JPH0425871A - 画像形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

この発明は、電子写真法による画像形成方法、特にコン
ピュータ等からのディジタル画像データで変調した変調
ビームにより感光体上に静電潜像を形成する画像形成方
法ｔこ関するものでおる。 〔背景技術〕 近年、感光体上に静電潜像を形成し、この潜像を現像し
て可視画像を得る電子写真等の分野において、画質の改
善、変換、編集等か容易で高品質の画像形成が可能なデ
ィジタル方式を採用した画像形成方法の研究開発が盛ん
になされている。 この画像形成方法に採用されるコンピュータまたは複写
原稿からのディジタル画像信号により光変調する走査光
学系として、■レーザ光学系に音響光学変調器を介在さ
せ、当該音響光学変調器により光変調する装置、■半導
体レーザを用い、レーザ強度を直接変調する装置があり
、これらの走査光学系から一様に帯電した感光体上にス
ポット露光してドツト状の画像を形成する。 前述の走査光学系から照射されるヒームは、裾が左右に
広かった正規分布状に近似した丸状や楕円状の輝度分布
となり、例えば半導体レーザビームの場合、通常、輝度
１〜６ｍＷで感光体上で主走査方向あるいは副走査方向
の一方あるいは両者か２０〜１００μｍという極めて狭
い丸状あるいは楕円状である。 笥１０図は低γ型感光体の特性を示す概略図である。 電子写真法による画像形成方法に適用される感光体とし
ては、一般に第１Ｏ図に示すように、光減衰が露光初期
で大きく、露光中期において緩慢であるいわゆる低γ型
光減衰特性を示すものがもっばら用いられてきた。 低γ型感光体としては、Ｓｅ　、　ＣｄＳ等単層梨のも
の、ＯＰＣで通常用いられている電荷発生層と電荷輸送
層とからなる二層構成のものが知られて入るが、上記半
導体特性を示す多くの感光体は、高電界中より低電界中
の方が一般的に光感度が低く、光量の増大による電位低
下と共に光感度が低下するものである。このことからア
ナログ複写機において、階調再現のためにもっばらこの
型の感光体が用いられたのである。 仮に前述の走査光学系から照射されるヒームで低γ感光
体上に静電潜像を形成すると、尚該感光体は一般に露光
初期において感度か高く、感光体の変動を拾いやすいこ
と及び狭い鮮鋭なドツト状の潜像が形成されないことに
なる。 かかるヒームにより形成された静電潜像を好ましくは反
転現像で現像してドツト画像を形成しても、しばしば鮮
鋭度の悪い画像となるという問題点があった。又、高密
度記録が困難となるという問題点も有していた。 〔目　的〕 本発明は、上述の問題点に鑑み、環境変動による感光体
の感度変化に影響されることなく、ド・ントの拡がりを
押さえて鮮明な潜像を形成し、更にドツトによる中間調
再現が忠実な画像を形成することを目的とする画像形成
方法を提供することにある。

【問題点を解決するだめの手段】

上記目的を達成するこの発明は、高γ感光体に対し、走
査光学系から変調ビームを照射して潜像を形成し、反転
現像を行う画像形成方法であって、前記感光体上でヒー
ム光量分布の最大光ｉＬＩ。及び前記感光体の電位を半
減する半減露光光量ＰＩ／。とか １．２×Ｐ　ｌ／：≦　■　ｏ≦２．５Ｘ　Ｐ　ｌ／２
の条件を満すことを特徴とするものである。 また、さらに本発明は前記変調ビームかパルス幅変調で
あることを特徴とするものである。

【作　用】

本発明の画像形成方法を説明するに先立ち、便宜のため
に高γ感光体の光減衰特性の概略及び高γ感光体上面に
結像される変調ビームの輝度分布及び高γ感光体上面に
おける潜像電位と露光量分布の関係について説明する。 先ず、高γ感光体の露光量分布に対する潜像電位の関係
について説明する。 第１図は本実施例の高γ感光体の潜像電位と露光量の関
係を示すグラフである。参考とし７てＳｅ。 ＯＰＣの特性を示す。 図において、縦軸は潜像電位Ｖ１を初期電位Ｖ。 で規格化したものであり、横軸は半減露光光量Ｐ１／２
で全面露光したときの露光量Ｉを規格化しｌ二ものであ
る。 露光量をパラメータにして画質の関係を調べると、高γ
感光体は■を１．２〜２．５にすることにより、画質が
最良になった。なお、Ｓｅ感光体の場合は１を３　Ｘ　
Ｐ　１７２〜５　Ｘ　Ｐ　ｌ／２に設定すると画質か最
良となる。また、ＯＰＣの場合、Ｉを４　Ｘ　Ｐ　ｌ／
２〜６×Ｐ　ｌ／２に設定することにより、画質が最良
となったが高γ感光体で形成される潜像の鮮明さ、鮮鋭
に及ばなかった。 つまり、高γ感光体を画像形成装置に採用するに当たっ
て、Ｓｅ、ＯＰＣ感光体の場合と異なり、走査光学系の
露光量Ｉ。を１．２ｘ　ｐ　ｌ／□〜２−５Ｘ　Ｐ　ｌ
／２と低く設定することは、高γ感光体の特性を充分に
引き出し潜像形成に利用する為の重要な要素である。 次に本発明に採用される高γ感光体の光減衰特性につい
て説明する。 第３図は高γ感光体の特性を示す概略図である。 図において、ｖｌは帯電電位（Ｖ）、Ｖｏは露光前の初
期電位（Ｖ）、Ｌ、は初期電位Ｖ０が４１５に減衰する
のに要するレーザビームの照射光量（μＪ／ｃｍ２）、
Ｌ２は初期電位ｖ。が１１５に減衰するのに要するレー
ザビームの照射光量（μＪ／ｃｍ’）を表す。 Ｌ、！／Ｌ、の好ましい範囲は １．０≦Ｌ２／Ｌ、≦１．５ である。 本突２ｔｉｌテハＶ　＋−１０００（Ｖ）、Ｖ　、−９
５０（Ｖ　）、Ｌ　２／　Ｌ、、＝　１．２である。又
露光部の感光体電位は］、　ＯＶである。 光減衰曲線が初期電位（ＶＯ）を１／２にまで減衰させ
た露光中期に相当する位置での光感度をＥ１７２とし、
初期電位（Ｖａ）を９７１０まで減衰させた露光初期に
相当する位置での光感度をＥ、７．。とじたとき、 （Ｅ　ｌ／２）／　（Ｅ　９／Ｉｏ）≧２好ましくは （Ｅ　ｌ／２）／（Ｆ　５ｚｉｏ）ｋ　５の関係を与え
る光導電性顔料体が選ばれる。なお、ここでは、光感度
は微少露光量に対する電位低下量の絶対値で定義される
。 当該感光体１の光減衰曲線は、第３図に示すような光感
度である電位特性の微分係数の絶対値か少光量時に小さ
く、光量の増大と供に急峻に減衰する。具体的には光減
衰曲線が第３図に示すようＣ：露光初期においては、若
干の期間り、、感度特性か悪くてほぼ横這いの光減衰特
性を示すが、露光の中期し、からＬ２にかけては、−転
して超高感度となってほぼ直線的に下降する超高γ特性
となる。感光体１は具体的には＋５００〜＋２０００　
Ｖの高帯電下におけるなだれ現象を利用して高ｙｊンマ
特性を得るものと考えられる。つまり、露光初期におい
て光導電性顔料の表面に発生したキャリアは当該顔料と
被覆樹脂との界面層に有効に１ラツプされて光減衰が確
実に抑制され、その結果、露光の中期においてきわめて
急激ななだれ現象が生しると解される。 次に上記にて得られた適正条件の物理的意味を考察して
みる。 第２図は走査光学系により感光体に結像されるビームの
輝度分布の一例を示すグラフである。 感光体１上に結像されるビームは、多くはカラシアン分
布あるいは類似形をしている。当該ビームの輝度分布は
Ｉ−ｅ　−２ｘ　（ｘ　／ｘｏ）２の軌跡にある。 このガウンアン分布において、Ｘ＝士Ｘ。／２の位置か
、この時１＝Ｉ。Ｘ　ｅ　−１７２となる。これがガウ
シアン分布となるビームの輝度分布において最も急峻に
変化する点ａである。 本発明の画像形成方法にあっては、前述の最も急峻に変
化するＸ＝土Ｘ０７２の位置での露光強度Ｉ、　Ｘ　ｅ
　−１／　２を後述する半減露光光量Ｐ１７．に一致さ
せるものである。 すなわち、■、　＝＋　ｅ””　Ｘ　Ｐ　ｌ／２を含む
一定領域内か適正条件と考えられる。これにより、感光
体の感度変化に影響されることなく安定な祭件下で潜像
形成を行うものである。具体的には、ビームの形状はガ
ウンアンからずれいる場合も、パルス幅変調の様に矩形
的形状のビームもありうるが、ビームの立ち上がり及び
立ち下がりは、ガウンアンで近似できよう。これにより
、環境変動による感光体１の感度変化に影響されること
なく、安定な画像形成をおこなうことかできる。又、こ
の露光強度で形成されるドツト径は従来ＳｅやＯＰＣで
はＸ−Ｘ　ｏに設定していた場合と比べ　１／２となっ
ている。すなわち、前記露光条件に設定することにより
、同一の光学系によっても高密度記録を行うことかでき
ることを示している。 次ぎに本発明の画像形成方法について説明する。 本発明の画像形成方法は、反転現像に組み合わせる感光
体電位の光減衰曲線に着目し、その帯電電位の光減衰か
小光量に対応しては鈍感で殆ど減衰せす、該少光量域を
越える中期において急峻に減衰する光減衰特性を有する
高γ感光体を設け、該感光体に一様帯電した後に走査光
４系から感光体上に照射されるビーム光量分布の最大光
量Ｉ。 及び前記感光体の電位を半減する半減露光光量Ｐ　ｌ／
２とか Ｌ２Ｘ　Ｐ　＋ｙ２’−１ｏ≦２．５Ｘ　Ｐ　ｌ／２の
条件を満たして前記感光体上に静電潜像を形成し、反転
現像する画像形成装置である。 つまり、当該感光体にあっては、露光そフ期において光
導電性顔料の表面に発生したキャリアは当該顔料と被覆
樹脂との界面層に有効にトラップされて光減衰が確実に
抑制され、露光の中期においてきわめて急激ななだれ現
象が生じる電位低下が起こると解される。これにより非
画像部電位が安定したコントラストの高い静電潜像を形
成し、安定した反転現像を行うことができる。 また、本発明は前記変調ビームがパルス幅変調であるこ
とにより、更に非画像部電位が安定したコントラストの
高い静電潜像を形成し、安定した反転現像を行うことが
できる。 パルス幅変調はビーム強度を変えないために、ビームの
立ち上がり及び立ち下がりは、そのまま元のビーム形状
を保存しており、前述と同じ露光適正条件を適用できる
。 （実施例］ 以下に本実施例の画像形成装置１００の概略構成につい
て第９区に基ついて説明する。 笑９図は本実施例の画像形成装置の概略構成を示す断面
図である。 カラー画像形成装置１００は、感光体を一様帯電した後
にコンピュータ又はスキャナからの画像濃度信号をンエ
イディング補正、階調補正、マスキング補正等の処理を
行う。このディジタル画像濃度信号をＤ／Ａ変換して得
られたアナログ画像濃度信号と参照波信号とを比較して
二値化して得られた変調信号に基づいてパルス幅変調し
たスポット光によりドツト状の静電潜像を形成し、これ
をトナーにより反転現像してドツト状のトナー画像を形
成し、前記露光及び現像工程を繰り返して感光体１上に
カラートナー像を形成し、該カラートナー像を転写し、
分離、定着してカラー画像を得る。 画像形成装置１００は、矢印方向ｔこ回動するドラム状
の感光体（以下、単に感光体という。）■と、該感光体
１上に−様な電荷を付与するスコロトロン帯電器２と、
走査光学系３０、イエロー　マゼンタ、シアン及び黒ト
ナーを装填した現像器４Ａ、４Ｂ、４Ｃ４Ｄ、転写前帯
電器６１、スコロトロン転写器６２、分離器６３、定着
ローラ６４、クリ−ニゲ装置７０、除電器７４とからな
る。 以下に、本実施例の画像形成装置の各部構成にって説明
する。 第４図は高γ感光体の具体的構成例を示す断面図である
。 以下に本実施例の主な構成について説明する。 感光体ｌは、第４図に示すように導電性支持体ＩＡ、中
間層ＩＢ、感光層ＩＣからなる。感光層ＩＣの厚さは、
５〜１１００ｐ程度であり、好ましくは１０〜５０μｍ
である。感光体ｌは直径１５０ｍｍのアルミニウム製の
ドラム状導電性支持体ＩＡを用い、該支持体ＩＡ上にエ
チレン−酢酸ビニル共重合体からなる厚さ０．１μｍの
中間層ＩＢを形成し、この中間Ｎｊ１．Ｂ上に膜厚３５
μｍの感光層１ｃを設けて構成される。 導電性支持体ＩＡとしては、アルミニウム、スチール、
銅等の直径１５０ｍｍ程度のドラムが用いられるが、そ
のほか、紙、ブラスッチクフィルム上に金属層をラミネ
ートまたは蒸着したベルｌ状のもの、あるいは電ちゅう
法によって作られるニッケルベルト等の金属ベルトであ
ってもよい。また、中間層ＩＢは、感光体として出５０
０〜±２０００　Ｖの高帯電に耐え、例えは正帯電の場
合はエレクト０シの導電性支持体ＩＣから注入を阻止し
、なだれ現象による優れた光減衰特性が得られるよう、
ホール移動性を有するのが望ましく、そのため中間層Ｉ
Ｂに例えは本出願人が先に提案した特願昭６１ｉ８８９
７５号明細書に記載された正帯電型の電荷輸送物質を１
０１！　ｊｌｉ％以下添付するのが好ましい。 中間層１Ｂとしては、通常、電子写真用の感光層に使用
される例えば下記樹脂を用いることができる。 （１）ポリビニルアルコール（ポバール）、ポリビニル
メチルエーテル、ボリヒニルエチルエーテル等のビニル
系ポリマー ぐ２）ポリビニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルイミダゾー
ル、ポリビニルアミン（四級塩）、ポリヒニルピロリド
ン、ビニルピロリドン−酢酸ヒニルコホリマー等の含窒
素ビニルポリマー （３）ポリエチレンオキサイド、ポリエチレングリコー
ル、ポリプロピレングリコール等のバリューチル系ボリ
マ− （４）ポリアクリル酸およびその塩、ポリアクリルアン
ミド、ポリ−β−とドロキシエチルアクリレート等のア
クリル酸系ポリマー （５）ポリメタアクリル酸およびその塩、ポリメタアク
リルアミド、ポリヒドロキシプロピルメタアクリレート
等のメタアクリル酸系ポリマー（６）メチルセルロース
、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒ
ドロキシエチルセルロース、ヒドロキシグロピルメチル
セルロース等のエーテル繊維素系ポリマー （７）ポリエチレンイミン等のポリエチル〕・イミン系
ポリマー （８）ポリアラニン、ポリセリン、ポリ−１５−グルタ
ミン酸、ポリ＝（ヒドロキシエチル）−Ｌ−グルタミン
、ポリ−δ−カルボキンメチル−Ｌ−システィン、ポリ
プロリン、リジンーチロンンコポリマー　グルタミン酸
−リジン−アラニンコポリマー　絹フィブロイン、カゼ
イン等のポリアミノ酸類 （９）スターチアセテート、ヒドロキシエチルスターチ
、スターチアセテート、ヒドロキシエチルスターチ、ア
ミンスターチ、フォスフェートスターチ等のでんぷんお
よびその誘導体 （１０）ポリアミドである可溶性ナイロン、メトキシメ
チルナイロン（８タイプナイロン）等の水とアルコール
との混合溶剤に可溶なポリマー 感光層ＩＣは基本的には電荷輸送物質を併用せずに光導
電性顔料よりなる０、１〜１μｍ径のフタロシアニン微
粒子と、酸化防止剤とをバインダー樹脂とをバインダ樹
脂の溶剤を用いである０、１〜ｌＰｍ径のフタロシアニ
ン微粒子に混合分散して塗布液を調整し、この塗布液を
中間層に塗布し、乾燥し、必要により熱処理して形成さ
れる。 また、光導電性材料と電荷輸送物質とを併用する場合に
は、光導電性顔料と当該光導電性顔料の１１５以下、好
ましくは１／１０００〜ｌ　／１０（重量比）の少量の
電荷輸送物質とよりなり光導電性材料と、酸化防止剤と
バインダー樹脂中に分散させて感光層を構成する。 本実施例ではカラートナー像を感光体に重ね合わせるの
で走査光学系からのビームがカラートナー像を遮蔽しな
いように長波長側に分光感度を有する感光体が必要であ
る。 第５図は本実施例の画像形成装置に採用される走査光学
系の概略構成を示すブロック図であり、第６図は本実施
例に採用される変調回路の概略構成を示すブロック図で
ある。 走査光学系３０は、ページメモリ（図示せず）からの画
像濃度信号をパルス幅変調しｔ；変調信号で半導体レー
ザ３１を発振させ、このレーザ光を所定速度で回転する
ポリゴンミラー３６で偏向させ、ｆθレンズ３７及びで
シリンドリカルレンズ３５ａ　、　３５ｂによって一様
帯電した感光体１上面に微少なスポットに絞って走査す
るものである。 走査光学系３０は、コーヒレントな光源どして半導体レ
ーザ３１を設け、変調光学系としてコリメータレンズ３
２、プリズム３３を設け、偏向光学系としてポリゴンミ
ラー３６及びｆθレンズ３７を設け、ポリゴンレンズ３
６による面倒れ補正光学系としてシリンドリカルレンズ
３５ａ　、　３５ｂを設け、更に反射ミラー３８ａ、　
３８ｂを設けである。 半導体レーザ３１はＧａＡｌＡｓ等が用いられ、最大出
力５ｍＷであり、光効率２５％であり、拡り角として接
合面平行方向８〜１６°　接合面垂直方向２０〜３６°
である。又、カラートナー像を順次感光体１上に重ね合
わせるので、着色トナーによる吸収の少ない波長光によ
る露光が好ましく、この場合のビームの波長は８００ｎ
ｍである。 コリメータレンズ３２は、ビームを効率曳く必要な径で
取り出すレンズであり、開口数Ｎ、Ａは０，３３であり
、透過率は９７％以上のレンズからなり、球面収差とサ
イコンデンヨンを良好にするものである。 プリズム３３は、透過率８０％以上のプリズムにより、
半導体レーザ３１からのビーム径を１７３に圧縮するも
のである。 偏向光学系は、ビーム（光束）の集光すると共に走査面
の平坦化を実現するためにペラパール和と非点隔差を小
さくするものである。 ポリゴンミラー３６は、８面のポリゴン面を設け、１６
５３５．４ｒｐｍの回転数で回転することにより、感光
体１面上にビームを走査するものである。なお、ポリゴ
ンミラーに限定されるものでなく、これと同様の機能を
果たすものであればかまわない。 ｆθレンズ３７は、走査面の平坦化を実現するためにペ
ラパール和と非点隔差を小さくし、像面湾曲を除去する
ものである。 補正光学系はとしては、ポリゴンミラー３６の前後シリ
ンドリカルレンズ３５ａ　、　３５ｂを設け、ポリゴン
ミラー３６の面倒れ誤差による走査線のピッチむらを低
減する。これにより、ポリゴン倒れ角１２０秒Ｐ−Ｐで
あり、倒れ角補正率ｌ／２０以上となる。シリンドリカ
ルレンズ３５ｂはビームを感光体］上面Ｊこ結像するも
のである。スポットサイズの拡がりは主走査方向２０．
５±５μｍ１副走査方向８２．５±１２．５μｍである
。一方、記録密度は主及び副走査密度８００ｄｐｉに設
定することができた。なお、主走査方向はパルス幅変調
を用いている。すなわち、従来の感光体と異なり、高γ
感光体に対し適正露光量を設定することにより高密度記
録を行うことが本発明により可能となっている。 更に、走査光学系３０の制御回路には、変調回路２００
を設け、同期系としてインデックスセンサ３９及びイン
デックス検出回路３９ａを設け、偏向系としてポリゴン
ドライバ３６０を設けである。 同期系は、偏向光学系からのビームを反射ミラー　３８
ｂを介してインデックスセンサ３９に入射する。 インデックスセンサ３９はビームに感応して電流を出力
し、当該電流はインデックス検出回路３９ａで電流／電
圧（Ａ／Ｖ）変換してインデックス信号として出力する
。このインデックス信号により所定速度で回転するポリ
ゴンミラー３６の面位置を検知し、主走査方向の周期Ｉ
こよって、ラスク走査方式で後に記す変調されたディジ
タル画像濃度信号による光走査を行っている。走査周波
数２２０４．７２Ｈｚであり、有効印字幅２９７ｍｍ以
上であり、有効露光幅３０６ｍｍ以上である。 変調回路２００は、参照波と所定ヒント例えば８ビｙト
からなるディジタル画像濃度信号をＤ／Ａ変換したアナ
ログ濃度信号とを比較し２値化したパルス幅変調信号を
出力するものであり、第６図に示すように参照波信号発
生回路２１０、バッファ回路２２０、コンパレータ２４
０及びＤ／Ａ変換器２３０とからなる。当該変調信号は
ＬＤ駆動回路３１ａの駆動信号となる。 参照波信号発生回路２１０は可変抵抗２１１及びコンデ
ンサ２１２で構成される積分器によって三角波が発生さ
れる。さらに三角波はコンデンサ２１３、保護抵抗２１
５を介してトランジスタ２２１のベースｉ子に入力する
。参照波信号発生回路２１０は可変抵抗を２つ有してい
る。すなわち、可変抵抗２１１は三角波の振幅を調整す
るためのものである。可変抵抗２１４は三角波のバイア
ス又はオフセットを調整するためのものである。三角波
はバッファ回路２２０を通して、コンパレータ２４０の
入力端子に入力する。コンパレータ２４０は、前述のよ
うにバッファ回路２２０を通した参照波と所定ビット例
えば８ビツトからなるディジタル画像濃度信号をＤ／Ａ
変換器２３０でＤ／Ａ変換したアナログ濃度信号とを比
較し二値化する。そして、コンパレータ２４０の出力端
子から増幅器２４１を通して画素クロックＤＣ＋（に同
期したパルス＄′Ｆｉ変調信号として出力する。この増
幅器２４１により露光強度を可変としている。 ＬＤ駆動回路３１ａは変調回路２００からの変調信号で
半導体レーザ３１を発振させるものであり、半導体レー
ザ３１からのビーム光量に相当する信号がフィードバッ
クされ、その光量が一定となるように駆動する。 第８図は本実施例の画像形成装置に適用される現像装置
を示す断面図である。 現像器４Ａ、４Ｂ、４Ｃ，４Ｄは、装填する現像剤の色
が異なるだけで、第９図に示すような共通の構成であり
、以下に現像装置４０を代表して構成を説明する。 現像器４０は、下部ケーソング４２と上部ケーシング４
１で形成する現像槽内に回転するＮ、Ｓ極を有するマグ
ネットローラ４４を内包するスリーブ４３、上部ケーシ
ング４■に固着した固定部材４６からスリーブ４３に圧
接した弾性板からなるスクレーバ４５、スクリュウ状の
第」及び第２の撹拌部材４７．４８、スリーブクリーニ
ングローラ４９を備える。第１の撹拌部材４７は紙面手
前方向へ、第２撹拌部材４８は紙面奥側搬送する形状で
ある。この撹拌部材４７゜４８の間に壁を設けて現像剤
か滞留しないような形状をしている。なお、スクレーバ
４５に代えて磁性板や磁性棒からなる薄層形成手段を設
けてもよい。 スリーブタリーニゲローラ４９は矢印方向に回転し、現
像領域を通過してトナーを消費した現像剤をスリーブ４
３から掻き取る。このため現像領域に搬送される現像剤
を入れ換えることができ、現像条件が安定する。 スリーブ４３には、かぶりを防ぐために保護抵抗（図示
せず）を介して直流バイアス成分を有する電圧を印加す
る現像バイアス回路８０が設けられている。 ここで用いられる現像剤りは二成分現像であり、［・ナ
ーは１〜２０μｍの粒径であり、電荷制御剤或はアミン
化合物で処理されたシリカ微粒子やその他添加剤の混合
したものが使用される。現像剤を構成するキャリヤもト
ナー同様に小粒径の方が画質の解像力及び階調再現性の
点から有利である。 例えは、現像剤層のキャリアを５〜５０μｍの小粒径と
した場合均一な高さの磁気プランを形成することができ
る。 現像バイアス回路８０は、スリーブにより搬送されたト
ナーが感光体ｌに静電的力を受けて移行しうる現像領域
でトナーがスリーブ４３と感光体１の間を振動させるだ
めの交流バイアスを供電する交流電源と直流バイアスを
供電する高圧直流電源とを備える。本実施例テｌ；ｉ　
Ｖ　ＤＣ＝８００ＶＳＶ　ＡＣ＝７００Ｖ　。 ３ＫＨｚである。このようにして現像バイアス回路８０
はスリーブ４３と感光体１の間に振動電界を発生させて
いるので、現像剤の粒子がスリーブ４３と感光体１との
間で振動するから、現像剤りと感光体１とが接触しなく
ても感光体１にトナー粒子によるトナー像が形成される
ので先行のトナー像を破壊しない。 非接触現像においては、潜像に対して現像剤が接触しな
いことから、微細な潜像の現像が困難であるが、高γ型
感光体により急峻な潜像を造ることにより、微細な部分
の現像性を潜像形成の改良により向上させることかでき
る。 このことから、接触現像に限らず、特に非接触現像法に
おいては、高γ型感光体を用いた本実施例はさらに効果
を有するものとなっている。 以下に本実施例の画像形成装置１００の像形成プロセス
を第７１３９（ａ）〜（ｆ）に基づいて説明する。 第７図（ａ）〜（ｆ）はパルス幅変調信号に基づいて本
実施例の画像形成装置の動作を説明するタイムヂャート
である。 図において、（ａ）は画素クロックＤＣＫを示している
。（ｂ）は色補正や階調補正後にＤ／Ａ変換されたアナ
ログ濃度信号である。（ｃ）中の点線で示す信号はり、
／Ａ変換した画像の濃淡を示すアナログ濃度信号であり
、実線で示す信号は参照波信号である。 （ｄ）は変調回路２００からのパルス幅変調信号である
。 記録画素に対応した濃度信号と参照信号は同期しており
、画像濃度に対応したパルス幅変調信号が生成される。 （ｅ）は感光体１上における露光ド・ント分布をしめし
ている。つまり、露光ドツト分布は本来ンヤーブな矩形
状をしているが光学系のＭＴＦにより広がっている。こ
の露光ドツト分布の中の破線で示された略半減露光光量
ＰＬ／□以上の部分が高γの感光体特性により潜像とし
て形成されることになる。 （ｆ）は濃度信号に応じ！二ドツトの大小からなる潜像
が得られる。当該潜像を現像により形成されるドツト状
の画像濃度分布をホしている。ボケのないシャープなド
ツト状のトナー画像であり、この径を変化させることに
より、画像の階調性を向上させたトナー画像が得られる
。 以下に、画像形成装置１００の像形成プロセスについて
説明する。 先ず、スコロトロン帯電器２により感光体１が一様帯電
され、イエローに対応する静電潜像が、イエローデータ
（ディジタル濃度データ）により光変調されたレーザ光
の照射により形成される。前記イエローに対応する静電
潜像は、第１の現像器４Ａにより現像され、感光体ｌ上
に極めて鮮鋭度の高い第１のドツト状のトナー像（イエ
ロートナー像）が形成される。この第１のトナー像は記
録紙Ｐに転写されることなく、感光体１上に再びスフロ
トロン帯電器２により帯電が施される。 次いでマゼンタデータ（ディジタル濃度データ）により
レーザ光が光変調され、該変調されたレーザ光が感光体
１上に照射されて静電潜像が形成される。この静電潜像
は、第２の現像装置４Ｂにより現像されて、第２のトナ
ー像（マゼンタトナー像：が形成される。前記と同様に
して第３現像装置４ｃ（こより順次現像されて、第３の
トナー像（シアントナー像）が形成され、感光体１上に
順次積層された３色トナー像が形成される。最後に婢４
のトナー像（黒トナー像）が形成され、感光体１上に順
次積層された４色トナー像が形成される。 本実施例の画像形成装置１００によれば、感光体が優れ
た高ガンマ特性を有し、しかもこの優れた高ガンマ特性
がトナー像の上から帯電、露光現像の工程を多数回にわ
たり繰り返しトナー像を重ね合わせて形成する場合にも
潜像が安定して形成される。すなわち、ディジタル信号
に基づいてビームをトナー像の上から照射するとしても
フリンジのない高鮮鋭度の高いドツト状の静電潜像を形
成でき、その結果、鮮鋭度の高いトナー像を得ることが
できる。 これらの４色トナー像は、帯電器６１により感光体１を
帯電した後（省略してもよい）、給紙装置から供給され
た記録紙Ｐ上に転写器６２の作用で転写される。 転写トナー像を担持した記録紙Ｐは、分離電極６３によ
り感光体１から分離され、ガイドおよび搬送ベルトによ
り搬送されて定着装置６４に搬入され加熱定着されて排
紙皿に排出される。 一方、転写が終了した感光体Ｉは、表面に残っているト
ナーをトナー像形成中は解除されていたクリーニング装
置７０のブレード、ファーブラシあるいは磁気ブラシに
より除去され、トナー像形成中は使用されなかったラン
プあるいはコロナ除電器７４により除電され、次の多色
像形成に支障のないようにされる。なお、ランプや除電
器７４はクリーング前に位置してもよい。 上述の装置においてレーザビーム光学分布の最大光量１
゜を半減露光光量ＰＩ／□層に対し変化させＸ印は低画
質を示しており、Δ印はやや悪い画質を示しており、Ｏ
印は高画質を示している。 単色画像は上記カラー画像形成装置において単色画像を
形成した場合である。 カラー画像は上記カラー画像形成装置においてカラー画
像を形成した場合である。 単色画像では適正条件は ］−，２×Ｐ１／□≦Ｉ０≦２−５Ｘ　Ｐ　ｌ／２であ
った。またカラー画像での適正条件はＬ４Ｘ　Ｐ　＋ｙ
＊≦１０≦２−５Ｘ　Ｐ　ｌ／２となった。カラー画像
の場合本実施例では感光体上のトナー像の上から像露光
を行う方法のために低い露光光量ではトナーによる光遮
蔽で十分に潜像か形成されないために条件が変化したと
考えられる。 上述のように、本実施例の画像形成方法Ｉコあっては、
高γ感光体１に対し、走査光学系３０から変調ビームを
照射して潜像を形成し、反転現像を行う画像形成方法に
おいて、高γ感光体ｌ上でビーム光量分布の最大光量Ｉ
。及び前記感光体の電位を半減する半減露光光量ｐ＋／
ｚとが １．２Ｘ　Ｐ　ｌ／２≦Ｉ０≦２−５Ｘ　Ｐ　ｌ／２の
条件を満すことにより、ドツトによる中間調再現が忠実
な画像を形成することができた。 又、本実施例の画像形成方法において、前記変調ビーム
がパルス幅変調であることにより、更に、非画像部電位
が安定したコントラストの高い静電潜像を形成し、安定
した反転現像を行う二とができ、これにより、ドツトに
よる中間調再現が忠実な画像を形成することができた。 本発明の露光手段としては、他の方式、ＬＥＤ。 液晶シャッタ等にも同様ｌ二連用できる。これらのドツ
ト形状もカラシアンに近似しており、これらの露光強度
分布か急峻に代下する領域にＰ１７゜を設定することか
同様に好ましい。すなわち、本発明と同し露光条件が高
γ感光体にとって好ましい結果となった。

【発明の効果】

本発明は、高γ感光体に対し、走査光学系から変調ビー
ムを照射して潜像を形成し、反転現像を行う画像形成方
法において、前記感光体上でビーム光量分布の最大光量
■。及び半減する半減露光光量Ｐ１／□とが １、−２Ｘ　Ｐ　ｌ／２≦Ｉｏ≦２．５Ｘ　Ｐ　１１２
の条件を満すことにより、環箋変動による感光体の感度
変化に影響されることなく、ドツトによる中間調再現が
忠実な画像を形成することを目的とする画像形成方法を
提供することができた。 又、本発明は前記変調ビームがパルス輻変調であること
により、非画像部電位が安定したコントラストの高い静
電潜像を形成し、安定した反転現像を行うことができ、
これにより更に、ドツトによる中間調再現が忠実な画像
を形成することを目的とする画像形成方法を提供するこ
とができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本実施例の高γ感光体の潜像電位と露光量分布
の関係を示すグラフ、第２図は走査光学系により感光体
に結像されるビームの輝度分布を示すグラフ、第３因は
高γ感光体の特性を示す概略図、第４図は高γ感光体の
具体的構成例を示す断面図、第５図は本実施例の画像形
成装置に採用される走査光学系の概略構成を示すブロッ
ク図、第６図は本実施例に採用される変調回路の概略構
成を示すブロック図、第７図（ａ）〜（ｆ）はパルス幅
変調信号に基づいて本実施例の画像形成装置の動作を説
明するタイムチャート、第８図は本実施例の画像形成装
置に適用される現像装置を示す断面図、第９図は本実施
例の画像形成装置の概略構成を示す断面図、第１θ図は
低γ型感光体の特性を示す概略図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）高γ感光体に対し、走査光学系から変調ビームを
   照射して潜像を形成し、反転現像を行う画像形成方法に
   おいて、前記感光体上でビーム光量分布の最大光量Ｉ＿
   ０及び前記感光体の電位を半減する半減露光光量Ｐ＿１
   ＿／＿２とが １．２×Ｐ＿１＿／＿２≦Ｉ＿０≦２．５×Ｐ＿１＿／
   ＿２の条件を満すことを特徴とする画像形成方法。
2. （２）前記変調ビームがパルス幅変調であることを特徴
   とする請求項１記載の画像形成方法。