JPS59129B2 - 電子線レジストの現像法 - Google Patents
電子線レジストの現像法Info
- Publication number
- JPS59129B2 JPS59129B2 JP52140340A JP14034077A JPS59129B2 JP S59129 B2 JPS59129 B2 JP S59129B2 JP 52140340 A JP52140340 A JP 52140340A JP 14034077 A JP14034077 A JP 14034077A JP S59129 B2 JPS59129 B2 JP S59129B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- beam resist
- developing
- gas
- resist according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子線レジストを低温ガスプラズマで現像する
方法に関し、さらに詳しくは、ＲＩＣＯＯＨ（Ｒ１はＨ
およびＣｎＨ２ｎ＋１であつて、ｎ＝７までで表わされ
るアルキル基）で示される脂肪酸群から選択されたガス
を用いて、低温でガスプラズマ現像する方法に関する。
方法に関し、さらに詳しくは、ＲＩＣＯＯＨ（Ｒ１はＨ
およびＣｎＨ２ｎ＋１であつて、ｎ＝７までで表わされ
るアルキル基）で示される脂肪酸群から選択されたガス
を用いて、低温でガスプラズマ現像する方法に関する。
従来、電子線レジストの現像は被現像試料を現像液（主
に有機溶剤）に浸漬するか、または、これをスプレで被
現像試料表面に噴霧するいわゆるウェット・ケミカルな
方法がとられている。
に有機溶剤）に浸漬するか、または、これをスプレで被
現像試料表面に噴霧するいわゆるウェット・ケミカルな
方法がとられている。
例えば、ポジ型の電子線レジストとして良く知られてい
るポリメチルメタクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍ
−ｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ：以下ＰＭＭＡと略す）の現
像には、メチルエチルケトン：イソプロピルアルコール
＝７：３あるいはメチルイソブチルケトン：イソプロピ
ルアルコール＝１：３等の混合有機溶剤が使用される。
しかし、このようなウエツト・ケミカルによる現像法は
、主に、現像処理枚数に依存した現像液組成の変化や疲
労または現像液温度の変化による現像特性の変動等によ
り、再現性よくかつ精度よく微細パターンを現像するに
は問題があつた。さらに、化学薬品の使用は試料表面を
汚染する恐れがあり、廃液処理・公害防止問題等ととも
に常に対策を考慮しておく必要がある。本発明では、こ
のような従来のウエツト・ケミカル現像法の欠点を除去
し、処理された被現像試料表面も非常に清浄で、大量に
精度よく、かつ、容易に現像できる方法を提供するもの
である。
るポリメチルメタクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍ
−ｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ：以下ＰＭＭＡと略す）の現
像には、メチルエチルケトン：イソプロピルアルコール
＝７：３あるいはメチルイソブチルケトン：イソプロピ
ルアルコール＝１：３等の混合有機溶剤が使用される。
しかし、このようなウエツト・ケミカルによる現像法は
、主に、現像処理枚数に依存した現像液組成の変化や疲
労または現像液温度の変化による現像特性の変動等によ
り、再現性よくかつ精度よく微細パターンを現像するに
は問題があつた。さらに、化学薬品の使用は試料表面を
汚染する恐れがあり、廃液処理・公害防止問題等ととも
に常に対策を考慮しておく必要がある。本発明では、こ
のような従来のウエツト・ケミカル現像法の欠点を除去
し、処理された被現像試料表面も非常に清浄で、大量に
精度よく、かつ、容易に現像できる方法を提供するもの
である。
すなわち、本発明による低温ガスプラズマでの電子線レ
ジストの現像法は、被現像試料を一定の圧力に制御され
た清浄なガス雰囲気中に保持し、２つの電極間に高周波
電圧を印加して形成された高周波誘導のガスプラズマ中
に存在する活性な原子または分子と高分子である電子線
レジストとの化学反応を利用してガス状化合物にかえ、
現像・除去していくため、試料表面の汚染や廃液処理等
の問題はなく、さらに、再現性よく、一度に大量かつ精
度よく現像できる利点をもつている。以下、実施例によ
り詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り
以下の実施例に限定されるものではない。実施例 １ 数平均分子量（Ｍｎ）が約１０万のＰＭＭＡをキシレン
に溶解して１０％溶液を調製、電子線レジスト液とした
ものを熱硝酸、希フツ酸液で表面処理し、清浄にした３
′φシリコンウエーハ上にスピナを用いて厚さ４５００
人になるような塗布した。
ジストの現像法は、被現像試料を一定の圧力に制御され
た清浄なガス雰囲気中に保持し、２つの電極間に高周波
電圧を印加して形成された高周波誘導のガスプラズマ中
に存在する活性な原子または分子と高分子である電子線
レジストとの化学反応を利用してガス状化合物にかえ、
現像・除去していくため、試料表面の汚染や廃液処理等
の問題はなく、さらに、再現性よく、一度に大量かつ精
度よく現像できる利点をもつている。以下、実施例によ
り詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り
以下の実施例に限定されるものではない。実施例 １ 数平均分子量（Ｍｎ）が約１０万のＰＭＭＡをキシレン
に溶解して１０％溶液を調製、電子線レジスト液とした
ものを熱硝酸、希フツ酸液で表面処理し、清浄にした３
′φシリコンウエーハ上にスピナを用いて厚さ４５００
人になるような塗布した。
１５０℃で３０分間プリベーキンク化た後、電子ビーム
露光装置を用いて６０×１００μｍ形状に１Ｘ１０４〜
８×１０−４Ｃ／ｍｌの照射量で電子ビームを照射して
プラズマ現像試料を作成した。
露光装置を用いて６０×１００μｍ形状に１Ｘ１０４〜
８×１０−４Ｃ／ｍｌの照射量で電子ビームを照射して
プラズマ現像試料を作成した。
次いで直径２５４ｍｍ、長さ４５７ｍｍを有する円筒形
プラズマ反応管内にセツトし、管内圧力を０．１ｔ０Ｒ
Ｒ以下にしたのち酢酸ガスを導入して０．３ｔ０ＲＲに
調整した。周波数１３．５６ＭＨｚで高周波電圧を印加
し、出力２００Ｗで低温のガスプラズマを発生させ、５
分間現像処理を行つた。印加電圧、ガス導入を停止して
管内圧力を０．１ｔ０ＲＲ以下にした後大気圧に戻し、
試料を取り出して顕微鏡で検査したところ、電子ビーム
を照射した部分が、溶剤現像法で得られる画像とは逆に
、電子ビームで照射した形状どおり鮮明な残し画像とし
て得ることができた。実施例 ２ 実施例１と同じ方法で作成した試料を円筒形ガスプラズ
マ反応管内にセツトした後、管内圧力を０．１ｔ０ＲＲ
以下にし、酢酸ガスを導入して１ｔ０ＲＲに調整した。
プラズマ反応管内にセツトし、管内圧力を０．１ｔ０Ｒ
Ｒ以下にしたのち酢酸ガスを導入して０．３ｔ０ＲＲに
調整した。周波数１３．５６ＭＨｚで高周波電圧を印加
し、出力２００Ｗで低温のガスプラズマを発生させ、５
分間現像処理を行つた。印加電圧、ガス導入を停止して
管内圧力を０．１ｔ０ＲＲ以下にした後大気圧に戻し、
試料を取り出して顕微鏡で検査したところ、電子ビーム
を照射した部分が、溶剤現像法で得られる画像とは逆に
、電子ビームで照射した形状どおり鮮明な残し画像とし
て得ることができた。実施例 ２ 実施例１と同じ方法で作成した試料を円筒形ガスプラズ
マ反応管内にセツトした後、管内圧力を０．１ｔ０ＲＲ
以下にし、酢酸ガスを導入して１ｔ０ＲＲに調整した。
以下実施例１と同じ方法でガスプラズマを発生させ、現
像処理を行つたところ実施例１と同様に電子ビームを照
射した形状どおり明瞭な残し画像が得られた。実施例
３ Ｍｎ−５０万のＰＭＭＡを用いて１０（！）キシレン溶
液を調製した。
像処理を行つたところ実施例１と同様に電子ビームを照
射した形状どおり明瞭な残し画像が得られた。実施例
３ Ｍｎ−５０万のＰＭＭＡを用いて１０（！）キシレン溶
液を調製した。
以下実施例１と同じ方法で試料を作成し、円筒形プラズ
マ反応管内にセツトした後、管内圧力を０．１ｔ０ＲＲ
以下にしてから酢酸ガスを導入して１ｔ０ＲＲに調整し
た。高周波電圧を印加して出力３００Ｗで低温のガスプ
ラズマを発生させ、３分間現像処理を行つてから印加電
圧を停止し、ガス導入を停止させた。管内圧力を大気圧
に戻してから試料を取り出し、顕微鏡観察を行つたとこ
ろ、実施例１と同様、明瞭な画像が得られていた。実施
例 ４ 実施例１と同じ方法で電子線レジスト液を調製し、成膜
した厚さ４５００人のＰＭＭＡ膜を有するシリコンウエ
ーハを電子ビーム露光装置内にセツトし、線幅がそれぞ
れ１，２，３，４μｍになるように２×１０−４Ｃ／Ｃ
Ｔｌの照射量で電子ビームを照射して試料とした。
マ反応管内にセツトした後、管内圧力を０．１ｔ０ＲＲ
以下にしてから酢酸ガスを導入して１ｔ０ＲＲに調整し
た。高周波電圧を印加して出力３００Ｗで低温のガスプ
ラズマを発生させ、３分間現像処理を行つてから印加電
圧を停止し、ガス導入を停止させた。管内圧力を大気圧
に戻してから試料を取り出し、顕微鏡観察を行つたとこ
ろ、実施例１と同様、明瞭な画像が得られていた。実施
例 ４ 実施例１と同じ方法で電子線レジスト液を調製し、成膜
した厚さ４５００人のＰＭＭＡ膜を有するシリコンウエ
ーハを電子ビーム露光装置内にセツトし、線幅がそれぞ
れ１，２，３，４μｍになるように２×１０−４Ｃ／Ｃ
Ｔｌの照射量で電子ビームを照射して試料とした。
次いで、円筒形ガスプラズマ反応管内にセツトし、管内
圧力を０．１ｔ０ＲＲ以下にした後酢酸ガスを導入して
０．４ｔ０ＲＲとし、さらに窒素ガスを０．１ｔ０ＲＲ
導入して合計圧力を０．５ｔ０ＲＲに調整した。以下実
施例１と同じ方法で高周波電圧を印加し、プラズマを発
生させて現像処理を行つたところ、それぞれ１，２，３
および４μｍ幅の明瞭な残し画像が得られた。実施例
５ 実施例３と同じ方法で作成した厚さ５０００人のＰＭＭ
Ａ膜を有するシリコンウエーハを実施例１と同じ方法で
電子ビーム照射して試料とした。
圧力を０．１ｔ０ＲＲ以下にした後酢酸ガスを導入して
０．４ｔ０ＲＲとし、さらに窒素ガスを０．１ｔ０ＲＲ
導入して合計圧力を０．５ｔ０ＲＲに調整した。以下実
施例１と同じ方法で高周波電圧を印加し、プラズマを発
生させて現像処理を行つたところ、それぞれ１，２，３
および４μｍ幅の明瞭な残し画像が得られた。実施例
５ 実施例３と同じ方法で作成した厚さ５０００人のＰＭＭ
Ａ膜を有するシリコンウエーハを実施例１と同じ方法で
電子ビーム照射して試料とした。
次いで、多数の小孔を有するアルミ製円筒をガスプラズ
マ反応管内に設置し、その中に試料をセツトした後管内
圧力を０．１ｔ０ＲＲ以下にし、酢酸ガスを導入して０
．３ｔ０ＲＲとし、しかる後、窒素ガスを０．７ｔ０Ｒ
Ｒ導入して合計圧力を１ｔ０ＲＲに調整した。出力３０
０Ｗで高周波電王を印加してガスプラズマ反応管内壁と
アルミ製円筒管外壁間にプラズマを発生させた。１５分
間現像処理した後、管内圧力を大気圧に戻して試料を取
り出し、顕微鏡で検査したところ実施例１と同じように
明瞭な画像を得た。
マ反応管内に設置し、その中に試料をセツトした後管内
圧力を０．１ｔ０ＲＲ以下にし、酢酸ガスを導入して０
．３ｔ０ＲＲとし、しかる後、窒素ガスを０．７ｔ０Ｒ
Ｒ導入して合計圧力を１ｔ０ＲＲに調整した。出力３０
０Ｗで高周波電王を印加してガスプラズマ反応管内壁と
アルミ製円筒管外壁間にプラズマを発生させた。１５分
間現像処理した後、管内圧力を大気圧に戻して試料を取
り出し、顕微鏡で検査したところ実施例１と同じように
明瞭な画像を得た。
実施例 ６
Ｍｎ＝１．８万のＰＭＭＡを用いて１０（Ｆｆ）キシレ
ン溶液を調整し、電子線レジスト液を作成した。
ン溶液を調整し、電子線レジスト液を作成した。
以下実施例１と同じ方法で試料を作成し、円筒形プラズ
マ反応管内にセツトした。管内圧力を０．１ｔ０ＲＲ以
下にした後、５『Ｃに加温したプロピオン酸溶液からプ
ロピオン酸ガスを導入し、０．３ｔ０ＲＲに調整、高周
波電圧を印加して出力２００Ｗで低温のガスプラズマを
発生させた。５分間試料をプラズマ雰囲気にさらした後
印加電圧を停止し、管内圧力を大気圧に戻してから試料
を取り出し顕微鏡で観察したところ実施例１と同様な結
果を得た。
マ反応管内にセツトした。管内圧力を０．１ｔ０ＲＲ以
下にした後、５『Ｃに加温したプロピオン酸溶液からプ
ロピオン酸ガスを導入し、０．３ｔ０ＲＲに調整、高周
波電圧を印加して出力２００Ｗで低温のガスプラズマを
発生させた。５分間試料をプラズマ雰囲気にさらした後
印加電圧を停止し、管内圧力を大気圧に戻してから試料
を取り出し顕微鏡で観察したところ実施例１と同様な結
果を得た。
実施例 ７
実施例３と同じ方法で作成した塗布膜厚４５００Ａ（７
）ＰＭＭＡ膜を有するシリコンウエーハに実施例１と同
じ方法で電子ビームを照射して円筒形ガスプラズマ反応
管内にセツトした。
）ＰＭＭＡ膜を有するシリコンウエーハに実施例１と同
じ方法で電子ビームを照射して円筒形ガスプラズマ反応
管内にセツトした。
管内圧力を０．１ｔ０ＲＲ以下にした後、アルゴンガス
をキヤリヤ一にして１０００Ｃに加温したジエチル酢酸
溶液からジエチル酢酸ガスを導入し、管内圧力を０．７
ｔ０ＲＲに調整した。以下、実施例１と同じ方法でプラ
ズマ現像処理をおこなつたところ、実施例１と同じ結果
を得た。以上、詳述したように、本発明によれば脂肪酸
系ガスをガスプラズマ反応管内に導入して低温ガスプラ
ズマを発生させることによりポジ型の電子線レジストを
現像できることは明らかである。
をキヤリヤ一にして１０００Ｃに加温したジエチル酢酸
溶液からジエチル酢酸ガスを導入し、管内圧力を０．７
ｔ０ＲＲに調整した。以下、実施例１と同じ方法でプラ
ズマ現像処理をおこなつたところ、実施例１と同じ結果
を得た。以上、詳述したように、本発明によれば脂肪酸
系ガスをガスプラズマ反応管内に導入して低温ガスプラ
ズマを発生させることによりポジ型の電子線レジストを
現像できることは明らかである。
尚、脂肪酸の化学式ＣｎＨ２。＋１Ｃ００Ｈにおいてｎ
＝７以上のものに対しては、常温で液体であつても沸点
が高く、蒸気圧が非常に低いため、たとえ加温してもガ
スプラズマ現像に有効なだけのガス圧力を得ることは困
難であつた。但し、何んらかの方法で十分なるガス圧を
得ることができれば、ガスプラズマ現像に対して有効と
なることは実施例から考えて明白であろう。脂肪酸系ガ
スのガスプラズマ反応管内圧力において、０．１ｔ０Ｒ
Ｒ以下と低い場合には現像効率が非常に悪くなり、逆に
２ｔ０ＲＲ以上と高い場合は、現像効率をあげるために
は高周波印加出力をあげる必要があり、被現像物基板の
温度上昇が問題となつて現像精度などが悪くなる。
＝７以上のものに対しては、常温で液体であつても沸点
が高く、蒸気圧が非常に低いため、たとえ加温してもガ
スプラズマ現像に有効なだけのガス圧力を得ることは困
難であつた。但し、何んらかの方法で十分なるガス圧を
得ることができれば、ガスプラズマ現像に対して有効と
なることは実施例から考えて明白であろう。脂肪酸系ガ
スのガスプラズマ反応管内圧力において、０．１ｔ０Ｒ
Ｒ以下と低い場合には現像効率が非常に悪くなり、逆に
２ｔ０ＲＲ以上と高い場合は、現像効率をあげるために
は高周波印加出力をあげる必要があり、被現像物基板の
温度上昇が問題となつて現像精度などが悪くなる。
従つて、精度良い現像、良好な現像効率を得るためには
ガス圧範囲が規制される。さらに、実施例ではＰＭＭＡ
を用いた結果しか記述しなかつたが、本発明はポリエチ
ルメタクリレートやポリｔ−ブチルメタクリレートその
他のポリアルキルメタクリレートおよび／またはそれら
を主成分とする共重合体からなるポジ型の電子線レジス
トに対しても有効であることは云うまでもない。
ガス圧範囲が規制される。さらに、実施例ではＰＭＭＡ
を用いた結果しか記述しなかつたが、本発明はポリエチ
ルメタクリレートやポリｔ−ブチルメタクリレートその
他のポリアルキルメタクリレートおよび／またはそれら
を主成分とする共重合体からなるポジ型の電子線レジス
トに対しても有効であることは云うまでもない。
また、被現像物がＸ線レジストであつても、そのポリマ
機構が本発明記載の要旨内であれば、エネルギー照射線
源の波長の相違一電子線が数λで、Ｘ線が数人〜数１０
人だけで、エネルギー照射によるポリマの構造変化等に
は大きな違いはないので、自から本発明によるガスプラ
ズマ現像法が適用されることは明らかである。
機構が本発明記載の要旨内であれば、エネルギー照射線
源の波長の相違一電子線が数λで、Ｘ線が数人〜数１０
人だけで、エネルギー照射によるポリマの構造変化等に
は大きな違いはないので、自から本発明によるガスプラ
ズマ現像法が適用されることは明らかである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板、ガラス基板またはこれら基板上の金属
または金属酸化物薄膜上に塗布した高分子の電子線レジ
スト皮膜上に、電子ビームを用いて所定のパターン形状
を照射した後、これをＲ＿１ＣＯＯＨ（Ｒ＿１はＨおよ
びＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１で表わされるアルキル基）
で示される脂肪酸群から選択された少なくとも０．１ｔ
＿Ｏ＿Ｒ＿Ｒの圧力のガスを含む雰囲気中に浸し、低温
のガスプラズマを発生させて現像することを特徴とする
電子線レジストの現像法。 ２ 脂肪酸のガスはｎ＝７までで表わされ、さらに好ま
しくはギ酸または酢酸であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の電子線レジストの現像法。 ３ 雰囲気は窒素ガスまたは不活性ガスを含むことを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の電子
線レジストの現像法。 ４ 不活性ガスは、アルゴンまたはヘリウムであること
を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の電子線レジス
トの現像法。 ５ 雰囲気の圧力は０．３〜２ｔ＿Ｏ＿Ｒ＿Ｒの範囲で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第４項の
いずれかに記載の電子線レジストの現像法。 ６ 被現像試料は多数の小孔を有するアルミまたはＳｕ
Ｓ製の円筒内あるいは平板下に保持され、ガスプラズマ
反応槽に挿入されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項〜第５項のいずれかに記載の電子線レジストの現像
法。 ７ 電子線レジスト皮膜は、ポリアルキルメタクリレー
トおよびその誘導体またはそれらの共重合体であつて、
通常ポジ型の性質を有することを特徴とする特許請求の
範囲第１項〜第６項のいずれかに記載の電子線レジスト
の現像法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52140340A JPS59129B2 (ja) | 1977-11-22 | 1977-11-22 | 電子線レジストの現像法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52140340A JPS59129B2 (ja) | 1977-11-22 | 1977-11-22 | 電子線レジストの現像法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5472680A JPS5472680A (en) | 1979-06-11 |
| JPS59129B2 true JPS59129B2 (ja) | 1984-01-05 |
Family
ID=15266545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52140340A Expired JPS59129B2 (ja) | 1977-11-22 | 1977-11-22 | 電子線レジストの現像法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157241A (en) * | 1981-03-25 | 1982-09-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of resist material and its pattern |
-
1977
- 1977-11-22 JP JP52140340A patent/JPS59129B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5472680A (en) | 1979-06-11 |
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