JPS587804A - 酸化物電圧非直線抵抗体 - Google Patents

酸化物電圧非直線抵抗体

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JPS587804A
JPS587804A JP56105261A JP10526181A JPS587804A JP S587804 A JPS587804 A JP S587804A JP 56105261 A JP56105261 A JP 56105261A JP 10526181 A JP10526181 A JP 10526181A JP S587804 A JPS587804 A JP S587804A
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varistor
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菊池 公徳
新井 忠夫
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Sanken Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、酸化亜鉛を主成分とする酸化物の焼結体から
なる電圧非直線抵抗体(以下、バリスタと称する)に関
する。
ZnOを主成分とした酸化物バリスタとしては、ZnO
< Bi、0.0.1〜5% Jll/%、Coo  
o、t 〜3モル%、Mn0 0.1〜3 モに%、’
rto、 o、t 〜3 % k%、NiOO,1〜5
モル%、Or、0. Q、01〜3 % ル%、[有]
0.0.01〜5モル%をそれぞれ添加してなるバリス
タ(特公昭53−36584)、ZnOK B1,0゜
0.1〜5 モに%、Coo O,1〜5 % ル%、
 Mn00.1〜5モル%、sb、 o□O,OS〜7
モル%、Njo 0,1〜5モル%、 sio、 o、
t〜10モル%をそれぞれ添加してなるバリスタ(4?
公昭53−11076)などがある。しかし、前者のT
ieh−、?jどを添加した酸化物バリスタは、立上り
電圧は低いが直流負荷圧対する電圧変化率が大きいとい
う欠点を有している。一方、後者のsb、o、を添加し
た酸化物バリスタは、電圧変化率は小さいが立上り電圧
が高いという欠点を有している。
ところで、最近の電子機器の発達はめざましく、特に多
くの半導体素子が使用されているので異常電圧の吸収や
電圧の安定化が強く要求される。この目的のためには非
直線係数が大きく、負荷に対して安定した特性を有し、
更に立上り電圧の低いバリスタが要求される。そこで本
発明の目的はこのような要求に応えることのできるバリ
スタを提供することにある。
上記目的を達成するための本発明は、Zn、Bi。
TI%Qe、8bをそれぞれの代表的酸化物であるZn
O。
Bf、0. 、 Tie、 %Gem、 、 8b、O
s IC換jlE Lりffi ff 比−c−1Zn
094.9〜99.795−r−ル%、B110.0.
1〜3 % pv%、”Os 及ヒ/ Xlt Gem
、 0.1〜3 % ル%、sb、o。
o、oos〜0,1モル%含む基礎成分100重量部と
、Mnをその代表的酸化物のMrsOに換算してo、1
〜3重量部と、Coをその代表的酸化物のCoo に換
算して0.1〜5重量部と、を少なくとも含む焼結体か
ら成る酸化物電圧非直線抵抗体忙係わるものである。
上記本発明によれば、優れた電圧非直線性を有し、負荷
に対する安定性が良(、シかも比較的立上り電圧の低い
バリスタを提供することができる。
従って、本発明に係わるバリスタを電子回路に使用すれ
ば、高い信頼性を有して異常電圧の吸収等を行うことが
可能になる。この場合、電圧非直線性が優れているので
、定電圧特性が良く、回路電圧の変動を小さくすること
ができる。またバリスタ電圧を比較的低くすることがで
きるので、電圧の低い電子回路の保Sに好適なバリスタ
を提供することができる。
以下、本発明に係わる実施例1〜lOについて述べる。
各実施例の説明に入る前に共通事項について説明すると
、実施例1〜lOに於いては、ZnO1B’* Os 
、TIO* 及?J’ / 又ハ(xeO*、即チTi
1t ト()eO,トの一方又は両方、sb、o、から
成る基礎成分と、MnO,CoO,Al*Qs、# t
 )y4 tllly !J fy A 1jtx カ
ら選択された一部又は全部の添加成分とから成る粉末バ
リスタ原料で酸化物バリスタを製作した。
またこの実施例1〜10に於ける上記基礎成分は、総和
が100モル%になるように計量されたZnO。
Bi、0. 、 Tie、及び/又はGem、、sb、
o、 カら成る。従って、各実施例で基礎成分はモル%
で表わされてイル。マタ、上記添加成分t:r) Mn
01CoO1AI、0.、ホウケイ酸カリウムガラスは
、100重量部即ち100重量%の上記基礎成分に対す
る重責部即ち重量%でそれぞれ表わされている。
実施例1〜10でバリスタを製作する際には、まず、基
礎成分と添加成分とから成る原料をポールずル尋によっ
て十分混合し、これをポリビニールアリコール等の有機
結合剤を用いて造粒した。
次に、造粒を0.5〜3纒/7の圧力で加圧成形し、直
径17.5園、厚さ1,0■のディスクに仕上げ、更に
この成形物を1100〜1350m:’の空気中で1〜
3時間焼成した。これにより、出発原料と実質的に等し
い組成の焼結体が得られた。最後に、この焼結体の両面
にAg ペイントの焼付により電極を形成して酸化物バ
リスタを完成させた。第1図は上述の如き方法で製作し
た酸化物バリスタの断面図である。この酸化物バリスタ
のバリスタ作用は導電性微結晶11)とこれを包囲する
高抵抗層(2)忙起因すると考えられる。従って、材料
組成や焼成条件を変えるととによりバリスタの立上り電
圧や非直線係数を制御することができる0以上のように
バリスタ作用は焼結体内部で生じているので、電極(3
)の材料や形成法には4I&C限定はなく、Ag。
In%A1.8n などの蒸着による電極あるいはMメ
ッキによる電極なども同様な結果が得られる。
実施例1〜10のバリスタ特性を調べるためく、立上り
電圧■8、電圧比B1及び電圧変化率Δv1を測定した
。なお立上り電圧vMはバリスタ電ft1mAにおける
バリスタの端子電圧を測定することによって求めた。ま
たバリスタの電圧非直線性は非直線係数nの代りに電圧
比Rで表示した。電圧比Rはバリスタ電流1mAと10
人とにおけるバリスタの端子電圧vlと■締、とを測定
し、その比’so h / V 1を計算するととによ
って求めた。従って、電圧比几が小さい程、電圧非直線
性が優れている。
また電圧変化率ΔvII家周囲温度85C中にて0.5
W0直流電力をバリスタに24時間連続印加し、試験前
と試験後の逆方向の立上り電圧V、を測定し、その変分
を計算するととkよって求めた。従って、電圧変化率Δ
Vt(絶対値)が小さい程、負荷に対する安定性が優れ
ている。
第2図〜第11図は実施例1〜19に於けるvl、B、
Δ〜を片対数グラフでそれぞれ示すものである。
実施例 1 TlO,を0,25−1−ル%、Gem、を0.25−
e: ル5%、sb、o。
を0.02%#%、 MnOを0.5重量部、CoOを
0.5重量部にそれぞれ固定し、 ZnOとB輸0.の
みを第1表に示すよ51C6段階に変化させて試料番号
1〜6のバリスタを作り、V、、 R,ΔV、を測定し
たところ、第1表及び第2図の結果が得られた。なお理
解を容易にするために、試料番号1の組成を詳しく説明
すルト、ZnQ 99.48 モル%、BIIOB O
,05% ル%、Tie、 0.25モル%、伽0.0
.25モル%、及びsb鵞0魯0.02モル%で100
モル%となる基礎成分100重量部(100重量%)と
、Mn0O,5重量部(0,5重責%)と、Co00.
5重量部(0,5重量96)とから成る。他の試料番号
2〜6及び他の実施例の試料番号7〜66の組成も同様
な要領で決定されている。
#11表 第1表及び第2図によれば、B輸Osが3モル%を越え
たものは、電圧比Rが大きく(電圧非直線性が悪<)、
電圧変化率Δ■、も大き〜1(負荷に対して不安定であ
る)。一方、 B〜0.が0.1モル%より少ないもの
は、立上り電圧V、が高く、電圧比8および電圧変化率
Δ■、が大きい、従って、優れた電圧非直線性を有し、
負荷に対して安定でしかも比較的低圧タイプのバリスタ
を得るためのB−〇。
の好ましい範囲は0.1〜0.3モル%であり、より好
ましい範囲は0.2〜1モル%である。なお試料番号1
及び6のバリスタは本発明の範囲以外のものである。
実施例 2 Bi、0.を0.5モル%、sb、o、を0.02モル
%、MnOを0.5重責部、Cooを0.5重量部にそ
れぞれ固定し、ZnOとE’i0.のみをm2表に示す
ように7段階に変化させて試料番号7〜13のバリスタ
を作り、vl、”%△■1を測定したところ、第2表及
び第3図の結果が得られた。
第2表 第2表及び第3図から明らかなように%Tie。
が2モルにを越えると、電圧比R及び電圧変化率Δ■1
が大きくなる。一方、 Tie、が0,1モル%より少
なくなると、立上り電圧V、が大きくなる。従って、T
ie、の好ましい範囲は0.1〜21モル%であり、よ
り好ましい範囲は0.2〜1モル%である。なお試料番
号7及び13のバリスタは本発明の範囲外のものである
実施例 3 Bi雪0.Qo、5モル%、sb、o、を0.02モル
%、MnOを0.5重量部、CoOを0.5重量部にそ
れぞれ固定し、 ZnOと一0禦のみを第3表に示すよ
うに7段階に変化させて試料番号14〜20のバリスタ
を作りs v、 s B、ΔV、を測定したところ、第
3表及び第4図の結果が得られた。
第  3  表 第3表及び第4図から明らかなように、Gem、が2モ
ル%を越えると、電圧比R及び電圧変化率ΔV□が大き
くなる。一方、Gem、が0,1モル%より少なくなる
と、立上り電圧Δ■、が高くなり且つ電圧比Rが大きく
なる。従って、Gem、の好ましい範囲は0.1〜2モ
ル%であり、より好ましい範囲は0.2〜1モル%であ
る。なお試料番号14及び20のバリスタは本発明の範
囲外のものである。
実施例 4 B i、0.を0,5モル%、8b、0.を0.02モ
ル%、MnOを0.5重量部、Cooを0.5重量部に
それぞれ固定し、 ZnOとT10mとGem、のみを
第4表に示すように6段階に変化させて試料番号21〜
26のバリスタを作り、V、 、R,Δv1を測定した
ところ、第4表及び第5図の結果が得られた。
第4表 第4表及び第5図から明らかなように、Tie。
と(3eO,との合計が2モル%を越えると、電圧比几
及び電圧変化率△V、が大きくなる。一方、 Tie。
とGem、との合計が0.1モル%より少なくなると、
電圧比Rが大きくなる。従って、Tie、とGem、と
の合計の好ましい範囲は0.1〜2モル%であり、より
好ましい範囲は0.2〜1モル%である。
なお試料番号21及び26のバリスタは本発明の範囲外
のものである。
実施例 5 Bi鵞08を0.5モル%、Tie雪を0.25モル%
、Gem、を0,25モル%、MnOを0.5重量部、
CoOを0.5重量部にそれぞれ固向し、ZnOと8b
、0゜のみを第5表に示すように6段階に変化させて試
料番号27〜32のバリスタを作り、V、 、 R。
Δ〜を測定したところ、第5表及び第6図の結果が得ら
れた。
第5表 第5表及び316図から明らかなよ5 &C,8bmO
iが0.1モル%を越えると、立上り電圧■1が高くな
り且つ電圧比几が大きくなる。一方、sb、o、がo、
oosモル%より少ないと、立上り電圧v1が高くなり
且つ電圧変化率67重が大きくなる。従って、sb、o
、の好ましい範囲は0.005〜0.1モル%であり、
より好ましい範囲は0.01〜0.05モル%である。
なお試料番号27及び320)(リスクは本発明の範囲
外のものである。
以上の実施例1〜5&CよってBi、0.、Ti、0.
、GeU、、sb、o、の範囲が限定されることにより
、ZnOの好ましい範囲は必然的[94,9〜99.7
95モル%となる。
実施例 6 ZnOを98.98モル%、Bi、O,を0,5モル%
、Tie。
を0,25モル%、Gem、を0,25%A/%、Sb
*Os ヲ0.02モル%、C00を0.5重量部にそ
れぞれ固定し、MnOのみを第6表に示すように5橡階
に変化させて試料番号3s〜37のバリスタを作り、■
8、凡、Δv1を測定したところ、第6表及び第7図、
の結果が得られた。
第6表 第6表及び第7図から明らかなように、100重量部の
基礎成分に対してMoQが3重量部よりも多くなると、
電圧比比及び電圧変化率Δ■、が大きくなる。一方、M
oOが0.1重量部より少ないと、電圧比K及び電圧変
化率Δ■、が大きくなる。従って、MnQの好ましい範
囲は0.1〜3重量部であり、より好ましい範囲は0.
2〜1重量部である。なお試料番号33及び37のλリ
スクは本発明の範囲実施例 7 ZnU ヲ98.98 % k%、Bi晶ヲo、s %
 # X、’rit)。
ヲ0,25モル%、8b、0.ヲ0.02−v−ルX、
MnOヲ0.5重量部にそれぞれ固定し、cooのみを
第7表に示すように5段階に変化させて試料番号38〜
42のバリスタを作り、v、 s R%Δ■、を測定し
たところ、第7表及び第8図の結果が得られた。
第  7  表 第7表及び第8図から明らかなように、CoOが5重量
部を越えると、立上り電圧■、が高くなり且つ電圧比比
が大なくなる。一方、Co9が0.1モル%より少さく
なると、ΔV、が大きくなって負荷に対して不安定にな
る。従って、CoOの好まして範囲は0.1〜5重量部
であり、より好ましい範囲は0.2〜2重量部である。
なお試料番号38及び42のバリスタは本発明の範囲以
外のものである。
実施例 8 ZnOを98.98−v−ル%、Bi、0.を0,5モ
ル%、TiO。
を0.25モル%、GeO&を0.25モル%、sb、
o8を0.02モル%、MnOを0.5重量部、CoO
を0.5重量部にそれぞれ固定し、 At、Olのみを
第8表に示すよう九8段階に変化させて試料番号43〜
50の/(リスクを作り、■l 、ル、ΔVt ’L’
測定したところ、第8表及び第9図の結果が得られた。
第8表 第8表及び第9図から明らかなよう15ZnQ−Bi、
0.− Tie、−8b、0.− MnO−Cooから
成る基本組成に、AI、O,を添加すると、電圧比凡即
ち電圧非直線性が改善される。この場合、AI!0.が
0.05重量部を越えると、電圧比凡な小さくする効来
が得られなくなり且つ電圧変化率△viも大きくなる。
一方、All0@が0.0005重量部よりも少なくな
ると、 At、O,の添加効果が十分圧、!wめらhな
くなる・従って、λ’201の好ましい範囲は0.00
05〜0.05重量部であり、より好ましい範囲は0.
001〜0.01  重量部である。なお試量番号43
及び50のバリスタは本発明の範囲以外のものである。
実施例 9 ZnOヲ98.98 モに%、”*Osヲ0.5−v−
Jl/%、Ti0t’t O,25% ル%、G”* 
ヲ0.25−f−ル%、sb、o。
k O,02モル%、MnOを0.5重量部、Coo 
l O,5重量部にそれぞれ固定し、ホウケイ酸ガラス
粉末のみを第9表に示すように8段階に変化させて試料
番号51〜58のバリスタを作り、V、、fL、△■。
を測定したところ、第9表及び第10図の結果が得られ
た。なおホウケイ酸カリウムガラスは、B1に、8i、
を含む酸化物、ガラスであり、この実力例の場合は、B
、に、8i、をそれぞれ代表的酸化物であるB、0.、
K、0. S iO,に換算した組成比で、B、0.約
20重量%、鳥O約3重量%、8i0.約77重量%、
その細微量の不純物を含むものである。
第  9  表 第9表及び第1θ図から明らかなように、ホウケイ酸カ
リウムガラスを添加すれば、電圧変化率ΔV、を3%以
下にすることが可能になり、負荷に対する安定性が改善
される。この場合、上記ガラスが3重量部を越えると、
電圧変化率ΔV、を/J%さくする効果が少なくなり且
つ電圧比孔が大きくなる。一方、上記ガラスが0.05
重量部より少なくなると、その添加効果が十分に認めら
れなくなる。
従って、上記ガラスの好ましい範囲は0.05〜3重量
部であり、より好ましい範囲は0.1〜1重量部である
。なお試料番号51及び58のノ(リスクは本発明の範
囲外のものである。
実施例 10 ZnO1kg8.98 モル%、B−0mを0.5モル
%、Tielを0.25モル%、GeO冨を0.25毫
ル%、8b冨O畠を0.02−v−ル%、MnOを0.
5重量部、CoOを0.5 重量部、A−0,を0,0
02重量部にそれぞれ固定し、ホウケイ酸ガラス粉末の
みを第10表に示すように8段階に変化させて試料番号
59〜66のバリスタを作り、V、、R1ΔV、を測定
したところ、第10表及び第11図の結果が得られた。
第10表 第10表及び第11図から明らかなように1Al、0.
を添加し、更にホウケイ酸カリウムガラスを添加すれば
、電圧比にと電圧変化率Δ■、との両方が改善される。
この場合に於ける上記ガラスの好ましい範囲も実施例9
と同様K O,05〜3重量部であり、より好ましい範
囲は0.1〜1重量部である。
なお試料番号59〜66のバリスタは本発明の範囲以外
のものである。
以上、本発明の実施例について述べたが、次の事項も実
験によって確認されている。
(a)実施例に於ける各成分の出発原料を酸化物以外の
水酸化物や炭酸塩としても同様なバリスタを得ることが
可訃である。
(bl  B雪O畠5〜40重量%、K、OO,5〜1
0 重量%、8i0鵞残部(50〜94.5重量%)の
組成のホウケイ酸カリウムガラスを0.05〜3 重量
96添加した場合でも、実施例9及びlOと同様な効果
が得られた。この場合、基礎成分に対してB!010.
0025〜1.2重量部、K、00,00025〜0.
3重量部、S最0.0.025〜2,835重量部添加
したことになる。またホウケイ酸カリウムガラスの代り
にB1に、8iをそれぞれB、O,、K、018i0.
として添加した場合には、即ち、B、に%Si1はガラ
ス成分即ちフリットとして添加しなければならないこと
が判った。
(cl  SnO,,8io、、Bad、 Cab、 
8rO,N iO,Cr、03、In@0@、Ca、0
@、LJI、0. 、 Nd、01 、 MgF、 、
MnF、などの金属酸化物またはハロゲン化物を100
1ii1部の基礎成分に対して0.2〜0.5 li量
部1程度添加すれば、Δ■1が小さくなり、安定性が改
善されるこ   □とが確認された。
(di  実施例1〜10では、変化成分以外の成分を
一定値に固定したが、この固定した値以外の組成比にお
いても同様な効果が得られることが確認された。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わる酸化物バリスタの焼結結晶粒子
の配列を模式的に示す断面図である。第2図、第3図、
第4図、第5図、第6図、第7図、第8図、第9図、第
10図、及び第11図は各成分を変化させた時のそれぞ
れのv、、h、及びΔVIの変化を示す特性曲線図であ
る。 なお図面に用いられている符号に於いて、(11は結晶
、(2)は高抵抗層、(3)は電極である。 代理人 高野創成 =2′。 手続補正書(自発) 昭和56年8月27日 特許庁長音 島田春樹   殿 l、事件の表示 昭和56年特 許 順第10Sj161号−2、発@O
名称 酸化物電圧非直線抵抗体3、補正をする者 事件との関係  出腺人 4、代理人 明細書の発明の詳細な説@O欄・ 8、補正の内容 別紙の通り・ fi+  #4細置薬611第14行の「アリコール」
を「アルコール」に補正する。 (2)明細書第8員第15行の「変」の後に「化」を加
入する。 (3)明細書第21員第5行の「0.1〜0.3モル%
」を「0.1〜3モル%」K補正する。 (4)  明細書第16員第13行の「園内」を「固定
」に補正する。 (5)明細書第21頁第4行の「少さく」を「少なく」
忙補正する。 (6)明細書第21員第5行の「好まして」を「好まし
い」に補正する。 (7)明細書第24iij第2行の「si、Jを[si
Jに補正する (8)明細書gz4iug3行O[Sム、Jjtr8i
Jk補正する。 (9)  明細書第24員第3行の「それぞれ」を「そ
れぞれ」に補正する。 αG 明細書第27員第7行の「59〜66」を「59
及び66」に補正する。 任υ 明細書第28員第8行の「場合にを1、」の後に
「実施例9及び10で説明したような性能を1得られな
かった。」を加入する。 (13明細書第281jl!8行Or 81. Jヲr
 st Jに補正する。 Q3)  明細書第28員第12行のreason J
 tt「qa麓0.」に補正する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 Zn%Bl、Ti、Ge、sb  をそれぞれの代表的
    III 化物”C” アルZnOs B輸Os 、”O
    s s G”0* 、SbmOsに換算した組成比で、 ZnO94,9〜99.7954: k%B輸0.  
          o、t〜3   モル%T10.及び/又
    はGtO,0,1〜2    モル%8b、0.   
        0.005〜0.1  モル%含む基礎成分1
    00重量部と、 励 をその代表的酸化物のMnOに換算して0.1〜3
    重量部と、 COをその代表的酸化物のCoOK−換算して0.1〜
    5重量部と、 を少なくとも含む焼結体から成る酸化物電圧非直線抵抗
    体。
JP56105261A 1981-07-06 1981-07-06 酸化物電圧非直線抵抗体 Granted JPS587804A (ja)

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JPS587804A true JPS587804A (ja) 1983-01-17
JPS6257242B2 JPS6257242B2 (ja) 1987-11-30

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63295806A (ja) * 1987-05-25 1988-12-02 Toshiba Corp タ−ビンタ−ニング装置
JPH02156506A (ja) * 1988-12-08 1990-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電圧非直線性抵抗体
JP2001307671A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Fujitsu Ltd 電極用材料、荷電粒子線装置用電極及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63295806A (ja) * 1987-05-25 1988-12-02 Toshiba Corp タ−ビンタ−ニング装置
JPH02156506A (ja) * 1988-12-08 1990-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電圧非直線性抵抗体
JP2001307671A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Fujitsu Ltd 電極用材料、荷電粒子線装置用電極及びその製造方法

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JPS6257242B2 (ja) 1987-11-30

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