JPS587803A - 正特性サ−ミスタ素子 - Google Patents

正特性サ−ミスタ素子

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Publication number
JPS587803A
JPS587803A JP10580381A JP10580381A JPS587803A JP S587803 A JPS587803 A JP S587803A JP 10580381 A JP10580381 A JP 10580381A JP 10580381 A JP10580381 A JP 10580381A JP S587803 A JPS587803 A JP S587803A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature coefficient
positive temperature
electrode
thermistor element
coefficient thermistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10580381A
Other languages
English (en)
Inventor
広居 信雄
大島 信正
谷 紀広
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP10580381A priority Critical patent/JPS587803A/ja
Publication of JPS587803A publication Critical patent/JPS587803A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は正特性サーミスタ素子に関し、腐食性雰囲気あ
るいは比較的高温度においても信頼性が高くしかも半田
によってリード線との接続が可能な正特性サーミスタ素
子を提供することを目的とする。
正特性サーミスタは正の抵抗温度係数を有し、その係数
が極めて大きいことから、従来よりその特異な性質を利
用して温度検出器、無接点スイッチ、定温発熱装置等に
広く応用され、近年に至っては応用分野の拡大化と共に
高信頼性、低価格化の要求が増々高まってきている。
ところで従来より用いられている正特性サーミスタ素子
は、金属溶射法によるアルミニウム等、あるいは印刷焼
付法による銀等をオーム性接触電極として形成し、圧接
方式を採用してリード線と正特性サーミスタ素子とを圧
接用端子を介して導通接続して構成する方法、あるいは
圧接方式によらずアルミニウムのオーム性電極上にさら
に銅電極を形成するかまたは銀等のオーム性接触電極上
にさらに半田付は可能な銀電極を形成する等してリード
線を半田によって直接接続して構成する方法が一般に用
いられている。
しかしながら、前者について言えばアルミニウム電極の
場合、腐食性雰囲気、例え、ば塩分を含む雰囲気中にさ
らされると電気化学的々反応により腐食が起こり易く、
また銀を電極とした場合、銀は耐硫化性が弱いために例
えば亜硫酸ガス雰囲気において容易に硫化銀を生成する
等、正特性サーミスタ素子の特性劣化あるいは導通不良
を引き起こす恐れがある等、信頼性の面で必らずしも十
分とは言えず、さらに圧接方式で構成されることによっ
て部品点数が多く、複雑な構成となり、コスト高につな
がるという不都合が生じていた。一方、後者について言
えば正特性サーミスタ素子とIJ +ド線を半田付けし
て直接接続することによって簡単な構造で安価である利
点を有する反面、上述した腐食性雰囲気による影響の他
に例えば銅電極の場合、耐熱酸化性が弱く、比較的高温
度において容易に酸化物を形成するために使用温度範囲
が限定され、また銀電極の場合、半田付けする際に銀く
われ等を防ぐために半田の成分を選定する必要小さい等
の欠点を有していた。
本発明はかかる従来の正特性サーミスタ素子における欠
点を解消するためになされたものであり、正特性サーミ
スタ素体に金属アルミニウム層からなる第1の電極を形
成し、該第1の電極上にさらに耐食性及び耐熱酸化性が
良好であり、且つ半田付けが可能な金属層からなる第2
の電極を形成したことを特徴とするものである。
以下、本発明の正特性サーミスタ素子の実施例を図面を
参照して具体的に説明する。
第1図において、1は正特性サーミスタ素体であり、例
えば正の抵抗温度係数を有するチタン酸バリウム系半導
体磁器からなる。2&、2bは金属アルミニウム層から
なる第1の電極で、正特性サーミスタ素体1の相対向す
る二主面に形成されている。そして、金属アルミニウム
層21Ll 2b上にはさらに金属層31L、3bが第
2の電極として形成されている。この金属層31L、3
bはニッケル1oo%あるいはニッケル60〜75チ、
銅28〜36%、鉄、マンガン、ケイ素等の数チからな
る合金、あるいは銅66〜60%、亜鉛35〜40チ、
マンガン、鉄、アルミニウム、錫等の数チからなる合金
のいずれかで構成されている。
尚、金属アルミニウム層21L、2b及び金属層31L
、3bは例えば金属溶射法により各々100〜150μ
m程度の層厚で形成して電極としている0 以上のようにして構成された本発明の正特性サーミスタ
素子について、耐食性(塩水噴霧試験、JIS  Z2
371.72時間)、耐硫化性(亜硫酸ガス試験、72
時間)、耐熱酸比性(2oO°C・500時間)を調べ
たところ、第2の電極の表面状態はいずれも良好であり
、また導通不良も認められず、高い信頼性を有していた
。一方、別個準備した正特性サーミスタ素子の第2の電
極にIJ ++ド線を高温半田(溶融温度296°C)
によって接続した後、リード線の剥離強度を調べたとこ
ろ、いずれも5kg/、4以上あり、さらに耐熱酸化性
試験(200’C,500時間)後でも良好な剥離強度
を有してい゛た。
以上説明したように本発明の正特性サーミスタ素子によ
れば、第2の電極として耐食性及び耐熱酸化性が良好で
、しかも半田付けが可能な金属層を形成しであるので、
以下に挙げる効果が達成される。
(1)第1の電極として形成した金属アルミニウム層2
1L、2bが第2の電極として形成した金属層31Ll
 3bによって保護されているので、腐食性雰囲気にお
いても腐食されにくく、正特性サーミスタ素体1と良好
なオーム性接触を維持でき、まだ導通不良を起こすこと
なく高信頼性子 の正特性サーミスタ素体が得られる。     ′(2
)正特性サーミスタ素子とリード線を高温半1) −に
よって直接強固に接続することができ、比較的高温領域
で用いることが可能であり、しかも長時間の使用におい
てもリード線が剥離することもなく、信頼性に富む。
(3)圧接方式によることなく構成できるので簡単な構
造で安価となり、また製品の経済的な設計が可能である
ので価格低減が図れる。
第2図は本発明の正特性サーミスタ素子の他の実施例を
示すものであり、正特性サーミスタ素体1の一面上に一
対の金属アルミニ1ウム層2a、2bを形成して第1の
電極とし、さらKその上に上記実施例と同様な材料から
なる金属層sa、3bを形成して第2の電極としたもの
で、第2図における各番号は第1図のものと各々対応す
るものであり、上記構成による正特性サーミスタ素子も
第1図に示す実施例と同様な効果を発揮することができ
る。
以上詳述したように、本発明の正特性サーミスタ素子は
信頼性が高く、しかも安価に構成できるので例えば比較
的高温度の検出に用いる温度検出器、定温発熱装置等に
広範囲に利用でき、工業上極めて有用なものである。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図はそれぞれ本発明に係る正特性サーミ
スタ素子の′実施例を示す断面図である。 1・・・・・・正特性サーミスタ素体、2&、2b・・
・・・・代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか
1名第1図 撮    3b 手続補正書 昭和tJ年7月λλ日 特許庁長官殿 1事件の表示 昭和56年特許願第105803号 2発明の名称 正特性サーミスタ素子 3補正をする者 事件との関係      特   許   出   願
   人住 所  大阪府門真市大字門真1006番地
名 称 (582)松下電器産業株式会社代表者   
 山  下  俊  彦 4代理人 〒571 住 所  大阪府門真市大字門真1006番地松下電器
産業株式会社内 6補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 6、補正の内容 明細書第8頁第1行の「金属アルミニウム」を「金属ア
ルミニウム層」と補正いたします。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)正特性サーミスタ素体に金属アルミニウム層から
    なる第1の電極を形成し、該電極上にさらに耐食性及び
    耐熱酸化性が良好であり、且つ半田付けが可能な金属層
    からなる第2の電極を形成したことを特徴とする特性サ
    ーミスタ素子。
  2. (2)第2の電極がニッケル層からなることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の正特性サーミスタ素子。
  3. (3)第2の電極がニッケルと銅を主成分とする合金層
    からなることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    正特性サーミスタ素子。
  4. (4)第2の電極が銅と亜鉛を主成分とする合金層から
    なることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の正特
    性サーミスタ素子。
JP10580381A 1981-07-06 1981-07-06 正特性サ−ミスタ素子 Pending JPS587803A (ja)

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JP10580381A JPS587803A (ja) 1981-07-06 1981-07-06 正特性サ−ミスタ素子

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JPS587803A true JPS587803A (ja) 1983-01-17

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ID=14417267

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61193401A (ja) * 1985-02-21 1986-08-27 株式会社村田製作所 チツプ形正特性サ−ミスタ
JPH0240006A (ja) * 1988-07-29 1990-02-08 Toshiba Corp タービンケーシングの軸方向温度差緩和システム
JPH04290402A (ja) * 1991-03-19 1992-10-15 Murata Mfg Co Ltd チップ型電子部品

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61193401A (ja) * 1985-02-21 1986-08-27 株式会社村田製作所 チツプ形正特性サ−ミスタ
JPH0240006A (ja) * 1988-07-29 1990-02-08 Toshiba Corp タービンケーシングの軸方向温度差緩和システム
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