JPS5887848A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5887848A JPS5887848A JP18729181A JP18729181A JPS5887848A JP S5887848 A JPS5887848 A JP S5887848A JP 18729181 A JP18729181 A JP 18729181A JP 18729181 A JP18729181 A JP 18729181A JP S5887848 A JPS5887848 A JP S5887848A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- contact hole
- contact
- semiconductor device
- ion beam
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置におけるスルーホールの構造に
関するものである。
関するものである。
従来この糧の装置として第1図に示すものがあった。図
において、(1)は半導体基板、(2)は拡散層、(3
)は第1の配線層、(4)は層間絶縁j―、(5)はコ
ンタクトホール部、(6)は第2の配線層である。
において、(1)は半導体基板、(2)は拡散層、(3
)は第1の配線層、(4)は層間絶縁j―、(5)はコ
ンタクトホール部、(6)は第2の配線層である。
従来の装置は以上のように構成されているので、コンタ
クトホール部(5)で第2の配線層(6)が断線し易く
、断線を防止するためには、コンタクトホール部(5)
形成時にテーパーエツチングを行なった如。
クトホール部(5)で第2の配線層(6)が断線し易く
、断線を防止するためには、コンタクトホール部(5)
形成時にテーパーエツチングを行なった如。
形成後に熱処理により段差を低減する等の工程が必要で
あるため、工程が複雑になったり、集積度が上がらない
等の欠点があった。特に、三次元回路素子として檀j−
構造にした場合、さらに段差がきつくなり、断線し易い
欠点があった。
あるため、工程が複雑になったり、集積度が上がらない
等の欠点があった。特に、三次元回路素子として檀j−
構造にした場合、さらに段差がきつくなり、断線し易い
欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、コンタクトホールな導体でうめ込
むことにより、段差のない微細なコンタクト部を提供す
ることな目的としている。
めになされたもので、コンタクトホールな導体でうめ込
むことにより、段差のない微細なコンタクト部を提供す
ることな目的としている。
以下、この発明の一実施例な図について説明する。第2
図において、(7)はコンタクトホール部(5)にうめ
込まれた導体である。
図において、(7)はコンタクトホール部(5)にうめ
込まれた導体である。
コンタクトホール部(5)は、例えばイオンビームでエ
ツチングして形成し、イオンビームにより導体(7)を
堆積させる。
ツチングして形成し、イオンビームにより導体(7)を
堆積させる。
以上のように、この発明によれば、コンタクトホール部
に導体をうめ込む構成にしたので、コンタクト部に段差
がなく、機料1な信頼性の高いコンタクトを得られる効
果がある。
に導体をうめ込む構成にしたので、コンタクト部に段差
がなく、機料1な信頼性の高いコンタクトを得られる効
果がある。
第1図は従来の半導体装置を示す断面図、第2図はこの
発明の一実施例による半導体装置を示す断面図である。 (1)・・・半導体基板、(2)・・・拡散j−1(3
)・・・第1の配線層、(4)・・・層間絶縁層、(5
)・・・コンタクトホール部、(6) °°°第2の配
線j―、(7)・・・導体。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛野 倍− (3) 第二Z 第2図
発明の一実施例による半導体装置を示す断面図である。 (1)・・・半導体基板、(2)・・・拡散j−1(3
)・・・第1の配線層、(4)・・・層間絶縁層、(5
)・・・コンタクトホール部、(6) °°°第2の配
線j―、(7)・・・導体。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛野 倍− (3) 第二Z 第2図
Claims (1)
- 半導体基板上の絶縁層に設けられたコンタクトホールを
介して電気的導通を得るようにした半導体装置において
、上記コンタクトホールを導体で埋め、上記導体に接続
されて上記絶縁層上を延在する配線層を設けたことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18729181A JPS5887848A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18729181A JPS5887848A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5887848A true JPS5887848A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16203423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18729181A Pending JPS5887848A (ja) | 1981-11-19 | 1981-11-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5887848A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6057649A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO1992014260A1 (en) * | 1991-02-11 | 1992-08-20 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making semiconductor bonding bumps using metal cluster ion deposition |
US5331172A (en) * | 1991-02-11 | 1994-07-19 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Ionized metal cluster beam systems and methods |
US5554864A (en) * | 1993-10-18 | 1996-09-10 | Nec Corporation | Semiconductor device having improved coverage with increased wiring layers |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4833357A (ja) * | 1971-09-03 | 1973-05-09 |
-
1981
- 1981-11-19 JP JP18729181A patent/JPS5887848A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4833357A (ja) * | 1971-09-03 | 1973-05-09 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6057649A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO1992014260A1 (en) * | 1991-02-11 | 1992-08-20 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making semiconductor bonding bumps using metal cluster ion deposition |
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US5554864A (en) * | 1993-10-18 | 1996-09-10 | Nec Corporation | Semiconductor device having improved coverage with increased wiring layers |
US5610101A (en) * | 1993-10-18 | 1997-03-11 | Nec Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device having improved coverage with increased wiring layers |
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