Seite des Tantalblöckchens gebildeten leitfähigen Oberfläche besteht.

Das übliche Verfahren zum Herstellen von Tantaltabletten für den Gebrauch bei Tantalkondensatoren enthält Schritte, bei denen Tantalpulver zuerst zu einer Tablette verpresst oder zusammengedrückt wird. Die resultierenden gepressten Tabletten werden dann einem Sinterverfahren unterzogen, bei dem die Tabletten im Vakuum erhitzt werden. Die Erhitzung läßt die Tantalteilchen miteinander verkleben, so daß sie einen Leitungsdraht halten können, der als Anode fungiert.

Auf das Sinterverfahren folgend wird die Tantaltablette in eine saure Lösung getaucht, um auf der Außenfläche der Tablette und den Teilchen innerhalb der Tablette einen dielektrischen Film zu bilden, der typischerweise aus Tantalpentoxid besteht. Die Tablette und die Teilchen innerhalb der Tablette werden dann im Anschluß mit verschiedenen anderen metallhaltigen Materialien, die die Kathode bilden, beschichtet.

Bei diesen Kondensatoren werden die Anode und die Kathode an einer Schaltungsplatte durch Anschlußdrähte befe stigt.

Bei modernen Verfahren für die Montage von Bauteilen wird von der Möglichkeit Gebrauch gemacht, die Bauteile direkt an Leiterbahnen von gedruckten Schaltungsplatten ohne den Gebrauch von Anschlußdrähten anzulöten. Diese Technik wird in einem ständig zunehmenden Maß unter der Bezeichnung "oberflächenmontiertes Bauteil" (SMD) verwendet.

Kondensatoren, die für die SMD-Technik geeignet sind, können als Chip-Bauteil und als MELF-Bauteil hergestellt werden. Chip-Bauteile haben im allgemeinen tragende Teile in Form von rechtwinkligen Parallelepipeden, die zum Löten geeignete Endflächen haben, oder in Form von Flip-Chips, die eine Fläche sowohl mit Kathoden- als auch Anodenanschlüssen, die zum Löten geeignet sind, haben. MELF-Bauteile (Metal Electrode Face Bonding) beginnen mit zylindrischen tragenden Teilen, die Anschlußkappen haben, bei denen die Anschlußdrähte weggelassen sind und die Kappen ihrerseits zum Löten an ihren Oberflächen durch eine Elektroplattierbehandlung geeignet gemacht werden und mit den Anschlußkappen direkt an die Leiterbahnen von gedruckten Schaltungsplatten angelötet werden.

Der große Vorteil der SMD-Technik besteht darin, daß äußerst hohe Packungsdichten von Bauteilen auf den gedruckten Schaltungsplatten möglich sind. Um ständig zunehmende Dichten zu verwirklichen, braucht man immer kleiner werdende Bauteile, die für die SMD-Technik geeignet sind.

Die SMD-Technik hat jedoch Probleme mit der Rentabilität und der Gleichförmigkeit der Herstellung von Bauteilen. Es ist daher ersichtlich, daß es einen Bedarf für einen verbesserten oberflächenmontierbaren MELF-Kondensator und ein Verfahren für dessen Herstellung gibt.

Außerdem kann die gegenwärtige SMD-Technik die Verarbeitung von einzelnen Kondensatoren im Gegensatz zu Techniken, die für die Massenverarbeitung von Kondensatoren verwendet werden, erfordern. Eine besonders nützliche Tech nik der Massenverarbeitung erfolgt durch die Verwendung eines Zweispulen-Verfahrens. Daher besteht ein weiterer Aspekt der Erfindung in der Schaffung eines Kondensators, der unter Verwendung eines Zweispulen-Verfahrens effizient hergestellt wird.

Auch kann die gegenwärtige SMD-Technik durch die Verwendung von elektrophoretischer Abscheidung verbessert werden. Zu einigen der Vorteile von elektrophoretischer Abscheidung gehören eine hohe Beschichtungsgeschwindigkeit von geladenen Teilchen auf dem Substrat, ein resultierender Film von geladenen Teilchen auf dem Substrat, der dicht und gleichmäßig ist, eine Filmdicke, die durch Abscheidungsbedingungen gesteuert werden kann, und ein einfaches Verfahren, das im Maßstab leicht vergrößert werden kann. Demzufolge besteht ein weiterer Aspekt der Erfindung in der Schaffung eines Verfahrens, das elektrophoretische Abscheidung benutzt, um die Gleichmäßigkeit, Toleranz, Kapaziät und die Dichte pro Volumen des Kondensators zu erhöhen.

Ein noch weiterer Aspekt der Erfindung besteht darin, einen oberflächenmontierbaren MELF zu schaffen, der leicht zu machen und wirtschaftlich herzustellen ist.

Die Vorrichtung und das Verfahren zum Erfüllen dieser und anderer Aspekte werden aus der folgenden Beschreibung der Erfindung ersichtlich.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 zeigt eine Seiten-Querschnittsansicht eines oberflächenmontierbaren MELF-Kondensators nach der Erfindung.
2 bis 9 zeigen Seiten-Querschnittsansichten des in 1 gezeigten oberflächenmontierbaren MELF-Kondensators in verschiedenen Herstellungsstufen.
10 ist eine schematische Zeichnung eines vorbekannten Kondensators.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DES BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELS
Die vorliegende Erfindung wird in der Anwendung auf das bevorzugte Ausführungsbeipiel beschrieben. Es ist nicht beabsichtigt, die Erfindung auf das beschriebene Ausführungsbeispiel zu beschränken. Es ist beabsichtigt, daß die Erfindung alle Alternativen, Abwandlungen und Äquivalente abdeckt, die im Wesen und Umfang der Erfindung liegen mögen.
10 zeigt einen typischen Kondensator 10 des Standes der Technik. Kondensatoren werden bei vielen elektronischen Gerätearten verwendet. Die bekannteren Anwendungen von Kondensatoren finden sich bei Personal-Computern, Plattenlaufwerken, Mobiltelefonen, Druckern, tragbaren Piepsern, Kraftfahrzeugen und bei militärischen Ausrüstungsgegenständen.
Wie gezeigt hat der Kondensator 10 zwei Leiter, nämlich die Tantaltablette 12 und das Mangandioxid (MnO₂) 16, das eigentlich ein Halbleiter ist. Der dielektrische Film 14 besteht aus Tantalpentoxid (Ta₂O₅). Wenn der Kondensator 10 in Gebrauch ist, ist die Tantaltablette 12 positiv geladen und wirkt als Anode, und ist das Mangandioxid 16 negativ geladen und wirkt als Kathode. Der Kondensator enthält auch einen Tantalanodenleitungsdraht 18, eine metallisierte äußere Elektrode oder Silber 20 und eine Kohleschicht 22 innerhalb der äußeren Elektrode 20.
Der Kondensator 10 des Standes der Technik wird gewöhnlich dadurch hergestellt, daß man Tantalpulver nimmt und es zu einer Tablette komprimiert oder zusammendrückt. Die resultierende zusammengepreßte Tablette 12 wird dann einem Sinterverfahren unterzogen, bei dem die Tablette 12 im Vakuum erhitzt wird. Die Erhitzung läßt die Tantalteilchen miteinander verkleben, so daß sie den Leitungsdraht 18 halten können.
Nach dem Sinterverfahren wird die Tablette 12 typischerweise in eine saure Lösung eingetaucht, um einen die lektrischen Film 14 auf der Außenfläche der Tablette 12 zu bilden. Die Tablette 12 wird dann in der Folge mit verschiedenen anderen metallhaltigen Materialien beschichtet, die die Kathode bilden. Typischerweise wird MnO₂ 16 um den dielektrischen Film 14 herum plaziert, das von der Kohlegraphitschicht 22 gefolgt wird, die mit einem Silberdruck 20 angestrichen wird. Es können auch andere leitfähige Polymere wie Polypyrrole anstelle von Manganoxid verwendet werden. Der Kathodenteil endet in einem Kathodenanschluß.
Der Leitungsdraht 18 ist gewöhnlich mit einer isolierenden Substanz wie Teflon (nicht gezeigt) beschichtet. Typischerweise ist der Leitungsdraht 18 der Anodenanschluß. Diese Anschlüsse können mit einer Schaltungsplatte verbunden werden, um den Kondensator 10 in einem elektrischen Schaltkreis zu montieren.
1 zeigt einen oberflächenmontierbaren MELF-Kondensator 30 nach der Erfindung. Es ist zu beachten, daß in den Figuren zwecks Klarheit die verschiedenen Teile des Kondensators mit geraden und scharfkantigen Ecken gezeigt sind. Die wirklichen Kondensatoren können leicht abgerundete Ecken usw. haben. Außerdem sind die Kondensatoren in einer Standardform und -größe gezeigt; die Form und Größe können sich jedoch ändern, um verschiedene Längen, Breiten, Höhen, Größen, Proportionen der Bauteile, usw. einzuschließen.
Der Kondensator 30 enthält einen Draht 32. Typischerweise ist der Draht 32 aus Tantal hergestellt. Als Alternative kann der Draht aus einem anderen Ventilmetall (d.h. Niob (Nb), Hafnium (Hf), Zirkon (Zr), Titan (Ti), Vanadium (V), Wolfram (W), Beryllium (Be) oder Aluminium (Al)) hergestellt sein. Als Alternative kann der Draht aus einem Substrat, das ein Ventilmetall (d.h. Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, Be oder Al) enthält, hergestellt sein. Der Draht hat vorzugsweise eine Dicke zwischen 50 und 100 μm. Der Draht ist typischerweise zylindrisch mit einem kreisförmigen Querschnitt. Der Draht 32 kann aber jede beliebige Form und jeden beliebigen Querschnitt haben.
Ein leitfähiges Pulverelement 34 ist auf dem Draht 32. Das leitfähige Pulverelement kann ein Ventilmetall sein. Als Alternative kann das leitfähige Pulverelement ein Ventilmetallsubstrat sein. Das leitfähige Pulverelement 34 kann eine niedrige Kondensatorspannung (CV) (d.h. 10 CV) bis zu 100-150 KCV haben. Bevor das leitfähige Pulverelement 34 auf dem Draht 32 plaziert ist, kann es in Form eines Pulvers sein, das regelmäßig agglomeriert, gesiebt und/oder gestoßen ist. Das leitfähige Pulverelement 34 hat eine Dichte im Bereich von 3-8 g/cc wenn es an dem Draht 32 in einer Schicht befestigt ist.
Ein dielektrischer Film 36 ist auf der Oberfläche des leitfähigen Pulverelements 34 und Anodendrahtes 32. Typischerweise besteht der dielektrische Film 36 aus Tantalpentoxid (Ta₂O₅).
Ein fester Elektrolyt, d.h. Mangandioxid (MnO₂) oder ein leitfähiges Polymer ist ein dielektrischer Film 40. Der feste Elektrolyt imprägniert Räume innerhalb des mit dem dielektrischen Film 36 beschichteten leitfähigen Pulverelements 34, um die Kathode des Kondensators zu bilden.
Eine leitfähige Gegenelektrodenschicht liegt über der Mangandioxidschicht 40 und ist in elektrischer Kontinuität mit der Mangandioxidschicht 40 des Kondensators 30. Die Gegenelektrodenschicht besteht vorzugsweise aus einer ersten Unterschicht 42 aus Graphitkohle und einer Oberschicht aus Metallteilchen 44, vorzugsweise Silber in einem Bindemittel oder organischem Harz. Die Gegenelektrodenschicht erstreckt sich um das Kathodenende 46 des leitfähigen Pulverelements 34 herum und hilft, die Mangandioxidschicht 40 abzudichten. Die Gegenelektrodenschicht liegt im wesentlichen auf allen Seitenflächen des leitfähigen Pulverelements 34, um einen Kondensator zu erhalten, der einen minimalen Dissipationsfaktor und ESR hat, aber getrennt und außerhalb elektrischer Kontinuität mit dem Anodendraht 32 gehalten wird.
Eine organische Beschichtung oder Passivierungsbeschichtung 48 ist auf der Gegenelektrodenschicht auf dem Außenumfang des leitfähigen Pulverelements 34 und auf dem leitfähigen Pulverelement 34 an jedem Ende gebildet. Ein Kathodenring 54 ist an dem Kathodenende 46 der Gegenelektrodenschicht unter Bildung eines Kontaktes befestigt und bildet somit einen Kathodenanschluß 56. Eine Anodenendkappe 58 ist an dem Draht 32 befestigt, der mit dem Anodenende 50 des leitfähigen Pulverelements 34 in Kontakt ist, und bildet somit einen Anodenanschluß 60.
Der Kathodenanschluß 56 und der Anodenanschluß 60 sind Anschlüsse, die mit einer Schaltungsplatte verbunden werden können, um den Kondensator 30 in einem elektrischen Schaltkreis zu montieren. Während das Verfahren, das unten beschrieben und in den 2 bis 9 gezeigt ist, auf einen Kondensator angewendet wird, ist es möglich, das vorliegende Verfahren auch für jede Art von Chip-Bauteil zu verwenden.
2 zeigt eine Seitenansicht eines Drahtes 32. Der Draht ist vorzugsweise 50 bis 100 μm dick.
Wie in 3 ersichtlich ist wird das leitfähige Pulverelement 34 auf dem Draht durch elektrophoretische Abscheidung plaziert, die im wesentlichen zwei Schritte umfaßt: Erstens werden geladene Pulverteilchen (0,2-40 μm) in Suspension durch die angelegte Spannung zu dem Draht 32 bewegt und zweitens werden die Pulverteilchen auf dem Draht 32 abgeschieden (entladen und ausgeflockt). Der resultierende Film aus geladenen Teilchen ist das leitfähige Pulverelement 34, das dicht und gleichmäßig ist.
Der nächste Schritt besteht darin, den Draht 32 mit dem leitfähigen Pulverelement 34 in ein Sinterverfahren zu geben, um das leitfähige Pulverelement 34 im Vakuum zu erhitzen. Die Temperatur dieses Verfahrens liegt zwischen 600-1400 C für Tantal und Niob. Das leitfähige Pulverelement 34 wird im Vakuum auf der gewählten Temperatur für ungefähr 2-20 Minuten gehalten und dann in Übereinstimmung mit her kömmlichen Abkühlprozeduren, die allgemein bekannt sind, abgekühlt.
Wie in 4 ersichtlich ist, wird das leitfähige Pulverelement 34 nach dem Sinterverfahren in eine Sauerstoff bildende Lösung gegeben, derart, daß ein dünner dielektrischer Film 36 gebildet wird. Beispielsweise wenn Tantal- oder Niobpulver verwendet wird, ist der dünne dielektrische Film 36 Tantalpentoxid oder Niobpentoxid.
Als nächstes wird der Kathodenteil des Kondensators gebildet. Typischerweise wird Manganoxid 40 um den dielektrischen Film 36 herum plaziert, das von einer Kohlegraphitschicht 42 gefolgt werden kann, die mit Silber 44 bedruckt wird. Der Silberdruck 44 besteht aus einem organischen Harz, das stark mit Silberflocken gefüllt ist, wodurch es leitfähig wird. Die erste Unterschicht 42 der Graphitkohle 42 und die Oberschicht aus Metallteilchen werden zusammen als leitfähige Gegenelektrodenschicht bezeichnet.
Wie in 6 ersichtlich ist, wird ein Isolier- oder Passiviermaterial 46 so plaziert, daß es das leitfähige Pulverelement 34, das erste und zweite Ende und den Außenumfang und den freiliegenden Teil der Seitenflächen des Drahtes 32 umgibt.
Wie in 7 ersichtlich ist, werden die Öffnungen für den Anodenanschluß 60 und den Kathodenanschluß mit Laser geöffnet, um den Draht 32 bzw. die leitende Gegenelektrodenschicht freizulegen. Während das Öffnen mit dem Laser das bevorzugte Verfahren ist, um die leitfähige Oberfläche des Drahtes 32 und die Gegenelektrodenschicht freizulegen, könnten andere Techniken verwendet werden. Wenn der Draht einmal freigelegt ist, kann ein Silberdruck 58, 56 aufgebracht werden, wie in 7 ersichtlich ist.
Der nächste Schritt besteht darin, den oberflächenmontierbaren MELF-Kondensator 30 von der Reihe in einzelne Bauteile zu schneiden. Der oberflächenmontierbare MELF-Kondensator 30 kann von der Reihe auf mehreren Wegen ent fernt werden, die allgemein bekannt sind.
Der erfindungsgemäße oberflächenmontierbare MELF-Kondensator enthält einen Draht und ein leitfähiges Pulverelement, das elektrisch mit dem Draht verbunden ist. Der oberflächenmontierbare MELF-Kondensator hat ein Isoliermaterial, das mindestens einen Teil des leitfähigen Pulverelementes und des Drahtes umgibt, der aus dem leitfähigen Pulverelement wegragt. Ein erster Anschluß ist an dem oberflächenmontierbaren Chip-Kondensator an der ersten Endfläche des Drahtes gebildet und ein zweiter Anschluß wird dadurch gebildet, daß er elektrisch mit dem leitfähigen Pulverelement verbunden ist. Der oberflächenmontierbare MELF-Kondensator nach der Erfindung wird durch Verfahren hergestellt, die die Schritte enthalten, daß ein Draht bereitgestellt und ein leitfähiges Pulver auf den Draht plaziert wird. Bei einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird der Draht in einem Zweispulensystem geführt und wird das leitfähige Pulverelement auf dem Draht elektrophoretisch abgeschieden.
Während die Erfindung unter Verwendung der oben beschriebenen Verfahren erreicht werden kann, versteht sich, daß verschiedene andere Verfahren verwendet werden könnten, die im Wesen und Umfang der Erfindung liegen.
Das bevorzugte Ausführungsbeispiel der Erfindung wurde in den Zeichnungen und der Beschreibung dargelegt, und obwohl spezielle Ausdrücke verwendet wurden, wurden diese nur in einem allgemeinen oder beschreibenden Sinn und nicht zwecks einer Beschränkung verwendet. Änderungen in der Form und den Proportionen der Teile sowie ein Austausch von Äquivalenten werden in Erwägung gezogen, je nach dem, welche Umstände vorliegen oder als zweckmäßig erscheinen, ohne vom Wesen und Umfang der Erfindung wie sie in den folgenden Ansprüchen definiert ist, abzuweichen.

Claims

Oberflächenmontierbarer MELF-Kondensator, der umfaßt: einen Draht, der entgegengesetzte erste und zweite Endflächen und eine Seitenfläche hat; ein leitfähiges Pulverelement, das elektrisch mit dem Draht verbunden ist, wobei die zweite und erste Endfläche freigelegt und die Drahtseitenflächen bedeckt sind; ein Isoliermaterial, das mindestens einen Teil des leitfähigen Pulverelements und einen Teil der Drahtseitenflächen umgibt; einen ersten Anschluß, der von einem ersten Körper aus leitfähigem Material gebildet wird, das auf der ersten Endfläche des Drahtes und einem Teil des Isoliermaterials angeordnet ist; und einen zweiten Anschluß, der von einem zweiten Körper aus leitfähigem Material gebildet wird, das auf dem leitfähigen Pulverelement angeordnet und mit dem zweiten Ende des leitfähigen Pulverelements elektrisch verbunden ist.
Oberflächenmontierbarer MELF-Kondensator nach Anspruch 1, bei dem der erste Anschluß eine Anode und der zweite Anschluß ein Kathodenende ist.
Oberflächenmontierbarer MELF-Kondensator nach Anspruch 1, bei dem das leitfähige Pulverelement aus Pulver hergestellt ist.
Oberflächenmontierbarer MELF-Kondensator nach Anspruch 3, bei dem das Pulver aus der Gruppe ist, die aus Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, Be und Al besteht.
Oberflächenmontierbarer MELF-Kondensator nach Anspruch 3, bei dem das Pulver ein Substrat aus einem Metall aus der Gruppe ist, die aus Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, Be und Al besteht.
Oberflächenmontierbarer MELF-Kondensator nach Anspruch 3, bei dem das Pulver elektrophoretisch auf dem Draht abgeschieden wurde.
Oberflächenmontierbarer MELF-Kondensator nach Anspruch 1, bei dem das leitfähige Pulverelement eine Dichte zwischen 3-8 g/cc hat.
Oberflächenmontierbarer MELF-Kondensator nach Anspruch 1, bei dem das leitfähige Pulverelement eine Kapazitätsspannung zwischen 10 CV und 150 KCV hat.
Verfahren zum Erzeugen eines oberflächenmontierbaren MELF-Kondensators, das umfaßt: Bereitstellen eines Drahtes, der entgegengesetzte erste und zweite Endflächen und Seitenflächen hat; Bilden eines leitfähigen Pulverelements auf dem Draht, wobei das leitfähige Pulverelement ein Kathodenende, ein Anodenende und Seiten des leitfähigen Pulverelements hat, die sich zwischen dem Anoden- und Kathodenende erstrecken, wobei das erste und zweite Ende und ein Teil der Drahtseitenflächen freigelegt werden; Aufbringen eines Isoliermaterials auf das Kathodenende, das leitfähige Pulverelement und das erste und zweite Ende des Drahtes; Freilegen des ersten Endes und eines Teiles des Kathodenendes; Aufbringen einer Anodenschicht aus leitfähigem Material auf das erste Drahtende und die Außenfläche des Isoliermaterials angrenzend an das Anodenende des leitfähigen Pulverelements, so daß die Anodenschicht aus leitfähigem Material in elektrischem Kontakt mit dem Drahtende ist und es bedeckt; und Aufbringen einer Kathodenschicht aus leitfähigem Material auf dem freiliegenden Teil des Kathodenendes des leitfähigen Pulverelements.
Verfahren nach Anspruch 10, ferner mit dem Schritt, der den Draht zur Annahme in einem Zweispulenverfahren anordnet.
Verfahren nach Anspruch 9, ferner mit elektrophoretischer Abscheidung des Pulvers auf dem Draht.
Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das Pulver aus der Gruppe ist, die aus Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, Be und Al besteht.
Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das Pulver ein Substrat aus einem Metall aus der Gruppe ist, die aus Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, V, W, Be und Al besteht.
Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das leitfähige Pulverelement eine Dichte zwischen 3-8 g/cc hat.
Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das leitfähige Pulverelement eine Kapazitätsspannung zwischen 10 CV und 150 KCV hat.
Verfahren nach Anspruch 9, bei dem der Schritt des Freilegens unter Verwendung eines Laserschneidverfahrens durchgeführt wird.