JPS5913309A - 磁気応用デバイスとその製造方法 - Google Patents
磁気応用デバイスとその製造方法Info
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- JPS5913309A JPS5913309A JP12199482A JP12199482A JPS5913309A JP S5913309 A JPS5913309 A JP S5913309A JP 12199482 A JP12199482 A JP 12199482A JP 12199482 A JP12199482 A JP 12199482A JP S5913309 A JPS5913309 A JP S5913309A
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- Japan
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- diffraction
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- thin film
- alloy
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は（Ｆ、−５ｉ−Ａ、＞系合金（以下センダスト
合金と記す）を用いた磁気応用デバイスとその製造方法
に係り、特に良好な磁気特性を有するセンダスト合金と
その製造方法に関するものである。
合金と記す）を用いた磁気応用デバイスとその製造方法
に係り、特に良好な磁気特性を有するセンダスト合金と
その製造方法に関するものである。
従来、センダスト合金薄膜は、ＤＣ４極スパッタ、ある
いはＭスパッタで製造していた。なかで４、ｒ４極スパ
ッタによるセンダスト合金薄膜の製造方法忙関しては、
紫谷氏（ＮＨＫ技術研究２９巻５１頁〜１０６頁）によ
って系統的に研究されている。紫谷氏は、その系統的研
究の中でスパッタリングガス圧： ｌ Ｘ １０ ｒ
、、ｒ、基板温度：３５０℃、析出速度：α７μｍへの
条件下で良好な磁気特性（保磁カニα２５〜α５、初透
磁率： １０００〜２０００）を有するセンダスト合金
薄膜が作成できることを示している。
いはＭスパッタで製造していた。なかで４、ｒ４極スパ
ッタによるセンダスト合金薄膜の製造方法忙関しては、
紫谷氏（ＮＨＫ技術研究２９巻５１頁〜１０６頁）によ
って系統的に研究されている。紫谷氏は、その系統的研
究の中でスパッタリングガス圧： ｌ Ｘ １０ ｒ
、、ｒ、基板温度：３５０℃、析出速度：α７μｍへの
条件下で良好な磁気特性（保磁カニα２５〜α５、初透
磁率： １０００〜２０００）を有するセンダスト合金
薄膜が作成できることを示している。
また、そのセンダスト合金薄膜の結晶構造は、（２２０
）軸が基板にほぼ垂直に配向した単一配向膜で、（２２
０）回折に対する（ ２２４ ）回折の相対強度は上５
×１０ 程度と小さく、かつ（１３３）超格子回折は程
んど観測されていない。
）軸が基板にほぼ垂直に配向した単一配向膜で、（２２
０）回折に対する（ ２２４ ）回折の相対強度は上５
×１０ 程度と小さく、かつ（１３３）超格子回折は程
んど観測されていない。
しかし、上記の方法は析出速度がおそいの六センダスト
合金薄膜厚さ２０〜３０μｍの磁気応用デバイスを製造
するのに２９〜４３時間もかかってｂた。さらに高析出
速度（−３μｆｉ／ｈ ）でセンダスト合金薄膜を製造
すると、この薄膜は磁気特性が悪く、前述した磁気特性
を得るには、この薄膜を６００℃で約１時間アニールす
る必要があるのみならず、アニール時にセンダスト合金
薄膜が基板からはく離する現象がみられ、磁気応用デバ
イス製造歩留まシが著しく低下した。
合金薄膜厚さ２０〜３０μｍの磁気応用デバイスを製造
するのに２９〜４３時間もかかってｂた。さらに高析出
速度（−３μｆｉ／ｈ ）でセンダスト合金薄膜を製造
すると、この薄膜は磁気特性が悪く、前述した磁気特性
を得るには、この薄膜を６００℃で約１時間アニールす
る必要があるのみならず、アニール時にセンダスト合金
薄膜が基板からはく離する現象がみられ、磁気応用デバ
イス製造歩留まシが著しく低下した。
また、使用する基板は耐熱性の点で制限され、センダス
ト合金の応用範囲は著しく制限されていた。
ト合金の応用範囲は著しく制限されていた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくし、高
速析出させてもアニール不要な磁気応用デバイスの製造
方法と、その結果得られた磁気特性良好な磁気応用デバ
イスを提供するにある。
速析出させてもアニール不要な磁気応用デバイスの製造
方法と、その結果得られた磁気特性良好な磁気応用デバ
イスを提供するにある。
そして、本発明の要点は、析出状態（Ａ、ｄａｐｏ）で
アニールすることなく良好な磁気特性が得られるよう々
高析出条件を見い出した点にある。
アニールすることなく良好な磁気特性が得られるよう々
高析出条件を見い出した点にある。
高析出秦件ハ、仄対向スパッタリング法でセンダスト合
金薄膜を形成する場合を例にしてもスパッタリングガス
圧、基板温度、基板の種類等積々の要因に依存する。し
かし、得られたセンダスト合金薄膜は、全てＳｉ６〜Ｈ
ｗｔチ、 、４１！４〜８ｗｔ％、Ｆ、残部の組成を有
し、かつ以下の結晶学的性質を有していた。
金薄膜を形成する場合を例にしてもスパッタリングガス
圧、基板温度、基板の種類等積々の要因に依存する。し
かし、得られたセンダスト合金薄膜は、全てＳｉ６〜Ｈ
ｗｔチ、 、４１！４〜８ｗｔ％、Ｆ、残部の組成を有
し、かつ以下の結晶学的性質を有していた。
すなわち、第１図は、高速析出させたセンダスト合金薄
膜にＣアＫａを用いた場合の（２２４）回折及び（ＩＸ
Ｓ）超格子回折の（２２０）に対する相対強度と磁気特
性との関係である。同図中、○印は、保磁カニα５ｏａ
以下、初透磁率： １０００以上の場合、・印は、保磁
カニα５ｏｇ以上、初透磁率： １０００以下の場合に
つｂて代表例を示したものである。
膜にＣアＫａを用いた場合の（２２４）回折及び（ＩＸ
Ｓ）超格子回折の（２２０）に対する相対強度と磁気特
性との関係である。同図中、○印は、保磁カニα５ｏａ
以下、初透磁率： １０００以上の場合、・印は、保磁
カニα５ｏｇ以上、初透磁率： １０００以下の場合に
つｂて代表例を示したものである。
第１図の結果よ’） 、’５ｄａｐｅで良好な磁気特性
を有するセンダスト合金薄膜は、（２２４）回折及び（
１１３）超格子回折の（２２０）回折に対する相対強度
が６以上及び１以上のハツチングを施した領域で得られ
ていることがわかる。なお前者の好ましｂ相対強度の範
囲は５〜２００．後者の好ましい相対強度の範囲は１〜
１ｏであった。
を有するセンダスト合金薄膜は、（２２４）回折及び（
１１３）超格子回折の（２２０）回折に対する相対強度
が６以上及び１以上のハツチングを施した領域で得られ
ていることがわかる。なお前者の好ましｂ相対強度の範
囲は５〜２００．後者の好ましい相対強度の範囲は１〜
１ｏであった。
また、析出速度は３μｍ４以上、好ましくけ３〜１０μ
ｍ４であった。
ｍ４であった。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
第２図に、用いた仄対向スパッタ装置の概略側断面図を
示す。図中４２はターゲット、３＃′ｉ磁石、４Ｆｉ基
板、５は鉄製のカソード、６はシールド、マは基板ホル
ダ、８はペルジャー、９はスペーサーである。
示す。図中４２はターゲット、３＃′ｉ磁石、４Ｆｉ基
板、５は鉄製のカソード、６はシールド、マは基板ホル
ダ、８はペルジャー、９はスペーサーである。
第２図に示した装置を用い、かつターゲットにはＦ、：
ｓ５．ユｗｔ％＋ Ｓ＠ ：Ｑ５”％ 、 Ａ ：ａ
４＝’ｇｌのものを用い、スパッタリング時のガス圧
：４×１ｃｌａＴＯｒｒ、基板温度：４ｏｏ℃、析出速
度：約５μ杓で □直径２インチのフォトセラム基板上
に厚さ約１０μｍのセンダスト合金薄膜を得た。
ｓ５．ユｗｔ％＋ Ｓ＠ ：Ｑ５”％ 、 Ａ ：ａ
４＝’ｇｌのものを用い、スパッタリング時のガス圧
：４×１ｃｌａＴＯｒｒ、基板温度：４ｏｏ℃、析出速
度：約５μ杓で □直径２インチのフォトセラム基板上
に厚さ約１０μｍのセンダスト合金薄膜を得た。
このセンダ、スト薄膜をＣｕＫａを用いて分析した結果
、（２２４）回折の（２２０）回折に対する相対強度は
１００で、（、１１３）超格子回折の同相対強度は５で
あった。また同センダスト膜の保磁力はＱ ５６１、初
透磁率は１２００であった。
、（２２４）回折の（２２０）回折に対する相対強度は
１００で、（、１１３）超格子回折の同相対強度は５で
あった。また同センダスト膜の保磁力はＱ ５６１、初
透磁率は１２００であった。
以上述べたように１本発明によれ一高析出速度で析出薄
膜をアニールすることなく良好な磁気特性を有する磁気
応用デバイスが効率良く製造でき、その結果磁気特性良
好な磁気応用デノくイスが得られる。
膜をアニールすることなく良好な磁気特性を有する磁気
応用デバイスが効率良く製造でき、その結果磁気特性良
好な磁気応用デノくイスが得られる。
この意味で、本発明はセンダスト合金薄膜使用磁気応用
デバイスの製造方法及び同薄膜を用いたデバイス開発に
対する寄与は極めて太きｈ
デバイスの製造方法及び同薄膜を用いたデバイス開発に
対する寄与は極めて太きｈ
第１図は、センダスト合金薄膜の結晶栴造と磁気特性と
の関係を示す図、第３図は仄対向スパッタ装置の概略側
断面図である。 １．２・・・ターゲット、 ３・・・磁石、 ４・
・・基板５・・・鉄製カソード、 ６・・・シールド
、 マ・・・基第１図 苅格了（ＩＢ’）ｆ＞（２２０）ｖ−、’対すδ相対強
度第２記
の関係を示す図、第３図は仄対向スパッタ装置の概略側
断面図である。 １．２・・・ターゲット、 ３・・・磁石、 ４・
・・基板５・・・鉄製カソード、 ６・・・シールド
、 マ・・・基第１図 苅格了（ＩＢ’）ｆ＞（２２０）ｖ−、’対すδ相対強
度第２記
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｌｌ Ｆ、−５”、−Ａ、系合金薄膜を用いた磁気
応用デバイスにおいて、該合金におけるＳｉおよびＡｚ
の濃度が夫々６〜Ｈｗｔ％、４〜Ｆ３ｗｔ％で、かつこ
の合金のＣ，ＬＫａ線を用いたときに観察される（２２
０）回折に対する（２４４）回折及び（１１３）超格子
による回折の相対強度が、夫々５以上及び１以上である
ことを特徴とする磁気応用デバイス。 ｆ２１ 基板上にＳｉ６〜ｌユｗｔ％、Ａｚ ４〜ｅ
ｗｔ％、Ｆ残部よシなるＦ、−５６−Ａｔ系合金薄膜で
あって、かつこの合金のＣｕＫａ線を周込た時に観察さ
れる（２２０）回折に対する（ ２２４ ）回折及び（
１１３）成することを特徴とする磁気応用デバイスの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12199482A JPS5913309A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 磁気応用デバイスとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12199482A JPS5913309A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 磁気応用デバイスとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913309A true JPS5913309A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14824928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12199482A Pending JPS5913309A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 磁気応用デバイスとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913309A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0168825A2 (en) * | 1984-07-19 | 1986-01-22 | Sony Corporation | Magnetic alloy thin film |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP12199482A patent/JPS5913309A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0168825A2 (en) * | 1984-07-19 | 1986-01-22 | Sony Corporation | Magnetic alloy thin film |
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