JPS59111362A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS59111362A JPS59111362A JP57221305A JP22130582A JPS59111362A JP S59111362 A JPS59111362 A JP S59111362A JP 57221305 A JP57221305 A JP 57221305A JP 22130582 A JP22130582 A JP 22130582A JP S59111362 A JPS59111362 A JP S59111362A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 31
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- -1 Hf (hafnium) Chemical class 0.000 description 1
- 241000917012 Quercus floribunda Species 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009661 fatigue test Methods 0.000 description 1
- 230000000762 glandular Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置に係シ、特に侵入型遷移金属によ
多形成される電極又は電極配線層を有する半導体装置に
関する。
多形成される電極又は電極配線層を有する半導体装置に
関する。
一般に、ＴＩ（チタン） 、 Ｚｒ （ジルコニウム）
。
。
Ｈｆ （ハフニウム）等の侵入型遷移金属となる金属は
、高融点金属であシ、優れたバリア金属であることが知
られている。そして、Ｔｉの侵入型遷移金属であるＴｉ
Ｎは、ｓｉ（シリコン）のｎ型基板とオーミックコンタ
クトをすることが知られている。また、ＳＳ（シリコン
）を用いた５Ｒ（Ｓｉ口ｃｏｎ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ
）に用いられている電極としてＮｉにッケル）があシ、
この場合のオーミックコンタクトは３００〜４００℃の
半田ディッゾ温度で達成される。
、高融点金属であシ、優れたバリア金属であることが知
られている。そして、Ｔｉの侵入型遷移金属であるＴｉ
Ｎは、ｓｉ（シリコン）のｎ型基板とオーミックコンタ
クトをすることが知られている。また、ＳＳ（シリコン
）を用いた５Ｒ（Ｓｉ口ｃｏｎ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ
）に用いられている電極としてＮｉにッケル）があシ、
この場合のオーミックコンタクトは３００〜４００℃の
半田ディッゾ温度で達成される。
製造プロセスの短縮及び製造費の軽減を考慮すると、電
極又は電極配線材料としては６００℃以上の高温で形成
できるものが望ましい。
極又は電極配線材料としては６００℃以上の高温で形成
できるものが望ましい。
しかしながら、従来から用いられている尼（アルミニウ
ム）等の金属は低融点であシ、高温になると、半導体と
金属が反応するため、６００℃以上の温匿では使用でき
なかった。
ム）等の金属は低融点であシ、高温になると、半導体と
金属が反応するため、６００℃以上の温匿では使用でき
なかった。
この点、前記侵入型遷移金属は高融点でおるため、電極
又は電極配線材料として望ましい。
又は電極配線材料として望ましい。
また、とのＴＩＮは低抵抗であるため、ＭＯＳ（Ｍｅｔ
ａｌＯｘｌｄｅ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ） ｆ”
バイスのダート電極としても有望である。
ａｌＯｘｌｄｅ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ） ｆ”
バイスのダート電極としても有望である。
しかしながら、イオンシレーティングやプラズマＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｌｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏａｌｔ
ｌｏｎ ）又は反応性スパッタリングによ多形成される
Ｔ１゜Ｚｒ、Ｈｆ等の侵入型遷移金属ＴＩＮ 、 Ｚｒ
Ｎ 、 ＨｆＮ等は非常に膜ストレスが大きく、５１０
２等の絶縁膜との密着性が良くない。従って、実際に使
用する場合には、Ｔｉ／ＴＳＮ 、 Ｚｒ／ＺｒＮ 、
Ｈｆ／ＨｆＮの２層構造とし、ＴＩ＋Ｚｒ、Ｈｆ等の
金属単体を半導体または絶縁膜に接触させるようにして
いる。
（Ｃｈｅｍｌｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏａｌｔ
ｌｏｎ ）又は反応性スパッタリングによ多形成される
Ｔ１゜Ｚｒ、Ｈｆ等の侵入型遷移金属ＴＩＮ 、 Ｚｒ
Ｎ 、 ＨｆＮ等は非常に膜ストレスが大きく、５１０
２等の絶縁膜との密着性が良くない。従って、実際に使
用する場合には、Ｔｉ／ＴＳＮ 、 Ｚｒ／ＺｒＮ 、
Ｈｆ／ＨｆＮの２層構造とし、ＴＩ＋Ｚｒ、Ｈｆ等の
金属単体を半導体または絶縁膜に接触させるようにして
いる。
しかし、ＴＩ等の単体金属はＴＩＮ等よυもシート抵抗
が大きく、またＴＩ等は６００℃以上の高温で熱処理を
施すと、完全に半導体中の主成分と反応してしまう。例
えば、半導体基板としてｓｉを用いた場合には、完全に
シリサイド化されてしまう。また、ｎｔ−ｖ族半導体を
用いた場合には、■族か■族のうち少なくとも一つの元
素と化合物を形成する。これら半導体の主成分とＴｉ等
の化合物は、Ｔ１等の単体の場合よシもさらに接触抵抗
が大きくなる。このため、この２層構造では、６００℃
以上の高温でオーミックコンタクトを得ることはできな
かった。
が大きく、またＴＩ等は６００℃以上の高温で熱処理を
施すと、完全に半導体中の主成分と反応してしまう。例
えば、半導体基板としてｓｉを用いた場合には、完全に
シリサイド化されてしまう。また、ｎｔ−ｖ族半導体を
用いた場合には、■族か■族のうち少なくとも一つの元
素と化合物を形成する。これら半導体の主成分とＴｉ等
の化合物は、Ｔ１等の単体の場合よシもさらに接触抵抗
が大きくなる。このため、この２層構造では、６００℃
以上の高温でオーミックコンタクトを得ることはできな
かった。
また、ＴｉＮ 、 ＺｒＮ 、 ＨｆＮ等は膜ストレス
が大きいために、コンタクトホール等のテーパマージン
がなく、テーパ角が２０度以下でないと断切れが生じる
。従って、微細なコンタクトホールを形成するのは非常
に困難である。
が大きいために、コンタクトホール等のテーパマージン
がなく、テーパ角が２０度以下でないと断切れが生じる
。従って、微細なコンタクトホールを形成するのは非常
に困難である。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的
は、高温で絶縁膜との密着性が良く、かつ半導体とオー
ミックコンタクトを形成することができる電極又は電極
配線層を有する半導体装置を提供することにある。
は、高温で絶縁膜との密着性が良く、かつ半導体とオー
ミックコンタクトを形成することができる電極又は電極
配線層を有する半導体装置を提供することにある。
すなわち、この発明は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆのうち少なく
とも１糊類の金属と窒素との化合物で、当該窒素を４０
〜６０チのモル比率に有し、かつノ京子百分率（ａｔｍ
ｉｅ％）で１〜２０％のＴａを含有する侵入型遷移金属
によシミ極又は電極配線層を形成するものである。
とも１糊類の金属と窒素との化合物で、当該窒素を４０
〜６０チのモル比率に有し、かつノ京子百分率（ａｔｍ
ｉｅ％）で１〜２０％のＴａを含有する侵入型遷移金属
によシミ極又は電極配線層を形成するものである。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
この実施例においては、ＴｉＮを用いて説明する。第１
図はＴＩＮとＴａ （タンタル）との組成比と腺ストレ
スの関係を示し、また第２図はＮ型シリコン基板（Ｎ１
Ｂ＝ １ｘ ＩＱ”ｃｒｎ−’ ）を用いた場合のＴＩ
ＮとＴａとの組成比と接触抵抗との関係を示すものであ
る。なお、膜ストレス及び接触抵抗の単位はいずれも任
意である。
図はＴＩＮとＴａ （タンタル）との組成比と腺ストレ
スの関係を示し、また第２図はＮ型シリコン基板（Ｎ１
Ｂ＝ １ｘ ＩＱ”ｃｒｎ−’ ）を用いた場合のＴＩ
ＮとＴａとの組成比と接触抵抗との関係を示すものであ
る。なお、膜ストレス及び接触抵抗の単位はいずれも任
意である。
第１図において、ＴＩＬを１〜２０％（原子百分率）含
有する場合にはＴｉＮの膜ストレスは小さいが、Ｔａが
１−未満、又はＴａを２５％以上含有する場合には、Ｔ
ｔＮの膜ストレスは急激に大きくなる。従って、ＴｉＮ
は１〜２０％のＴａを含有させると、Ｔａを含有しない
場合に比較して膜ストレスは大幅に軽減される。
有する場合にはＴｉＮの膜ストレスは小さいが、Ｔａが
１−未満、又はＴａを２５％以上含有する場合には、Ｔ
ｔＮの膜ストレスは急激に大きくなる。従って、ＴｉＮ
は１〜２０％のＴａを含有させると、Ｔａを含有しない
場合に比較して膜ストレスは大幅に軽減される。
このＴａを１〜２０チ含有するＴＩＮ Ｆｉ 、前述の
段切れの問題も解消できる。例えば、６０００Ｘの熱酸
化ｍ５ｉｏ２（２μｍの）やターン幅）上に膜厚２００
０ＸのＴａ ｆ含有しないＴＩＮを堆積した場合、熱酸
化膜のテーパ角が２５度以下でないと、ＴＩＮの段切れ
が生じる。これに対し、Ｔａを１〜２０％含有するＴｉ
Ｎでは同じ条件で、熱酸化膜のテーパ角が４５度以下あ
れば段切れは生じない。すなわち、通常用いられている
Ａｔの場合と同勢のテーパマージンを有するもので、微
細なコンタクトホールを形成することが可能である。
段切れの問題も解消できる。例えば、６０００Ｘの熱酸
化ｍ５ｉｏ２（２μｍの）やターン幅）上に膜厚２００
０ＸのＴａ ｆ含有しないＴＩＮを堆積した場合、熱酸
化膜のテーパ角が２５度以下でないと、ＴＩＮの段切れ
が生じる。これに対し、Ｔａを１〜２０％含有するＴｉ
Ｎでは同じ条件で、熱酸化膜のテーパ角が４５度以下あ
れば段切れは生じない。すなわち、通常用いられている
Ａｔの場合と同勢のテーパマージンを有するもので、微
細なコンタクトホールを形成することが可能である。
次に、絶縁膜との密着性については、Ｔａを含まないＴ
ｉＮの場合、膜ストレスが大きいため２０００１以上の
膜を熱酸化ＭＳｉ０２上に形成すると、クラックが発生
して均一な膜を形成することはできない。Ｔａが１％未
満またはＴａを２５−以上含む場合も、膜ストレスが大
きいために同様な現象が生じる。これに対して、Ｔａを
１〜２０％含有するＴｉＮの場合は、前述のように膜ス
トレスが小さいために、膜厚５０００１の膜でも均一に
形成することができる。
ｉＮの場合、膜ストレスが大きいため２０００１以上の
膜を熱酸化ＭＳｉ０２上に形成すると、クラックが発生
して均一な膜を形成することはできない。Ｔａが１％未
満またはＴａを２５−以上含む場合も、膜ストレスが大
きいために同様な現象が生じる。これに対して、Ｔａを
１〜２０％含有するＴｉＮの場合は、前述のように膜ス
トレスが小さいために、膜厚５０００１の膜でも均一に
形成することができる。
次に、第２図について説明する。同図において、ａはＮ
（窒素）を４０％（モル比率）含有するＴｉＮ、 ｂは
Ｎを６０チ（モル比率）含有するＴｉＮの特性をそれぞ
れ示し、またＣはＡ−ｔ（アルミニウム）の接触抵抗を
示している。同図から、Ｔａを１〜２０ｑｂ含有するＴ
ＩＮは、Ｍとほぼ同等の接触抵抗を有することが判る。
（窒素）を４０％（モル比率）含有するＴｉＮ、 ｂは
Ｎを６０チ（モル比率）含有するＴｉＮの特性をそれぞ
れ示し、またＣはＡ−ｔ（アルミニウム）の接触抵抗を
示している。同図から、Ｔａを１〜２０ｑｂ含有するＴ
ＩＮは、Ｍとほぼ同等の接触抵抗を有することが判る。
また、このＴａの含有量ではシート抵抗自体は従来がら
用いられている高融点金属Ｍ□ 、 Ｍｏ８１よシ低く
、ＭＯＳデバイスのｆ−）材料として使用することも可
能である。
用いられている高融点金属Ｍ□ 、 Ｍｏ８１よシ低く
、ＭＯＳデバイスのｆ−）材料として使用することも可
能である。
以上はＴｉＮについて述べたものであるが、ＺｒＮ 、
ＨｆＮ ノ場合も１〜２０％（ｉｌ）Ｔａ含有量で絶
縁膜と密着性が良く、かつ半導体とオーミックコンタク
トを形成することができる。この場合も、６００℃以上
の高温で熱処理を施すことができる。
ＨｆＮ ノ場合も１〜２０％（ｉｌ）Ｔａ含有量で絶
縁膜と密着性が良く、かつ半導体とオーミックコンタク
トを形成することができる。この場合も、６００℃以上
の高温で熱処理を施すことができる。
また、Ｔ ｉＮ ｖ ＺｒＮ 、ＨｆＮのいずれにおい
ても、Ｎ（Ｎ素）のモル比率が４０〜６０％の場合が、
化学的、物理的に安定であシ、かつＴ＆を原子百分率で
１〜２０チ含有する場合に、膜のシート抵抗も最小にな
ル、電極又は配縁材料として優れた性質を有する。
ても、Ｎ（Ｎ素）のモル比率が４０〜６０％の場合が、
化学的、物理的に安定であシ、かつＴ＆を原子百分率で
１〜２０チ含有する場合に、膜のシート抵抗も最小にな
ル、電極又は配縁材料として優れた性質を有する。
笑際、ＴＩＮを例にとると、Ｎの含有量により電気的特
性が大きく変化する。第３図にＴＩＮ中のＮの含有率と
フォワード電圧Ｖｒとの関係を示す。Ｎの含有量が４０
％未満になると急激にｖｒが高くなシ、６０−以上でも
同様に嶋くなる。また、Ｎの含有量が６０％以上になる
と、ＴｉＮは熱処理によって膜質が変化しやすくなる。
性が大きく変化する。第３図にＴＩＮ中のＮの含有率と
フォワード電圧Ｖｒとの関係を示す。Ｎの含有量が４０
％未満になると急激にｖｒが高くなシ、６０−以上でも
同様に嶋くなる。また、Ｎの含有量が６０％以上になる
と、ＴｉＮは熱処理によって膜質が変化しやすくなる。
特に、脱Ｎ２によると見られる小孔が形成されたシ、多
層電極として用いた場合、ＡＡ等と非常に反応しやすく
なり、バリア金属としてのバリア効果も小さくなる。
層電極として用いた場合、ＡＡ等と非常に反応しやすく
なり、バリア金属としてのバリア効果も小さくなる。
第４図は、Ｔａを３〜２０％含有し、かつ４０〜６０％
のモル比率でＮを含むＴＩＮによシグート電極を形成し
た縦型パワーＭＯ８ＦＥＴの構造を示すものである。同
図において、１１は１層、１２はＮ一層、１３は上記Ｔ
ＩＮＫよ多形成されたダート電極、１４はＥＱＰＲ（Ｅ
ｑｕｉｐｏｔｅｎｔｉａｌシｎｇ） ｔＭ、極、１５は
ＧＲ（ｑｕａｒｄ Ｒｌｎｇ）電極、１６はソース電極
、１７はダート電極、１８は５１０２膜、１９はドレイ
ン電極である。
のモル比率でＮを含むＴＩＮによシグート電極を形成し
た縦型パワーＭＯ８ＦＥＴの構造を示すものである。同
図において、１１は１層、１２はＮ一層、１３は上記Ｔ
ＩＮＫよ多形成されたダート電極、１４はＥＱＰＲ（Ｅ
ｑｕｉｐｏｔｅｎｔｉａｌシｎｇ） ｔＭ、極、１５は
ＧＲ（ｑｕａｒｄ Ｒｌｎｇ）電極、１６はソース電極
、１７はダート電極、１８は５１０２膜、１９はドレイ
ン電極である。
このＭＯＳＦＥＴにおいては、従来から用いられている
多結晶シリコンゲートに比較して、ダート抵抗を２桁低
く（１０ｏＱＡ３→ｌΩ／口）おさえることができ、高
周波特性が大幅に向上した。
多結晶シリコンゲートに比較して、ダート抵抗を２桁低
く（１０ｏＱＡ３→ｌΩ／口）おさえることができ、高
周波特性が大幅に向上した。
また、集積度が３０％向上し、コンダクタンスｇｍが２
０％向上した。
０％向上した。
第５図はＴａを原子百分率で３〜２０チ含有し、かつ４
０〜６０％のモル比率でＮを含むＴＩＮによ〕電極を形
成した５Ｒ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ）の
構造を示すものである。同図において、２１はＰ＋層、
２２はＮ一層、２３はＮ＋層、２４は上記ＴＩＮによる
電極、２５はＮｉにッケル）層、２６は半田層、２７は
リード、２８は保護ガラス膜である。
０〜６０％のモル比率でＮを含むＴＩＮによ〕電極を形
成した５Ｒ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ）の
構造を示すものである。同図において、２１はＰ＋層、
２２はＮ一層、２３はＮ＋層、２４は上記ＴＩＮによる
電極、２５はＮｉにッケル）層、２６は半田層、２７は
リード、２８は保護ガラス膜である。
仁のＳＲにおいては、電極としてＴａを含まないＴｉＮ
を用いた場合に比較して、機械的強度及びＴＰＴ （熱
疲労試験）％性が非常に良くなる。
を用いた場合に比較して、機械的強度及びＴＰＴ （熱
疲労試験）％性が非常に良くなる。
第６図は電極としてＴａを３〜２０％含有するＴｉＮを
用いた場合（ａで示す）と、従来用いられているＮｉ／
Ｃｏ構造を用いた場合（ｂで示す）とを比較して不良品
の発生率を示すものである。
用いた場合（ａで示す）と、従来用いられているＮｉ／
Ｃｏ構造を用いた場合（ｂで示す）とを比較して不良品
の発生率を示すものである。
１０４時間で比較すると、不良率はＮｉ／Ｃｏの場合Ｉ
ｒ１０．８チであるが、ＴｉＮの場合は０，３チと向上
した。
ｒ１０．８チであるが、ＴｉＮの場合は０，３チと向上
した。
尚、上記実施例においては、この発明をパワー ＭＯＳ
ＦＥＴ 、 ＳＲの電極材料として適用した場合につい
て説明したが、これに限るものではなく、その他ＳＣＲ
（旦１目ｃｏｎ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｒｅｃｔｉｆ
ｉｅｒ ）等、さらにはこれらディスクリートデバイス
のみならず、バイポーラＩＣ、ＬＳＩ等の電極又は電極
配線材料としても適用できるものである。また、ｍ−ｖ
族生導体への適用も可能である。
ＦＥＴ 、 ＳＲの電極材料として適用した場合につい
て説明したが、これに限るものではなく、その他ＳＣＲ
（旦１目ｃｏｎ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｒｅｃｔｉｆ
ｉｅｒ ）等、さらにはこれらディスクリートデバイス
のみならず、バイポーラＩＣ、ＬＳＩ等の電極又は電極
配線材料としても適用できるものである。また、ｍ−ｖ
族生導体への適用も可能である。
以上のようにこの発明によれば、高温において絶縁膜と
の密着性が良く、かつ半導体とオーミックコンタクトを
形成することのできる電極又は電極配線層を得ることが
できるので、製造プロセスの短縮及び製造費の軽減化を
図ることができる。
の密着性が良く、かつ半導体とオーミックコンタクトを
形成することのできる電極又は電極配線層を得ることが
できるので、製造プロセスの短縮及び製造費の軽減化を
図ることができる。
第１図はＴＩＮとＴａとの組成比と、膜ストレスとの関
係を示す図、第２図はＴＩＮとＴ＆との組成比と、接触
抵抗との関係を示す図、Ｍ３図はＴｉＮ中のＮＯ含有率
とフォワード電圧■Ｆとの関係を示す図、第４図はこの
発明の一実施例に係る半導体装置の構成を示す断面図、
第５図はこの発明の他の笑施列に係る半導体装置の断面
図、第６図はＴＥＴ時間と不良品の発生率をこの発明と
従来例を比較して示す図である。 １３・・・ダート電極（ＴＩＮ）へ２４・・・電極（Ｔ
ＩＮ）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
ｔｓ２図 第３図 Ｎのもルに千代） 第 ４５ｉ！１
係を示す図、第２図はＴＩＮとＴ＆との組成比と、接触
抵抗との関係を示す図、Ｍ３図はＴｉＮ中のＮＯ含有率
とフォワード電圧■Ｆとの関係を示す図、第４図はこの
発明の一実施例に係る半導体装置の構成を示す断面図、
第５図はこの発明の他の笑施列に係る半導体装置の断面
図、第６図はＴＥＴ時間と不良品の発生率をこの発明と
従来例を比較して示す図である。 １３・・・ダート電極（ＴＩＮ）へ２４・・・電極（Ｔ
ＩＮ）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
ｔｓ２図 第３図 Ｎのもルに千代） 第 ４５ｉ！１
Claims (1)
- Ｔ１．Ｚｒ、Ｉｆのうち少なくとも１種類の金属と窒素
との化合物で、当該窒素を４０〜６０チのモル比率に持
ち、かつ原子百分率で１〜２０チのＴａを含む侵入型遷
移金属によシミ極又は電極配線層を形成したことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57221305A JPS59111362A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57221305A JPS59111362A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59111362A true JPS59111362A (ja) | 1984-06-27 |
Family
ID=16764707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57221305A Pending JPS59111362A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59111362A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62123769A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-05 | Sony Corp | 半導体装置 |
| US4823182A (en) * | 1986-11-21 | 1989-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with a diffusion barrier contact of a refractory metal nitride and either carbon or boron |
-
1982
- 1982-12-17 JP JP57221305A patent/JPS59111362A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62123769A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-05 | Sony Corp | 半導体装置 |
| US4823182A (en) * | 1986-11-21 | 1989-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with a diffusion barrier contact of a refractory metal nitride and either carbon or boron |
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