JPH02142165A - 半導体光センサー用ケース - Google Patents
半導体光センサー用ケースInfo
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- JPH02142165A JPH02142165A JP29666488A JP29666488A JPH02142165A JP H02142165 A JPH02142165 A JP H02142165A JP 29666488 A JP29666488 A JP 29666488A JP 29666488 A JP29666488 A JP 29666488A JP H02142165 A JPH02142165 A JP H02142165A
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- transparent substrate
- sealing
- optical sensor
- case
- semiconductor optical
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＣＣＤ光センサ等半導体光セン→ノー−を組立
る際に使用されるケースに関する。
る際に使用されるケースに関する。
従来、半導体光センサーのケースへの組立は、第２図に
示す通り、セラミックケース１に半導体センサー２を載
置し、金線等で配線し、封止材５がついた透明基板６を
ケース１にのせ、加熱して封止していた。
示す通り、セラミックケース１に半導体センサー２を載
置し、金線等で配線し、封止材５がついた透明基板６を
ケース１にのせ、加熱して封止していた。
〔発明が解決しようとする課題」
上述した従来の組立方法においては、透明基板に封止材
をつけた透明基板を使用していた。一般に光セン→）−
においては透明基板に汚れ等の欠陥があると光が部分的
にセンサーに当らなくなり、製品は不良品となる。従来
この種の透明基板は清浄な研磨されたガラス基板に、封
止用樹脂を塗布する事により作られる。しかし、封止を
塗布したガラス基板はその後洗浄する事が困難であり、
汚れがつくと不良品として廃棄しなくてはならず、価格
が高価であった。
をつけた透明基板を使用していた。一般に光セン→）−
においては透明基板に汚れ等の欠陥があると光が部分的
にセンサーに当らなくなり、製品は不良品となる。従来
この種の透明基板は清浄な研磨されたガラス基板に、封
止用樹脂を塗布する事により作られる。しかし、封止を
塗布したガラス基板はその後洗浄する事が困難であり、
汚れがつくと不良品として廃棄しなくてはならず、価格
が高価であった。
本発明によれば外部端子と半導体チップを載置する基板
と、基板上に載置されて半導体チップを封止する透明基
板と、透明基板に取り付けられて基板と接着する封止材
とを有する半導体光センサー用ケースを得る。
と、基板上に載置されて半導体チップを封止する透明基
板と、透明基板に取り付けられて基板と接着する封止材
とを有する半導体光センサー用ケースを得る。
次に、図面を参照して本発明を説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
セラミックケースｌに半導体光センサ−２を銀ペースト
で取り付け、外部端子３と半導体光センサ−２とを金線
４で配線する。
で取り付け、外部端子３と半導体光センサ−２とを金線
４で配線する。
封止用エポキシ樹脂５は透明基板６との接着面７に厚さ
０．２ ｎ＋＋ｎであらかじめ塗布されている。透明基
板６を圧着した後１５０℃６０分加熱する事により封止
を完了する。
０．２ ｎ＋＋ｎであらかじめ塗布されている。透明基
板６を圧着した後１５０℃６０分加熱する事により封止
を完了する。
以上述べた実施例のエポキシ樹脂５の代りに低融点ガラ
スを使用しても良い。従って、この時封止温度は４３０
℃と比較的高温で行うことができる。
スを使用しても良い。従って、この時封止温度は４３０
℃と比較的高温で行うことができる。
以上説明したように、本発明のケースを使用する事によ
り、透明基板は封止材の付いていない板ガラスが使用出
来る為、透基製造歩留が高く、安価な材料が使用出来る
事になる。
り、透明基板は封止材の付いていない板ガラスが使用出
来る為、透基製造歩留が高く、安価な材料が使用出来る
事になる。
■・・・・・・セラミックケース、２・・・・・・半導
体光センサ、３・・・・・・外部端子、４・・・・・・
金線、５・・・・・・封止材、６・・・・・・透明基板
、７・・・・接着面。
体光センサ、３・・・・・・外部端子、４・・・・・・
金線、５・・・・・・封止材、６・・・・・・透明基板
、７・・・・接着面。
Claims (1)
- 透明基板を接着する為の封止材が、ケース上の該透明基
板接着面に有する事を特徴とする半導体光センサー用ケ
ース
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29666488A JPH02142165A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体光センサー用ケース |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29666488A JPH02142165A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体光センサー用ケース |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02142165A true JPH02142165A (ja) | 1990-05-31 |
Family
ID=17836478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29666488A Pending JPH02142165A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体光センサー用ケース |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02142165A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877546A (en) * | 1996-01-02 | 1999-03-02 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor package with transparent window and fabrication method thereof |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP29666488A patent/JPH02142165A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877546A (en) * | 1996-01-02 | 1999-03-02 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor package with transparent window and fabrication method thereof |
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