JPS5888396A - アミノメチルホスホン酸の製造方法 - Google Patents

アミノメチルホスホン酸の製造方法

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JPS5888396A
JPS5888396A JP57193281A JP19328182A JPS5888396A JP S5888396 A JPS5888396 A JP S5888396A JP 57193281 A JP57193281 A JP 57193281A JP 19328182 A JP19328182 A JP 19328182A JP S5888396 A JPS5888396 A JP S5888396A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は次式I: で表わされるアミノメチルホスホン酸の製造方法に関す
る。
アミノメチルホスホン酸は、これまで植物生長に影曽を
及ぼす活性物質として(ドイツ特許公開第231588
6号明細書参照)、また除草活性物質の製造中間体とし
て(ドイツ特許公開第2555573号明細書参照)記
載されているものである。
アミノメチルホスホ:y@は、カルボ/酸−N−ヒトa
キ・/メチルアミドに三塩化り/あるいは亜リン酸トリ
アルキルを反応させ、続いて得られた反応生成物を加水
分解することによって製造し得ることはすでに提案され
ている〔米国特許第2504156号および第2528
558号明編書ならびにButLAkad−Sc i、
 、 (US 8几)1968年、第585頁参照〕0 更に公知の製法は、ヘーブロモメチル7々ルイミドをナ
トリウム亜り7@ジエチルあるいは亜り/酸トリエチル
と反応させ、続いて741ルイミドメチルスルホ/@ジ
エチルエステルを加水分解することにもとずくものであ
るC ButtSoc、 C旧m、 (France)
 、第778g (1948年);ん■。
Chim (Paris)(12)第4巻、第572 
員(1954年):J、 )m、 Chem、 8oc
、第75巻、第52789(1953年);J、 Ch
em、 8oc (c)、@ 1349−[(1966
年)参照〕。
0.0−ジエチル−ハロメチルホスホネートをアンモニ
アと反応させ、続いて得られた反応生成物を加水分解す
ること(Chem、Abat、 f、 45巻、第84
44貞(1951年):同第46巻、第421@(19
52年)−同第48巻、第564員(1,954年)参
照〕、もしくはりσルメtルホスホン醗とアンモニアと
反応させること(ドイツ特許公開第2315886号明
細書参照)によるアミノメチルホスホン酸の製造方法も
また公知である。
更に、0.O−ジエチルホスホ/アセチルヒドラジ/の
クルチウス(Curtius )分解によるアミノメチ
ルホスホン酸の製法も提案されている( J、 Org
、 Chem 、第294.@83DL(1964年)
参照〕。
また、最初に第3ブチルアミンとホルムアルデヒドと反
応させ、相当するシッフの塩基:即ちN−メチレ/−第
3ブチルアミンを得、これを亜リン酸ジエステルとの付
加反応でN−第3ブチルアミノメチルホスホネートに変
換サセ、そして活性条件下でエステル基の加水分解と同
時に、臭化水素酸との反応により第3ブチル基をこの化
合物より分離させることによるアミノメチルホスホン酸
の製造方法も公知である〔5ynth、 Inorg、
 MetatOrg、 Chem 、 、 第2巻、嫡
517頁(1972年)参照〕。
アミノメチルホスホン酸を得る他の公知の方法は、ジベ
ンジルアミンをホルムアルデヒドおよび亜り/i1!エ
ステルと反応さすてN、N−ジベンジルアミノメチルホ
スホネートを得、これを加水分脈し、そして続いて水素
化分解でN−ベンジル基を脱離させることによる方法で
ある。
これニ代り、ジベンジルアミンとクロル酢酸を反応させ
てN、N−ジベンジルグリシンとしたのち、更にこれを
三塩化リンおよび亜り/酸と反応させ本製法中での中間
体としてN、N−ジベンジルアミノメチルホスホン酸を
得、次いで得られた中間体より同様に水素化分解でN−
ベンジル基を脱離させる方法である(Phon pho
rusand 5utfir第7巻、第5551(19
79年参照〕。
更に公知の方法に従えば、アセ)二′トリルとホルムア
ルデヒド(ハラホルムアルデヒド)ヲ亜リン酸および三
塩化リンと反応させ、得られた反応生成物を更に水と反
応させてN−アセチルアミノメチルホスホン酸に変換さ
せ、続イテア七チル基の加水分解による脱離でアミノメ
チルホスホ/酸を得る(ドイツ特許公開第282904
6号明細書参照)。
また、アミノメチルホスホン酸の製造方法トして、ベン
ジルウレタンを酢酸中無水酢酸およびパラホルムアルデ
ヒドと加熱しN−アセトキシメチル−ペンシルウレタン
に変換させ、これを亜り/酸トリフェニルと反応させN
−(0゜0−ジフェニルホスホノメチル)べ/ジルウレ
タンを得、これより加水分解によりベンジルオキシカル
ボニル基を分離させる方法も公知である( 5ynth
esis第906頁(1980年)参照〕。
前述の方法では、アミノメチルホスホン酸を満足できる
収率で商業的規模において製造することは不可能である
。これらの方法はいずれも全収率が理論値の70%以上
を達成しないものである。大部分は、全収率が理論値の
20〜50%である。前述した製法のいくつかはまた、
使用する出発物質が人手しにくくまた高価であるという
欠点がある。さらに、ある場合においては過酷な反応条
件の適応を必要とし、高価な設備を必要とするものであ
る。
したがって、本発明の目的は、容易に入手し易い出発物
質より出発し、アミノメチルホスホン酸を簡単に満足し
得る収率で得る製造方法を提供することにある。
本発明者は、アミノメチルホスホン酸が、次式■: C00几 (式中、Rは炭素原子数1ないし4のアルキル基ま九は
フェニル基を表わす) で表わされるヘキサヒドロ−1,へ5−トリアジy−N
 、 N’、 N’−)リス−カルボン酸エステルを、
触媒としてのルイス酸の存在下、90ないし150℃の
温度で次式遁: (式中、鳥は炭素原子数1ないし5のアルキル基、フェ
ニル基、ベンジル基、2−シアノエチル基または2.2
.2−)リクロルエチル基を表わす。) で表わされる亜り/酸のエステルと反応させ、次式■: (式中、Rおよび也は前記と同じ意味を表わす。)で表
わされるN−カルボキシ−アミノメチルホスホン酸誘導
体を得、続いてこの誘導体を水性媒体中強酸の存在下で
加水分解を行なうことにより簡単で収率良く(アミノメ
チルホスホン酸を)得ることができることを見出し九の
である。
本発明方法で出発物質として要求される代襲で表わされ
るヘキサヒトff−L515− )リアジン−N 、 
N’、 N’−トリス−カルボ/llエステルは、相当
する尿素とホルムアルデヒドを水性塩酸媒体中で反応さ
せるか〔ジャーナル オブアメリカン ケミカル ソサ
イエティー(J、Am。
Chem、 8oc、 )第68巻、第j681i(1
944年)参照〕、または尿素とパラホルムアルデヒド
を触媒としてp−)ルエ/スルホ/fllの存在下、溶
媒としてトルエン中で反応させる〔ジャーナルオプ ヘ
テロサイクリック ケミストリー(J。
HeterocycJ、 chew、 )第11巻、嬶
937g(1974年)参照〕ことKよる簡単な方法で
収率良く得ることが出来る。このようにして得られた代
置で表わされるヘキサヒトG−t、L5− )リアジ/
−N 、 N’、 N’−トリス−カルボ/lエステル
中、本発明の方法のための出発物質として特に適切な化
合物は、Rがメチルまたはエチルの化合物である。
本発明による弐nで表わされるヘキサヒドロ−1,へ5
−トリアジン−N 、 N’、 N’−)リス力# ?
 7 l!I!エステルと式腸で嚢わされる亜り/酸の
エステルとの反応を触媒化する適切なルイス酸は、特に
三弗化ホウ素エーテル錯塩、四塩化チタン、四塩化スズ
、塩化鉄Qlllおよび塩化アルミニウムである。三弗
化ホウ素エーテル鍮塩は特に好適な触媒であることが判
明した。ルイス酸は式■で表オ)されるヘキサヒドロ−
1,3,S −トリアジン−N 、 N’、 N’−)
リス−カルボン酸エステルに対し、概して1〜10モル
%量で使用され、好ましくは4〜6モル%の量が使用さ
゛れる。
、 弐nで表わされるヘキサヒトO−1,45−)リア
ジ/−N、N’、Nζトリス−カルボン飯エステルと代
車で表わされる亜リン酸のエステルとの反応は、不活性
溶媒の存在もしくは不存在下で行なうことができる。適
切な溶媒は、例えば少くなくとも110℃の沸点を持つ
炭化水素およびハロゲン化炭化水素で、トルエン、キシ
レン、クロルベンゼンおよび0−ジクロルへ/インのよ
うなものである。
本発明による式Uで表わされるヘキサヒドロ−1,!%
 5−トリアジ/−N、N’、N’−トリス−カルボ/
酸エステルと成層で表わされる亜リン酸のエステルの反
応は、温度範囲90ないし150℃で行なわれ、120
〜150℃が好ましい。
弐■で表わされる亜リン酸の好ましいエステルは、亀が
炭素原子数1ないし5のアルキル基である。同様に非常
に適切なものは亜リン酸のビス−(2−シアノエチル)
エステルおよびビス−(2,2,2−) !Jクロルエ
チル)エステルである。なぜなら、2−シアノエチル基
およびλ2、2− ) IJクロルエチル基は加水分解
により特に容易に脱離することができるからである。
弐■で表わされるヘキサヒトo−1,45−)リアジ/
−N 、 N’、 N’−トリス−カルボ/酸エステル
と武門で表わされる亜リン酸のエステルは概して理論量
で反応される。成層で表わされる亜リン酸のエステルの
10モル%までのわずかに過剰の使用は特に有利に行な
われる。
弐■で表わされるヘキサヒトu−1,3,5−トリアジ
/−N、N’、Nζトリス−カルボン酸エステルと式■
で表わされる亜リン酸のエステルとの反応で得られる式
■で表わされるN−カルボキシ−アミノメチルホスホン
#を誘導体の加水分解のために、水または水と有機溶媒
との混合物、例えば水とアセトニトリル、メタノールも
しくはエタノールのような水性反応媒体を使用すること
ができる。使用し得る強酸としては、例えば塩酸、臭化
水素酸、ヨウ化水素酸、硫酸、リン酸およびp−)ルエ
ンスルホン酸である。
ハロゲン化水素酸が特に好適で、特に塩酸および臭化水
素酸である。弐■で表わされるN−カルボキ/−アミノ
メチルホスホ/酸誘導体の加水分解は高山で行なわれ、
反応溶媒の還流温度下で行なわれるのが好ましい。
アルキル基としてのRおよびf(4基は直−または枝分
れ鎖であって良い。几およびR1のフェニル基は未置換
もしくは反応に不活性なII候基、例えばハロゲン原子
、低級アルキル、アルコキシ、ンアノおよびニトロによ
り置換することもできる。同様のことが島のべ/ジル基
についても適用できる。
本発明による方法で好ましい具体例に従えば、アミノメ
チルホスホン酸は、弐崖で嚢わされるヘキサヒドロ−1
,45−トリアジy −N 、 N’ 。
Nζトリス−カルボン酸エステルにおいてRがメチルま
九はエチル基を表わす化合物を、使用する式■のへキサ
ヒドロ−1,45−トリアジ/−N 、 N’、 N”
−)リス−カルポン酸エステルに対し4ないし6モル%
の三弗化ホウ素エーテル錯体の存在下、120ないし1
50℃の温度で、武門で宍わされる亜リン酸のエステル
において亀が炭素原子数1ないし5のアルキル基、2−
77ノエチル基もしくは2.2.2−)リクロルエチル
基を表わす化合物と反応させ、弐■で表わされるN−カ
ルボキシ−アミノメチルホスホ/酸誘導体中、几がメチ
ルもしくはエチル基で塊が炭素原子数1ないし3のアル
キル基、2−シアノエチル基モジくハλ2,2−)リク
ロルエチル基を表わす化合物を得;続いてこの誘導体を
水性媒体中塩酸または臭化水素酸の存在下、反応溶液の
還流温度下で加水分解を行ないアミノメチルホスホン酸
を得る方法である。
アミノメチルホスホン酸の製造のための本発明方法は、
これまで公知の製法とは興なり、両反応段階、すなわち
式nで表わされるヘキサヒドロ−1,へ5−トリアジン
−N 、 N’、 N’−)リス−カルボ/酸エステル
と式囲で表わされる亜I)7mのエステルとの反応、続
いて式■で表わされるN−カルボキシ−アミノメチルホ
スホン酸誘導体の加水分解の両反応において有利な方法
であり、容易に保持し得る反応条件下で特に定量的収率
を与えることである。更に、出発物質としての弐■で表
わされるヘキサヒドロ−1゜へ5−トリアジy−N、N
’、Nξトリス−カルボ/酸エステルは相当する尿素と
ホルムアルデヒドとの反応で簡単に、特に定量的収率で
得ることができ、本発明方法は商業的規模でのアミツメ
チルホスホ/酸の経済的製造方法として特に拡大される
点で好ましいものである。
以下、実施例にて本発明の製造方法をより詳細に説明す
る。
実施例1 o、o−ジエチル−N−エトキシカルボニル−アミノメ
チル−ホスホネートの製法 ヘキサヒドロ−1,45−)リアジン−N、N’。
N’−)リスー効ルボyJliエチルエステル2α22
f(α066モル)および亜り/#!ジエチル2a4−
((122モル)の混合物中K、攪拌下、内温125℃
にて三フフ化ホウ素エーテル錯42−を加える。
次いで反応混合物の温度を150℃まであげる。
150℃にて1時間攪拌後、更に三7ツ化ホウ素エーテ
ル錯a2ゴを加える。この段階で反応混合物中の温度は
一時的に105℃まで下がるが、引き続きゆっくりと1
50℃まで再び上昇させる。
その後反応混合物を150℃にて再度1時間攪拌する。
次いでた刺すく揮発する成分を高度真空蒸留で留去し、
残渣として4a07 (100%理論量)の0,0−ジ
エチル−N−エトキシカルボニル−アミノメチルホスホ
ネートを得る。成績体は更に精製することなく直接次の
加水分解へ使用することができる。このものの沸点は1
30℃/[115Torr、である。
実施例2 アミノメチルホスホン酸の製法 0.0−ジエチル−N−エトキシカルボニル−アミノメ
チルホスホネート(実施例1からの粗生成物) 2に?
? ((11モル)中に20%塩酸100−を加え、混
合物を20時間環流加熱する。
その後塩酸を減圧留去し、残留物として12.bfの実
質的に純粋なアミノメチルホスホ/#Iを得る。残留物
を水/ア七ナンから再結晶し9.4?(理a量)at7
%)の純粋なアミノメチルホスホン酸を融点277−2
1N℃として得る。
実施例3 実施例1に記載の方法に従い、触媒として三フフ化ホウ
素エーテル錯膿を使用し次の生成物を得た。
一〇 〇−ジエチルーN−メトキシカルボニル−アミノ
メチルホスホネート、沸点 150℃/[L08TOrr0、ヘキサヒドロ−1,4
5−トリアジン−N 、 N’、 N’−)リス−カル
ボン酸メチルエステルと亜リン酸ジエチルの反応より得
る。
一〇、0−ジメチルーN−メトキシカルボ1ルーアミノ
メチルホスホネート、沸点 125℃/α08Torr、 ;ヘキサヒトa−%45
−トリアジンーN、N’、Nξトリス−カルボン酸メチ
ルエステルと亜すン僧ジメチルの反応より得る。および −0,0−ジメチル−N−エトキシ力ルポニルーアミノ
メチルホスホネー)11点 1り0℃/αITorr、; ヘキサヒトo −1,!
y 5−トリアジ/−N 、 N’、 N’−)リス−
カルボン酸エチルエステルと亜リン酸ジメチルの反応よ
り得る。
これらの生成物の塩酸水溶液もしくは臭化水素酸水溶液
による加水分解によりアミノメチルホスホン酸を理、i
nの85〜95%の収率で得られる。
特許出願人 テバーガイギー アク1工/ゲ(ルシャフト代理人

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)次式1: で表わされるアミノメチルホスホン酸を製造するに際し
    て、次式Il: ooHJ ■ (式中、Rは炭素原子数1ないし4のアルキル基または
    フェニル基を表わす、) で表わされるヘキサヒドロ−1,45−)リアジン−N
     、 N’、 N’−)リス−カルボン酸エステルを、
    触媒としてのルイス酸の存在下、90ないし150℃に
    て次式Jlll:(式中、島は炭素原子′Ik1ないし
    5のアルキル基、フェニル基、ベンジル基、2−シアノ
    エチル基または入2.2−トリクロルエチル基を表わす
    。) で表わされる亜リン酸のエステルと反応させ、次式■: (式中、几およびl(−は前7じ意味を表わす。 で表わされるN−カルボキシアミノメチルスルホン酸誘
    導体を得、続いてこの誘導体を水性媒体中強酸の存在下
    加水分解を行なうことを特徴とする前記式lで表わされ
    るアミノメチルホスホ/酸の製造方法。
  2. (2)  使用するルイス酸が三弗化ホウ素エーテル錯
    塩、四塩化チタン、四塩化スズ、塩化鉄(millま九
    は塩化アルミニウムである特許請求の範囲第1項記載の
    製造方法。
  3. (3)使用するルイス酸が三弗化ホウ素エーテル錯塩で
    ある特許請求の範囲第1項記載の製造方法。
  4. (4)ルイス酸を弐〇で表わされるヘキサヒドロ−1,
    へ5−トリアジン−N、N’、N#−トリス−カルボン
    酸エステルに対し1ないし10モル%量使用する特許請
    求の範囲第1項記載の製造方法。
  5. (5)  ルイス酸を式nで表わされるヘキサヒトa−
    1,3,5−)リアジン−N、N’、N#−トリス−カ
    ルボン酸エステルに対し4ないし6モル%量使用する特
    許請求の範囲!1項記載の製造方法。
  6. (6)  成層で表わされるヘキサヒドロ−1,45−
    トリアジン−N 、 N’、 N#−)リス−カルボン
    酸エステルと武門で表わされる亜リン酸のエステルとの
    反応を120ないし150℃の温度下で行なう特許請求
    の範囲第1項記載の製造方法。
  7. (7)  出発物質として式■においてRがメチル基ま
    たはエチル基を表わすヘキサヒトa −1,45−トリ
    アジン−N 、 N’、 N’−)リス−カルボン酸エ
    ステルを使用する特許請求の範囲第1項記載の製造方法
  8. (8)  出発物質として、成用において亀が炭素原子
    数1ないし5のアルキル基S2−シアノエチル基または
    2.42−トリクロルエチル基を表わす亜リン酸のエス
    テルを使用する特許請求の範囲第1項記載の製造方法。
  9. (9)  式層で表わされる亜リン酸のエステルを5な
    いし10モル%過剰に使用する特許請求の範囲第1項記
    載の製造方法。 (ト)弐■で表わされるN−カルボキシ−アミノメチル
    ホスホンI!i!誘導体の強酸の存在下加水分解を行な
    う場合に使用する該強酸が塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水
    素酸、硫酸、リン酸またはp−)ルエ/スルホン酸であ
    る特許請求の範囲第1項記載の製造方法。 αυ 式■で表わされるN−カルボキシ−アミノメチル
    ホスホ/酸誘導体の強酸の存在下加水分解を行なう場合
    に使用する該強酸がハロゲノ化水素酸である特許請求の
    範N第1項記載の製造方法。 四 式■で表わされるN−カルボキシ−アミノメチルホ
    スホン酸誘導体の加水分解を水または水とアセトニトリ
    ル、メタノールもしくはエタノールの混合物中反応媒体
    の還流温度で行なう特許請求の範囲第1項記載の製造方
    法。 四 式nで表わされるヘキサヒトO−1,3,5−トリ
    アジン−N、N’、Nξトリス−カルボ/酸エステル中
    、Rがメチルまたはエチル基のものを、使用する式Hの
    へキサヒトo −1,45−トリアジン−N 、 N’
    、 N’−)リス−カルボ/酸エステルに対し4ないし
    6モル%の三弗化ホウ素エーテル錯塩の存在下、120
    ないし150℃の温度下、弐■で表わされる亜り/酸の
    エステル中、風が炭素原子数1ないし5のアルキル基、
    2−シアノエチル基もしくは2.2.2−トリクロルエ
    チル基である化合物と反応させ、式■で表゛わされるN
    −カルボキシ−アミノメチルホスホン酸誘導体中、几が
    メチルもしくはエチル基で几1が炭素原子数1ないし3
    のアルキル基、2−シアノエチル基もしくけ2.2.2
    −)リクロルエチル基である化合物を得;続いてこの誘
    導体を水性媒体中、塩献または臭化水素酸の存在下、反
    応蝶棒の還流湿度下で加水分解を行ないアミノメチルホ
    スホン酸を得る特許請求の範囲第1項記載の製造方法。
JP57193281A 1981-11-02 1982-11-02 アミノメチルホスホン酸の製造方法 Granted JPS5888396A (ja)

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