JPH02142165A - 半導体光センサー用ケース - Google Patents
半導体光センサー用ケースInfo
- Publication number
- JPH02142165A JPH02142165A JP29666488A JP29666488A JPH02142165A JP H02142165 A JPH02142165 A JP H02142165A JP 29666488 A JP29666488 A JP 29666488A JP 29666488 A JP29666488 A JP 29666488A JP H02142165 A JPH02142165 A JP H02142165A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent substrate
- sealing
- optical sensor
- case
- semiconductor optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＣＣＤ光センサ等半導体光セン→ノー−を組立
る際に使用されるケースに関する。
る際に使用されるケースに関する。
従来、半導体光センサーのケースへの組立は、第２図に
示す通り、セラミックケース１に半導体センサー２を載
置し、金線等で配線し、封止材５がついた透明基板６を
ケース１にのせ、加熱して封止していた。
示す通り、セラミックケース１に半導体センサー２を載
置し、金線等で配線し、封止材５がついた透明基板６を
ケース１にのせ、加熱して封止していた。
〔発明が解決しようとする課題」
上述した従来の組立方法においては、透明基板に封止材
をつけた透明基板を使用していた。一般に光セン→）−
においては透明基板に汚れ等の欠陥があると光が部分的
にセンサーに当らなくなり、製品は不良品となる。従来
この種の透明基板は清浄な研磨されたガラス基板に、封
止用樹脂を塗布する事により作られる。しかし、封止を
塗布したガラス基板はその後洗浄する事が困難であり、
汚れがつくと不良品として廃棄しなくてはならず、価格
が高価であった。
をつけた透明基板を使用していた。一般に光セン→）−
においては透明基板に汚れ等の欠陥があると光が部分的
にセンサーに当らなくなり、製品は不良品となる。従来
この種の透明基板は清浄な研磨されたガラス基板に、封
止用樹脂を塗布する事により作られる。しかし、封止を
塗布したガラス基板はその後洗浄する事が困難であり、
汚れがつくと不良品として廃棄しなくてはならず、価格
が高価であった。
本発明によれば外部端子と半導体チップを載置する基板
と、基板上に載置されて半導体チップを封止する透明基
板と、透明基板に取り付けられて基板と接着する封止材
とを有する半導体光センサー用ケースを得る。
と、基板上に載置されて半導体チップを封止する透明基
板と、透明基板に取り付けられて基板と接着する封止材
とを有する半導体光センサー用ケースを得る。
次に、図面を参照して本発明を説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
セラミックケースｌに半導体光センサ−２を銀ペースト
で取り付け、外部端子３と半導体光センサ−２とを金線
４で配線する。
で取り付け、外部端子３と半導体光センサ−２とを金線
４で配線する。
封止用エポキシ樹脂５は透明基板６との接着面７に厚さ
０．２ ｎ＋＋ｎであらかじめ塗布されている。透明基
板６を圧着した後１５０℃６０分加熱する事により封止
を完了する。
０．２ ｎ＋＋ｎであらかじめ塗布されている。透明基
板６を圧着した後１５０℃６０分加熱する事により封止
を完了する。
以上述べた実施例のエポキシ樹脂５の代りに低融点ガラ
スを使用しても良い。従って、この時封止温度は４３０
℃と比較的高温で行うことができる。
スを使用しても良い。従って、この時封止温度は４３０
℃と比較的高温で行うことができる。
以上説明したように、本発明のケースを使用する事によ
り、透明基板は封止材の付いていない板ガラスが使用出
来る為、透基製造歩留が高く、安価な材料が使用出来る
事になる。
り、透明基板は封止材の付いていない板ガラスが使用出
来る為、透基製造歩留が高く、安価な材料が使用出来る
事になる。
■・・・・・・セラミックケース、２・・・・・・半導
体光センサ、３・・・・・・外部端子、４・・・・・・
金線、５・・・・・・封止材、６・・・・・・透明基板
、７・・・・接着面。
体光センサ、３・・・・・・外部端子、４・・・・・・
金線、５・・・・・・封止材、６・・・・・・透明基板
、７・・・・接着面。
Claims (1)
- 透明基板を接着する為の封止材が、ケース上の該透明基
板接着面に有する事を特徴とする半導体光センサー用ケ
ース
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29666488A JPH02142165A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体光センサー用ケース |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29666488A JPH02142165A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体光センサー用ケース |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02142165A true JPH02142165A (ja) | 1990-05-31 |
Family
ID=17836478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29666488A Pending JPH02142165A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体光センサー用ケース |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02142165A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877546A (en) * | 1996-01-02 | 1999-03-02 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor package with transparent window and fabrication method thereof |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP29666488A patent/JPH02142165A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877546A (en) * | 1996-01-02 | 1999-03-02 | Lg Semicon Co., Ltd. | Semiconductor package with transparent window and fabrication method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3173586B2 (ja) | 全モールド型固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH02142165A (ja) | 半導体光センサー用ケース | |
| JPS58127474A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02126685A (ja) | 固体イメージセンサー | |
| JPS6389313A (ja) | 電子部品の金型樹脂成形法 | |
| JPH0311757A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6329973A (ja) | 電子写真複写装置 | |
| JPS6362266A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPS6288345A (ja) | プラスチツク封止固体イメ−ジセンサ− | |
| JPS63127556A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62106649A (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JPS59132147A (ja) | 半導体装置の気密封止方法 | |
| JPH03195065A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6182449A (ja) | プラスチツクモ−ルド型半導体装置 | |
| JPH02103967A (ja) | 光センサ用パッケージ | |
| JPH081966B2 (ja) | Ｌｅｄ表示素子の製造方法 | |
| JP2511148Y2 (ja) | 光結合素子 | |
| JPH0723961Y2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPS61174766A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法 | |
| KR940006183Y1 (ko) | 플라스틱 ccd반도체 패키지 | |
| GB2274021A (en) | A Method of mounting a semi-conductor chip in a holder by mechanical clamping | |
| JPH05182999A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6086973A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH01238129A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS5818369Y2 (ja) | 固体撮像装置 |