JPS59134882A - 発光半導体装置の製造方法 - Google Patents
発光半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS59134882A JPS59134882A JP58007247A JP724783A JPS59134882A JP S59134882 A JPS59134882 A JP S59134882A JP 58007247 A JP58007247 A JP 58007247A JP 724783 A JP724783 A JP 724783A JP S59134882 A JPS59134882 A JP S59134882A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- light emitting
- stem
- cap
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光フアイバー付発光半導体装置の製造方法に関
する。
する。
光通信に用いる光通信用装置の一つとして、従来第１図
に示すような光ファイバー付近算外発光ダイオード装置
（工ＲＥＤ ）が開発されている。
に示すような光ファイバー付近算外発光ダイオード装置
（工ＲＥＤ ）が開発されている。
この装置は、図示のように、金属製のステム１の主面中
央に平面型の発光素子２を上面に固定したサブマウント
３を固定した構造となっている。
央に平面型の発光素子２を上面に固定したサブマウント
３を固定した構造となっている。
また、ステム１にはガラス４を介して２本のり一ド５が
貫通固定でれている。これらリード５けワイヤ６に介し
てサブマウント３の図示しない電極および発光素子２の
上部電極７と電気的に接続される。また、サブマウント
３の電極は発光素子２の上部電極８と導通状態となって
いる。一方、ステム１の主面には金属製のキヤ・ツブ９
がｇｖｂ付はうしている。このキャップ９けフランジ１
０を有する帽子型構造となっていて、フランジ１０の工
面に設けたプロジェクション１１を介してリングウェル
ドによってステム１に気密的に固定されている。′！た
、キャップ９の中央上部にはセラミックヌリーブ１２が
挿嵌されるとともに、このセラミックスリーブ１２のガ
イド孔１３の延長下方部分には、キャップ９を穿設した
挿入孔１４が設けられている。そして、これらガイド孔
１３および挿入孔】４には１本の光ファイバー１５が挿
入でれ、かつ挿入孔】４に注入した半田１６によってキ
ャップ９に固定されている。また、光ファイバー１５の
内端は半球状の先球部１７となシ、発光素子２から発光
された光を穆シ込み、光ファイバー１５を介して外部に
取シ出すようになっている。
貫通固定でれている。これらリード５けワイヤ６に介し
てサブマウント３の図示しない電極および発光素子２の
上部電極７と電気的に接続される。また、サブマウント
３の電極は発光素子２の上部電極８と導通状態となって
いる。一方、ステム１の主面には金属製のキヤ・ツブ９
がｇｖｂ付はうしている。このキャップ９けフランジ１
０を有する帽子型構造となっていて、フランジ１０の工
面に設けたプロジェクション１１を介してリングウェル
ドによってステム１に気密的に固定されている。′！た
、キャップ９の中央上部にはセラミックヌリーブ１２が
挿嵌されるとともに、このセラミックスリーブ１２のガ
イド孔１３の延長下方部分には、キャップ９を穿設した
挿入孔１４が設けられている。そして、これらガイド孔
１３および挿入孔】４には１本の光ファイバー１５が挿
入でれ、かつ挿入孔】４に注入した半田１６によってキ
ャップ９に固定されている。また、光ファイバー１５の
内端は半球状の先球部１７となシ、発光素子２から発光
された光を穆シ込み、光ファイバー１５を介して外部に
取シ出すようになっている。
ところで、この装置の組立にあっては、発光素子２を増
シ付けたステム１と、光フアイバー１５ヲ烙シ付けたキ
ャップ９とを、それぞれ用意した後、ステム１上にキャ
ップ９を重ね、リングウェルドして一体化を図っている
。そして、ステム１の主面からの発光素子２の上面迄の
高き、キャップ９に対する光ファイバ１５の先球部１７
の固定高さは庖定の高さに製造訃れ、かつリングウェル
ドによるプロジェクション部分の潰し高さも一定となる
ようにして組み立てられる。
シ付けたステム１と、光フアイバー１５ヲ烙シ付けたキ
ャップ９とを、それぞれ用意した後、ステム１上にキャ
ップ９を重ね、リングウェルドして一体化を図っている
。そして、ステム１の主面からの発光素子２の上面迄の
高き、キャップ９に対する光ファイバ１５の先球部１７
の固定高さは庖定の高さに製造訃れ、かつリングウェル
ドによるプロジェクション部分の潰し高さも一定となる
ようにして組み立てられる。
しかし、このように各部の組立精度向上を図っても、装
置外にをり出す光の取出し効充が極めて悪いものが製造
婆れることがある。本発明者はこのような不良はつぎの
ようなことに起因して生じることを知った。この装置は
、発光素子から発光された光の取込み効出金向上させる
ために、光ファイバー１５の先球部１７を発光素子２の
真近に配設させる構造を採用する結果、サブマウント３
発光素子２等の個々の厚さの不均一および発光素子２お
よびサブマウント３を固定するための接合材の厚ざばら
つき等によってステム主面からの発光素子２の上面迄の
高さが不均一になり、最悪の場合には先球部１７が発光
素子２に当接して光ファイバー１５が曲が９、光のを９
込みができなくなる。また、先球部１７と発光素子２と
の間隔が大きい稈元ファイバー１５にを９込む光の取込
量は小で〈々す、光耶込効出は低下する。
置外にをり出す光の取出し効充が極めて悪いものが製造
婆れることがある。本発明者はこのような不良はつぎの
ようなことに起因して生じることを知った。この装置は
、発光素子から発光された光の取込み効出金向上させる
ために、光ファイバー１５の先球部１７を発光素子２の
真近に配設させる構造を採用する結果、サブマウント３
発光素子２等の個々の厚さの不均一および発光素子２お
よびサブマウント３を固定するための接合材の厚ざばら
つき等によってステム主面からの発光素子２の上面迄の
高さが不均一になり、最悪の場合には先球部１７が発光
素子２に当接して光ファイバー１５が曲が９、光のを９
込みができなくなる。また、先球部１７と発光素子２と
の間隔が大きい稈元ファイバー１５にを９込む光の取込
量は小で〈々す、光耶込効出は低下する。
したがって、本発明の目的は光を込効高が高くかつ量産
性に適した光フアイバー付発光半導体装置の製造方法を
提供することによって、信頼度が高くかつ安価外光ファ
イバー付発光半導体装置を得ることにある。
性に適した光フアイバー付発光半導体装置の製造方法を
提供することによって、信頼度が高くかつ安価外光ファ
イバー付発光半導体装置を得ることにある。
ルノ下、実施例１により本発明を説明する。
第２図（（ａ）〜＋（１１は本発明の一実施例による光
フアイバー付近赤外発光ダイオード装置の製造方法を示
す断面図である。
フアイバー付近赤外発光ダイオード装置の製造方法を示
す断面図である。
この実施例では、同図（ａｔ Ｋ示すように、２本のり
一部５をガラス４を介して貫通固定した金属製のステム
１の主面（上面）中央に平面型の発光素子２を固定した
サブマウント３會固定する。発光素子２け下部電極８を
介してサブマウント３０表層部に設けられた配線層（図
示せず）上に固定される。捷た、この配線層の一部であ
る電極と一方のリード５とはワイヤ６で電気的に接続さ
れる。
一部５をガラス４を介して貫通固定した金属製のステム
１の主面（上面）中央に平面型の発光素子２を固定した
サブマウント３會固定する。発光素子２け下部電極８を
介してサブマウント３０表層部に設けられた配線層（図
示せず）上に固定される。捷た、この配線層の一部であ
る電極と一方のリード５とはワイヤ６で電気的に接続さ
れる。
また、他方のリード５と発光素子２の上部電極７けワイ
ヤ６で電気的に接続される。このように組み立てられた
単一組立ロットのステム群に苅して抜き１４ｙ、ａ測定
を行ない、ステム１の主面と発光素子２の上面の高さｈ
４測定する。そして、これら測定情報またはこれら測定
情報および過去の実験データによって単一組立ロフトの
ステムにおける高１ｈの分布傾向を求める。
ヤ６で電気的に接続される。このように組み立てられた
単一組立ロットのステム群に苅して抜き１４ｙ、ａ測定
を行ない、ステム１の主面と発光素子２の上面の高さｈ
４測定する。そして、これら測定情報またはこれら測定
情報および過去の実験データによって単一組立ロフトの
ステムにおける高１ｈの分布傾向を求める。
つぎに、この分布仰向によってキャップ９に取シ付ケる
光ファイバー１５の高さを決定する。すなわち、同図ｆ
ｂｌに示すように、金属製のキャップ９を用意する。こ
のキャップ９け下端縁にドーナツ状のフランジ１０を有
する卵子型構造となっていて、中央上部にはセラミック
スリーブ１２が嵌合これかつ鋼鑵によって固定されてい
る。ｆた、セラミックスリーブ１２のガイド孔１３の延
長下方部分にはキャップ９を穿設した挿入孔１４が設け
られている。貫だ、フランジ１０の下面にはその中央に
沿ってドーナツ状に延在するプロジェクション１１が設
けられている。そこで、プロジェクション１１の下端を
支持する基憩面１８を有し、かつ中央にこの基準面１８
からＨなる高さだけ突出した台座１９を有する治具２０
會用意する。この治具２０の台座１９はキャップ９の内
方に嵌合し、キャップ９の挿入孔１４に台座面２１を対
面させる。治具２０はあらかじめ高ζＨの数値の異なる
もの全複数用意しておく。そして、前記高婆りの実測あ
るいは想定による最大値ｈｍａｚ＝＝ Ｈとなる治具２
０會運ひ、との治具２０で光ファイバー１５の高さ決め
および仮固定を行なう。すなわち、同図１ｂｌで示すよ
うに、この選択にょる治具２゜上に順次各ギャップ９を
載せ、光ファイバー１５をセラミックスリーブ１２内の
ガイド孔１３および挿入孔１４内に挿し込む。光ファイ
バー１５の先球部１７は治具２０の台座面２１に当接し
て停止することから、セラミックスリーブ１２の上端面
部分に突出する光ファイバー１５をエポキシレジン等の
接着剤２２で３１定する１、その後、このキャップ９？
治具２ｏから酸９外し、ガイド孔１３内に鋼材、たとえ
ば半田１６を流し込んで光ファイバー１５の本固定を行
なう。
光ファイバー１５の高さを決定する。すなわち、同図ｆ
ｂｌに示すように、金属製のキャップ９を用意する。こ
のキャップ９け下端縁にドーナツ状のフランジ１０を有
する卵子型構造となっていて、中央上部にはセラミック
スリーブ１２が嵌合これかつ鋼鑵によって固定されてい
る。ｆた、セラミックスリーブ１２のガイド孔１３の延
長下方部分にはキャップ９を穿設した挿入孔１４が設け
られている。貫だ、フランジ１０の下面にはその中央に
沿ってドーナツ状に延在するプロジェクション１１が設
けられている。そこで、プロジェクション１１の下端を
支持する基憩面１８を有し、かつ中央にこの基準面１８
からＨなる高さだけ突出した台座１９を有する治具２０
會用意する。この治具２０の台座１９はキャップ９の内
方に嵌合し、キャップ９の挿入孔１４に台座面２１を対
面させる。治具２０はあらかじめ高ζＨの数値の異なる
もの全複数用意しておく。そして、前記高婆りの実測あ
るいは想定による最大値ｈｍａｚ＝＝ Ｈとなる治具２
０會運ひ、との治具２０で光ファイバー１５の高さ決め
および仮固定を行なう。すなわち、同図１ｂｌで示すよ
うに、この選択にょる治具２゜上に順次各ギャップ９を
載せ、光ファイバー１５をセラミックスリーブ１２内の
ガイド孔１３および挿入孔１４内に挿し込む。光ファイ
バー１５の先球部１７は治具２０の台座面２１に当接し
て停止することから、セラミックスリーブ１２の上端面
部分に突出する光ファイバー１５をエポキシレジン等の
接着剤２２で３１定する１、その後、このキャップ９？
治具２ｏから酸９外し、ガイド孔１３内に鋼材、たとえ
ば半田１６を流し込んで光ファイバー１５の本固定を行
なう。
つぎに、同図１ｃＩに示すように、セラミックスリーブ
１２の端面を研摩して余分な光フアイバ一部分および接
着剤２２を除去する。そして、このキャップ９をステム
１上に重ねるとともに、キャップ９をステム１に対して
相対的に水平移動させて光ファイバー１５に有り込む光
量が最大になる位置を捜し、その位置でリングウェルド
を行なってプロジェクション１１金潰し、同図ｔｄｌで
示すような気密封止された工ＲＥＤを製造する。
１２の端面を研摩して余分な光フアイバ一部分および接
着剤２２を除去する。そして、このキャップ９をステム
１上に重ねるとともに、キャップ９をステム１に対して
相対的に水平移動させて光ファイバー１５に有り込む光
量が最大になる位置を捜し、その位置でリングウェルド
を行なってプロジェクション１１金潰し、同図ｔｄｌで
示すような気密封止された工ＲＥＤを製造する。
このような方法によれば、単一組立ロットの工ＲＩＤは
すべて充分な光を込効高ヲ有した製品となシ、歩留が向
上する。また、単一組立ロフトの各キャップにおける光
ファイバーのをシ付は高さ調整は前記治具を用いること
から、その作業性は高くなシ、量産化も可能となる。
すべて充分な光を込効高ヲ有した製品となシ、歩留が向
上する。また、単一組立ロフトの各キャップにおける光
ファイバーのをシ付は高さ調整は前記治具を用いること
から、その作業性は高くなシ、量産化も可能となる。
また、治具の高さ■の数値決定は、実測によるｈの分布
範囲が狭く、ｈの最大と最小では光取込効庵が大きく変
化しない場合には、実測値の最大値または退去の同様の
データを加味して実測値の最大値よりもわずかに大きな
数値を最大値とする。
範囲が狭く、ｈの最大と最小では光取込効庵が大きく変
化しない場合には、実測値の最大値または退去の同様の
データを加味して実測値の最大値よりもわずかに大きな
数値を最大値とする。
また、実測によるｈの分布範囲が広すぎ、かつ最大値お
よび最小値に位置する数が少ない場合には、組立歩留１
００％を断念し、Ｈは実測のｈｍａＸよシも小さな数値
とする。この場合の数値の決定Ｋｉｄ過去の同様のデー
タをも参考にして決定する。
よび最小値に位置する数が少ない場合には、組立歩留１
００％を断念し、Ｈは実測のｈｍａＸよシも小さな数値
とする。この場合の数値の決定Ｋｉｄ過去の同様のデー
タをも参考にして決定する。
さらに、実測によるｈの分布範囲が広すぎ、かつ最大、
最小領域の数も多い場合には、ステムを２乃至３のグル
ープに測定によって分け、各グループに対してＨの数値
を決定する。、 本発明は光ファイバーを半田のような鋼材でキャップに
固定したものに適用したが、レジンで光ファイバーを固
定するものに対しても同様に適用でき同様の効果會得る
ことができる。
最小領域の数も多い場合には、ステムを２乃至３のグル
ープに測定によって分け、各グループに対してＨの数値
を決定する。、 本発明は光ファイバーを半田のような鋼材でキャップに
固定したものに適用したが、レジンで光ファイバーを固
定するものに対しても同様に適用でき同様の効果會得る
ことができる。
また、本発明は平面型の発光素子の例を示したが、ドー
ム型の発光素子のものにも同様に適用できる。
ム型の発光素子のものにも同様に適用できる。
以上のように、本発明によれば、光を込効毘が高くかつ
歩留向上が図れる量産化に適した光フアイバー付発光半
導体装置の製造方法に提供することができるうとの結呆
、信頼度が高くかつ安価な光ファイバー付発光半導体装
貿孕提供することができる−１
歩留向上が図れる量産化に適した光フアイバー付発光半
導体装置の製造方法に提供することができるうとの結呆
、信頼度が高くかつ安価な光ファイバー付発光半導体装
貿孕提供することができる−１
第１図は光ファイバー付工ＲＥＤの断面図、第２図＋ａ
ｌ〜＋ｄｌは本発明の一実施例による元ファイバー＋１
’ Ｉ ＲＥ Ｄの製造方法を示す断面図である。 １・・・ステム ２ 発光素子、３・・・サブマウント
、５・・・リード、９・・・キャップ、１１・・・プロ
ジェクション、１２・・・セラミックスリーブ、１５・
・・光ファイバー、１６・・半田、１７・・・先球部、
２０・・・治具、２１・・・台座面、２２・・・接着剤
。
ｌ〜＋ｄｌは本発明の一実施例による元ファイバー＋１
’ Ｉ ＲＥ Ｄの製造方法を示す断面図である。 １・・・ステム ２ 発光素子、３・・・サブマウント
、５・・・リード、９・・・キャップ、１１・・・プロ
ジェクション、１２・・・セラミックスリーブ、１５・
・・光ファイバー、１６・・半田、１７・・・先球部、
２０・・・治具、２１・・・台座面、２２・・・接着剤
。
Claims (1)
- １、 １＋−ド全装着したステムの主面に発光素子をを
り付けた支持体を固定する工程と、前記支持体の電極部
とリードとをワイヤで接続する工程と、光ファイバーを
中央部に貫通固定したキャップ奮光ファイバーの先端が
前記発光素子に対面するようにしてステム主面に固定す
る工程と、からなる光フアイバー付発光半導体装置の製
造方法において、前記キャップに光フアイバー全固定す
る際には、あらかじめ支持体を固定した単一組立ロット
のステムにおけるステム主面からの発光素子上面の高さ
の分布傾向を測定しておき、この測定情報に基いてキャ
ップに対する光ファイバーの固定高テヲ決定して固定す
ることを特徴とする光ファイバー伺発光半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58007247A JPS59134882A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 発光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58007247A JPS59134882A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 発光半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59134882A true JPS59134882A (ja) | 1984-08-02 |
Family
ID=11660683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58007247A Pending JPS59134882A (ja) | 1983-01-21 | 1983-01-21 | 発光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59134882A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5077878A (en) * | 1990-07-11 | 1992-01-07 | Gte Laboratories Incorporated | Method and device for passive alignment of diode lasers and optical fibers |
| US5163108A (en) * | 1990-07-11 | 1992-11-10 | Gte Laboratories Incorporated | Method and device for passive alignment of diode lasers and optical fibers |
| US5182782A (en) * | 1990-07-11 | 1993-01-26 | Gte Laboratories Incorporated | Waferboard structure and method of fabricating |
-
1983
- 1983-01-21 JP JP58007247A patent/JPS59134882A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5077878A (en) * | 1990-07-11 | 1992-01-07 | Gte Laboratories Incorporated | Method and device for passive alignment of diode lasers and optical fibers |
| US5163108A (en) * | 1990-07-11 | 1992-11-10 | Gte Laboratories Incorporated | Method and device for passive alignment of diode lasers and optical fibers |
| US5182782A (en) * | 1990-07-11 | 1993-01-26 | Gte Laboratories Incorporated | Waferboard structure and method of fabricating |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62190777A (ja) | 表面取付用光電デバイス | |
| JPS59134882A (ja) | 発光半導体装置の製造方法 | |
| JPS59185306A (ja) | 光集積回路の実装法 | |
| JP2721047B2 (ja) | 半導体デバイス用サブマウントおよび半導体光デバイスモジュール | |
| JPS61159606A (ja) | 光フアイバの端末装置およびその製造方法 | |
| JP4583662B2 (ja) | 光モジュールパッケージおよびその製造方法 | |
| JPH0233979A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS6381988A (ja) | 光電子装置 | |
| JPS58199573A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5846402Y2 (ja) | 光通信用半導体装置の組立治具 | |
| JPH0515009U (ja) | 光リンク | |
| JPS5925292A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS5925284A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS60189283A (ja) | 光電子装置 | |
| JPS6352491A (ja) | パツケ−ジ部品およびこれを用いた光電子装置 | |
| JPH03286576A (ja) | 発光素子 | |
| JPH0414944Y2 (ja) | ||
| JPH06140725A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造装置 | |
| JPH09127376A (ja) | 光半導体モジュール及びその組み立て方法 | |
| JPS5768088A (en) | Photosemiconductor device | |
| JPS5895878A (ja) | 光結合型半導体スイツチの製造方法 | |
| JPH0350776A (ja) | 光学装置の製造方法 | |
| JPH01111392A (ja) | 発光素子モジュール | |
| JPS5910286A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62169488A (ja) | 光電子装置 |