JPS59132623A - ドライエツチング用電極 - Google Patents

ドライエツチング用電極

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JPS59132623A
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Ulvac Inc
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    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
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    • H01J37/32091Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • HELECTRICITY
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61131453A (ja) * 1984-11-30 1986-06-19 Fujitsu Ltd ヱツチング方法
JPS6214430A (ja) * 1985-07-11 1987-01-23 Tokuda Seisakusho Ltd プラズマ処理装置
JPS62108527A (ja) * 1985-11-06 1987-05-19 Anelva Corp ドライエツチング装置
JPS63177520A (ja) * 1987-01-19 1988-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエッチング方法
JP2001527285A (ja) * 1997-12-19 2001-12-25 ラム リサーチ コーポレーション フォーカスリングおよびそのための方法
JP2002517913A (ja) * 1998-06-10 2002-06-18 ラム リサーチ コーポレーション イオンエネルギの低減
JP2010525612A (ja) * 2007-04-27 2010-07-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 環状のバッフル
JP2010278166A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理用円環状部品、及びプラズマ処理装置
JP2023532276A (ja) * 2020-06-25 2023-07-27 ラム リサーチ コーポレーション プラズマインピーダンスが半径方向に変化するキャリアリング
US12400902B2 (en) 2020-02-11 2025-08-26 Lam Research Corporation Carrier ring designs for controlling deposition on wafer bevel/edge

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61131453A (ja) * 1984-11-30 1986-06-19 Fujitsu Ltd ヱツチング方法
JPS6214430A (ja) * 1985-07-11 1987-01-23 Tokuda Seisakusho Ltd プラズマ処理装置
JPS62108527A (ja) * 1985-11-06 1987-05-19 Anelva Corp ドライエツチング装置
JPS63177520A (ja) * 1987-01-19 1988-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエッチング方法
JP2001527285A (ja) * 1997-12-19 2001-12-25 ラム リサーチ コーポレーション フォーカスリングおよびそのための方法
JP4933692B2 (ja) * 1998-06-10 2012-05-16 ラム リサーチ コーポレーション イオンエネルギの低減
JP2002517913A (ja) * 1998-06-10 2002-06-18 ラム リサーチ コーポレーション イオンエネルギの低減
JP2010525612A (ja) * 2007-04-27 2010-07-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 環状のバッフル
US8647438B2 (en) 2007-04-27 2014-02-11 Applied Materials, Inc. Annular baffle
US10012248B2 (en) 2007-04-27 2018-07-03 Applied Materials, Inc. Annular baffle
JP2010278166A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理用円環状部品、及びプラズマ処理装置
US12400902B2 (en) 2020-02-11 2025-08-26 Lam Research Corporation Carrier ring designs for controlling deposition on wafer bevel/edge
JP2023532276A (ja) * 2020-06-25 2023-07-27 ラム リサーチ コーポレーション プラズマインピーダンスが半径方向に変化するキャリアリング

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