JPS5875883A - 混成集積回路の保護膜形成法 - Google Patents

混成集積回路の保護膜形成法

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Publication number
JPS5875883A
JPS5875883A JP17396381A JP17396381A JPS5875883A JP S5875883 A JPS5875883 A JP S5875883A JP 17396381 A JP17396381 A JP 17396381A JP 17396381 A JP17396381 A JP 17396381A JP S5875883 A JPS5875883 A JP S5875883A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
protective film
integrated circuit
hybrid integrated
forming protective
silicone
Prior art date
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Pending
Application number
JP17396381A
Other languages
English (en)
Inventor
小崎 良一
白川 達男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の技術分野 本発明は混成集積回路に形成される薄膜抵抗、コンデy
f等の受動素子の保S鋏形Xに―するものである・ (2)技術の背景 従*Sa成集積回路において、パターン形成後トレミy
ダされた基板上の薄膜抵抗及びコンデンを勢にレジスジ
等の絶縁処理が施される・このレジスト処理は性能劣化
を防止する防湿保線よりも工程間O城扱い勢に起因する
傷、破損防止に重潰が置かれているのが一般的である〇
(3)  従来技術と間舶点 またレジスト処理はその用途により各種の樹脂が用いら
れ1例えば熱硬化性としてエポキシ樹脂、シリコンがあ
り、また牛田付の際、熱融解するロジン、ポリウレタン
があって、それぞれ一長一短がある・熱硬化性のエポキ
シ等は熱硬化による装置が必要である・まだ部品の熱に
よる影愉があるe熱融解するポリウレタン、ロジンは絶
縁特性に劣る・いづわもスポット的に樹脂を塗布するも
ので標準化しK(1,−、ため自動化を計る際の!a路
となうている〇 (4)  発明の目的 本発明は上記の膚に亀み電気特性にも優れたシリコン系
レジンによる選択保護コーテングする有効な手段を提供
するkある◎ (5)発明のag 本発明の目的は受動集子等の保−膜形成法において、紫
外llA照射によりて硬化する有砿シリ=ン系レジンを
用い、該紮外縁¥r遇択的に通過させるマスクを設けて
slr記受動桑子KWA射し末露党部の有機シリコン系
レジンt−除去することkようて違せられる・ (6)発明O11!施例 以下本発@O実施filを一面にようて詐述する。
m面は本発明O実施例である保護膜形成を示すlI!明
図である。
同11において薄膜抵抗2.3及びコンデンサ3等の受
動素子が形成された回路基板1上に有機シリ;ンレジン
5をスピンナ法又はスプレー法で噴射又は吹付けて均一
な被膜層を形成し表1 画を常温硬化させるか或いはある&綻べとつりた状態と
すゐ・ そOJ:面にマスク6を重ねる・マスク6は路外線装置
7からの紫外me通過させる通過窓8゜9.10と紫外
線管阻止するステンレス等の*属のマスタ部とから々る
・なシ通過窓には県外線透過用ガラス1に設けておいて
も良い・通過窓8,9.10は素子2.3.4&C対ム
ロして設けられているから通過した紫外線にようて集子
2,3.4は電気特性に優れたシリコン櫨驕農でコーテ
ィ/グさする0 一万末露光の遮蔽された部分即ち非硬化St有機溶剤例
えばキ)ツ等で洗條・払拭することによシ耐絶綴性に優
れた被膜で素子が保護された混成系積助路が得られるO このように紫外線で硬化するV機構j1#IC着目した
選択保護コーテングでtDうて標準化が可能である。
(7)発明O効果 により電気的特性に優れた耐熱%耐絶縁性が得られ、m
IIjI化方式が可能となる等その効果は着しい・ 4  litOMJIな説明 ―i1社本発明O貢施例である保−膜形成を示す説Ij
I鵬である・ 111において、lは基板、2@L4は素子−bハシリ
コyレジン、6はマスク、7は紫外I!i装厘、8.9
.10は紫外線通過窓を示すO

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 素子O保護膜形成法において、紫外1m照射によって硬
    化する有機シリ;ン系レジンを素子が形成された基板上
    K”lll!布し、該紫外sea択的に通過させる!ス
    ジを設は前記素子に照射し、末露光部の皺有機シリコン
    系しジジを除去してなることを特徴とすJ1混成集積回
    路の保護膜形成法◎
JP17396381A 1981-10-30 1981-10-30 混成集積回路の保護膜形成法 Pending JPS5875883A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61111177U (ja) * 1984-12-24 1986-07-14
JPH0774454A (ja) * 1993-09-03 1995-03-17 Nec Corp 印刷配線板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61111177U (ja) * 1984-12-24 1986-07-14
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