JPS5895878A - 光結合型半導体スイツチの製造方法 - Google Patents
光結合型半導体スイツチの製造方法Info
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- JPS5895878A JPS5895878A JP56192774A JP19277481A JPS5895878A JP S5895878 A JPS5895878 A JP S5895878A JP 56192774 A JP56192774 A JP 56192774A JP 19277481 A JP19277481 A JP 19277481A JP S5895878 A JPS5895878 A JP S5895878A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ζＯ発明は、半導体発光素子と半導体受光素子とを備え
、ヒれらの両者が電気的に分離されていながらも、半導
体発光素子から発せられる光信号を半導体受光素子で受
光し、光結合による信号伝達を行なうようにした光結合
型半導体スイッチの製造方法に関するものである。
、ヒれらの両者が電気的に分離されていながらも、半導
体発光素子から発せられる光信号を半導体受光素子で受
光し、光結合による信号伝達を行なうようにした光結合
型半導体スイッチの製造方法に関するものである。
従来、光結合製半導体スイッチのパッケージは、セラミ
ックパッケージが一般的に使用されている。
ックパッケージが一般的に使用されている。
を九、光結合型半導体スイッチの従来の製造方法として
は、まず、セラ建ツタパッケージ内の凹部に半導体発光
素子が接着、共晶などの方法によ〉、ボンディングされ
る。次に、ボンディングされ九半導体発光素子の真上に
半導体受光素子が前記と同様の方法でボンディングされ
る。さらにセラミックパッケージの上部に蓋が半田、ガ
ラスなどを介して接着固定される方法が一般的である。
は、まず、セラ建ツタパッケージ内の凹部に半導体発光
素子が接着、共晶などの方法によ〉、ボンディングされ
る。次に、ボンディングされ九半導体発光素子の真上に
半導体受光素子が前記と同様の方法でボンディングされ
る。さらにセラミックパッケージの上部に蓋が半田、ガ
ラスなどを介して接着固定される方法が一般的である。
しかし、前述し九従来の製造方法は、光結合型半導体ス
イッチの基本構造上、使用されるセラミックパッケージ
が何層かの積層構造となるため、セラミックパッケージ
の製造時にボンディングパターンのずれを起ヒしやすい
こと、ボンディング部の平坦度が損なわれること、およ
び七う建ツクパッケージの積層部分からの気密不良を生
じゃすいことなどの問題を有しており、これらは光結合
ｍ半導体スイッチの製造歩留シの低下を招く原因となっ
ている。このｔｌかに、従来の製造方法は、セラ電ツク
パッケージが高価であること、組立て工程内で半導体発
光素子、牛導体受光素子各々の個別の電気的特性を検査
しにくいこと、セラ電ツクパッケージの構造が複雑なた
め自動化がむずかしいことなどの欠点を有している。
イッチの基本構造上、使用されるセラミックパッケージ
が何層かの積層構造となるため、セラミックパッケージ
の製造時にボンディングパターンのずれを起ヒしやすい
こと、ボンディング部の平坦度が損なわれること、およ
び七う建ツクパッケージの積層部分からの気密不良を生
じゃすいことなどの問題を有しており、これらは光結合
ｍ半導体スイッチの製造歩留シの低下を招く原因となっ
ている。このｔｌかに、従来の製造方法は、セラ電ツク
パッケージが高価であること、組立て工程内で半導体発
光素子、牛導体受光素子各々の個別の電気的特性を検査
しにくいこと、セラ電ツクパッケージの構造が複雑なた
め自動化がむずかしいことなどの欠点を有している。
この発明は、前述した問題や欠点を取に除き、安定し良
電気的特性を有する光結合型半導体スイッチを安価に製
造できるその製造方法を提供することを目的としている
。
電気的特性を有する光結合型半導体スイッチを安価に製
造できるその製造方法を提供することを目的としている
。
光結合型半導体スイッチの場合、半導体発光素子の真上
に半導体受光素子を配する縦置の基本構成を変えること
は非常にむずかしいことである。
に半導体受光素子を配する縦置の基本構成を変えること
は非常にむずかしいことである。
そこで、この発明の発明者は、基本構成に逆らうことな
く、縦型の構成を最も単純な形に分割し、半導体発光索
子と半導体受光素子とをそれぞれの基板に組立てた後に
、これらを結合させることによシ、前述した目的を達成
できることを見出し、この発明を完成させたものである
。
く、縦型の構成を最も単純な形に分割し、半導体発光索
子と半導体受光素子とをそれぞれの基板に組立てた後に
、これらを結合させることによシ、前述した目的を達成
できることを見出し、この発明を完成させたものである
。
すなわち、この発明による光結合型半導体スイッチの製
造方法は、半導体発光素子と半導体受光素子とをそれぞ
れ独立した基板に組立てた後に、半導体発光素子を組立
てた基板と半導体受光素子を組立てた基板とを熱圧着ま
たは接着剤により結合させ、さらにこの結合させたもの
を保護材料で保睦することを特徴とするものである。
造方法は、半導体発光素子と半導体受光素子とをそれぞ
れ独立した基板に組立てた後に、半導体発光素子を組立
てた基板と半導体受光素子を組立てた基板とを熱圧着ま
たは接着剤により結合させ、さらにこの結合させたもの
を保護材料で保睦することを特徴とするものである。
以下、この発明の一実施例につき第１図ないし第５図を
参照して説明する。
参照して説明する。
第１図は半導体受光索子１と半導体受光素子基板２と管
示し、前記半導体受光素子１０表面にはボンディング用
電極１１が形成されている。また、半導体受光索子基板
２はレジンまたはセシｉツクなどからなシ、これの表面
にはボンディングパターン２１がプリントされている。
示し、前記半導体受光素子１０表面にはボンディング用
電極１１が形成されている。また、半導体受光索子基板
２はレジンまたはセシｉツクなどからなシ、これの表面
にはボンディングパターン２１がプリントされている。
ボンディングパターン２１にはリード２２がろう付また
は溶接されている。さらに半導体受光素子基板２には３
つの穴が設けられている。１つは半導体受光菓子ｌと半
導体発光索子とを対向させるための穴２３であり、残り
の２つの穴は半導体発光素子４とリード２２を結ぶため
のビン穴２４．２４である。゛このように構成された半
導体受光素子基板２に半導体受光索子ｌをボンディング
用電極１１を介して７エイスダウンでボンディングを行
なう。この時のボンディング方法としては、共晶、半田
リフロー、熱圧着の一般的方法が用いられる７、第２図
は接着用プリプレグ基板３を示し、この基板３には半導
体受光素子基板２と同様に３つの穴３１，３２．３２が
設けられている。
は溶接されている。さらに半導体受光素子基板２には３
つの穴が設けられている。１つは半導体受光菓子ｌと半
導体発光索子とを対向させるための穴２３であり、残り
の２つの穴は半導体発光素子４とリード２２を結ぶため
のビン穴２４．２４である。゛このように構成された半
導体受光素子基板２に半導体受光索子ｌをボンディング
用電極１１を介して７エイスダウンでボンディングを行
なう。この時のボンディング方法としては、共晶、半田
リフロー、熱圧着の一般的方法が用いられる７、第２図
は接着用プリプレグ基板３を示し、この基板３には半導
体受光素子基板２と同様に３つの穴３１，３２．３２が
設けられている。
第３図は半導体発光素子４と半導体発光素子基板５とを
示す。前記半導体発光素子基板５は半導体受光索子基板
２−と同じ材料で作られておシ、その表面には半導体発
光素子ボンディングパターン５１がプリントされている
。また、ボンディングパターン５１には半導体受光素子
基板２のリード２２と接続するための接続ピン５２．５
２がろう付されている。このように構成された半導体発
光素子基板５に半導体発光素子４をボンディングする方
法は、前記半導体受光素子１の場合と同様に一般的なボ
ンディング方法が用いられる。
示す。前記半導体発光素子基板５は半導体受光索子基板
２−と同じ材料で作られておシ、その表面には半導体発
光素子ボンディングパターン５１がプリントされている
。また、ボンディングパターン５１には半導体受光素子
基板２のリード２２と接続するための接続ピン５２．５
２がろう付されている。このように構成された半導体発
光素子基板５に半導体発光素子４をボンディングする方
法は、前記半導体受光素子１の場合と同様に一般的なボ
ンディング方法が用いられる。
第４図は第１図、第２図、第３図に示す３種類の基板の
結合図である。この実施例では、予め半導体発光索子４
をボンディングし九半導体発光素子基飯暴上に接着用プ
リプレグ基板３を載せ、さらにこのグリプレグ基板３上
に予め半導体受光素子１をボンディングした半導体受光
索子基板２を載せる。この場合に、半導体発光素子基板
５に設けた接続ビン５２．５２を接着用グリプレグ基板
３の穴８２，３２および半導体受光素子基板２の大２４
．２４に嵌合させることにょ９、半導体受光索子１が半
導体発光索子４の真上に位置するように、半導体発光素
子４を接着用プリプレグ基板３０穴３１および半導体受
光素子基板２０穴２３内に収容する。そして、第２図の
接着用プリプレグ基板３としてビスマレイにトートリア
ジン樹脂を採用しているため、熱圧接が施されて、前記
３つの基板５． ３． ２が結合される。その後、半導
体受光索子基板２と接続ピン５２との半田、付６１がな
される その後、前述した製造方法で組・立てられた光結合型半
導体スイッチの本体をエポキシ樹脂、シリコン樹脂７１
などの保膜材料でモールドして封止することによシ保護
し、第５図に示す光結合型半導体スイッチを完成させる
ものである。
結合図である。この実施例では、予め半導体発光索子４
をボンディングし九半導体発光素子基飯暴上に接着用プ
リプレグ基板３を載せ、さらにこのグリプレグ基板３上
に予め半導体受光素子１をボンディングした半導体受光
索子基板２を載せる。この場合に、半導体発光素子基板
５に設けた接続ビン５２．５２を接着用グリプレグ基板
３の穴８２，３２および半導体受光素子基板２の大２４
．２４に嵌合させることにょ９、半導体受光索子１が半
導体発光索子４の真上に位置するように、半導体発光素
子４を接着用プリプレグ基板３０穴３１および半導体受
光素子基板２０穴２３内に収容する。そして、第２図の
接着用プリプレグ基板３としてビスマレイにトートリア
ジン樹脂を採用しているため、熱圧接が施されて、前記
３つの基板５． ３． ２が結合される。その後、半導
体受光索子基板２と接続ピン５２との半田、付６１がな
される その後、前述した製造方法で組・立てられた光結合型半
導体スイッチの本体をエポキシ樹脂、シリコン樹脂７１
などの保膜材料でモールドして封止することによシ保護
し、第５図に示す光結合型半導体スイッチを完成させる
ものである。
以上説明したように、この発明では、光結合型半導体ス
イッチの構造を最も単純な形に分割し九えめ、半導体受
光素子基板２．半導体発光素子基板５は平板構造を有し
ていることＫよシ、ボンディングパターン部の平坦度に
すぐれ、かつ安価に製造することができる。また、この
発明では、各々の基板が独立して組立てられ、位置合せ
を行ない結合される丸め、ポンデイングパターンノスレ
の問題が解決されると同時にそれぞれの素子の組立て後
の電気特性を容易に検査できること、さらに各々の基板
が単純な構造を有している丸め、組立て、検査選別工程
の自動化導入が容易であるととＫよシ、歩留）の向上、
低価格化および安定供給が可能となるという効果が得ら
れる。
イッチの構造を最も単純な形に分割し九えめ、半導体受
光素子基板２．半導体発光素子基板５は平板構造を有し
ていることＫよシ、ボンディングパターン部の平坦度に
すぐれ、かつ安価に製造することができる。また、この
発明では、各々の基板が独立して組立てられ、位置合せ
を行ない結合される丸め、ポンデイングパターンノスレ
の問題が解決されると同時にそれぞれの素子の組立て後
の電気特性を容易に検査できること、さらに各々の基板
が単純な構造を有している丸め、組立て、検査選別工程
の自動化導入が容易であるととＫよシ、歩留）の向上、
低価格化および安定供給が可能となるという効果が得ら
れる。
なお、この発明において、半導体発光素子を組立てた基
板と半導体受光素子を組立てた基板との結合は、前記実
施例のような熱圧着ではなく、接着剤によって行なって
もよい。
板と半導体受光素子を組立てた基板との結合は、前記実
施例のような熱圧着ではなく、接着剤によって行なって
もよい。
図面はこの発明の一実施例を示し、第１図は半導体受光
素子と半導体受光素子基板の斜視図、第２図は接着用プ
リプレグ基板の斜視図、第３図は半導体発光素子と半導
体発光素子基板の斜視図、第４図は前記３１１類の基板
を結合したスイッチ本体の一部を切欠い九斜視図、第５
図は完成した光結合型半導体スイッチの断面図である。 ｌ・・・半導体受光素子、２・・・半導体受光素子基板
、３・・・接着用プリプレグ基板、４・・・半導体発光
素子、５・・・半、Ｊ体発光素子基板。
素子と半導体受光素子基板の斜視図、第２図は接着用プ
リプレグ基板の斜視図、第３図は半導体発光素子と半導
体発光素子基板の斜視図、第４図は前記３１１類の基板
を結合したスイッチ本体の一部を切欠い九斜視図、第５
図は完成した光結合型半導体スイッチの断面図である。 ｌ・・・半導体受光素子、２・・・半導体受光素子基板
、３・・・接着用プリプレグ基板、４・・・半導体発光
素子、５・・・半、Ｊ体発光素子基板。
Claims (2)
- （１）半導体発光素子と半導体受光素子とを備えた光結
合型半導体スイッチを製造するに当〉、前記半導体発光
素子と半導体受光素子とをそれぞれ独立し大基板に組立
て先後に、半導体発光素子を組立て大基板と半導体受光
素子を組立て大基板とを熱圧着または接着剤によ）結合
させ、さらにこの結金畜せ九もＯを保護材料で保護する
ことを特徴とすゐ光結合型半導体スイッチＯＩｌ造方法
。 - （２）半導体発光素子を組立てた基板と半導体受光素子
を組立て大基板との接着にビスラレイ建トートリアジン
樹脂を介して行なうことを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載し電光結合型半導体スイッチの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192774A JPS5895878A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 光結合型半導体スイツチの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192774A JPS5895878A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 光結合型半導体スイツチの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895878A true JPS5895878A (ja) | 1983-06-07 |
Family
ID=16296795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192774A Pending JPS5895878A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 光結合型半導体スイツチの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895878A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3501913A1 (de) * | 1985-01-22 | 1986-07-24 | Telefonbau Und Normalzeit Gmbh, 6000 Frankfurt | Optokoppler fuer oberflaechenmontage |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5036086A (ja) * | 1973-08-02 | 1975-04-04 | ||
| JPS5171683A (ja) * | 1974-12-18 | 1976-06-21 | Hitachi Ltd | Hikariketsugogatahandotaisuitsuchimatorikusu |
| JPS5444765A (en) * | 1977-09-16 | 1979-04-09 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing multilayer printed board |
-
1981
- 1981-12-02 JP JP56192774A patent/JPS5895878A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5036086A (ja) * | 1973-08-02 | 1975-04-04 | ||
| JPS5171683A (ja) * | 1974-12-18 | 1976-06-21 | Hitachi Ltd | Hikariketsugogatahandotaisuitsuchimatorikusu |
| JPS5444765A (en) * | 1977-09-16 | 1979-04-09 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing multilayer printed board |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3501913A1 (de) * | 1985-01-22 | 1986-07-24 | Telefonbau Und Normalzeit Gmbh, 6000 Frankfurt | Optokoppler fuer oberflaechenmontage |
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