JPS5887848A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5887848A
JPS5887848A JP18729181A JP18729181A JPS5887848A JP S5887848 A JPS5887848 A JP S5887848A JP 18729181 A JP18729181 A JP 18729181A JP 18729181 A JP18729181 A JP 18729181A JP S5887848 A JPS5887848 A JP S5887848A
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JP
Japan
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conductor
contact hole
contact
semiconductor device
ion beam
Prior art date
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Pending
Application number
JP18729181A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayuki Matsukawa
隆行 松川
Hideo Kotani
小谷　秀夫
Takeshi Yamano
剛 山野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体装置におけるスルーホールの構造に
関するものである。
従来この糧の装置として第１図に示すものがあった。図
において、（１）は半導体基板、（２）は拡散層、（３
）は第１の配線層、（４）は層間絶縁ｊ―、（５）はコ
ンタクトホール部、（６）は第２の配線層である。
従来の装置は以上のように構成されているので、コンタ
クトホール部（５）で第２の配線層（６）が断線し易く
、断線を防止するためには、コンタクトホール部（５）
形成時にテーパーエツチングを行なった如。
形成後に熱処理により段差を低減する等の工程が必要で
あるため、工程が複雑になったり、集積度が上がらない
等の欠点があった。特に、三次元回路素子として檀ｊ−
構造にした場合、さらに段差がきつくなり、断線し易い
欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、コンタクトホールな導体でうめ込
むことにより、段差のない微細なコンタクト部を提供す
ることな目的としている。
以下、この発明の一実施例な図について説明する。第２
図において、（７）はコンタクトホール部（５）にうめ
込まれた導体である。
コンタクトホール部（５）は、例えばイオンビームでエ
ツチングして形成し、イオンビームにより導体（７）を
堆積させる。
以上のように、この発明によれば、コンタクトホール部
に導体をうめ込む構成にしたので、コンタクト部に段差
がなく、機料１な信頼性の高いコンタクトを得られる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置を示す断面図、第２図はこの
発明の一実施例による半導体装置を示す断面図である。 （１）・・・半導体基板、（２）・・・拡散ｊ−１（３
）・・・第１の配線層、（４）・・・層間絶縁層、（５
）・・・コンタクトホール部、（６）　°°°第２の配
線ｊ―、（７）・・・導体。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人　葛野　倍− （３） 第二Ｚ 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上の絶縁層に設けられたコンタクトホールを
    介して電気的導通を得るようにした半導体装置において
    、上記コンタクトホールを導体で埋め、上記導体に接続
    されて上記絶縁層上を延在する配線層を設けたことを特
    徴とする半導体装置。
JP18729181A 1981-11-19 1981-11-19 半導体装置 Pending JPS5887848A (ja)

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