JPH06142488A - 真空容器の表面処理方法 - Google Patents
真空容器の表面処理方法Info
- Publication number
- JPH06142488A JPH06142488A JP4317791A JP31779192A JPH06142488A JP H06142488 A JPH06142488 A JP H06142488A JP 4317791 A JP4317791 A JP 4317791A JP 31779192 A JP31779192 A JP 31779192A JP H06142488 A JPH06142488 A JP H06142488A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- work
- vacuum
- chamber
- treatment
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/002—Component parts of these vessels not mentioned in B01J3/004, B01J3/006, B01J3/02 - B01J3/08; Measures taken in conjunction with the process to be carried out, e.g. safety measures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】大きさ形状に拘らず真空容器の表面処理を行
え、又ハンドリングに容易な真空容器の表面処理方法を
提供する。 【構成】表面を所要時間ハロゲンガスに露出した後、ベ
ーキング処理を行い、ハロゲンガスに露出することで表
面の酸化を誘起し、ベーキングにより表面の不純物を揮
発させ、表面を浄化し、更に前記酸化膜により材料内部
からのガスの拡散を抑制する。
え、又ハンドリングに容易な真空容器の表面処理方法を
提供する。 【構成】表面を所要時間ハロゲンガスに露出した後、ベ
ーキング処理を行い、ハロゲンガスに露出することで表
面の酸化を誘起し、ベーキングにより表面の不純物を揮
発させ、表面を浄化し、更に前記酸化膜により材料内部
からのガスの拡散を抑制する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置、各種
分析機器等に使用される真空容器の表面処理方法に関す
るものである。
分析機器等に使用される真空容器の表面処理方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置、各種分析機器に使用さ
れる真空容器では、高度の真空が要求される。高度の真
空下では真空容器の内壁面から放出されるガスが真空状
態に大きく影響するので、真空容器内壁面からのガスの
放出を抑制する必要がある。
れる真空容器では、高度の真空が要求される。高度の真
空下では真空容器の内壁面から放出されるガスが真空状
態に大きく影響するので、真空容器内壁面からのガスの
放出を抑制する必要がある。
【０００３】従来のアルミニウム合金製の真空容器の表
面処理方法としては、アルゴンガスと酸素の混合雰囲気
中で押出し成形、或いは機械加工を行い加工面に緻密な
酸化膜を形成させる方法、或いは電解複合研磨等があ
り、これら方法によって真空容器の表面に緻密な酸化膜
を形成するというものであった。
面処理方法としては、アルゴンガスと酸素の混合雰囲気
中で押出し成形、或いは機械加工を行い加工面に緻密な
酸化膜を形成させる方法、或いは電解複合研磨等があ
り、これら方法によって真空容器の表面に緻密な酸化膜
を形成するというものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】然し、前記した従来の
表面処理方法では、いずれも加工方法上の制約から、加
工物の大きさ、形状に制限がある。又、加工後、表面が
汚れない様、加工後の溶接に関して、或いは組立て工程
に於いて、水、油による汚染がない様ハンドリングに注
意をする必要があった。
表面処理方法では、いずれも加工方法上の制約から、加
工物の大きさ、形状に制限がある。又、加工後、表面が
汚れない様、加工後の溶接に関して、或いは組立て工程
に於いて、水、油による汚染がない様ハンドリングに注
意をする必要があった。
【０００５】本発明は斯かる実情に鑑み、大きさ形状に
拘らず真空容器の表面処理を行え、又ハンドリングに容
易な真空容器の表面処理方法を提供しようとするもので
ある。
拘らず真空容器の表面処理を行え、又ハンドリングに容
易な真空容器の表面処理方法を提供しようとするもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面を所要時
間ハロゲンガスに露出した後、ベーキング処理を行うこ
とを特徴とするものである。
間ハロゲンガスに露出した後、ベーキング処理を行うこ
とを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】ハロゲンガスに露出することで表面の酸化が誘
起され、酸化膜の成長が助長され、更にベーキングによ
り表面の不純物が揮発し、表面が浄化され、更に前記酸
化膜により材料内部からのガスの拡散を抑制する。
起され、酸化膜の成長が助長され、更にベーキングによ
り表面の不純物が揮発し、表面が浄化され、更に前記酸
化膜により材料内部からのガスの拡散を抑制する。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【０００９】図１は本実施例の処理フローを示すもので
ある。
ある。
【００１０】先ず、大気雰囲気で押出し成形、機械加工
を行ったものをアルマイト処理等の表面処理を行い、ア
ルカリ洗い、酸洗い等の洗浄を行い、洗浄後乾燥した塩
素ガスに露出させる。この際の塩素ガスの水分含有率は
略０．５％以下とする。これは、乾燥した塩素ガスはア
ルミニウム合金に対して殆ど腐食作用を示さないが、湿
潤塩素ガスはアルミニウム合金に対して強い腐食作用を
示すからである。
を行ったものをアルマイト処理等の表面処理を行い、ア
ルカリ洗い、酸洗い等の洗浄を行い、洗浄後乾燥した塩
素ガスに露出させる。この際の塩素ガスの水分含有率は
略０．５％以下とする。これは、乾燥した塩素ガスはア
ルミニウム合金に対して殆ど腐食作用を示さないが、湿
潤塩素ガスはアルミニウム合金に対して強い腐食作用を
示すからである。
【００１１】所定時間塩素ガスに露出する。露出した
後、イソプロピルアルコールで洗浄を行う。
後、イソプロピルアルコールで洗浄を行う。
【００１２】イソプロピルアルコール洗浄後、真空中で
略１５０℃の温度で２４時間のベーキング処理を行う。
略１５０℃の温度で２４時間のベーキング処理を行う。
【００１３】尚、前記塩素ガスに露出する時間は塩素ガ
ス濃度、対象形状物の大きさ等、条件によって異なる
が、数時間程度、若しくはそれ以上であり、ベーキング
の時間も対象形状物の大きさ等によって適宜増減され
る。
ス濃度、対象形状物の大きさ等、条件によって異なる
が、数時間程度、若しくはそれ以上であり、ベーキング
の時間も対象形状物の大きさ等によって適宜増減され
る。
【００１４】本表面処理方法を実施した場合と実施しな
い場合のガス放出率を表１、表２に示す。尚、表１は各
種表面処理を行った後、室内排気１０時間後のガス放出
率を示し、表２はベーキングを行い、ベーキング２４時
間終了後のガス放出率を示す。又、ガス放出量の測定
は、スループット法（流量差圧法）を用いて行った。
い場合のガス放出率を表１、表２に示す。尚、表１は各
種表面処理を行った後、室内排気１０時間後のガス放出
率を示し、表２はベーキングを行い、ベーキング２４時
間終了後のガス放出率を示す。又、ガス放出量の測定
は、スループット法（流量差圧法）を用いて行った。
【００１５】下記表から分かる様に、ベーキング前のガ
ス放出量については、塩素に露出したものが、露出しな
いものに対して増加しているものもあるが、ベーキング
後については、塩素に露出したものが、露出しないもの
に対しガスの放出量が約１／２〜１／７に大幅に減少し
ていることが分かる。
ス放出量については、塩素に露出したものが、露出しな
いものに対して増加しているものもあるが、ベーキング
後については、塩素に露出したものが、露出しないもの
に対しガスの放出量が約１／２〜１／７に大幅に減少し
ていることが分かる。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】本実施例によるガス放出量の大幅な減少
は、材料を塩素に露出することで、軽い腐食作用を誘起
し、この腐食作用により材料表面に緻密な酸化膜を成長
させ、酸化膜厚の増大を促し、この酸化膜によってベー
キング後のアルミニウムバルクからの水素の拡散透過が
抑制されると考えられる。
は、材料を塩素に露出することで、軽い腐食作用を誘起
し、この腐食作用により材料表面に緻密な酸化膜を成長
させ、酸化膜厚の増大を促し、この酸化膜によってベー
キング後のアルミニウムバルクからの水素の拡散透過が
抑制されると考えられる。
【００１９】尚、本目的を達成する為の腐食作用を誘起
するものとして、フッソガス等の他のハロゲンガスを使
用することができる。
するものとして、フッソガス等の他のハロゲンガスを使
用することができる。
【００２０】次に、図２に於いて部品材料の処理につい
て説明する。
て説明する。
【００２１】図中、１は処理チャンバ、２は被処理物を
示す。被処理物２を処理チャンバ１内に収納し、ポンプ
３により排気した後、塩素ガス４を導入し、前記処理チ
ャンバ１内で被処理物２を塩素ガス４に露出する。
示す。被処理物２を処理チャンバ１内に収納し、ポンプ
３により排気した後、塩素ガス４を導入し、前記処理チ
ャンバ１内で被処理物２を塩素ガス４に露出する。
【００２２】塩素ガス４に数時間露出した後、前記処理
チャンバ１より被処理物２を取出し、イソプロピルアル
コールにより洗浄し、洗浄後真空加熱炉５に装入し、真
空排気した後加熱してベーキング処理を行う。
チャンバ１より被処理物２を取出し、イソプロピルアル
コールにより洗浄し、洗浄後真空加熱炉５に装入し、真
空排気した後加熱してベーキング処理を行う。
【００２３】又、図３は前記処理チャンバ１、真空加熱
炉５に入らない大型の真空容器６そのものの内壁表面を
処理する場合を示しており、真空容器６内壁面を洗浄し
た後、真空容器６の開口部を盲フランジで閉塞し、内部
にポンプ３、塩素ガス源を連通した後、前記ポンプ３に
より排気し、塩素ガスを導入充填する。真空容器６内壁
面を数時間塩素ガスに露出した後、イソプロピルアルコ
ールにより洗浄する。
炉５に入らない大型の真空容器６そのものの内壁表面を
処理する場合を示しており、真空容器６内壁面を洗浄し
た後、真空容器６の開口部を盲フランジで閉塞し、内部
にポンプ３、塩素ガス源を連通した後、前記ポンプ３に
より排気し、塩素ガスを導入充填する。真空容器６内壁
面を数時間塩素ガスに露出した後、イソプロピルアルコ
ールにより洗浄する。
【００２４】真空容器６にリボンヒータ７を巻付け真空
排気した後、真空容器６を加熱してベーキング処理を行
う。
排気した後、真空容器６を加熱してベーキング処理を行
う。
【００２５】尚、本発明によれば、事前の表面処理なし
でハロゲンガスに露出し、ベーキングを行うことで、充
分効果が発揮されるが、前記した様に各種コーティン
グ、電解複合研磨処理等と併せて実施すれば一層効果が
発揮される。
でハロゲンガスに露出し、ベーキングを行うことで、充
分効果が発揮されるが、前記した様に各種コーティン
グ、電解複合研磨処理等と併せて実施すれば一層効果が
発揮される。
【００２６】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、ガスを
用いて表面処理を行うので、大きさ、形状の制約を受け
ることがなく、又材料の溶接、組立て等を行った最終段
階での表面処理が可能となり、加工組立て時のハンドリ
ングが容易になる。又、従来の表面処理と本発明の表面
処理を併せ行うことで、更にガスの放出の少ない表面を
得ることができるという優れた効果を発揮する。
用いて表面処理を行うので、大きさ、形状の制約を受け
ることがなく、又材料の溶接、組立て等を行った最終段
階での表面処理が可能となり、加工組立て時のハンドリ
ングが容易になる。又、従来の表面処理と本発明の表面
処理を併せ行うことで、更にガスの放出の少ない表面を
得ることができるという優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の一実施例を示すフローチャートであ
る。
る。
【図２】本発明の具体例を示す説明図である。
【図３】本発明の他の具体例を示す説明図である。
１ 処理チャンバ ２ 被処理物 ３ ポンプ ４ 塩素ガス ５ 真空加熱炉 ６ 真空容器 ７ リボンヒータ
Claims (1)
- 【請求項１】 表面を所要時間ハロゲンガスに露出した
後、ベーキング処理を行うことを特徴とする真空容器の
表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4317791A JPH06142488A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 真空容器の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4317791A JPH06142488A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 真空容器の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06142488A true JPH06142488A (ja) | 1994-05-24 |
Family
ID=18092084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4317791A Pending JPH06142488A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 真空容器の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06142488A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018148410A (ja) * | 2017-03-06 | 2018-09-20 | 株式会社ムサシノエンジニアリング | 真空容器用の撮像装置 |
-
1992
- 1992-11-02 JP JP4317791A patent/JPH06142488A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018148410A (ja) * | 2017-03-06 | 2018-09-20 | 株式会社ムサシノエンジニアリング | 真空容器用の撮像装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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