JPS59121045A - 有機樹脂膜の加工方法 - Google Patents
有機樹脂膜の加工方法Info
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- JPS59121045A JPS59121045A JP57230540A JP23054082A JPS59121045A JP S59121045 A JPS59121045 A JP S59121045A JP 57230540 A JP57230540 A JP 57230540A JP 23054082 A JP23054082 A JP 23054082A JP S59121045 A JPS59121045 A JP S59121045A
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- heat treatment
- organic resin
- polyglycidyl methacrylate
- ultraviolet light
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ポリグリシジルメタクリレート（以下、ＰＧ
ＭＡと略称する）よりなる有機樹脂膜の加工方法に関す
るものにして、特に、固体撮像素子用色フィルタの製作
に好適なＰＧＭＡよりなる有機樹脂膜の加工方法に関す
るものである。
ＭＡと略称する）よりなる有機樹脂膜の加工方法に関す
るものにして、特に、固体撮像素子用色フィルタの製作
に好適なＰＧＭＡよりなる有機樹脂膜の加工方法に関す
るものである。
固体撮像素子基板上に直接光学フィルタを形成する従来
の方法は、例えば、第１図を参照して、Ｓｉ基板からな
る固体撮像素子基板１上に、保護膜４１を形成し、この
上にパターン化された色フイルタロ１を形成する。さら
に、パターン化された別の光学特性を有する色フィルタ
３２を形成するが、色フィルタ６２を染色する際、色フ
ィルタろ１を再染色することを防ぐため、染色防止膜４
２を形成後色フィルタ６２を形成する。最後に保護膜４
３を形成し、完成する。但し、固体撮像素子では、画像
信号を取り出すだめのボンデイングパノドの上等は、こ
れら、光学フィルタ材料（４１，４２および４６）を除
去する必要がある。この方法をさらに詳記すれば、以下
の通りとなる。
の方法は、例えば、第１図を参照して、Ｓｉ基板からな
る固体撮像素子基板１上に、保護膜４１を形成し、この
上にパターン化された色フイルタロ１を形成する。さら
に、パターン化された別の光学特性を有する色フィルタ
３２を形成するが、色フィルタ６２を染色する際、色フ
ィルタろ１を再染色することを防ぐため、染色防止膜４
２を形成後色フィルタ６２を形成する。最後に保護膜４
３を形成し、完成する。但し、固体撮像素子では、画像
信号を取り出すだめのボンデイングパノドの上等は、こ
れら、光学フィルタ材料（４１，４２および４６）を除
去する必要がある。この方法をさらに詳記すれば、以下
の通りとなる。
すガわち、保護膜４１．４３および染色防止膜４２には
、ＰＧＭＡが使われ、これらの膜は回転塗布により形成
される。その後、２００℃、６０〜１５０分の加熱によ
り硬化される。その後、ボンデイングパノド等、これら
膜を除去する必要のある部分のみに遠紫外光が照射され
る。これを現像することにより、除去すべき部分からＰ
ＧＭＡ膜は溶出除去される。以上述べた保護膜４１．４
３および染色防止膜４２の形成法および加工法では、生
産上、太き々問題が２つあった。１つは、各々の膜を順
次堆積して行く過程で、保護膜４１．４６および染色防
止膜４２にマイクロクラックが発生することであった。
、ＰＧＭＡが使われ、これらの膜は回転塗布により形成
される。その後、２００℃、６０〜１５０分の加熱によ
り硬化される。その後、ボンデイングパノド等、これら
膜を除去する必要のある部分のみに遠紫外光が照射され
る。これを現像することにより、除去すべき部分からＰ
ＧＭＡ膜は溶出除去される。以上述べた保護膜４１．４
３および染色防止膜４２の形成法および加工法では、生
産上、太き々問題が２つあった。１つは、各々の膜を順
次堆積して行く過程で、保護膜４１．４６および染色防
止膜４２にマイクロクラックが発生することであった。
２つには、ＰＧＭＡを熱硬化させるには、加熱に長時間
を要することであった。
を要することであった。
本発明の目的は、上記の従来技術の欠点を解決し、保護
膜および染色防止膜にマイクロクラック等欠陥の発生が
ない、機械的強度の充分な保護膜染色防止膜を形成し、
さらには、膜の熱硬化に要する熱処理時間を短縮するこ
とのできる有機樹脂膜の加工方法を提供することにある
。
膜および染色防止膜にマイクロクラック等欠陥の発生が
ない、機械的強度の充分な保護膜染色防止膜を形成し、
さらには、膜の熱硬化に要する熱処理時間を短縮するこ
とのできる有機樹脂膜の加工方法を提供することにある
。
上記の目的の本発明の有機樹脂膜の加工方法の特徴とす
るところは、ＰＧＭＡよりなる有機樹脂の膜に遠紫外光
を照射し、低分子化することにより該有機樹脂の膜を加
工する有機樹脂膜の加工方法において、該樹脂中に架橋
剤を添加し、成膜後遠紫外光を照射・現像処理すること
にある。前記の有機樹脂はＰＧＭＡの単独重合体または
共重合体のいずれでもよい。
るところは、ＰＧＭＡよりなる有機樹脂の膜に遠紫外光
を照射し、低分子化することにより該有機樹脂の膜を加
工する有機樹脂膜の加工方法において、該樹脂中に架橋
剤を添加し、成膜後遠紫外光を照射・現像処理すること
にある。前記の有機樹脂はＰＧＭＡの単独重合体または
共重合体のいずれでもよい。
さらに詳細には、本発明においては、上記の目的を達成
するため、先ず、ＰＧＭＡよりなる有機樹・ ６ ・ 脂膜の機械的強度を大きくする目的で、有機樹脂の熱硬
化をより進行させる架橋剤を添加することとした。架橋
剤の添加により都合の良いことは、熱架橋による硬化反
応は低温で短時間の間に進行するだめ、熱処理時間の短
縮にも役立つということである。但し、架橋剤とＰＧＭ
Ａとの反応が余りに強いと、ＰＧＭＡＯ遠紫外光遠紫外
光露光分子化反応が起り難くなる。しだがって、架橋剤
の量と熱処理の強弱により、熱架橋の程度が定寸り、そ
の程度の差により遠紫外光照射による低分子化反応が起
る有無が決定される。
するため、先ず、ＰＧＭＡよりなる有機樹・ ６ ・ 脂膜の機械的強度を大きくする目的で、有機樹脂の熱硬
化をより進行させる架橋剤を添加することとした。架橋
剤の添加により都合の良いことは、熱架橋による硬化反
応は低温で短時間の間に進行するだめ、熱処理時間の短
縮にも役立つということである。但し、架橋剤とＰＧＭ
Ａとの反応が余りに強いと、ＰＧＭＡＯ遠紫外光遠紫外
光露光分子化反応が起り難くなる。しだがって、架橋剤
の量と熱処理の強弱により、熱架橋の程度が定寸り、そ
の程度の差により遠紫外光照射による低分子化反応が起
る有無が決定される。
本発明者等は、遠紫外光照射による低分子化反応が充分
に起る領域で、しかも熱架橋反応が短時間で進行するＰ
ＧＭＡに対する架橋剤添加量と熱処理条件との関係を実
験的に求めた。第２図のグラフは、ＰＧＭＡに架橋剤と
して、ベンゾフェノン系化合物であるヒドロキンベンゾ
フェノン誘導体の２・２．４・４テトラヒドロキシベン
ゾフエノン（以下、ＴＨＢＰと略称する）を添加した場
合の熱処理条件による熱架橋進行程度を示すものであ・
４ ・ る。熱架橋程度の評価はメチルエチルケトン（以下、Ｍ
ＥＫと略称する）に浸した後のＰＧＭＡの残膜率、すな
わち、 残膜率−（処理後の膜厚／塗布膜厚） Ｘ １００ （
％）によった。熱処理は２５０℃以下における温度（℃
）と時間（分）の積を熱処理強度とし１０ から１０
５程度までの範囲について処理した。同図から架橋剤の
添加量が多い程弱い熱処理条件、すなわち、同一の温度
では短時間で熱架橋が進行することがわかる。例えば架
橋剤無添加のものと、０．８ｗｔ、 ％ （対ＰＧＭＡ
重量比）添加したものとでの架橋の進行程度を５０チ残
膜率の点で見ると、熱処理強度は添加剤を添加したもの
では１／２ｏの熱処理強度となっていることがわかる。
に起る領域で、しかも熱架橋反応が短時間で進行するＰ
ＧＭＡに対する架橋剤添加量と熱処理条件との関係を実
験的に求めた。第２図のグラフは、ＰＧＭＡに架橋剤と
して、ベンゾフェノン系化合物であるヒドロキンベンゾ
フェノン誘導体の２・２．４・４テトラヒドロキシベン
ゾフエノン（以下、ＴＨＢＰと略称する）を添加した場
合の熱処理条件による熱架橋進行程度を示すものであ・
４ ・ る。熱架橋程度の評価はメチルエチルケトン（以下、Ｍ
ＥＫと略称する）に浸した後のＰＧＭＡの残膜率、すな
わち、 残膜率−（処理後の膜厚／塗布膜厚） Ｘ １００ （
％）によった。熱処理は２５０℃以下における温度（℃
）と時間（分）の積を熱処理強度とし１０ から１０
５程度までの範囲について処理した。同図から架橋剤の
添加量が多い程弱い熱処理条件、すなわち、同一の温度
では短時間で熱架橋が進行することがわかる。例えば架
橋剤無添加のものと、０．８ｗｔ、 ％ （対ＰＧＭＡ
重量比）添加したものとでの架橋の進行程度を５０チ残
膜率の点で見ると、熱処理強度は添加剤を添加したもの
では１／２ｏの熱処理強度となっていることがわかる。
次に、遠紫外光照射による加工性能について述べる。本
発明者等の実験では、８１基板上にＴＨＢＰを添加した
ＰＧＭＡを回転塗布し、熱処理を施した後、遠紫外光露
光を行なった。これを現像液（ＭＥＫ＋エチルアルコー
ル）により現像した。この結果を第６図に示した。第６
図中、○印は現像後ＰＧＭＡが遠紫外光照射により低分
子化し現像により溶出し、ＰＧＭＡの残量が無い点、す
なわち、加工性の良好な点を示す。寸だ、Ｘ印は熱架橋
が強力に進行したため、低分子化反応が起らすＰＧＭＡ
膜が残った点で、加工性の不良な点である寸だ、○印と
Ｘ印の境界を図中に直線で示した。
発明者等の実験では、８１基板上にＴＨＢＰを添加した
ＰＧＭＡを回転塗布し、熱処理を施した後、遠紫外光露
光を行なった。これを現像液（ＭＥＫ＋エチルアルコー
ル）により現像した。この結果を第６図に示した。第６
図中、○印は現像後ＰＧＭＡが遠紫外光照射により低分
子化し現像により溶出し、ＰＧＭＡの残量が無い点、す
なわち、加工性の良好な点を示す。寸だ、Ｘ印は熱架橋
が強力に進行したため、低分子化反応が起らすＰＧＭＡ
膜が残った点で、加工性の不良な点である寸だ、○印と
Ｘ印の境界を図中に直線で示した。
この結果から、図中の直線以下のＴ ）−Ｉ Ｂ Ｐ量
、および直線より左方の熱処理強度の熱処理を行々えば
遠紫外光露光によりＰＧＭＡ膜の加工（パターニング）
が可能であることがわかる。捷だ、上記の第２図の結果
から、ＴＩＴＢＰ無添加の場合に較べ、’Ｉ”１ｌｒ（
Ｐ添加により、短時間の熱処理で充分な熱架橋が生じ、
しかも、第３図の直線以下で左方の点で示されろ条件と
すれば、遠紫外光による加工もできることがわかる。さ
らに、現像後にもＴＩＴＢＰは膜中に残っているだめ、
充分な熱処理（ＴＩＩＢＰ無添加の場合より弱くて良い
）により、さらに熱架橋が進み、機械的にも強固な膜と
なる。
、および直線より左方の熱処理強度の熱処理を行々えば
遠紫外光露光によりＰＧＭＡ膜の加工（パターニング）
が可能であることがわかる。捷だ、上記の第２図の結果
から、ＴＩＴＢＰ無添加の場合に較べ、’Ｉ”１ｌｒ（
Ｐ添加により、短時間の熱処理で充分な熱架橋が生じ、
しかも、第３図の直線以下で左方の点で示されろ条件と
すれば、遠紫外光による加工もできることがわかる。さ
らに、現像後にもＴＩＴＢＰは膜中に残っているだめ、
充分な熱処理（ＴＩＩＢＰ無添加の場合より弱くて良い
）により、さらに熱架橋が進み、機械的にも強固な膜と
なる。
本発明において使用できる有機樹脂の条件は、（１）透
明であるとど；（ｉｉ）遠紫外光により溶剤耐性が低下
すること、すなわち、ｄｅｅｐ ＵＶ感度のポジ型レジ
ストであること；（１１１）架橋剤の添加により容易に
硬化することが条件である。これらの条件を満足するも
のとしては、ポリグリシジルメタクリレートとその共重
合体、例えば、ポリ（グリ７ジルメタクリレートーメチ
ルアクリレート）、ポリ（グリシジルメタクリレート−
エチルアクリレート）等である。
明であるとど；（ｉｉ）遠紫外光により溶剤耐性が低下
すること、すなわち、ｄｅｅｐ ＵＶ感度のポジ型レジ
ストであること；（１１１）架橋剤の添加により容易に
硬化することが条件である。これらの条件を満足するも
のとしては、ポリグリシジルメタクリレートとその共重
合体、例えば、ポリ（グリ７ジルメタクリレートーメチ
ルアクリレート）、ポリ（グリシジルメタクリレート−
エチルアクリレート）等である。
本発明において使用できる架橋剤の条件としては、（＋
）樹脂を硬化させる材料で、室温より高い・５０℃以上
の温度で速やかに硬化反応が起るとと１（ｉｔ）分解温
度が高いとと；が条件である。これらの条件を満足する
ものとしては、ベンゾフェノン系化合物で、一般式 ％式％ も良いし、＝Ｏ、−（ｊ−１３、−Ｈ等である）。ベン
ゼン環Ｂ １には少なくとも１個以上の−ＯＩ−１が、
またベンゼン環Ｂ２には少なくとも１個以」二の一〇
〇が必要である。捷だ、Ｂ１．１３２にはアルキル基が
あっても良い。とれら化合物の例としては、ジヒドロキ
シベンゾフェノン、２ヒドロキシ−４７トキシベンゾフ
エノン、２・ダヒドロキシー乎メトキシベンゾフェノン
、２・２’、４・４テトラヒドロギシペンゾフエノン等
である。あるいは、エチレンジアミン、ヘギザメチレン
ジアミン、トリメチレンジアミン等ジアミン類、および
アミノアルコール類、例えば、アミノエタノール、ジェ
タノールアミン、トリエチルアミン等である。あるいハ
、エチレングリコール、プロピレングリコール等グリコ
ール類およびグリコール酸、フェニール酸、安息香酸、
無水マレイン酸、フマール酸、フタル酸、シュウ酸、マ
ロン酸、アジピン酸、コハク酸、カプリル酸、トリメチ
ル酢酸、ペラルゴン酸等である。
）樹脂を硬化させる材料で、室温より高い・５０℃以上
の温度で速やかに硬化反応が起るとと１（ｉｔ）分解温
度が高いとと；が条件である。これらの条件を満足する
ものとしては、ベンゾフェノン系化合物で、一般式 ％式％ も良いし、＝Ｏ、−（ｊ−１３、−Ｈ等である）。ベン
ゼン環Ｂ １には少なくとも１個以上の−ＯＩ−１が、
またベンゼン環Ｂ２には少なくとも１個以」二の一〇
〇が必要である。捷だ、Ｂ１．１３２にはアルキル基が
あっても良い。とれら化合物の例としては、ジヒドロキ
シベンゾフェノン、２ヒドロキシ−４７トキシベンゾフ
エノン、２・ダヒドロキシー乎メトキシベンゾフェノン
、２・２’、４・４テトラヒドロギシペンゾフエノン等
である。あるいは、エチレンジアミン、ヘギザメチレン
ジアミン、トリメチレンジアミン等ジアミン類、および
アミノアルコール類、例えば、アミノエタノール、ジェ
タノールアミン、トリエチルアミン等である。あるいハ
、エチレングリコール、プロピレングリコール等グリコ
ール類およびグリコール酸、フェニール酸、安息香酸、
無水マレイン酸、フマール酸、フタル酸、シュウ酸、マ
ロン酸、アジピン酸、コハク酸、カプリル酸、トリメチ
ル酢酸、ペラルゴン酸等である。
以下に、本発明を実施例につき説明する。
・ ８ ・
実施例 １
再び第１図を参照して、Ｓｉ基板からなる固体撮像素子
基板１上に゛自−（ＢＰ添加ＰＱＭＡ （添加量：Ｑ、
８ｗｔ、％）を回転塗布し、１４０℃、１０分の熱処理
を行なった。（従来の無添加ＰＧＭＡの場合には、２０
０℃、６０分の熱処理を行なっていた）次に、素子基板
上のボンデイングパソド部等ＰＧＭＡの不要々部分に対
し、遠紫外光（波長２１０ｎｍ程度）を照射した後、Ｍ
Ｅ Ｋ＋エチルアルコールにて現像し、さらに、メチ
ルイソブチルケトンにより洗った後、回転乾燥した。次
に２００℃、１０分（従来は２００℃、４０分で不充分
であり、膜中にクラック等の欠陥が発生していた）の熱
処理を施し、強力に熱架橋し、パターン化した保護膜４
１ を機械的にも充分強い膜としだ。次に、この上に
パターン化したゼラチン膜を形成後、例えばシアン染料
によりゼラチン膜を染色し、色フィルタ３１を形成した
。以下、保護膜４１と同様な方法により染色防止膜４２
を形成した。まだ、この上に色フィルタ３１と同様に、
色フィルタ３２を、例えば、黄色染料により染色し、形
成した。次に、保護膜４１と同様にして、保護膜４６を
形成し、固体撮像素子基板上に光学フィルタを形成した
。この色フイルタ形成工程では熱処理温度が低いため省
エネルギー効果があり、しかも短時間の熱処理で充分々
ため、同じく省エネルギー効果とともに高効率生産化す
ることが可能となった。しかも、膜の機械的強度は、従
来方法の場合に比し大きいため、膜のクラック等機械的
強度が不充分なだめに引き起される種々の欠陥の発生は
皆無と々つだ実施例 ２ 固体撮像素子基板上にＴＨＢＰを８ｗｔ、％含むＰＧＭ
Ａを回転塗布した後、２００℃、１００秒の熱処理を施
した。これに、ＰＧＭＡ膜が不要なボンデイングパノド
部等に遠紫外光を照射した。次にＭＥＫ＋エチルアルコ
ール現像液に２分間浸して現像後、メチルイソブチルケ
トンにより、リンス処理を行なった。次に、２００℃、
１５分間の熱処理によシ、パターン化したＰＧＭＡを強
固に熱架橋させ、機械的強度を大きくした。以下、実施
例１で示した如く、色フィルタを形成後、染色防止膜を
前記の保護膜と同様に形成し、さらに、色フィルタを実
施例１と同様に形成した。その後、前記した保護膜と同
様にして保護膜を形成し、第１図に示したものと同様々
構造物を得た。最後に、これら素子をチップごとに切っ
て増り出し、パッケージに組み込み、ボンディングバソ
ドと端子間をワイヤーボンディング後封止し、カラー固
体撮像素子を得た。
基板１上に゛自−（ＢＰ添加ＰＱＭＡ （添加量：Ｑ、
８ｗｔ、％）を回転塗布し、１４０℃、１０分の熱処理
を行なった。（従来の無添加ＰＧＭＡの場合には、２０
０℃、６０分の熱処理を行なっていた）次に、素子基板
上のボンデイングパソド部等ＰＧＭＡの不要々部分に対
し、遠紫外光（波長２１０ｎｍ程度）を照射した後、Ｍ
Ｅ Ｋ＋エチルアルコールにて現像し、さらに、メチ
ルイソブチルケトンにより洗った後、回転乾燥した。次
に２００℃、１０分（従来は２００℃、４０分で不充分
であり、膜中にクラック等の欠陥が発生していた）の熱
処理を施し、強力に熱架橋し、パターン化した保護膜４
１ を機械的にも充分強い膜としだ。次に、この上に
パターン化したゼラチン膜を形成後、例えばシアン染料
によりゼラチン膜を染色し、色フィルタ３１を形成した
。以下、保護膜４１と同様な方法により染色防止膜４２
を形成した。まだ、この上に色フィルタ３１と同様に、
色フィルタ３２を、例えば、黄色染料により染色し、形
成した。次に、保護膜４１と同様にして、保護膜４６を
形成し、固体撮像素子基板上に光学フィルタを形成した
。この色フイルタ形成工程では熱処理温度が低いため省
エネルギー効果があり、しかも短時間の熱処理で充分々
ため、同じく省エネルギー効果とともに高効率生産化す
ることが可能となった。しかも、膜の機械的強度は、従
来方法の場合に比し大きいため、膜のクラック等機械的
強度が不充分なだめに引き起される種々の欠陥の発生は
皆無と々つだ実施例 ２ 固体撮像素子基板上にＴＨＢＰを８ｗｔ、％含むＰＧＭ
Ａを回転塗布した後、２００℃、１００秒の熱処理を施
した。これに、ＰＧＭＡ膜が不要なボンデイングパノド
部等に遠紫外光を照射した。次にＭＥＫ＋エチルアルコ
ール現像液に２分間浸して現像後、メチルイソブチルケ
トンにより、リンス処理を行なった。次に、２００℃、
１５分間の熱処理によシ、パターン化したＰＧＭＡを強
固に熱架橋させ、機械的強度を大きくした。以下、実施
例１で示した如く、色フィルタを形成後、染色防止膜を
前記の保護膜と同様に形成し、さらに、色フィルタを実
施例１と同様に形成した。その後、前記した保護膜と同
様にして保護膜を形成し、第１図に示したものと同様々
構造物を得た。最後に、これら素子をチップごとに切っ
て増り出し、パッケージに組み込み、ボンディングバソ
ドと端子間をワイヤーボンディング後封止し、カラー固
体撮像素子を得た。
以上述べたように、本発明によれば、色フイルタ構成物
である保護膜、染色防止膜の機械的強度を著しく向上さ
せることができるため、膜のクラック等の欠陥の発生を
皆無とすることができるものである。このクラックは再
生画像にムラ等の発生を起すものであり、したがって、
本発明によれば、高品位のカラーカメラを提供できるも
のである。
である保護膜、染色防止膜の機械的強度を著しく向上さ
せることができるため、膜のクラック等の欠陥の発生を
皆無とすることができるものである。このクラックは再
生画像にムラ等の発生を起すものであり、したがって、
本発明によれば、高品位のカラーカメラを提供できるも
のである。
また、本発明によれば、弱い熱処理でも膜の熱架橋反応
が充分進行するものであるから、熱処理温度の低下、あ
るいは熱処理時間の短縮の効果が・１１ ・ あることから、省エネルギーおよび生産効率の向上効果
が実現される。例えば、熱処理温度は、２００℃から１
４０℃にできる。２００℃一定でＴ Ｈ１３Ｉ’のＰＧ
ＭＡへの添加量を８ｗｔ１％とすれば、従来６０分の加
熱処理でもクラック等の発生が見られたものが、本発明
によれば、露光前は１００秒で充分であり、現像後は、
１５分間の加熱処理により、クラック等の発生のない、
機械的強度の充分な色フィルタを得ることができるもの
である。
が充分進行するものであるから、熱処理温度の低下、あ
るいは熱処理時間の短縮の効果が・１１ ・ あることから、省エネルギーおよび生産効率の向上効果
が実現される。例えば、熱処理温度は、２００℃から１
４０℃にできる。２００℃一定でＴ Ｈ１３Ｉ’のＰＧ
ＭＡへの添加量を８ｗｔ１％とすれば、従来６０分の加
熱処理でもクラック等の発生が見られたものが、本発明
によれば、露光前は１００秒で充分であり、現像後は、
１５分間の加熱処理により、クラック等の発生のない、
機械的強度の充分な色フィルタを得ることができるもの
である。
第１図は固体カラー撮像素子の断面図である。
第２図はＴＨＢＰをＰＧＭＡに添加した場合に熱架橋反
応の進行が速く起ることを示す実験結果のグラフで、横
軸は熱処理強度（対数目盛）、縦軸はＭＥＫ処理による
ＰＧＭＡの残膜率を示す。 第６図はＴＨＢＰを添加したＰＧＭＡＯ遠紫外光露光に
よる加工性を露光前の熱処理条件との関係について求め
た実験結果を示すグラフで、横軸は熱処理強度（対数目
盛）、縦軸はＴＨＢＰ添加濃度（対数目盛）を示す。 ・１２・ １・・・固体撮像素子基板 ６１．６２・・・色フィルタ ４１．４６・・・保護膜 ４２・・・染色防止膜 代理人弁理士 中村純之助 オ １ 図 第２図 第３図 ３２１−
応の進行が速く起ることを示す実験結果のグラフで、横
軸は熱処理強度（対数目盛）、縦軸はＭＥＫ処理による
ＰＧＭＡの残膜率を示す。 第６図はＴＨＢＰを添加したＰＧＭＡＯ遠紫外光露光に
よる加工性を露光前の熱処理条件との関係について求め
た実験結果を示すグラフで、横軸は熱処理強度（対数目
盛）、縦軸はＴＨＢＰ添加濃度（対数目盛）を示す。 ・１２・ １・・・固体撮像素子基板 ６１．６２・・・色フィルタ ４１．４６・・・保護膜 ４２・・・染色防止膜 代理人弁理士 中村純之助 オ １ 図 第２図 第３図 ３２１−
Claims (4)
- （１） ポリグリシジルメタクリレートよりなる有機
樹脂の膜に遠紫外光を照射し、低分子化することにより
該有機樹脂の膜を加工する方法において該樹脂中に架橋
剤を添加し、成膜後遠紫外光を照射・現像処理すること
を特徴とする有機樹脂膜の加工方法。 - （２）前記のポリグリシジルメタクリレートよりなる有
機樹脂は、ポリグリシジルメタクリレートまたはポリグ
リシジルメタクリレートの共重合体である特許請求の範
囲第１項記載の有機樹脂膜の加工方法。 - （３） 前記の遠紫外光を照射・現像処理の前および
後に熱処理を施すものである特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の有機樹脂膜の加工方法。 - （４） 前記のポリグリシジルメタクリレートよりな
る樹脂はポリグリシジルメタクリレートであり前記の架
橋剤は２・２′、４・４′テトラヒドロキシベンゾフエ
ノンにして、その添加量はポリグリシジルメタクリレー
トに対し、０．０６〜５０ Ｗｔ、 ％の範囲であるも
のにおいて、前記の遠紫外光を照射・現像処理の前の熱
処理強度（単位：℃×分）は横軸熱処理強度、縦軸添加
濃度の対数目盛グラフにおいて、添加量が０．０３ ｗ
ｔ、 ％の場合には１×１０５．５Ｑｗｔ、チの場合に
は１×１０′５．０２点を結ぶ直線以下の点で示される
熱処理強度である特許請求の範囲第６項記載の有機樹脂
膜の加工方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57230540A JPS59121045A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 有機樹脂膜の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57230540A JPS59121045A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 有機樹脂膜の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59121045A true JPS59121045A (ja) | 1984-07-12 |
Family
ID=16909350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57230540A Pending JPS59121045A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 有機樹脂膜の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59121045A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01296237A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターンの形成方法 |
| JPH02973A (ja) * | 1988-03-15 | 1990-01-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物 |
| US8262757B2 (en) | 2006-04-04 | 2012-09-11 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Infrared cured abrasive articles |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57230540A patent/JPS59121045A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02973A (ja) * | 1988-03-15 | 1990-01-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物 |
| JPH01296237A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターンの形成方法 |
| US8262757B2 (en) | 2006-04-04 | 2012-09-11 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Infrared cured abrasive articles |
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