JPS588134B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS588134B2 JPS588134B2 JP3193877A JP3193877A JPS588134B2 JP S588134 B2 JPS588134 B2 JP S588134B2 JP 3193877 A JP3193877 A JP 3193877A JP 3193877 A JP3193877 A JP 3193877A JP S588134 B2 JPS588134 B2 JP S588134B2
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- Japan
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- wafer
- semiconductor device
- semiconductor
- manufacturing
- semiconductor wafer
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法に係り、特にその過程
において半導体基体に結晶欠陥の発生するのを防止する
方法に関するものである。
において半導体基体に結晶欠陥の発生するのを防止する
方法に関するものである。
従来の半導体装置の製造方法においては、半導体装置を
作成するための半導体ウエハに存在する小さな欠損部な
どかもとになって、製造工程における熱処理によって結
晶欠陥を発生していた。
作成するための半導体ウエハに存在する小さな欠損部な
どかもとになって、製造工程における熱処理によって結
晶欠陥を発生していた。
第１図はこの様子を示す模式図で、第１図Ａは原材料半
導体ウエハを、第１図Ｂは熱処理工程後の半導体ウエハ
を示す。
導体ウエハを、第１図Ｂは熱処理工程後の半導体ウエハ
を示す。
半導体装置を製造するに当って用いる半導体ウエハ１に
第１図Ａに示すような欠損部２があると、製造工程中の
酸化もしくは拡散などのための高温熱処理によって、こ
の欠損部２を起源とするような転位などの結晶欠陥の成
長が見られ、最終的には第１図Ｂに示すような多くの結
晶欠陥３を含むウエハになってしまうことはＸ線ラング
カメラ法などで確認されている。
第１図Ａに示すような欠損部２があると、製造工程中の
酸化もしくは拡散などのための高温熱処理によって、こ
の欠損部２を起源とするような転位などの結晶欠陥の成
長が見られ、最終的には第１図Ｂに示すような多くの結
晶欠陥３を含むウエハになってしまうことはＸ線ラング
カメラ法などで確認されている。
そして、ウエハ１内に作成された半導体素子（図示せず
）を、このような結晶欠陥３が横切るような場合には、
その部分のＰＮ接合逆方向リーク電流が増加し素子の特
性を著しく劣化させることもよく知られている。
）を、このような結晶欠陥３が横切るような場合には、
その部分のＰＮ接合逆方向リーク電流が増加し素子の特
性を著しく劣化させることもよく知られている。
そのため、従来からも使用する半導体ウエハ１の外縁部
をなめらかに丸味をつけて研磨して、製造工程中に欠損
２の発生を減少させるような工夫がなされているが、元
来半導体ウエハ１はシリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（
Ｇｅ）等非常に硬くてもろい性質の材料から成っている
ため、かなりの欠損２の発生は必然的で、その部分から
発生する結晶欠陥３による歩留の低下はさけられないも
のであった。
をなめらかに丸味をつけて研磨して、製造工程中に欠損
２の発生を減少させるような工夫がなされているが、元
来半導体ウエハ１はシリコン（Ｓｉ）やゲルマニウム（
Ｇｅ）等非常に硬くてもろい性質の材料から成っている
ため、かなりの欠損２の発生は必然的で、その部分から
発生する結晶欠陥３による歩留の低下はさけられないも
のであった。
この発明は、半導体ウエハの外縁部に欠損部が存在した
状態で、半導体装置の製造に必要な熱処理を加えても、
半導体装置の作成される領域に転位等の結晶欠陥が成長
する事が防止されるような半導体装置の製造方法を提供
する事を目的とするものである。
状態で、半導体装置の製造に必要な熱処理を加えても、
半導体装置の作成される領域に転位等の結晶欠陥が成長
する事が防止されるような半導体装置の製造方法を提供
する事を目的とするものである。
第２図Ａ〜Ｃはこの発明の一実施例を示す各段階での半
導体ウエハの状況を示す模式図で、図において、１〜３
は第１図において説明した通りであり、４は半導体ウエ
ハ１の外周部に適当な幅で、通常の写真製版技術とイオ
ン注入技術を用いて形成されたイオン注入領域である。
導体ウエハの状況を示す模式図で、図において、１〜３
は第１図において説明した通りであり、４は半導体ウエ
ハ１の外周部に適当な幅で、通常の写真製版技術とイオ
ン注入技術を用いて形成されたイオン注入領域である。
以下図を用いて詳細に説明を行う。
第２図Ａは第１図Ａの場合と同様外縁部に若干の欠損部
２の存在するような半導体ウエハ１を示す。
２の存在するような半導体ウエハ１を示す。
このウエハ１に、半導体装置を作成するための熱処理工
程を加える前に、まず第２図Ｂに示すように外周部に帯
状にイオン注入領域４を形成する。
程を加える前に、まず第２図Ｂに示すように外周部に帯
状にイオン注入領域４を形成する。
このように帯状のイオン注入領域４を作成することは、
通常の写真製版技術とイオン注入技術とを使っても、あ
るいはイオン不透過性の物質からなるマスクをウエハ１
に重ねてイオン注入することによっても可能である。
通常の写真製版技術とイオン注入技術とを使っても、あ
るいはイオン不透過性の物質からなるマスクをウエハ１
に重ねてイオン注入することによっても可能である。
しかる後、従来方法と全く同様に何回かの高温熱処理を
含む工程を経て半導体装置をこのウエハ１に形成するの
であるが、上述のように外周部にイオン注入領域４を設
けた場合には、第２図Ｃに示すようにウエハ１の内部に
は外縁部の欠損部２を起源とするような結晶欠陥３が伸
びない。
含む工程を経て半導体装置をこのウエハ１に形成するの
であるが、上述のように外周部にイオン注入領域４を設
けた場合には、第２図Ｃに示すようにウエハ１の内部に
は外縁部の欠損部２を起源とするような結晶欠陥３が伸
びない。
従って、このようにして形成された半導体素子には結晶
欠陥による特性の劣化は生じない。
欠陥による特性の劣化は生じない。
上記の如きウエハ外周部へのイオン注入によって、熱処
理時にウエハ外縁部の欠損を起源とするような転位等の
結晶欠陥の中央部への伝播が阻止される現象の本質的な
機構は現在のところ完全には解明されていないが、第２
図Ｂに示すようにイオン注入をほどこすことによって、
イオン注入領域４の表面はほぼ多結晶とみなし得る程度
に高密度でかつ、均一な照射損傷を受けることは確実で
、このような層が均一にウエハ１の外周を取り巻いてい
ることによって、従来は外縁部の欠損２に集中して転位
を発生させていた熱処理時の熱応力がこの領域で平均的
に吸収され、その結果従来のように局部的な結晶欠陥の
発生と、そのウエハ１の内部への伝播が起らないものと
考えられる。
理時にウエハ外縁部の欠損を起源とするような転位等の
結晶欠陥の中央部への伝播が阻止される現象の本質的な
機構は現在のところ完全には解明されていないが、第２
図Ｂに示すようにイオン注入をほどこすことによって、
イオン注入領域４の表面はほぼ多結晶とみなし得る程度
に高密度でかつ、均一な照射損傷を受けることは確実で
、このような層が均一にウエハ１の外周を取り巻いてい
ることによって、従来は外縁部の欠損２に集中して転位
を発生させていた熱処理時の熱応力がこの領域で平均的
に吸収され、その結果従来のように局部的な結晶欠陥の
発生と、そのウエハ１の内部への伝播が起らないものと
考えられる。
なお、このような原理からも明らかなように、上述の実
施例におけるイオン注入は照射損傷層を作ることが目的
であるから、例えばアルゴンイオンを２００ｋｅＶで１
０１６／ｃｍ２程度打ち込めば十分である。
施例におけるイオン注入は照射損傷層を作ることが目的
であるから、例えばアルゴンイオンを２００ｋｅＶで１
０１６／ｃｍ２程度打ち込めば十分である。
しかし注入イオンの種類および注入エネルギーなどの注
入条件はこれに限定されるものではない。
入条件はこれに限定されるものではない。
また、上記実施例では、半導体装置製造工程の最初の熱
処理工程を行なう以前にイオン注入領域４を形成する場
合について述べたが、必要に応じて工程のいずれの段階
で適用してもこの発明にかかる方法が効果を示し得るこ
とは明らかである。
処理工程を行なう以前にイオン注入領域４を形成する場
合について述べたが、必要に応じて工程のいずれの段階
で適用してもこの発明にかかる方法が効果を示し得るこ
とは明らかである。
さらにまた、上記実施例ではイオン注入領域を、ウエハ
の外周部を一定の幅を持つ形でとりまく形状に注入する
ように示したが、この形状はこれに限らず任意の形でよ
いことは勿論である。
の外周部を一定の幅を持つ形でとりまく形状に注入する
ように示したが、この形状はこれに限らず任意の形でよ
いことは勿論である。
なお、イオン注入はウエハの表面側（半導体装置を形成
する側）から行なっても、裏面側から行なっても、ほゞ
同等な効果が期待できる。
する側）から行なっても、裏面側から行なっても、ほゞ
同等な効果が期待できる。
以上詳述したように、この発明では半導体ウエハに半導
体装置を形成するための高温熱処理を施す工程に先立っ
て上記半導体ウエハの外周部にイオン注入によって照射
損傷領域を形成するので、半導体ウエハの外縁部に存在
する欠損部に熱処理時の応力が集中してこれを起源とし
て結晶欠陥が成長するようなことがないように、上記イ
オン注入領域に熱応力を平均的に吸収させることができ
、従って、出来上った半導体装置に結晶欠陥の悪影響の
及ぶこともない。
体装置を形成するための高温熱処理を施す工程に先立っ
て上記半導体ウエハの外周部にイオン注入によって照射
損傷領域を形成するので、半導体ウエハの外縁部に存在
する欠損部に熱処理時の応力が集中してこれを起源とし
て結晶欠陥が成長するようなことがないように、上記イ
オン注入領域に熱応力を平均的に吸収させることができ
、従って、出来上った半導体装置に結晶欠陥の悪影響の
及ぶこともない。
第１図は従来方法による結晶欠陥の発生状況を示す模式
図で、第１図Ａは原材料半導体ウエハを、第１図Ｂは熱
処理後の半導体ワエハを示す。 第２図Ａ−Ｃはこの発明の一実施例を示す各段階での半
導体ウエハの状況を示す模式図である。 図において、１は半導体ウエハ、２は欠損、３は結晶欠
陥、４はイオン注入領域である。 なお、図中同一符号は同一もしくは相当部分を示す。
図で、第１図Ａは原材料半導体ウエハを、第１図Ｂは熱
処理後の半導体ワエハを示す。 第２図Ａ−Ｃはこの発明の一実施例を示す各段階での半
導体ウエハの状況を示す模式図である。 図において、１は半導体ウエハ、２は欠損、３は結晶欠
陥、４はイオン注入領域である。 なお、図中同一符号は同一もしくは相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウエハに半導体装置を形成するための高温熱
処理を施す工程に先立って上記半導体ウエハの外周部に
イオン注入によって照射損傷領域を形成することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 ２ アルゴンイオンを少なくとも２００ｋｅＶで１０１
６／ｃｍ２程度注入することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3193877A JPS588134B2 (ja) | 1977-03-22 | 1977-03-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3193877A JPS588134B2 (ja) | 1977-03-22 | 1977-03-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53116771A JPS53116771A (en) | 1978-10-12 |
| JPS588134B2 true JPS588134B2 (ja) | 1983-02-14 |
Family
ID=12344903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3193877A Expired JPS588134B2 (ja) | 1977-03-22 | 1977-03-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588134B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5793532A (en) * | 1980-12-03 | 1982-06-10 | Toshiba Corp | Treating method for semiconductor wafer |
| JPS58207642A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハ− |
-
1977
- 1977-03-22 JP JP3193877A patent/JPS588134B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53116771A (en) | 1978-10-12 |
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