JPS5872945A - アライメントマ−ク検出方法 - Google Patents
アライメントマ−ク検出方法Info
- Publication number
- JPS5872945A JPS5872945A JP56172456A JP17245681A JPS5872945A JP S5872945 A JPS5872945 A JP S5872945A JP 56172456 A JP56172456 A JP 56172456A JP 17245681 A JP17245681 A JP 17245681A JP S5872945 A JPS5872945 A JP S5872945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- pulse
- wafer
- pulse width
- marks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レーザービーム等でマスクとウエノ・−のア
ライメントマーク上を走査してこれらのイータからの信
号を検出し、マスクとウェハーとの位置合せを行う方法
に関するものである。
ライメントマーク上を走査してこれらのイータからの信
号を検出し、マスクとウェハーとの位置合せを行う方法
に関するものである。
従来から仁の種の方法では、マスクとウェハーのアライ
メントマーク上をレーザビーム等で走査し、これらの散
乱光な充電変換して電気的パルスに変え、このパルス位
置をカウンタ等で計測して位置合せなすることが広く行
なわれている。例えば第1図(11)に示すようなアラ
イメントマークMをマスクに、伽)に示すような1−り
Wをウェハーに描いて、第2図に示すような一構成の装
置によりマスク1とウェハー2のアライメントマーりM
、W上をレーザビームLで、走査し、第1図(C)に示
す状態にマスク1とウェハー2の相対的な位置合せが行
なわれる。この場合第2図のステージ3上に載置された
ウェハー2は、位置合せ実施前は例えば第1図(d)
In示すようにマスク1(二対して変位しているのが通
常である。この状態に於いて第2図1=示すポリゴンイ
ラー等から成る偏向器4及びビームスプリッタ5を介し
て、レーザ光源6より発光され九レーザビームLξ=よ
シマスフ1及びウエハ−2のアライメンFマークM、W
上を示矢方向に走査すると、その散乱光は元の光路を逆
行しビームスプリッタ5を通過し集光レンズ7を介して
光電検出器8に達し、第1画一)に示すようなパルス信
号が検出器8で得られる。1112図の制御回路9はこ
のパルース信号をコンパレータ1oによっテ適mなxv
ッシ二ホールド電圧Vでカットし、(f)+:示すこの
パルス列の中から、アライメントマークM、Wの間隔を
求め、マスク1とウェハー2の相対的な変位量を判定し
、モー遺11.12を駆動し、ステージ3を作動して位
置合せを行なうようになっている。
メントマーク上をレーザビーム等で走査し、これらの散
乱光な充電変換して電気的パルスに変え、このパルス位
置をカウンタ等で計測して位置合せなすることが広く行
なわれている。例えば第1図(11)に示すようなアラ
イメントマークMをマスクに、伽)に示すような1−り
Wをウェハーに描いて、第2図に示すような一構成の装
置によりマスク1とウェハー2のアライメントマーりM
、W上をレーザビームLで、走査し、第1図(C)に示
す状態にマスク1とウェハー2の相対的な位置合せが行
なわれる。この場合第2図のステージ3上に載置された
ウェハー2は、位置合せ実施前は例えば第1図(d)
In示すようにマスク1(二対して変位しているのが通
常である。この状態に於いて第2図1=示すポリゴンイ
ラー等から成る偏向器4及びビームスプリッタ5を介し
て、レーザ光源6より発光され九レーザビームLξ=よ
シマスフ1及びウエハ−2のアライメンFマークM、W
上を示矢方向に走査すると、その散乱光は元の光路を逆
行しビームスプリッタ5を通過し集光レンズ7を介して
光電検出器8に達し、第1画一)に示すようなパルス信
号が検出器8で得られる。1112図の制御回路9はこ
のパルース信号をコンパレータ1oによっテ適mなxv
ッシ二ホールド電圧Vでカットし、(f)+:示すこの
パルス列の中から、アライメントマークM、Wの間隔を
求め、マスク1とウェハー2の相対的な変位量を判定し
、モー遺11.12を駆動し、ステージ3を作動して位
置合せを行なうようになっている。
然し一般に検出器8で得られる信号、即ちマークM、W
からの散乱光は、第6図伽)〜(C)に拡大して示すよ
うにマークM、Wの線13の両端の縁部からの散乱光!
1、lIの和!、であり、j3は夷−のマークの幅畠よ
勤も一間的な拡が〉を有している。
からの散乱光は、第6図伽)〜(C)に拡大して示すよ
うにマークM、Wの線13の両端の縁部からの散乱光!
1、lIの和!、であり、j3は夷−のマークの幅畠よ
勤も一間的な拡が〉を有している。
このためアライメントマーりM%Wが第4画一)に示す
ように近接し九場合に、検出器8の出方は絡4図−)に
示す波形Wのよう::信号が重なる部分が現出する。こ
の状鯵では、マークM、W間の間隔を測定しても正しい
位置関係は求まらず、位置合せは開離である。従来では
このような場合にパルス信号が6個に分離するまで模索
的にマスク1又はウェハー2を移動するか、パルス信号
が分離するレベルまでスレッシュホールド電圧VIV’
に上げる等の措置が必要であった。
ように近接し九場合に、検出器8の出方は絡4図−)に
示す波形Wのよう::信号が重なる部分が現出する。こ
の状鯵では、マークM、W間の間隔を測定しても正しい
位置関係は求まらず、位置合せは開離である。従来では
このような場合にパルス信号が6個に分離するまで模索
的にマスク1又はウェハー2を移動するか、パルス信号
が分離するレベルまでスレッシュホールド電圧VIV’
に上げる等の措置が必要であった。
然しアライメントマーりM、Wを小さく造ろうとすると
、ウェハー2のセット時にマスク1とウェハー2のアラ
イメントマークM、Wが114図(―)に示すように近
接したり又は重合する確率が非常に高(なる、従って!
−りM、Wを過度K /J\さくすると、模索駆動を繰
り返し位置合せに非常な特開が掛かるとか、位瞳台せが
できなくなる等の間履かあり、アライメントマー7、M
、Wを小さくする場合の大きな障害となっている。
、ウェハー2のセット時にマスク1とウェハー2のアラ
イメントマークM、Wが114図(―)に示すように近
接したり又は重合する確率が非常に高(なる、従って!
−りM、Wを過度K /J\さくすると、模索駆動を繰
り返し位置合せに非常な特開が掛かるとか、位瞳台せが
できなくなる等の間履かあり、アライメントマー7、M
、Wを小さくする場合の大きな障害となっている。
本発明の目的は、上述のようにアライメントマークが近
接した場合でも、模索駆動を繰り返して行なうことなし
に、或いはスレッシュホールド電圧を変えることなく、
各マーりの位置を求めることを可能とすると共に、マー
クが全く重合した場合でもIWAの僅かの量の模索駆動
により、各マーりの位置を求めることを可能とするアラ
イメントマーク検出方法を提供す為ことにあり、その要
旨は、マスク及びウェハー上の7ライメント!−りを走
査し、マスク及びクエへ−の相対位置を検出する方法に
於いて、近接した或いは墓分的に重合したアライメント
マークからパルス信号を得て、個々のパルス−を基準パ
ルス幅と比較し1準幅より大きい場合には別々のパルス
に分離して、マスクとウニへ−のそれぞれのアライメン
ト!−りを識別することを特徴とするものである。
接した場合でも、模索駆動を繰り返して行なうことなし
に、或いはスレッシュホールド電圧を変えることなく、
各マーりの位置を求めることを可能とすると共に、マー
クが全く重合した場合でもIWAの僅かの量の模索駆動
により、各マーりの位置を求めることを可能とするアラ
イメントマーク検出方法を提供す為ことにあり、その要
旨は、マスク及びウェハー上の7ライメント!−りを走
査し、マスク及びクエへ−の相対位置を検出する方法に
於いて、近接した或いは墓分的に重合したアライメント
マークからパルス信号を得て、個々のパルス−を基準パ
ルス幅と比較し1準幅より大きい場合には別々のパルス
に分離して、マスクとウニへ−のそれぞれのアライメン
ト!−りを識別することを特徴とするものである。
本発明を第5図以下に図示の実施例に基づいて詳細に説
明する。
明する。
菖5#Aは本発明に係る方法を実現するための装置の−
II論例を示し、第2図と同一符号は同一部材を示して
いる0点線で囲む回路はパルスの分離m*2Dであり、
その出力は偏向器40同期信号と共にパルス間隔測定回
路21に入力されている。
II論例を示し、第2図と同一符号は同一部材を示して
いる0点線で囲む回路はパルスの分離m*2Dであり、
その出力は偏向器40同期信号と共にパルス間隔測定回
路21に入力されている。
又、この測定−路21はマイクロコンビエータ等の0P
U22と接続され、この0PU22の指令に基づいて作
動するステージ駆動回路26を介して、ステージ6を移
動するモータ11,12が駆動されるようKなっている
。
U22と接続され、この0PU22の指令に基づいて作
動するステージ駆動回路26を介して、ステージ6を移
動するモータ11,12が駆動されるようKなっている
。
上記の構成に於いて、レーザ光源6から発せらハたレー
ザ光りはマスク1及びウェハー2上のアライメントマー
クM及びWで散乱され、検出器8で検知される。先ずO
PU、22は1本のマークからの第6図に示す信号幅b
K相当する時間を作るため、成る値を分mtm路20内
のラッテる0にセットする。又、信号幅すよりも幾らか
短かい時間Cを作るため別の値をラッチ!IK−にッ卜
する。
ザ光りはマスク1及びウェハー2上のアライメントマー
クM及びWで散乱され、検出器8で検知される。先ずO
PU、22は1本のマークからの第6図に示す信号幅b
K相当する時間を作るため、成る値を分mtm路20内
のラッテる0にセットする。又、信号幅すよりも幾らか
短かい時間Cを作るため別の値をラッチ!IK−にッ卜
する。
これらの値は、コンパレータ10の出力が低レベルの期
間、即ちマーりM%W′力・らの信号がな61期間に、
カウンタ回路62はこのプリセットによりマークM%W
の線からの信号幅すに相当する時間をフリップフロップ
回路(以下FF回路という)64のセットと共に計数す
る。一方、カウンタ回路66は、カウンタ回路32とプ
リセットされ計数を開始するが、この計数量はカクン/
回路62よりも、幾らか少ない値εである。
間、即ちマーりM%W′力・らの信号がな61期間に、
カウンタ回路62はこのプリセットによりマークM%W
の線からの信号幅すに相当する時間をフリップフロップ
回路(以下FF回路という)64のセットと共に計数す
る。一方、カウンタ回路66は、カウンタ回路32とプ
リセットされ計数を開始するが、この計数量はカクン/
回路62よりも、幾らか少ない値εである。
マスク1及びウェハー2のマークM、Wが第6図(a)
に示すように近接した場合に、検出s8の出力は第6図
か)に示すように現われる、この検出信号は、コンパレ
ータ10を通勤、第6図(C)に示すパルス群となり、
これらのパルス群が到達するごとにFPli路24及び
!i+5はセットされる。カウンタ回路36はe゛の時
間が経過した後FF1l路65をクリアするため、論理
和ゲート36のFF回路35からの入力には、第6図@
)に示す波形が現われる。一方、カウンタ回路32はb
の時間が経過した後にFF回路34をリセットし、この
後もコンパレータ10の出力レベルが高レベルであれば
ゲート37で論理積が成立し、第6同感)に示す波形が
論理積ゲート37の出力に現われ、その出力は論理和ゲ
ート36に加えられる。従って論理和ゲート!16の出
力、即ちパルス間隔測定回路21への出力としては分離
された第6図(0に示すパルスが得られることになる。
に示すように近接した場合に、検出s8の出力は第6図
か)に示すように現われる、この検出信号は、コンパレ
ータ10を通勤、第6図(C)に示すパルス群となり、
これらのパルス群が到達するごとにFPli路24及び
!i+5はセットされる。カウンタ回路36はe゛の時
間が経過した後FF1l路65をクリアするため、論理
和ゲート36のFF回路35からの入力には、第6図@
)に示す波形が現われる。一方、カウンタ回路32はb
の時間が経過した後にFF回路34をリセットし、この
後もコンパレータ10の出力レベルが高レベルであれば
ゲート37で論理積が成立し、第6同感)に示す波形が
論理積ゲート37の出力に現われ、その出力は論理和ゲ
ート36に加えられる。従って論理和ゲート!16の出
力、即ちパルス間隔測定回路21への出力としては分離
された第6図(0に示すパルスが得られることになる。
以後0PU22はパルス間隔測定回路21の出力を基に
マスク1とウェハー2のずれ量を算出し、ステージ駆動
回路23を介してX方向モータ11、X方向モータ12
を駆動し位置合せを行なうこと1=なる。
マスク1とウェハー2のずれ量を算出し、ステージ駆動
回路23を介してX方向モータ11、X方向モータ12
を駆動し位置合せを行なうこと1=なる。
第6図(d)に示す各パルスでは立下セの部分が、(e
)に示すパルスでは立ぢ1抄の部分が誤差を有している
が、これを無視し、粗合せとして位置合せを行ない、第
6図(C)の重なり部分を分離し先後、OP TJ 2
2からの信号により第5図のスイッチ38を切換え、再
度検出器8からの検出信号を取)込めば、各マークM、
Wの精密位置が求まり、精密な位置合せが可能となる。
)に示すパルスでは立ぢ1抄の部分が誤差を有している
が、これを無視し、粗合せとして位置合せを行ない、第
6図(C)の重なり部分を分離し先後、OP TJ 2
2からの信号により第5図のスイッチ38を切換え、再
度検出器8からの検出信号を取)込めば、各マークM、
Wの精密位置が求まり、精密な位置合せが可能となる。
第7図は各パルスの立上り位置と、そのパルス幅を測定
しOP tJ 22に取り込めるようにした場合の方法
を実現するための装置の実施例である。
しOP tJ 22に取り込めるようにした場合の方法
を実現するための装置の実施例である。
第7図書;於いて、40はコンパレータ10からの入力
パルス信号を基に、パルス幅測定用カラン、り回路41
の計数値をメモリ回路42にへ書き込む丸めのタイミン
グを発生するタイミング回路、43はコンパレータ10
からの各パルスの到来ごとにカウントアツプ12、メモ
リ回路42のアドレスな更新するアドレスカウンタ回路
44は偏向器4からの同期信号によってセットされる。
パルス信号を基に、パルス幅測定用カラン、り回路41
の計数値をメモリ回路42にへ書き込む丸めのタイミン
グを発生するタイミング回路、43はコンパレータ10
からの各パルスの到来ごとにカウントアツプ12、メモ
リ回路42のアドレスな更新するアドレスカウンタ回路
44は偏向器4からの同期信号によってセットされる。
FF回路45は各信号パルスの到来ごとに出力Q−Q、
を遂次高レベルとし、パルス位置計測用カウンタ回路4
6〜48を停止してゆくシフトレジスタ、49は計測用
クロックの発振器である。
を遂次高レベルとし、パルス位置計測用カウンタ回路4
6〜48を停止してゆくシフトレジスタ、49は計測用
クロックの発振器である。
上記構成に於いて、0PU22は先ずクリアライン50
1:よシFF回路44、シフトレジスタ45、及び各カ
ウンタ回路をクリアする。次に偏向器4からの同期信号
によって、FF回路44はセットされ、論理積ゲート5
1及び52を開き計6個のカウンタ囲路が計数を開始す
る。そしてコンパレータ10からパルス信号が入力する
と、羊の高レベルの期間をカウンタ・回路41が計測し
、カウンタ回路46はシフトレジスタ45のQ、出力の
高レベルにより計測を停止する。カウンタ回路41の値
はコンパレーター10の出力が低レベルに戻つ先後にタ
イミング回路40によってメモリ回路42に書き込まれ
る。冑、書き込み先のメモリアドレスはアドレスカウン
タ回路4Bによって指定される。以後、6番目のパルス
の信号の終了オで、アドレスカウンタ回路46は各パル
スごとにカウントアツプすることにより、メモリ回路4
2のアドレスを更新し、カウンタ回路41の計測値はそ
のアドレスに格納されてゆく、又、カウンタ回路46〜
48は各パルス信号の到来ごと6=その立上り位置を記
憶して順次停止する。冑、53は論理積ゲート、45は
アドレスデコード回路であり、走査終了後ζ二0 P
U 22は、メモリ回路42及びカウンタ回路46〜4
8の値を読み出し、近接したマークからの重なった信号
が存在すればこれらを分離する。
1:よシFF回路44、シフトレジスタ45、及び各カ
ウンタ回路をクリアする。次に偏向器4からの同期信号
によって、FF回路44はセットされ、論理積ゲート5
1及び52を開き計6個のカウンタ囲路が計数を開始す
る。そしてコンパレータ10からパルス信号が入力する
と、羊の高レベルの期間をカウンタ・回路41が計測し
、カウンタ回路46はシフトレジスタ45のQ、出力の
高レベルにより計測を停止する。カウンタ回路41の値
はコンパレーター10の出力が低レベルに戻つ先後にタ
イミング回路40によってメモリ回路42に書き込まれ
る。冑、書き込み先のメモリアドレスはアドレスカウン
タ回路4Bによって指定される。以後、6番目のパルス
の信号の終了オで、アドレスカウンタ回路46は各パル
スごとにカウントアツプすることにより、メモリ回路4
2のアドレスを更新し、カウンタ回路41の計測値はそ
のアドレスに格納されてゆく、又、カウンタ回路46〜
48は各パルス信号の到来ごと6=その立上り位置を記
憶して順次停止する。冑、53は論理積ゲート、45は
アドレスデコード回路であり、走査終了後ζ二0 P
U 22は、メモリ回路42及びカウンタ回路46〜4
8の値を読み出し、近接したマークからの重なった信号
が存在すればこれらを分離する。
次にその処理について説明すると、今、計測したパルス
のうちの1個が第8図(a)のように1個のアライメン
トマークから得られるべ舞基準幅dよりも広い値Cであ
るとする。この場合CIPU22はこれを2本のパルス
の重なりと判定し、カウンタ回路で計測したパレスの立
上9位置f及び基準幅dを基に、2本のパルスの中心@
f+d/2、f+e−d/’l を算出する。そして
この位置を(e)に示すように1−りの中心位置と判定
し、マスク1とウェハー2との変位量を求め位置合せを
行なう。
のうちの1個が第8図(a)のように1個のアライメン
トマークから得られるべ舞基準幅dよりも広い値Cであ
るとする。この場合CIPU22はこれを2本のパルス
の重なりと判定し、カウンタ回路で計測したパレスの立
上9位置f及び基準幅dを基に、2本のパルスの中心@
f+d/2、f+e−d/’l を算出する。そして
この位置を(e)に示すように1−りの中心位置と判定
し、マスク1とウェハー2との変位量を求め位置合せを
行なう。
又、例えば第9図(a)及びΦ)に示すようなアライメ
ントマークM%Wを使用して(C)に示すように位置合
せを行なう場合に(d)に・示すようにマスク1と’)
工/% −2ノマークM%Wが全く重合した時でも、
信号が期待で11これかも直ちに各マークM%Wの位置
(g)を求める仁とが可能であシ、従来の限界を超えて
アライメント!−りM、Wを小さく造、る、即ちマーク
M、Wの線間の間隔を詰めることができる。11、 以上の説明はマスク1とウェハー2のアライメントマー
クのM%Wの線の幅が同じ場合を想定しているが、マス
ク1とウェハー2でマークM%Wの線の幅が異なるとき
は、マスク1のセット時に手動でマスク1とウェハー2
とを整合状態に調整し、この時の各・パルス幅をopu
22が東り込むようにすれば、0PU22により問題な
く処理できる。この場合はマスク1とウェハー2のマー
クM%Wかもの線の何れか広い方の信号幅を基準幅dと
して取プ込むことになる。上述の2つの実施例はマスク
1とウェハー2のアライメントマークM、Wからの6本
のパルスの間隔を測定し、マスク1とウェハー2の変位
量を求める方法に適用した場合であるが、本発明の方法
は基本的にそのアライメントマークM、Wのパターンの
本数、形状等に関係なく適用できるものである。アライ
メントマーク走査検出器としてテレビモニタを用いた場
合でも、本発明の方法はマスク1とウェハー2のマーク
M%Wが部分的4二重なってい゛ても2個の信号に分離
可能である。又これらの実施例は2つのマークM、Wが
近接した場合であるが、3つ以上のマークがそれぞれ近
接又は部分的に重合した場合でも同様の考えが適用でき
る。
ントマークM%Wを使用して(C)に示すように位置合
せを行なう場合に(d)に・示すようにマスク1と’)
工/% −2ノマークM%Wが全く重合した時でも、
信号が期待で11これかも直ちに各マークM%Wの位置
(g)を求める仁とが可能であシ、従来の限界を超えて
アライメント!−りM、Wを小さく造、る、即ちマーク
M、Wの線間の間隔を詰めることができる。11、 以上の説明はマスク1とウェハー2のアライメントマー
クのM%Wの線の幅が同じ場合を想定しているが、マス
ク1とウェハー2でマークM%Wの線の幅が異なるとき
は、マスク1のセット時に手動でマスク1とウェハー2
とを整合状態に調整し、この時の各・パルス幅をopu
22が東り込むようにすれば、0PU22により問題な
く処理できる。この場合はマスク1とウェハー2のマー
クM%Wかもの線の何れか広い方の信号幅を基準幅dと
して取プ込むことになる。上述の2つの実施例はマスク
1とウェハー2のアライメントマークM、Wからの6本
のパルスの間隔を測定し、マスク1とウェハー2の変位
量を求める方法に適用した場合であるが、本発明の方法
は基本的にそのアライメントマークM、Wのパターンの
本数、形状等に関係なく適用できるものである。アライ
メントマーク走査検出器としてテレビモニタを用いた場
合でも、本発明の方法はマスク1とウェハー2のマーク
M%Wが部分的4二重なってい゛ても2個の信号に分離
可能である。又これらの実施例は2つのマークM、Wが
近接した場合であるが、3つ以上のマークがそれぞれ近
接又は部分的に重合した場合でも同様の考えが適用でき
る。
以上説明したように本発明に係るアライメントマーり検
出方法は、アライメントマークからのパルス信号幅に着
目【2、成る基準のパルス幅よりも広いパルスについて
自、動的:=2番目のパルスを発生畜せる手段を設ける
、又はパルス幅を測定し信号を分離して信号のあるべき
位置を予橢するという方式を採用している。従って近接
したマークからの重合し九信号に対しても、スレツシエ
ホールド電圧の切り上げや模索駆動等を行なわずに、更
にはマスクとウェハー用書二別々の検出光学系を設置す
るこ−となく、キのアライメントマーク位置を検出する
ことができるのである。
出方法は、アライメントマークからのパルス信号幅に着
目【2、成る基準のパルス幅よりも広いパルスについて
自、動的:=2番目のパルスを発生畜せる手段を設ける
、又はパルス幅を測定し信号を分離して信号のあるべき
位置を予橢するという方式を採用している。従って近接
したマークからの重合し九信号に対しても、スレツシエ
ホールド電圧の切り上げや模索駆動等を行なわずに、更
にはマスクとウェハー用書二別々の検出光学系を設置す
るこ−となく、キのアライメントマーク位置を検出する
ことができるのである。
第1図は従来のアライメントマークの検出方法の説明図
、第2図は従来の検出装置の構成図、第3図はマークか
ら得られる波形の説明図、第4図はマーク同志が接近し
た状態の検出信号の説明図、第5図は本発明の方法を実
現する検出回路の実施例の構成図、第6図は検出回路の
作動状態の説明図、第7図は他の実施例の検出回路の構
成図、第8図は重なった信号を処理する場合の説明図、
第9図はマーク同志が完全11重なった場合の処理説明
図である。 符号1はマスク、2はウエノ・−14は偏向器、8は検
出器、10はコンパレータ、11.12はモータ、20
は分離回路、21はパルス間隔測定回路、22はOPU
、23はステージ駆動回路、M、Wはアライメントマー
クである。 特許出願人 キャノン株式会社図面 第1図 113wJ jI7FIA 1s8FIA J19図 (0)//\\ (b)/ \ (9) ” ’ ” 手続補正書(自発) 昭和57年lO月30日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事件の表示 昭和56年特許願1@172456号 2、発明の名称 アライメントマーク検出方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子三丁目30番2号名称(10
0)キャノン株式会社 代表者 賀来龍三部 4、代理人 〒121東京都足立区梅島二丁目17番3号梅島ハイタ
ウンC−104 昭和 年 月 自発ψ 8、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄 7、補正の内容 明細書第1頁の特許請求の範囲を次の文章に補正する。 [1,マスク及びウェハー上のアライメントマーク寺走
査し、マスク及びウェハーの相対位置を検出する方法に
於いて、近接した皮と1部分的に重合したアライメント
マークからパルス信号を得て、個々のパルス幅を基準パ
ルス幅と比較し基準幅より大きい場合には別々のパルス
に分離して、マスクyウェハーのそれぞれの7ライメン
トマ一クLmJFJ−土d特徴とするアライメントマー
ク検出方法。 2、予めマスクとウェハーのアライメントマークからの
パルス幅を測定し、これを基準パルス幅とする特許請求
の範囲第1項記載のアライメントマーク検出方法、」
、第2図は従来の検出装置の構成図、第3図はマークか
ら得られる波形の説明図、第4図はマーク同志が接近し
た状態の検出信号の説明図、第5図は本発明の方法を実
現する検出回路の実施例の構成図、第6図は検出回路の
作動状態の説明図、第7図は他の実施例の検出回路の構
成図、第8図は重なった信号を処理する場合の説明図、
第9図はマーク同志が完全11重なった場合の処理説明
図である。 符号1はマスク、2はウエノ・−14は偏向器、8は検
出器、10はコンパレータ、11.12はモータ、20
は分離回路、21はパルス間隔測定回路、22はOPU
、23はステージ駆動回路、M、Wはアライメントマー
クである。 特許出願人 キャノン株式会社図面 第1図 113wJ jI7FIA 1s8FIA J19図 (0)//\\ (b)/ \ (9) ” ’ ” 手続補正書(自発) 昭和57年lO月30日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事件の表示 昭和56年特許願1@172456号 2、発明の名称 アライメントマーク検出方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都大田区下丸子三丁目30番2号名称(10
0)キャノン株式会社 代表者 賀来龍三部 4、代理人 〒121東京都足立区梅島二丁目17番3号梅島ハイタ
ウンC−104 昭和 年 月 自発ψ 8、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄 7、補正の内容 明細書第1頁の特許請求の範囲を次の文章に補正する。 [1,マスク及びウェハー上のアライメントマーク寺走
査し、マスク及びウェハーの相対位置を検出する方法に
於いて、近接した皮と1部分的に重合したアライメント
マークからパルス信号を得て、個々のパルス幅を基準パ
ルス幅と比較し基準幅より大きい場合には別々のパルス
に分離して、マスクyウェハーのそれぞれの7ライメン
トマ一クLmJFJ−土d特徴とするアライメントマー
ク検出方法。 2、予めマスクとウェハーのアライメントマークからの
パルス幅を測定し、これを基準パルス幅とする特許請求
の範囲第1項記載のアライメントマーク検出方法、」
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 マスク及びウェハー上のアライメントマークを走
査し、1スク及びウェハーの相対位置を検出する方法に
於いて(近接し九或は部分的ζ二重合したアライメント
マークからパルス信号を得て。 個々のパルス幅を基準パルス幅と比較し基準幅より大き
い場合には別々のパルスに分離して、マスクとウェハー
のそれぞれのアライメントマークを特徴とするアライメ
ントマーク検出方法。 2、予めマスクとウェハーのアライメントマークからの
パルス幅を測定し、これを基準パルス幅とする特許請求
の範囲第1項記載のアライメントマーク検出方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56172456A JPS5872945A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | アライメントマ−ク検出方法 |
US06/435,959 US4504148A (en) | 1981-10-28 | 1982-10-22 | System for detecting a signal for aligning two bodies and signal _processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56172456A JPS5872945A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | アライメントマ−ク検出方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5872945A true JPS5872945A (ja) | 1983-05-02 |
Family
ID=15942322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56172456A Pending JPS5872945A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | アライメントマ−ク検出方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4504148A (ja) |
JP (1) | JPS5872945A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63271468A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Konica Corp | 負電荷潜像現像剤 |
JPS63284564A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Konica Corp | 負電荷潜像現像剤 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4794648A (en) * | 1982-10-25 | 1988-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask aligner with a wafer position detecting device |
JPS5994419A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-31 | Canon Inc | 分割焼付け装置におけるアライメント方法 |
US4641257A (en) * | 1983-07-07 | 1987-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Measurement method and apparatus for alignment |
US4643579A (en) * | 1983-11-21 | 1987-02-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Aligning method |
JPS6298725A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Canon Inc | 信号検出装置 |
US5477057A (en) * | 1994-08-17 | 1995-12-19 | Svg Lithography Systems, Inc. | Off axis alignment system for scanning photolithography |
US5767523A (en) * | 1997-04-09 | 1998-06-16 | Svg Lithography Systems, Inc. | Multiple detector alignment system for photolithography |
US6628406B1 (en) * | 2000-04-20 | 2003-09-30 | Justin L. Kreuzer | Self referencing mark independent alignment sensor |
JP3873811B2 (ja) * | 2002-05-15 | 2007-01-31 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7511826B2 (en) * | 2006-02-27 | 2009-03-31 | Asml Holding N.V. | Symmetrical illumination forming system and method |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4021117A (en) * | 1975-08-07 | 1977-05-03 | Hildegard Gohde | Process for automatic counting and measurement of particles |
JPS5952535B2 (ja) * | 1977-01-21 | 1984-12-20 | キヤノン株式会社 | 光学装置 |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP56172456A patent/JPS5872945A/ja active Pending
-
1982
- 1982-10-22 US US06/435,959 patent/US4504148A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63271468A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Konica Corp | 負電荷潜像現像剤 |
JPS63284564A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Konica Corp | 負電荷潜像現像剤 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4504148A (en) | 1985-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS5872945A (ja) | アライメントマ−ク検出方法 | |
JPS60196606A (ja) | 映像システムによる位置測定装置 | |
JPS59119204A (ja) | マ−ク位置検出方法 | |
US4123170A (en) | Apparatus for detecting defects in patterns | |
JP2002081914A (ja) | 寸法検査方法及びその装置並びにマスクの製造方法 | |
JPS58116541A (ja) | 整合方法 | |
JPS5874039A (ja) | アライメントマ−クの検出方法 | |
JPS6227533B2 (ja) | ||
JPS55108969A (en) | Servo signal detection system | |
EP0066466A2 (en) | Photomask and method of testing it | |
JPS6191543A (ja) | Icリ−ド曲り検出方法及び装置 | |
JPS61140804A (ja) | パタ−ン検査装置 | |
JPS6172253A (ja) | ステツパ | |
JPS61134606A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPS6013469B2 (ja) | ボ−ル速度検出装置 | |
KR100275462B1 (ko) | 외곽점 추출과 라인 보정을 통한 전자지도영상에서의 분기점 추출 방법 | |
JPH04124808A (ja) | 露光方法 | |
JPS633243B2 (ja) | ||
JPS5913324A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
JPS6057929A (ja) | パターン欠陥検出装置 | |
Chapelle et al. | Automation in Photogrammetric Compilation | |
JPS60119721A (ja) | 荷電ビ−ム露光装置における照射位置補正方法 | |
JPH03194667A (ja) | 図面処理装置 | |
JPS61119034A (ja) | レチクル欠陥検査方法 | |
JPH0468766B2 (ja) |