JPS59130418A - 加熱処理システム - Google Patents
加熱処理システムInfo
- Publication number
- JPS59130418A JPS59130418A JP566583A JP566583A JPS59130418A JP S59130418 A JPS59130418 A JP S59130418A JP 566583 A JP566583 A JP 566583A JP 566583 A JP566583 A JP 566583A JP S59130418 A JPS59130418 A JP S59130418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- caps
- semiconductor substrate
- heat treatment
- tube
- jig
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、加熱処理システムに関するもの一恥る〇従来
、刀ｎ熱処理システムは半導体基板を加熱装置内に挿入
し、加熱装置入口にキャップを施し、所望ガスを導入し
、所定時間加熱処理を行うものでめる・ 以下、従来からの加熱処理システムを窒業ガス金屑いた
鼠素加熱処理システムを式次させ、図面ｔ−参照して、
詳細に説明する。
、刀ｎ熱処理システムは半導体基板を加熱装置内に挿入
し、加熱装置入口にキャップを施し、所望ガスを導入し
、所定時間加熱処理を行うものでめる・ 以下、従来からの加熱処理システムを窒業ガス金屑いた
鼠素加熱処理システムを式次させ、図面ｔ−参照して、
詳細に説明する。
第１図を参照すると、キャップ３を終端に臂する加熱処
理治具ｌ上に被加熱処理半導体基板４，４′を並べ該加
熱処理治具１全引き出＃２全用いて、刃口熱装置ｉｔｓ
内に設置された処理管６内に挿入し、継手７と配管８に
よりて接続されたガス供給装置９から所望ガスを処理管
６内に導入し、所定時間力ロ熱処理を行うものである・
崗、キャップ３は処理管６内に加熱処理治具ｌが入って
しまった時点で処理管内に収ってしまうことでキャップ
としての役目をはたすことになる。
理治具ｌ上に被加熱処理半導体基板４，４′を並べ該加
熱処理治具１全引き出＃２全用いて、刃口熱装置ｉｔｓ
内に設置された処理管６内に挿入し、継手７と配管８に
よりて接続されたガス供給装置９から所望ガスを処理管
６内に導入し、所定時間力ロ熱処理を行うものである・
崗、キャップ３は処理管６内に加熱処理治具ｌが入って
しまった時点で処理管内に収ってしまうことでキャップ
としての役目をはたすことになる。
しかじながら上記、従来からの窒業加熱処理システムに
おいて処理された半導体基板は加熱装置内に配置された
処理管内に挿入される際あるいは及び取シ出されｆｃ際
に大気中の酸素が処理管入口近傍に存在しているため不
活性ガスである窒素にて加熱処理したにもかかわらず、
半導体基板と酸素が反応を起し、所望としない酸化物が
牛導体基板弐面に形成され、牛導体装置ｔ製造上、好し
くない事態を招く欠点があった。
おいて処理された半導体基板は加熱装置内に配置された
処理管内に挿入される際あるいは及び取シ出されｆｃ際
に大気中の酸素が処理管入口近傍に存在しているため不
活性ガスである窒素にて加熱処理したにもかかわらず、
半導体基板と酸素が反応を起し、所望としない酸化物が
牛導体基板弐面に形成され、牛導体装置ｔ製造上、好し
くない事態を招く欠点があった。
この欠点１まために従来から用いられた手段としては〃
ｌ熱装置内と室温までの間″ｆ：急速に〃ｌ熱あるいは
冷却する方法すなわち半導体基板を加熱装置内に、ｔ＋
、速に入れ出しし、急速に室温又は所望加熱温度に保泣
する方法が取られていた。この従来方法によれば急速に
室温又はＰｆｒ望加熱占度まで半導体基板が冷却又は加
熱される為、大気中の酸素との反応時間が短くなること
とを利用して所望としない酸化物形成を少くしようとす
るものでらった〇 しかし、従来方法を採用すると急激な温度変化の為、半
導体基板に応力が加わシ、半導体基板の反り１割れが発
生する事態が生じている。
ｌ熱装置内と室温までの間″ｆ：急速に〃ｌ熱あるいは
冷却する方法すなわち半導体基板を加熱装置内に、ｔ＋
、速に入れ出しし、急速に室温又は所望加熱温度に保泣
する方法が取られていた。この従来方法によれば急速に
室温又はＰｆｒ望加熱占度まで半導体基板が冷却又は加
熱される為、大気中の酸素との反応時間が短くなること
とを利用して所望としない酸化物形成を少くしようとす
るものでらった〇 しかし、従来方法を採用すると急激な温度変化の為、半
導体基板に応力が加わシ、半導体基板の反り１割れが発
生する事態が生じている。
この反ｐ１割れは半導体装置−＋Ｓ造する上で致命的な
欠点でめり、歩留の低下、品質の低下はさけられず、又
、大口径半導体基板になればなる程、反応、割れｉｉ増
幅される為、半導体装置！Ｒ造上、児服せねばならない
難関でもめりた〇 本発明の目的は、半導体基板の反応、割れ等を発生させ
ず、所望しない酸化物を半導体基板表面に形成させるこ
とのない刀ｎ熱処理システムを提供することでるる。
欠点でめり、歩留の低下、品質の低下はさけられず、又
、大口径半導体基板になればなる程、反応、割れｉｉ増
幅される為、半導体装置！Ｒ造上、児服せねばならない
難関でもめりた〇 本発明の目的は、半導体基板の反応、割れ等を発生させ
ず、所望しない酸化物を半導体基板表面に形成させるこ
とのない刀ｎ熱処理システムを提供することでるる。
本発明によれば、加熱処理治具全体を均一温度に加熱可
能な加熱装置と、該加熱装置外に加熱処理治具上のキャ
ップ間距離以上の長さを有する冷却域とをＭし、駅加熱
装置内部全領域内に設置された処理管と該加熱処理治具
を処理管内径断面積に入れ出しする引き出し棒と、該処
理管内に所望がスを供給するガス供給装置と、該処理管
内径断面積の８割相当以上の断面積を有する多段キャッ
プとを配置し、該キャ、プ間に被加熱処理半導体基板を
配置する該加熱処理治具と全備えている加熱処理システ
ムが得られる。
能な加熱装置と、該加熱装置外に加熱処理治具上のキャ
ップ間距離以上の長さを有する冷却域とをＭし、駅加熱
装置内部全領域内に設置された処理管と該加熱処理治具
を処理管内径断面積に入れ出しする引き出し棒と、該処
理管内に所望がスを供給するガス供給装置と、該処理管
内径断面積の８割相当以上の断面積を有する多段キャッ
プとを配置し、該キャ、プ間に被加熱処理半導体基板を
配置する該加熱処理治具と全備えている加熱処理システ
ムが得られる。
以下窓累加熱処理システムを代茨させ、図面を参照して
本発明の詳細な説明する。
本発明の詳細な説明する。
第２図を参照すると、刃口熱処理治具１上には３段のキ
ャップ３．３’、３“が配置されておシ、該キャップの
間に被加熱処理半導体基板４，４′４″が配置されてい
る。
ャップ３．３’、３“が配置されておシ、該キャップの
間に被加熱処理半導体基板４，４′４″が配置されてい
る。
この状態の加熱処理治具１を引き出し棒２を用いて加熱
装置内に設置された処理管６内に入れ出しする訳である
が、このとき該処理管６の延長上に冷却域６′を設置す
るとｌＩｉ、目キャップ３′が冷却域６′の端部にかか
らない状態すなわち大気中の酸素が存在する従来からの
加熱処理システムと同等の状態であっても破〃口熱処理
半導体基板４“はまだ冷却域６′の中に位置しているた
め大気中の酸素が存在しているにもかかわらず半導体基
板４“と酸素との反応は起らず所望としない酸化物は半
導体基板表面に形成されない。
装置内に設置された処理管６内に入れ出しする訳である
が、このとき該処理管６の延長上に冷却域６′を設置す
るとｌＩｉ、目キャップ３′が冷却域６′の端部にかか
らない状態すなわち大気中の酸素が存在する従来からの
加熱処理システムと同等の状態であっても破〃口熱処理
半導体基板４“はまだ冷却域６′の中に位置しているた
め大気中の酸素が存在しているにもかかわらず半導体基
板４“と酸素との反応は起らず所望としない酸化物は半
導体基板表面に形成されない。
なお冷却域の長さは、加熱処理治具上に配置されたキヤ
、グ間距離よシも長く設定する必要がある。更に該加熱
処理治具を処理管に挿入していくと１段目キャップ３′
は処理管６の中に収ま夛キャップとしての役目を発揮す
る為、処理管６に導入されている窒素ガスを保持するこ
とになり・大気中の酸素の影響は完全に透析される〇以
暉は２段目キャップ３′が上記同僚３“と同一の役目を
果すことになり、更に挿入された状態では３段目キャッ
プ３が上記同様３′と同一の役目を果すことになる。
、グ間距離よシも長く設定する必要がある。更に該加熱
処理治具を処理管に挿入していくと１段目キャップ３′
は処理管６の中に収ま夛キャップとしての役目を発揮す
る為、処理管６に導入されている窒素ガスを保持するこ
とになり・大気中の酸素の影響は完全に透析される〇以
暉は２段目キャップ３′が上記同僚３“と同一の役目を
果すことになり、更に挿入された状態では３段目キャッ
プ３が上記同様３′と同一の役目を果すことになる。
一万、処理管６から加熱処理治具１を引き出す場合も、
挿入時と全く同一の状態が起るが挿入時と同様のキャッ
プ３，３’、３’と冷却域６′の役目により、所望とし
ない酸化物は半導体表面に形成されることはない。
挿入時と全く同一の状態が起るが挿入時と同様のキャッ
プ３，３’、３’と冷却域６′の役目により、所望とし
ない酸化物は半導体表面に形成されることはない。
なお、キャップの大きさすなわち断面積は処理管の内径
Ｆｆｆｒ面槓に依存するが該処理管内径断面積の８割以
上あれば効果を発揮することがわがり、所望としない酸
化物は半導体表面に形成されることはない。
Ｆｆｆｒ面槓に依存するが該処理管内径断面積の８割以
上あれば効果を発揮することがわがり、所望としない酸
化物は半導体表面に形成されることはない。
表１は本発明の効果を示しており、１０００℃に２いて
処理管内に菫索ガスを導入し、半導体基板であるシリコ
ン基板を挿入し１０分間処理した後に測定される酸化膜
である二酸化シリコン膜の厚さをエリグツメータで測定
した結果を従来犠累加熱処理システムと本発明による鑞
累加熱処理システムを比較対照してボしたものでめるＯ
なお、エリプソメータにて測定される値はバックグラン
ドとして１０−１５＋Ａ）が上乗せされているものでメ
ク、便用したシリコン基板はボロンドープ０．８〜１．
ＯＸ １０”（ｉ）のものでるる。
処理管内に菫索ガスを導入し、半導体基板であるシリコ
ン基板を挿入し１０分間処理した後に測定される酸化膜
である二酸化シリコン膜の厚さをエリグツメータで測定
した結果を従来犠累加熱処理システムと本発明による鑞
累加熱処理システムを比較対照してボしたものでめるＯ
なお、エリプソメータにて測定される値はバックグラン
ドとして１０−１５＋Ａ）が上乗せされているものでメ
ク、便用したシリコン基板はボロンドープ０．８〜１．
ＯＸ １０”（ｉ）のものでるる。
衣 １
表１から分る球に、本発明がｆｒｗとしない酸化Ｊｍｔ
形成せしめないことが分る。
形成せしめないことが分る。
以上、本発明を磁素ガスを用いた窒素加熱処理システム
を代表δせて説明したが、加熱して半導体基板を処理す
るシステムで、所望としない酸化膜が存在してはいけな
いシステム、すなわちアルゴン、ヘリウムなどの不活性
ガスｔ−便用する加熱処理システム、比ｆ的薄い二酸化
シリコン膜を均一性良く、多数同時処理するシステム、
ば素の影瞥を受けると品質低下、委笛低下を引き起す恐
れＶある半導体装ｔ１を製造システムなどに広く用途金
広げることができるものでろる。又、加熱処理治具１上
のキャップの段数を３段に限足して説明したが処理管６
の長さ、及び刀ｎ熱装置の温閲均−領域を長くすること
によってキャップさえ多く配置することができれば°３
攻以上のキャップを有する加熱処理システムをつくるこ
とが可能である０
を代表δせて説明したが、加熱して半導体基板を処理す
るシステムで、所望としない酸化膜が存在してはいけな
いシステム、すなわちアルゴン、ヘリウムなどの不活性
ガスｔ−便用する加熱処理システム、比ｆ的薄い二酸化
シリコン膜を均一性良く、多数同時処理するシステム、
ば素の影瞥を受けると品質低下、委笛低下を引き起す恐
れＶある半導体装ｔ１を製造システムなどに広く用途金
広げることができるものでろる。又、加熱処理治具１上
のキャップの段数を３段に限足して説明したが処理管６
の長さ、及び刀ｎ熱装置の温閲均−領域を長くすること
によってキャップさえ多く配置することができれば°３
攻以上のキャップを有する加熱処理システムをつくるこ
とが可能である０
第１図は、従来の加熱処理システムを示す概略図と、断
面僕型図であシ、第２図は本発明の一実施例を示す概略
図とＭ面模型図である〇尚、図において、ｌは加熱処理
治具、２は引き出し禅、ｓ、３／ 、３／はキャップ、
４，４’、。 ４“は半導体基板、５は加熱装置、６は処理管、６′は
冷却域、７は継手、８は配管、９はガス供給装置である
・ 第１図 ４′ 第２図
面僕型図であシ、第２図は本発明の一実施例を示す概略
図とＭ面模型図である〇尚、図において、ｌは加熱処理
治具、２は引き出し禅、ｓ、３／ 、３／はキャップ、
４，４’、。 ４“は半導体基板、５は加熱装置、６は処理管、６′は
冷却域、７は継手、８は配管、９はガス供給装置である
・ 第１図 ４′ 第２図
Claims (1)
- 〃■熱処理治具全体を均−温良に刃口熱可能な刃口熱装
置と、該〃■熟熱装置外加熱処理治具上のキャップ間距
離以上の長さをＭする冷却域とｔ−有し、該加熱装置内
部全損域内に設置された処理管と、瞑加熱処理治共を処
理管内所望位置に入れ出しする引き出し禅と、該処理管
内に所望ガス全供給するガス供給装置と、該処理管内径
断面積の８割相当以上の断面積をＭする多段キャップを
配置し該キャップ間に被加熱処理半導体基板を配置する
該加熱処理治具とを儂えていることを特徴とする刃口熱
処理システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP566583A JPS59130418A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 加熱処理システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP566583A JPS59130418A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 加熱処理システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59130418A true JPS59130418A (ja) | 1984-07-27 |
| JPH0361336B2 JPH0361336B2 (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=11617396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP566583A Granted JPS59130418A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | 加熱処理システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59130418A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5007992A (en) * | 1989-05-15 | 1991-04-16 | Weber Daniel K | Method and apparatus for removing oxygen from a semiconductor processing reactor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54184078U (ja) * | 1978-06-19 | 1979-12-27 | ||
| JPS5532096U (ja) * | 1978-08-24 | 1980-03-01 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5110383A (en) * | 1974-07-16 | 1976-01-27 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | Hifukusensetsudan hifukuhagitorikiniokeru shinsenyorisochi |
-
1983
- 1983-01-17 JP JP566583A patent/JPS59130418A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54184078U (ja) * | 1978-06-19 | 1979-12-27 | ||
| JPS5532096U (ja) * | 1978-08-24 | 1980-03-01 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5007992A (en) * | 1989-05-15 | 1991-04-16 | Weber Daniel K | Method and apparatus for removing oxygen from a semiconductor processing reactor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0361336B2 (ja) | 1991-09-19 |
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