JPS5880845A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPS5880845A JPS5880845A JP56178322A JP17832281A JPS5880845A JP S5880845 A JPS5880845 A JP S5880845A JP 56178322 A JP56178322 A JP 56178322A JP 17832281 A JP17832281 A JP 17832281A JP S5880845 A JPS5880845 A JP S5880845A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体撮像装置の製造方法の改良に係わシ、４Ｉ
ＩＩｃ固体撮像素子を保禮するための高信頼性でかつ低
価格なパッケージング方法に関するものである。
ＩＩｃ固体撮像素子を保禮するための高信頼性でかつ低
価格なパッケージング方法に関するものである。
一般ＫＣＯＤ−？ＭＯ８等の固体ｍ像素子は、その特性
を発揮しかつ個＠性硼保のために、外界雰囲気から遮断
して保穫することが必要である。又、固体撮像素子紘外
部からの元情報を検知するものであるから、元情報が素
子Ｏ受光部に正確に送られなければならない。
を発揮しかつ個＠性硼保のために、外界雰囲気から遮断
して保穫することが必要である。又、固体撮像素子紘外
部からの元情報を検知するものであるから、元情報が素
子Ｏ受光部に正確に送られなければならない。
このような条件を満足させるためのパッケージング方法
を用いた固体撮像装置は、従来第１図又は第２図のよう
に構Ｉａされている。第１図において１はセラミック等
で成形された基板、スは固体撮像亀子、３は素子と外部
回路とを電気的に結合する導電性リード、４は固体撮像
素子２の受光面に元情報を伝えるための透明３Ｐ板で一
般にはガラス板が用いられる。基［１と透明平１１ｔ４
とで囲壕れて成る中空部分内には、固体撮像素子２、固
体撮像素子上の電極Ｓおよび固体撮像素子と導電性リー
ド３とを接続テるボンディングワイヤーのａ化防止や水
分等による腐食防止の目的て、一般に窒素ガス等の不活
性ガスが充填されている。一方、固体−ｍ素子２は一般
に２００〜２５０℃以上の高温に加熱されると破壊され
る九め、基ｆＥ１と透明平板４とを低融点ガラスでＮ１
ｍシールすゐことができない。この九め、予め金属リン
グｒｔａｎｔおよび透明平板４に個々に低融点ガラス龜
で接着してお亀、基板ＩＫ固体撮偉素子２をダイボンデ
ィングし、導電性リード３と固体ｍ儂嵩子２と０間をボ
ンディングワイヤで両統した後、ムｗ−１１ｍ。
を用いた固体撮像装置は、従来第１図又は第２図のよう
に構Ｉａされている。第１図において１はセラミック等
で成形された基板、スは固体撮像亀子、３は素子と外部
回路とを電気的に結合する導電性リード、４は固体撮像
素子２の受光面に元情報を伝えるための透明３Ｐ板で一
般にはガラス板が用いられる。基［１と透明平１１ｔ４
とで囲壕れて成る中空部分内には、固体撮像素子２、固
体撮像素子上の電極Ｓおよび固体撮像素子と導電性リー
ド３とを接続テるボンディングワイヤーのａ化防止や水
分等による腐食防止の目的て、一般に窒素ガス等の不活
性ガスが充填されている。一方、固体−ｍ素子２は一般
に２００〜２５０℃以上の高温に加熱されると破壊され
る九め、基ｆＥ１と透明平板４とを低融点ガラスでＮ１
ｍシールすゐことができない。この九め、予め金属リン
グｒｔａｎｔおよび透明平板４に個々に低融点ガラス龜
で接着してお亀、基板ＩＫ固体撮偉素子２をダイボンデ
ィングし、導電性リード３と固体ｍ儂嵩子２と０間をボ
ンディングワイヤで両統した後、ムｗ−１１ｍ。
ムｕ−８ｉ等Ｏ軟ろ５材−を金属リングＴＭＫｔｊ格み
、局部的に加熱して気密シールを行っている。
、局部的に加熱して気密シールを行っている。
このようなパッケージング構造の場合、気密シールの丸
め外部からの水分、各種ガスの侵入を完全に防止できる
丸め、長寿命で高信頼性の固体撮像装置を得ることがで
きる。しかし、シール部分の構造が複雑であるためシー
ル作業工程が多くて作業性が悪い、又金属リング、金糸
ろう羽の費用が高い等の間ｌＩがＴｏシ、パッケージン
グコストが極めて高いという欠点ｔＷしている。
め外部からの水分、各種ガスの侵入を完全に防止できる
丸め、長寿命で高信頼性の固体撮像装置を得ることがで
きる。しかし、シール部分の構造が複雑であるためシー
ル作業工程が多くて作業性が悪い、又金属リング、金糸
ろう羽の費用が高い等の間ｌＩがＴｏシ、パッケージン
グコストが極めて高いという欠点ｔＷしている。
第２５１１は別の従来方式の固体撮像装置である。
この場合には、基板１と透明平板４とを有機接着剤１０
でシールし、中空部分には＃Ｉ１図の場合と同様に不活
性ガスが充填されている。この固体撮像装置は構造が簡
単でシールの作業がし易く、パッケージングコストが極
めて安いという長所を有している。しかし、有機接着剤
を通って、水分や□ 各種ガスが外部から内部へ浸入するため気密性が悪く、
寿命及び信頼性が劣るという欠点を有している。特に水
分が侵入して露点に達した場合、透明平板の内面に結露
して外から固体撮像装置への正確な光惰職の伝達が妨げ
られるという転置的な障害が発生し易い。
でシールし、中空部分には＃Ｉ１図の場合と同様に不活
性ガスが充填されている。この固体撮像装置は構造が簡
単でシールの作業がし易く、パッケージングコストが極
めて安いという長所を有している。しかし、有機接着剤
を通って、水分や□ 各種ガスが外部から内部へ浸入するため気密性が悪く、
寿命及び信頼性が劣るという欠点を有している。特に水
分が侵入して露点に達した場合、透明平板の内面に結露
して外から固体撮像装置への正確な光惰職の伝達が妨げ
られるという転置的な障害が発生し易い。
し九がって、本発明の目的は長寿命、高ｌ！輌性かつ低
価格のパッケージング構造を有する固体撮像装置の製造
方法を提供することにある。
価格のパッケージング構造を有する固体撮像装置の製造
方法を提供することにある。
このため、本発明は、予めｌＩ体ｍ像素子を１飯にグイ
ボンディングし、ｓｈにワイヤボンディングをし食後の
ｓｈａ中空部分に透明なｍ脂を充填し、硬化１ｉｓｉ＋
脂を機械加工することに６る。本発明の方法によれば、
透明平板を用いた気密シール方式に比較してパッケージ
ングコストを着しく安くできる。又、中空部分は透ｔｓ
ｏｍｒａで充填される丸め、中空部分に侵入し良水分に
よる結露及びボンディングワイヤ腐食の恐れ紘全くなく
、長寿命、高信Ｓ＋ＳＯ固体撮像装置が萄られる。
ボンディングし、ｓｈにワイヤボンディングをし食後の
ｓｈａ中空部分に透明なｍ脂を充填し、硬化１ｉｓｉ＋
脂を機械加工することに６る。本発明の方法によれば、
透明平板を用いた気密シール方式に比較してパッケージ
ングコストを着しく安くできる。又、中空部分は透ｔｓ
ｏｍｒａで充填される丸め、中空部分に侵入し良水分に
よる結露及びボンディングワイヤ腐食の恐れ紘全くなく
、長寿命、高信Ｓ＋ＳＯ固体撮像装置が萄られる。
以下本発明の一、ｗｉｔｓを第３Ｅ−藤５ＥＫ示す。
なお、各図におい、、、て、８１ｗＪと同−又は相蟲部
分ＫＦｉ同一符号を付しである。
分ＫＦｉ同一符号を付しである。
実施例１
第３ｗＪにおいて、基板１の中空部分内に、金山を用い
え射出成形法によシ、点＠１１で示す形に加熱し九アク
リル樹１１１２を充填して硬化させる。
え射出成形法によシ、点＠１１で示す形に加熱し九アク
リル樹１１１２を充填して硬化させる。
そ４り＊、外部の党情＠を正１１Ｋかつ完全に透過させ
る九めＫ１１ａｉｉを研摩し、表面の傷、凹凸を除去し
て固体彎像嵩子費党１１に平行でかつ完全に平坦で平滑
な面１８に仕上げる。このようにして作製した固体撮像
装置０９１ｍ性試験を行ったところ、２０４−の使用に
耐える個ｌ１ｌＩＩＩｔを有することが確認されえ。
る九めＫ１１ａｉｉを研摩し、表面の傷、凹凸を除去し
て固体彎像嵩子費党１１に平行でかつ完全に平坦で平滑
な面１８に仕上げる。このようにして作製した固体撮像
装置０９１ｍ性試験を行ったところ、２０４−の使用に
耐える個ｌ１ｌＩＩＩｔを有することが確認されえ。
！論例２
実施例１と同様の方法によ３％ ［図の点赫１４に示す
形に、すなわち基穢食体を包むようにアクリル１１１１
１１２で成形しえ、七〇後、元を透過させる５ｉｏｓｎ
ｓ通を実施例１と同様に機械加工した。加工後０＊画は
ｌｌＯようになる。
形に、すなわち基穢食体を包むようにアクリル１１１１
１１２で成形しえ、七〇後、元を透過させる５ｉｏｓｎ
ｓ通を実施例１と同様に機械加工した。加工後０＊画は
ｌｌＯようになる。
かようにして作製しえ固体撮像装置ｔ％笑施例１の場合
と同様０ｆｌＨＲｆａｔ”４１することが確認され良。
と同様０ｆｌＨＲｆａｔ”４１することが確認され良。
実施１１３
籐５閣にシーて、１薯１の中空部分に未硬化の透明な無
溶剤タイプのアクリル系紫外−硬化１ｌｉＩ１１２ａ（
外表Ｉｉ］１６）を注入し良。その後’！！１＆１２０
ｍＩＩＦ／１１の高圧水銀ランプを基１１１かも５０ａ
ｇの位置にセットし、３０秒間館外−１１を照射し友。
溶剤タイプのアクリル系紫外−硬化１ｌｉＩ１１２ａ（
外表Ｉｉ］１６）を注入し良。その後’！！１＆１２０
ｍＩＩＦ／１１の高圧水銀ランプを基１１１かも５０ａ
ｇの位置にセットし、３０秒間館外−１１を照射し友。
この結果中空部分の樹脂１２ａａ硬化し、（Ｏ外表面は
１＠のようになる。七ｏＬ実施例１と同様の方法で、樹
脂表面の機械加工を行ないｆｌｉｔ＠のように仕上げし
え。このようにして作製した固体撮像装置も、実施例１
と岡じ傷ＩＩ性を有することがわかった。
１＠のようになる。七ｏＬ実施例１と同様の方法で、樹
脂表面の機械加工を行ないｆｌｉｔ＠のように仕上げし
え。このようにして作製した固体撮像装置も、実施例１
と岡じ傷ＩＩ性を有することがわかった。
こ０ように、本発明の固体撮像装置によれば、パッケー
ジングコストを従来Ｏ気書シール方式０１７５以下にで
きるとともに、気密シール方式と同じ２０年以上の信頼
性を有する固体撮像装置を提供することができる。
ジングコストを従来Ｏ気書シール方式０１７５以下にで
きるとともに、気密シール方式と同じ２０年以上の信頼
性を有する固体撮像装置を提供することができる。
第１図、１２１１は従来Ｏ囲体撮像装置Ｏ柵進を示す断
面図、第３図は本発明の一興ＩＩＡ例を説明する固体撮
像装置の断Ｉ［１ｌ１１％第４図及び第Ｓ図は他のＩｌ
！施例による固体撮會装置Ｏ断閣閣である。 １・・・・基板、２・・・・固体撮儂累子、３・・・・
導電性リード、５−１１・・電極、６・・・・ボンディ
ングワイヤ、１２・・・・アクリル樹脂、１３・働・・
仕上げされ九面。 第１図 第２図
面図、第３図は本発明の一興ＩＩＡ例を説明する固体撮
像装置の断Ｉ［１ｌ１１％第４図及び第Ｓ図は他のＩｌ
！施例による固体撮會装置Ｏ断閣閣である。 １・・・・基板、２・・・・固体撮儂累子、３・・・・
導電性リード、５−１１・・電極、６・・・・ボンディ
ングワイヤ、１２・・・・アクリル樹脂、１３・働・・
仕上げされ九面。 第１図 第２図
Claims (1)
- 固体撮像素子を収容した基１１円の中空部分Ｋａ明な未
硬化の樹脂を充填し、次いでこの樹脂を硬化させた後、
樹脂の表面を平坦に機械加工する゛こａｔ特徴とする固
体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178322A JPS5880845A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178322A JPS5880845A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880845A true JPS5880845A (ja) | 1983-05-16 |
Family
ID=16046451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56178322A Pending JPS5880845A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880845A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3410401A1 (de) | 1982-09-29 | 1985-10-03 | Welch Allyn, Inc., Skaneateles Falls, N.Y. | Elektro-optischer bildabtaster |
| JPS6298379U (ja) * | 1985-12-07 | 1987-06-23 | ||
| JPS63290472A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US4999319A (en) * | 1986-03-19 | 1991-03-12 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device having package structure |
-
1981
- 1981-11-09 JP JP56178322A patent/JPS5880845A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3410401A1 (de) | 1982-09-29 | 1985-10-03 | Welch Allyn, Inc., Skaneateles Falls, N.Y. | Elektro-optischer bildabtaster |
| JPS6298379U (ja) * | 1985-12-07 | 1987-06-23 | ||
| US4999319A (en) * | 1986-03-19 | 1991-03-12 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device having package structure |
| JPS63290472A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
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