JPS59104650A - レジスト膜形成装置 - Google Patents
レジスト膜形成装置Info
- Publication number
- JPS59104650A JPS59104650A JP21434282A JP21434282A JPS59104650A JP S59104650 A JPS59104650 A JP S59104650A JP 21434282 A JP21434282 A JP 21434282A JP 21434282 A JP21434282 A JP 21434282A JP S59104650 A JPS59104650 A JP S59104650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- hard mask
- holder
- frame
- mask holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明（−１、ハードマスクｍ 透過８において、マ
スク表面にレノスト膜を塗布する際に使用されるレノス
ト膜形成装置に関する。
スク表面にレノスト膜を塗布する際に使用されるレノス
ト膜形成装置に関する。
半導体ウェハに、例メーはＬＳＩ等の回路パターンを７
４トエ，チング形成するには，ハードマスクが用いられ
る。このハードマスクには、上記回路・ぐターンに対応
したマスクパターンが形成されるもので、このマスク・
千ターン形成の際には、その表面にレノスト膜を形成す
る必要がある。
４トエ，チング形成するには，ハードマスクが用いられ
る。このハードマスクには、上記回路・ぐターンに対応
したマスクパターンが形成されるもので、このマスク・
千ターン形成の際には、その表面にレノスト膜を形成す
る必要がある。
すなわち第１図に示すように例えは四角形状のハードマ
スク１１本体は、マスクホルダ１２により水平状にして
保持され、このホルダ１２の四方の各辺部中央に突設し
た固定片１２ａ〜１２ｄに位置設定される。この場合、
固定片１２ａ〜１２ｄは、マスク１ノの保持を容易にす
るため、マスク１１面からやや突出する状態に設定され
ている。
スク１１本体は、マスクホルダ１２により水平状にして
保持され、このホルダ１２の四方の各辺部中央に突設し
た固定片１２ａ〜１２ｄに位置設定される。この場合、
固定片１２ａ〜１２ｄは、マスク１ノの保持を容易にす
るため、マスク１１面からやや突出する状態に設定され
ている。
このハードマスク１１の表面にはレジスト液を滴下する
もので、このレジスト液滴下の後に、上記マスクホルダ
１２を指定回転数（低速回転２ ０ Ｏ ｒｐｍ、時間
５秒〜高速回転１ ５ ０ ０ ｒｐｍ 。
もので、このレジスト液滴下の後に、上記マスクホルダ
１２を指定回転数（低速回転２ ０ Ｏ ｒｐｍ、時間
５秒〜高速回転１ ５ ０ ０ ｒｐｍ 。
時間４０秒）にて回転して、レノスト液をマスク１１表
面全体表面布形成するようにしている。
面全体表面布形成するようにしている。
しかしこのようにしてノ・−ドマスク１１の表面にレノ
スト膜を形成したのでは、マスク１ノの形状が四角形で
ある為に、その四隅のレノスト膜厚／バ４４端に厚みを
帯びた状態で形成されてし捷う。すなわち第２図（、）
に示すように、ハードマスク１１表面の中心と隅とを結
ぶ４点（Ａ。
スト膜を形成したのでは、マスク１ノの形状が四角形で
ある為に、その四隅のレノスト膜厚／バ４４端に厚みを
帯びた状態で形成されてし捷う。すなわち第２図（、）
に示すように、ハードマスク１１表面の中心と隅とを結
ぶ４点（Ａ。
〜、Ｄ）の測定点においてレノスト膜厚を測定した場合
、第２図（ｂ）に示すように、横軸を測定点、縦軸をレ
ノスト膜厚とすると、その膜厚は測定点ｃ−１）の卸、
囲、つまりマスク１ノ端から一定幅ａ（約２５個）の領
域内で極端に厚く形成されているととカ・解かる。した
がってこのように厚みの均一でないレノスト膜を用いて
マスクパターンを形成するような場合、マスク１１表面
の場所によってレノスト現像時間が異〃るようになり、
上記マスクパターンの寸法にｒｊ′らつきか生じてし寸
い好オしくない。
、第２図（ｂ）に示すように、横軸を測定点、縦軸をレ
ノスト膜厚とすると、その膜厚は測定点ｃ−１）の卸、
囲、つまりマスク１ノ端から一定幅ａ（約２５個）の領
域内で極端に厚く形成されているととカ・解かる。した
がってこのように厚みの均一でないレノスト膜を用いて
マスクパターンを形成するような場合、マスク１１表面
の場所によってレノスト現像時間が異〃るようになり、
上記マスクパターンの寸法にｒｊ′らつきか生じてし寸
い好オしくない。
との強明け、上記のような問題点を解決するためになさ
、ｆ＋だもので、ハードマスク製造過程においてマスク
表面にレノスト液を塗布する除に、マスクの四隅でレジ
スト膜厚が極端に変化することなく、マスク表面全体に
均一な厚みのレノスト膜を形成することができるレジス
ト膜形成装置を提供することを目的とする。
、ｆ＋だもので、ハードマスク製造過程においてマスク
表面にレノスト液を塗布する除に、マスクの四隅でレジ
スト膜厚が極端に変化することなく、マスク表面全体に
均一な厚みのレノスト膜を形成することができるレジス
ト膜形成装置を提供することを目的とする。
すなわちこの発明に係るレジスト膜形成装置は、ハード
マスクを固定保持するマスクホルダの形状を、マスクの
周囲全体を同一平面状にして囲むような形状にし、見か
け上のレノスト液塗布面積をマスク面積よシ拡大するよ
うＣ（シたものである。
マスクを固定保持するマスクホルダの形状を、マスクの
周囲全体を同一平面状にして囲むような形状にし、見か
け上のレノスト液塗布面積をマスク面積よシ拡大するよ
うＣ（シたものである。
以下第３図を用いてこの発明の一実施例を説明する、
すなわちこの装置は四角形状のノ・−上マスク１ノをは
め込むようにして固定保持する枠状のマスクホルダ２θ
を備えている。このマスクホルダ２０の枠幅寸法ａは、
ある一定幅（２５ｍｍ）以上に設定されるもので、さら
にその枠の表面がハードマスク１ノの表面と同一平面状
になるようにして形成する。そして、このマスクホルダ
２θ下面の中心部に支柱２ノを設け、この支柱２１を指
Ｔ回転藪（低速回転２００ ｒｐｍ、時間５秒〜市速回
転１５００ ｒｐｍ、時間４０秒）で回転するようにし
てなる。
め込むようにして固定保持する枠状のマスクホルダ２θ
を備えている。このマスクホルダ２０の枠幅寸法ａは、
ある一定幅（２５ｍｍ）以上に設定されるもので、さら
にその枠の表面がハードマスク１ノの表面と同一平面状
になるようにして形成する。そして、このマスクホルダ
２θ下面の中心部に支柱２ノを設け、この支柱２１を指
Ｔ回転藪（低速回転２００ ｒｐｍ、時間５秒〜市速回
転１５００ ｒｐｍ、時間４０秒）で回転するようにし
てなる。
ずなわちマスクホルダ２ｏに固定保持されたハードマス
ク１ノの表面には、レノスト液が滴下されるもので、こ
のレジスト液滴下の後にマスクホルダ２θを指定回転数
で回転させ、レノスト液が表面全体に１１に布塗布され
るようにする。
ク１ノの表面には、レノスト液が滴下されるもので、こ
のレジスト液滴下の後にマスクホルダ２θを指定回転数
で回転させ、レノスト液が表面全体に１１に布塗布され
るようにする。
この場合、レノスト塗亜面積は、見かけ上マスクホルダ
２００枠の面精の分んけハードマスク１１の表面積より
も拡大されるようになるもので、こｔ′Ｌによりレノス
ト液か塗布されるｍｌの端ヨリ約２５１餅以内の領域で
発生するレノスト膜厚の極Ｇ７ｉｊな変化１１、マスク
ホルダ２ｏの枠面上で発生ずるようになる。
２００枠の面精の分んけハードマスク１１の表面積より
も拡大されるようになるもので、こｔ′Ｌによりレノス
ト液か塗布されるｍｌの端ヨリ約２５１餅以内の領域で
発生するレノスト膜厚の極Ｇ７ｉｊな変化１１、マスク
ホルダ２ｏの枠面上で発生ずるようになる。
し／こかって上記のように構成される装置によしｒａｔ
、第４図に示すようにハードマスク１ノ＠面の前記マ
０す定点（Ａ、〜、Ｄ）それぞれにおけるレノスト膜は
、全体的にけは吻−化した刀鉋厚て形成されるよりにな
る。
、第４図に示すようにハードマスク１ノ＠面の前記マ
０す定点（Ａ、〜、Ｄ）それぞれにおけるレノスト膜は
、全体的にけは吻−化した刀鉋厚て形成されるよりにな
る。
以上のようにこの発明によれば、ハードマスク表面のレ
ノスト膜を、全体的にほぼ均一化しだ膜厚で形成するこ
とが可能となシ、場所により極端に厚みを帯びるような
状態を防止できる。
ノスト膜を、全体的にほぼ均一化しだ膜厚で形成するこ
とが可能となシ、場所により極端に厚みを帯びるような
状態を防止できる。
すなわちハードマスク上の如何なる場所においてもレノ
スト現像時間を平均化することができ、マスクパターン
の寸法等にほらつきが生じることを防止できるものであ
る。
スト現像時間を平均化することができ、マスクパターン
の寸法等にほらつきが生じることを防止できるものであ
る。
第１図は従来のレノスト膜を形成する装置を説明する図
で（ａ）は平面から見た図、（ｂ）は断面図、第２図は
同じくそのレノスト膜厚を説明する図、第３図はこの発
明の一実施例に係るレノスト膜形成装置を説明する図で
あり（、）は平面から見た図、（ｂ）は断面図、第４図
は上記形成装置により形成されたレノスト膜厚を説明す
る図である。 １ノ・・・ハードマスク、２０・・・マスクホルダ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 １ （ａ） （ｂ） ＢＣＤ −未皮月。
で（ａ）は平面から見た図、（ｂ）は断面図、第２図は
同じくそのレノスト膜厚を説明する図、第３図はこの発
明の一実施例に係るレノスト膜形成装置を説明する図で
あり（、）は平面から見た図、（ｂ）は断面図、第４図
は上記形成装置により形成されたレノスト膜厚を説明す
る図である。 １ノ・・・ハードマスク、２０・・・マスクホルダ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 １ （ａ） （ｂ） ＢＣＤ −未皮月。
Claims (1)
- マスクホルダに固定保持されるハードマスクの表面にレ
ノスト液を塗布する工程において、上にマスクホルダは
ハードマスクの周囲を同一平面状にして一定幅で囲むよ
うな枠状に形成されたことをｑ！ｆ徴とするレノスト膜
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21434282A JPS59104650A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | レジスト膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21434282A JPS59104650A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | レジスト膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104650A true JPS59104650A (ja) | 1984-06-16 |
Family
ID=16654172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21434282A Pending JPS59104650A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | レジスト膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104650A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62103478U (ja) * | 1985-12-19 | 1987-07-01 | ||
| JPH0356128U (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-30 | ||
| JPH0582434A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Toppan Printing Co Ltd | 回転塗布用スピナーヘツド |
-
1982
- 1982-12-07 JP JP21434282A patent/JPS59104650A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62103478U (ja) * | 1985-12-19 | 1987-07-01 | ||
| JPH0446858Y2 (ja) * | 1985-12-19 | 1992-11-05 | ||
| JPH0356128U (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-30 | ||
| JPH0582434A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Toppan Printing Co Ltd | 回転塗布用スピナーヘツド |
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