JPS5910964A - 画像記録装置 - Google Patents
画像記録装置Info
- Publication number
- JPS5910964A JPS5910964A JP57120311A JP12031182A JPS5910964A JP S5910964 A JPS5910964 A JP S5910964A JP 57120311 A JP57120311 A JP 57120311A JP 12031182 A JP12031182 A JP 12031182A JP S5910964 A JPS5910964 A JP S5910964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light beam
- image
- photosensitive drum
- picture recording
- multiple longitudinal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/032—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information reproduction
- H04N1/036—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information reproduction for optical reproduction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ビームによシ記録体にＩ［！ｊ像を記録する
画像記録装置に関する。
画像記録装置に関する。
従来レーザを光源とする電子写真方式の記録装置の感光
体としては、セレン、セレン系合金、硫化カドミウム樹
脂分散系、ポリビニルカルバゾールとトリニトロンルオ
レノンとの電荷移動錯体などが用いられてきた。またレ
ーザとしてはへリウムーカドミ、アルゴン、ヘリウム−
ネオｙガどのガスレーザが用いられ、さらには小型、低
コストで、直接変調が可能な半導体レーザが用いられる
よ５になった。
体としては、セレン、セレン系合金、硫化カドミウム樹
脂分散系、ポリビニルカルバゾールとトリニトロンルオ
レノンとの電荷移動錯体などが用いられてきた。またレ
ーザとしてはへリウムーカドミ、アルゴン、ヘリウム−
ネオｙガどのガスレーザが用いられ、さらには小型、低
コストで、直接変調が可能な半導体レーザが用いられる
よ５になった。
また感光体に関しては、使用するレーザ光の波長に応じ
て、十分な感度と帯電特性が得られるように、電荷移動
層と電荷発生層との積層型感光体が注目されている。単
一の光導電層を用いる感光体に較べて積層型感光体では
感光は電荷発生層のみに依存させることができるので、
使用するレーザ光の波長に対して感光を持つ光導電材料
を比較的自由に選べることができる。
て、十分な感度と帯電特性が得られるように、電荷移動
層と電荷発生層との積層型感光体が注目されている。単
一の光導電層を用いる感光体に較べて積層型感光体では
感光は電荷発生層のみに依存させることができるので、
使用するレーザ光の波長に対して感光を持つ光導電材料
を比較的自由に選べることができる。
積層型感光体の電荷発生層は、光を吸収して自由電荷を
発生させる役割をもち、その厚さは０．１〜５μｍと薄
いのが通例である。
発生させる役割をもち、その厚さは０．１〜５μｍと薄
いのが通例である。
電荷移動層は、静電荷の受容と自由電荷の輸送の役割を
もち、像形成光をほとんど吸収しないものを用い、その
厚さは通例５〜６０μｍである。
もち、像形成光をほとんど吸収しないものを用い、その
厚さは通例５〜６０μｍである。
ところで、このような積層型感光体を用い、レーザプリ
ンタでレーザ光をライン走査して画像を出してみると、
文字などのライン画像では問題にならないが、ベタ画像
の場合、干渉縞状の濃度ムラが現われる。
ンタでレーザ光をライン走査して画像を出してみると、
文字などのライン画像では問題にならないが、ベタ画像
の場合、干渉縞状の濃度ムラが現われる。
この原因は、電荷移動層赤面での反射光と金属などの基
体面での反射光との干渉と考えられる。
体面での反射光との干渉と考えられる。
即ち、積層型電子写真感光体は、第１図のように、基体
１の上に電荷発生層２と電荷移動層６とが積層された構
成になっている。この稿層型感光体にレーザ光４（発光
波長は例えば半導体レーザで約０．８μｍ１ヘリウム−
ネオンレーザで０．６６μｍ）が入射した場合、第２図
のように、反射の大きい電荷移動層３０表面での反射光
５と、基体１０表面で反射され電荷移動層６０表面から
出てくる光６との干渉が生ずる。電荷発生層２と電荷移
動層ろとの積層の屈折率をｎ、厚さをｄｘ、レーザ光の
波長をλとすると、ｎｄｘが２／′２の整数倍のときは
反射光の強度が極大、すなわち電荷移動層６の内部へ入
っていく光の強度が極小（エネルギー保存則による）、
ｎｄｌがλ／４の、奇数倍のときは反射光が極小、すな
わち内部へ入っていく光が極大となる。ところで、ｄｌ
には製造上１μｎ〕程度の場所ムラが避けられない。レ
ーザ光は単色性がよ（、コヒーレンｔ４ため、ｄｌの場
所ムラに対応して前記の干渉条件が変化し、電荷発生層
２でのレーザ光の吸収薙の場所ムラが生じ、それがペタ
画像の濃度の干渉縞状のムラとなって現われると考えら
れる。
１の上に電荷発生層２と電荷移動層６とが積層された構
成になっている。この稿層型感光体にレーザ光４（発光
波長は例えば半導体レーザで約０．８μｍ１ヘリウム−
ネオンレーザで０．６６μｍ）が入射した場合、第２図
のように、反射の大きい電荷移動層３０表面での反射光
５と、基体１０表面で反射され電荷移動層６０表面から
出てくる光６との干渉が生ずる。電荷発生層２と電荷移
動層ろとの積層の屈折率をｎ、厚さをｄｘ、レーザ光の
波長をλとすると、ｎｄｘが２／′２の整数倍のときは
反射光の強度が極大、すなわち電荷移動層６の内部へ入
っていく光の強度が極小（エネルギー保存則による）、
ｎｄｌがλ／４の、奇数倍のときは反射光が極小、すな
わち内部へ入っていく光が極大となる。ところで、ｄｌ
には製造上１μｎ〕程度の場所ムラが避けられない。レ
ーザ光は単色性がよ（、コヒーレンｔ４ため、ｄｌの場
所ムラに対応して前記の干渉条件が変化し、電荷発生層
２でのレーザ光の吸収薙の場所ムラが生じ、それがペタ
画像の濃度の干渉縞状のムラとなって現われると考えら
れる。
本発明は上記点に鑑みなされたものであり、干渉縞によ
る濃度ムラの生じない画像記録が可能な画像記録装置を
提供することを目的とする。
る濃度ムラの生じない画像記録が可能な画像記録装置を
提供することを目的とする。
ν１）も、本発明は光ビームを情報信号によシ変調して
記録体に画像を記録する画像記録装置において、前記元
ビームの縦モードがマルチとなっていることを特徴とす
るものである。
記録体に画像を記録する画像記録装置において、前記元
ビームの縦モードがマルチとなっていることを特徴とす
るものである。
以下本発明の実施例を図面を参照して詳細に欣明する。
第３図は本発明を適用した画像記録装置の概略構成を示
す斜視図である。１０は元ビームを発生させるための元
ビーム発生ユニットで、出射される光ビームの縦モード
がマルチとなっている。本実施例では半導体レーザによ
シ構成されている。１１は元ビーム発生ユニット１０か
ら出射される光ビームをコリメートスるためのコリメー
タレンズ、１２は鏡面を複数個有する多面体回転鏡で、
コリメータレンズ１１によりコリメートされた光ビーム
を偏向する。１３は多面体回転鏡１２を定速回転させる
ためのモータ、１４は多面体回転鏡１２によシ掃引され
る光ビームを感光ドラム１７上にスポット状に結像させ
るためのｆ−〇レンズ、１５は小さな入射スリットと応
答時間の速い／を電変換素子から成るビーム検出器で、
掃引される光ビーム１６の走査開始位置を検出しこの検
出信号をもって感光ドラム１７上に所望の光情報を与え
、るための変調制御のための変刺制御信号のスタートタ
イミングを決定する。１７は第１，２図に示した如き積
層型の構成を有するＯＰＣ感光体、１８は感光体１７の
表面を正又は負に一様に帯電する帯電器、１９は感光体
１７上に形成される靜′＃を潜像を可視化するための現
像器、２０は現像器１９によυ視像された像が転写され
るシートである。
す斜視図である。１０は元ビームを発生させるための元
ビーム発生ユニットで、出射される光ビームの縦モード
がマルチとなっている。本実施例では半導体レーザによ
シ構成されている。１１は元ビーム発生ユニット１０か
ら出射される光ビームをコリメートスるためのコリメー
タレンズ、１２は鏡面を複数個有する多面体回転鏡で、
コリメータレンズ１１によりコリメートされた光ビーム
を偏向する。１３は多面体回転鏡１２を定速回転させる
ためのモータ、１４は多面体回転鏡１２によシ掃引され
る光ビームを感光ドラム１７上にスポット状に結像させ
るためのｆ−〇レンズ、１５は小さな入射スリットと応
答時間の速い／を電変換素子から成るビーム検出器で、
掃引される光ビーム１６の走査開始位置を検出しこの検
出信号をもって感光ドラム１７上に所望の光情報を与え
、るための変調制御のための変刺制御信号のスタートタ
イミングを決定する。１７は第１，２図に示した如き積
層型の構成を有するＯＰＣ感光体、１８は感光体１７の
表面を正又は負に一様に帯電する帯電器、１９は感光体
１７上に形成される靜′＃を潜像を可視化するための現
像器、２０は現像器１９によυ視像された像が転写され
るシートである。
半導体レーザ１０は画像情報に応じて電流変調されて、
光ビームを出射する。この光ビームはコリメータレンズ
１１でコリメートされて定速回転ンズ１４により感光ド
ラム１７土に照射される。
光ビームを出射する。この光ビームはコリメータレンズ
１１でコリメートされて定速回転ンズ１４により感光ド
ラム１７土に照射される。
感光ドラム１７は帯電器１８によシ正又は負に帯電され
ており、照射される元ビームに応じて感光た後不図示の
転写手段によりシート２０に転写され、不図示の定着手
段により転写像が定着されてプリント像が得られる。
ており、照射される元ビームに応じて感光た後不図示の
転写手段によりシート２０に転写され、不図示の定着手
段により転写像が定着されてプリント像が得られる。
第４図は第６図における元ビーム発生ユニットの一実施
例である中心発振波長８２０ ｎｍの半導体し−ザのス
ペクトルを示す図である。
例である中心発振波長８２０ ｎｍの半導体し−ザのス
ペクトルを示す図である。
この半導体レーザな用いてベタ画稼出しを行なった場合
、ベタ画像の干渉縞状のムラは第５図に示す如き単色性
のきわめて高いコヒーレントな同一波長の半導体レーザ
を使用した場合大さく現われたのに比べ、上記の如き縦
モードがマルチの半導体レーザを使用する事により干渉
縞状の濃度ムラは実用上問題のない程度となった。干渉
は発振波長に応じた干渉条件に合致することにより現わ
れるため、縦モードがマルチである光ビームを使用する
ことによシこれを分散することができ、干渉縞を解消す
ることができる。
、ベタ画像の干渉縞状のムラは第５図に示す如き単色性
のきわめて高いコヒーレントな同一波長の半導体レーザ
を使用した場合大さく現われたのに比べ、上記の如き縦
モードがマルチの半導体レーザを使用する事により干渉
縞状の濃度ムラは実用上問題のない程度となった。干渉
は発振波長に応じた干渉条件に合致することにより現わ
れるため、縦モードがマルチである光ビームを使用する
ことによシこれを分散することができ、干渉縞を解消す
ることができる。
尚、本実施例においては縦モードのマルチの程度が少々
かったが、半導体レーザの縦モードのマルチの程度が大
きければ大きい程その効果は犬になるのでできるだけ波
長巾は大きい事が望ましい。
かったが、半導体レーザの縦モードのマルチの程度が大
きければ大きい程その効果は犬になるのでできるだけ波
長巾は大きい事が望ましい。
第６図は本発明における光ビーム発生ユニットとして使
用できるＧａ Ａｓ Ａｉ −Ｌ ＥＤのスペクトルを
示す図である。
用できるＧａ Ａｓ Ａｉ −Ｌ ＥＤのスペクトルを
示す図である。
結像スポットサイズ、記録スピードはＬＥＤの為、前述
の実施例と同一にはならないが波長巾が１１００ｘ１程
あり干渉縞は実用上問題にならない程度であった。
の実施例と同一にはならないが波長巾が１１００ｘ１程
あり干渉縞は実用上問題にならない程度であった。
以上の様に本発明によれば、縦モードがマルチとなって
いる光ビームにより画像記録を行なうため、干渉縞によ
る影響を減少させることができ、濃度ムラの々い画像記
録を行な５ことが可能となる。
いる光ビームにより画像記録を行なうため、干渉縞によ
る影響を減少させることができ、濃度ムラの々い画像記
録を行な５ことが可能となる。
第１図は積層型感光体の構成図、第２図は元ビームの干
渉を説明するための図、第６図は本発明を適用した画像
記録装置の概略構成を示す斜視図、第４図は本発明に適
用できる半導体レーザのスペクトルを示す図、第５図は
縦モードがシングルの半導体レーザのスペクトルを示す
図、第６図は本発明に適用できる１・Ｅ Ｉ）のスペク
トルを示す図である。 図中、１は基体、２は電荷発生層、３は電荷移動層、１
０は元ビーム発生ユニット、１１はコリメータレンズ、
１２は多面体回転鏡、１４Ｖｉｆ−θレンズ、１７は感
光ドラムである。 出願人 キャノン株式会社
渉を説明するための図、第６図は本発明を適用した画像
記録装置の概略構成を示す斜視図、第４図は本発明に適
用できる半導体レーザのスペクトルを示す図、第５図は
縦モードがシングルの半導体レーザのスペクトルを示す
図、第６図は本発明に適用できる１・Ｅ Ｉ）のスペク
トルを示す図である。 図中、１は基体、２は電荷発生層、３は電荷移動層、１
０は元ビーム発生ユニット、１１はコリメータレンズ、
１２は多面体回転鏡、１４Ｖｉｆ−θレンズ、１７は感
光ドラムである。 出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）元ビームを情報信号によシ変調して記録体に画像
を記録する画像記録装置において、前記光ビームの縦モ
ードがマルチとなっていることを特徴とする画像記録装
置。 （２、特許請求の範囲第１項において、前記光ビームが
半導体レーザよシ出射されることを特徴とする画像記録
装置。 （６）特許請求の範囲ｔｊｎ１項において、前記光ビー
ムがＬＥＤより出射されることを％徴とする画像記録装
置。 （４）特許請求の範囲第１項において、前記記録体が積
層型感光体であることを特徴とする画像記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57120311A JPS5910964A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 画像記録装置 |
| US06/807,115 US4667209A (en) | 1982-07-09 | 1985-12-10 | Image recording apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57120311A JPS5910964A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 画像記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5910964A true JPS5910964A (ja) | 1984-01-20 |
| JPH0466034B2 JPH0466034B2 (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=14783096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57120311A Granted JPS5910964A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 画像記録装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4667209A (ja) |
| JP (1) | JPS5910964A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0466034B2 (ja) * | 1982-07-09 | 1992-10-21 | Canon Kk |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3921178A1 (de) * | 1988-06-29 | 1990-01-04 | Minolta Camera Kk | Laserstrahl verwendendes bilderzeugendes geraet |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54143660A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-09 | Canon Inc | Optical system for semiconductor laser |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2540922A (en) * | 1946-09-13 | 1951-02-06 | Borg George W Corp | Facsimile phasing system |
| US3800302A (en) * | 1971-12-27 | 1974-03-26 | Xerox Corp | Recording oscillograph utilizing photoelectrophoretic techniques |
| US3783185A (en) * | 1972-01-28 | 1974-01-01 | Eastman Kodak Co | Multi-color acoustooptic modulator |
| DE2559628C3 (de) * | 1975-02-03 | 1980-08-14 | Canon K.K., Tokio | Infonnationsaufzeichnungsvorrichtung |
| US4375067A (en) * | 1979-05-08 | 1983-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device having a stabilized output beam |
| JPS5910964A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-20 | Canon Inc | 画像記録装置 |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP57120311A patent/JPS5910964A/ja active Granted
-
1985
- 1985-12-10 US US06/807,115 patent/US4667209A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54143660A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-09 | Canon Inc | Optical system for semiconductor laser |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0466034B2 (ja) * | 1982-07-09 | 1992-10-21 | Canon Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0466034B2 (ja) | 1992-10-21 |
| US4667209A (en) | 1987-05-19 |
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