JPS58116541A - 整合方法 - Google Patents
整合方法Info
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- JPS58116541A JPS58116541A JP56215324A JP21532481A JPS58116541A JP S58116541 A JPS58116541 A JP S58116541A JP 56215324 A JP56215324 A JP 56215324A JP 21532481 A JP21532481 A JP 21532481A JP S58116541 A JPS58116541 A JP S58116541A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- mask
- marks
- wafer
- mark
- Prior art date
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- Granted
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70583—Speckle reduction, e.g. coherence control or amplitude/wavefront splitting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は整合装置及び整合方法、特に半導体回路パター
ンの露光機(いわゆるマスクアライナ−)等、精密な位
置合わせ(アライメント)を行なうものに関する。一般
に半導体素子、IC等は、8i 、 GaAs 等の基
板上に複雑な回路パターンを焼き付け、化学又は物理処
理を施す王権を何度も繰り返すことによって作製される
。
ンの露光機(いわゆるマスクアライナ−)等、精密な位
置合わせ(アライメント)を行なうものに関する。一般
に半導体素子、IC等は、8i 、 GaAs 等の基
板上に複雑な回路パターンを焼き付け、化学又は物理処
理を施す王権を何度も繰り返すことによって作製される
。
この際、前工程処理のなされた基板の所定位置に次工程
のパターンを正確にアライメントさせる必豐が生じてく
る。
のパターンを正確にアライメントさせる必豐が生じてく
る。
近年、高速化、高集積化を指向してパターンの微細化が
追求されておりアライメント精度も0.1μmオーダー
の極めて精度の渦い値が云々されるに至っている。
追求されておりアライメント精度も0.1μmオーダー
の極めて精度の渦い値が云々されるに至っている。
従来、このようなアライメントは作業者が目視で行なっ
ていたが近年急速にこの作業の自動化すなわち自動位置
合わせ(オートアライメント)が指向されている。例え
ば本件出願人による特開昭53−91754号公報に記
載される走査型光検出装[は、レーザ光をスポット状又
はスリット状に物体上に結像させて物体上を等速走査さ
せ、アライメント用に設けられたマークからの散乱光を
検出するものである。レーザ光走査法の出現により、回
路パターンが焼き付けられ複雑な微細断面形状をした半
導体用のクエ・・−からもS/N比の良い信号を抽出す
ることが可能となりオートアライメント技術が急速に普
及した。
ていたが近年急速にこの作業の自動化すなわち自動位置
合わせ(オートアライメント)が指向されている。例え
ば本件出願人による特開昭53−91754号公報に記
載される走査型光検出装[は、レーザ光をスポット状又
はスリット状に物体上に結像させて物体上を等速走査さ
せ、アライメント用に設けられたマークからの散乱光を
検出するものである。レーザ光走査法の出現により、回
路パターンが焼き付けられ複雑な微細断面形状をした半
導体用のクエ・・−からもS/N比の良い信号を抽出す
ることが可能となりオートアライメント技術が急速に普
及した。
レーザ光走査方式は例えに本件出願人による特開昭54
−53562号公報の光電検出装置にみられるようにマ
スクとウエノ・間隔がゼロのコンタクト法若しくはマス
クとウエノヘ間が微小量のプロキシミテイ法のみならず
レンズ若しくはミラーを用いたプロジェクション法に対
しても適用できる。
−53562号公報の光電検出装置にみられるようにマ
スクとウエノ・間隔がゼロのコンタクト法若しくはマス
クとウエノヘ間が微小量のプロキシミテイ法のみならず
レンズ若しくはミラーを用いたプロジェクション法に対
しても適用できる。
とζろで当該分野においてオートアライメントの精度を
向上させる為の要因の一つとしてレーザ光の干渉の問題
の解決が大きな課題となってくるに到った2、すなわち
、マスクのアライメント用マークのエツジ信号出力が変
動し、安定したアライメントが為されないということで
ある。この様子を第1図に示す。図中1は焼き付けるべ
きパターンが刻まれているマスク、2はウニ・・、3は
入射光である。ここでマスク1のアライメント用マーク
のエツジで散乱される光には2種類のものが存在する。
向上させる為の要因の一つとしてレーザ光の干渉の問題
の解決が大きな課題となってくるに到った2、すなわち
、マスクのアライメント用マークのエツジ信号出力が変
動し、安定したアライメントが為されないということで
ある。この様子を第1図に示す。図中1は焼き付けるべ
きパターンが刻まれているマスク、2はウニ・・、3は
入射光である。ここでマスク1のアライメント用マーク
のエツジで散乱される光には2種類のものが存在する。
1つは図中4で示した様にアライメント用マークのエツ
ジから直接散乱して戻ってくる光であり、もう一つをま
ウニ/%2で反射されて戻ってくる光である。ウエノ・
2で反射されて戻ってくる光には2楕類あり、一方は5
で示されるようにマスク1のアライメント用マークのエ
ツジで散乱されてウエノ・2で反射されてくる光であり
、他方は6で示されるようにマスク1のアライメント用
マークのエツジを過ぎて、ウエノ・2で反射され、而る
後にアライメント用マークのエツジで散乱される光であ
る。ウニ/−,(ま一般に反射率が高いため、マスク1
のアライメント用マークのエツジから直接散乱される光
4と、ウエノ・2からの反射を介する光5若しくは6と
の干渉は大となり、マスク、ウエノ・間の微小変化によ
りアライメント時、フォトマスクのアライメント信号出
力は変動が激しく不安定となりアライメント精度に悪影
譬を島えていた。
ジから直接散乱して戻ってくる光であり、もう一つをま
ウニ/%2で反射されて戻ってくる光である。ウエノ・
2で反射されて戻ってくる光には2楕類あり、一方は5
で示されるようにマスク1のアライメント用マークのエ
ツジで散乱されてウエノ・2で反射されてくる光であり
、他方は6で示されるようにマスク1のアライメント用
マークのエツジを過ぎて、ウエノ・2で反射され、而る
後にアライメント用マークのエツジで散乱される光であ
る。ウニ/−,(ま一般に反射率が高いため、マスク1
のアライメント用マークのエツジから直接散乱される光
4と、ウエノ・2からの反射を介する光5若しくは6と
の干渉は大となり、マスク、ウエノ・間の微小変化によ
りアライメント時、フォトマスクのアライメント信号出
力は変動が激しく不安定となりアライメント精度に悪影
譬を島えていた。
以上はマスク1のアライメント用マークのエツジ信号出
力がウエノ・2の介在することによって干渉により不安
定となることを述へたものであるが、これとは別に理論
的に會ユウエI・2のアライメント用マークのエツジ信
号出力がマスクの介在することによって干渉により不安
定となることが考えられる。
力がウエノ・2の介在することによって干渉により不安
定となることを述へたものであるが、これとは別に理論
的に會ユウエI・2のアライメント用マークのエツジ信
号出力がマスクの介在することによって干渉により不安
定となることが考えられる。
すなわち、ウェハのアライメント用マークのエツジから
直接、散乱されてくる光と、マスク下面で反射し、再び
ウェハに戻ってウェハのアライメント用マークのエツジ
から散乱されてくる光が干渉することである。
直接、散乱されてくる光と、マスク下面で反射し、再び
ウェハに戻ってウェハのアライメント用マークのエツジ
から散乱されてくる光が干渉することである。
しかし彦から、マスクは一般にガラス等反射率の低いも
ので構成されるため、実際に祉干渉が弱く、ウェハのア
ライメント用マークのエツジ信号出力は、安定したもの
となっている。
ので構成されるため、実際に祉干渉が弱く、ウェハのア
ライメント用マークのエツジ信号出力は、安定したもの
となっている。
マスクのアライメント用マークのエツジ信号出力の干渉
による影響はマスクとウェハとの間隙がわずかなグロキ
シミフィ焼付けで顕著であるがレーザ光の可干渉距離が
長い丸め、レンズ若しくはミラー光学系を用いたプロジ
ェクション焼付けの場合にも程度の差こそあれ依然とし
て残る間融である。
による影響はマスクとウェハとの間隙がわずかなグロキ
シミフィ焼付けで顕著であるがレーザ光の可干渉距離が
長い丸め、レンズ若しくはミラー光学系を用いたプロジ
ェクション焼付けの場合にも程度の差こそあれ依然とし
て残る間融である。
本発明は斯かるマスク上のアシイメントマークエッジか
らのアライメント信号の干渉現象による不安定性を解消
し、安定した計測と、より烏い精腋のアライメントを可
能とした新規な整合装置及び整合方法を提供することを
目的とす心・ この目的は一方の物体が実質的に存在しない領域に第2
の験合用マークを設けることによって、更にはこの第2
の整合用マークを他方の物体上に設けることによって達
成される。
らのアライメント信号の干渉現象による不安定性を解消
し、安定した計測と、より烏い精腋のアライメントを可
能とした新規な整合装置及び整合方法を提供することを
目的とす心・ この目的は一方の物体が実質的に存在しない領域に第2
の験合用マークを設けることによって、更にはこの第2
の整合用マークを他方の物体上に設けることによって達
成される。
これにより第2の贅合用マークからの安定した出力が侍
られ、これを基準信号として用い、第1段階としてウェ
ハが実質的に存在しない状態でマスクの第1の整合用マ
ークとの札対位置関係を検出し、第2段階としてウェハ
が実質的に存在する状態で、マスクの第1の整合用マー
クに対向するウェハの整合用マークとの相対位置関係を
検出することにより、マスクとウェハのアライメントを
安定して行なうことができる。
られ、これを基準信号として用い、第1段階としてウェ
ハが実質的に存在しない状態でマスクの第1の整合用マ
ークとの札対位置関係を検出し、第2段階としてウェハ
が実質的に存在する状態で、マスクの第1の整合用マー
クに対向するウェハの整合用マークとの相対位置関係を
検出することにより、マスクとウェハのアライメントを
安定して行なうことができる。
更に第2の整合用マークをマスクに設ければマスク上の
第1の整合用マークと第2の整合用マークは相対位置関
係が保たれるため、マスク絶対位置が変化しても第2の
整合用マークを基準としこれに対するt#Jlの整合用
マーク位置が変化せず安定したマスクとウェハとのアラ
イメントを行なうことができる。
第1の整合用マークと第2の整合用マークは相対位置関
係が保たれるため、マスク絶対位置が変化しても第2の
整合用マークを基準としこれに対するt#Jlの整合用
マーク位置が変化せず安定したマスクとウェハとのアラ
イメントを行なうことができる。
なお本発明においては第1の整合用マークと$2の整合
用マークを別の対物レンズ系で観察することとなるが、
$2の整合用マークをマスク上に設けた場合、一方でマ
スクに、他方でウェハにと双方独立にピントを合致でき
フォーカスずれによる誤差が除去される。
用マークを別の対物レンズ系で観察することとなるが、
$2の整合用マークをマスク上に設けた場合、一方でマ
スクに、他方でウェハにと双方独立にピントを合致でき
フォーカスずれによる誤差が除去される。
以下、図に従って本発明を具体的に説明することとする
。
。
第2図は本発明による好ましい実施例の一つである。
図中1はマスク、一点鎖線で示された2絋ウエハを示す
。
。
マスク1上には回路パターン(実素子パターン)の他、
アライメント用のマーク10a 、 lla 。
アライメント用のマーク10a 、 lla 。
10b、 llbが形成されている。マーク101゜
11aは各々対物レンズ14a 、 llaを介して
左視野系として視野合成され、マーク10b 、 l
lb tic各々対物レンズ14b、 15bを介し
て右視野系として視野合成される。アライメント用マー
ク11a 、 llb d従来用いられていたマーク
であるが、本発明で特徴的なの11アライメント用の寸
−りがlla 、 llbの他にlQa 、 10
bとして新たに設けられていることである。
11aは各々対物レンズ14a 、 llaを介して
左視野系として視野合成され、マーク10b 、 l
lb tic各々対物レンズ14b、 15bを介し
て右視野系として視野合成される。アライメント用マー
ク11a 、 llb d従来用いられていたマーク
であるが、本発明で特徴的なの11アライメント用の寸
−りがlla 、 llbの他にlQa 、 10
bとして新たに設けられていることである。
ここで注目しなければならないの/rl 10a 、
lObで示されるマークの下にはウェハ2が存在してい
ないことである。なおコンタクト・グロキシミテイ法で
はできないがフロジエクション法の場合に、ウェハ2が
存在していてもシャッター等によりウェハ2からの反射
光を抑え少なくともマーク10a 、 10bのある
領域をアライメント時、実質的にウェハ2が存在しない
状態を形成することも可能である。
lObで示されるマークの下にはウェハ2が存在してい
ないことである。なおコンタクト・グロキシミテイ法で
はできないがフロジエクション法の場合に、ウェハ2が
存在していてもシャッター等によりウェハ2からの反射
光を抑え少なくともマーク10a 、 10bのある
領域をアライメント時、実質的にウェハ2が存在しない
状態を形成することも可能である。
このように10a 、 10bで示されるマークの下
にはアライメント時、実質的にウェハ2が存在しない状
態となるため、第1図におけるウエノ・からの反射光5
若しくは6の光が存在せず、唯一散乱光4のみが存在す
ることとなる。ウエノ・2からの反射光5.6が存在し
ない為、干渉は起きず、極めて安定したマイク信号を抽
出することができる。
にはアライメント時、実質的にウェハ2が存在しない状
態となるため、第1図におけるウエノ・からの反射光5
若しくは6の光が存在せず、唯一散乱光4のみが存在す
ることとなる。ウエノ・2からの反射光5.6が存在し
ない為、干渉は起きず、極めて安定したマイク信号を抽
出することができる。
このウェハ域にかからぬ位置に設けられるマークlQa
、 10bがマスクとウェハとのアライメントの基
準として用いられる。
、 10bがマスクとウェハとのアライメントの基
準として用いられる。
なお、マークIOa 、 10bの下は実質的に光を
反射しないような処置例えばフォトマスクホルダーの該
当箇所に穴をあけ、フォトマスクを通り抜けた光をこの
穴を通して外部に逃がし、観察系に戻ら表いようにする
ことが望ましい。穴の替わりにマーク10a 、 1
0bに相当する箇所に反射防止処娃をしても良い。フォ
トマスクホルタ−に何らかの処理を施した場合に扛本発
明の特徴となるマーク10a 、 10bが設けられ
る場所rよ自1゛′と限定されてしまうが、ウニ・・の
有効域以外の場所であり実際上問題ない。
反射しないような処置例えばフォトマスクホルダーの該
当箇所に穴をあけ、フォトマスクを通り抜けた光をこの
穴を通して外部に逃がし、観察系に戻ら表いようにする
ことが望ましい。穴の替わりにマーク10a 、 1
0bに相当する箇所に反射防止処娃をしても良い。フォ
トマスクホルタ−に何らかの処理を施した場合に扛本発
明の特徴となるマーク10a 、 10bが設けられ
る場所rよ自1゛′と限定されてしまうが、ウニ・・の
有効域以外の場所であり実際上問題ない。
マーク10a 、 10b からの信号はウエノ・の
有無にかかわらず安定して抽出されることを既述したが
、アライメントの第1段階としてウエノ・が実質的に存
在しない状態で、レーザ光を走査すれば、パターン10
a 、 10bのみならず、マーク11a、 ll
bからのエツジ信号が安菫して得られマーク10a 、
10bの位置に対し各々マーク11へ11bの位り
が女矩して構出測定される。後述するアライメントの第
2段階としてはウェハが実質的に存在する状態でマスク
上のマーク10a。
有無にかかわらず安定して抽出されることを既述したが
、アライメントの第1段階としてウエノ・が実質的に存
在しない状態で、レーザ光を走査すれば、パターン10
a 、 10bのみならず、マーク11a、 ll
bからのエツジ信号が安菫して得られマーク10a 、
10bの位置に対し各々マーク11へ11bの位り
が女矩して構出測定される。後述するアライメントの第
2段階としてはウェハが実質的に存在する状態でマスク
上のマーク10a。
10bの位置に対しウェハ上のアライメントマークの位
kt−検出測定することとなる。次に第3図においてマ
スク面を観察するアライメントスコープ系を示す。図で
は片側の視野すなわち第2図における左側の領域りのみ
か記載されている。
kt−検出測定することとなる。次に第3図においてマ
スク面を観察するアライメントスコープ系を示す。図で
は片側の視野すなわち第2図における左側の領域りのみ
か記載されている。
14m 、 15a tl対物レンズ、21aflL
’−ザー、22a tまレーザーをスポットit i
像するレンズ、23m龜回転多面鏡、24aはf−θレ
ンズ、25aは観察系とのビームスプリッタ−126a
rユフイールドレンズ、27aは視野分割プリズム、2
8a。
’−ザー、22a tまレーザーをスポットit i
像するレンズ、23m龜回転多面鏡、24aはf−θレ
ンズ、25aは観察系とのビームスプリッタ−126a
rユフイールドレンズ、27aは視野分割プリズム、2
8a。
28’a ld、%5光ビームスプリッター129a
、 29’aはリレーレンズ、30a 、 30’a
は1/4波長板、31a 、 31’aはレーザー光透
過フィルター、32a。
、 29’aはリレーレンズ、30a 、 30’a
は1/4波長板、31a 、 31’aはレーザー光透
過フィルター、32a。
32′aは瞳結像レンズ、33a 、 33’a は零
次光を除くための空間周波数フィルター(ストッパー)
、3” s 34’aはコンデンサーレンズ、35a
、 35’aはフォトディテクターで以上が光電検出系
を構成する。また36aはエレクタ−レンズ、37aは
撮儂素子、38a 、 38’aは視野照明系、39a
、 39’aに照明光源を示す。
次光を除くための空間周波数フィルター(ストッパー)
、3” s 34’aはコンデンサーレンズ、35a
、 35’aはフォトディテクターで以上が光電検出系
を構成する。また36aはエレクタ−レンズ、37aは
撮儂素子、38a 、 38’aは視野照明系、39a
、 39’aに照明光源を示す。
ここでアライメントスコープ系の構成は例えば照明光源
39a 、 39’a Kオプティカルファイバーを用
いるとか、光路の曲げ方を変える等種々の変形が考えら
れるが、第3図を代表例として示すこととする。
39a 、 39’a Kオプティカルファイバーを用
いるとか、光路の曲げ方を変える等種々の変形が考えら
れるが、第3図を代表例として示すこととする。
第3図で対物レンズ14a、15a 上に1/4波長板
30a 、 30’aを設けたのは偏光ビームスプリッ
タ−28a 、 28’aとの関連である。
30a 、 30’aを設けたのは偏光ビームスプリッ
タ−28a 、 28’aとの関連である。
すなわち偏光ビームスグリツタ−28g 、 2g’
aを反射して対物レンズ14g 、 15a に入るス
キャンされたレーザ光は1/4波長板30a 、 30
’aを通りマスク若しく社ウェハで反射され再び1/4
波長板30a 、 30’aを通ることによって偏光方
向が90°回転し、書度偏光ビームスプリッタ−283
゜28′aに入ると今度は透過してフォトディテクター
35a 、 35’aに達する。
aを反射して対物レンズ14g 、 15a に入るス
キャンされたレーザ光は1/4波長板30a 、 30
’aを通りマスク若しく社ウェハで反射され再び1/4
波長板30a 、 30’aを通ることによって偏光方
向が90°回転し、書度偏光ビームスプリッタ−283
゜28′aに入ると今度は透過してフォトディテクター
35a 、 35’aに達する。
このような偏光手段を用いることにより走査信号検出が
極めて光電損失が少なく、効率的になされる。
極めて光電損失が少なく、効率的になされる。
第3因の様な光学系を用いて第2図の様に配列されたマ
スク1、ウエノ・2を観察するわけであるが、第2図に
不すように対物レンズ14aと15a1またこれと対称
的に構成きれる対物レンズ14bと15bが互いにペア
をなしている。次にこのようなアライメントスコープ糸
で観察されるアライメント用マークについて説明する。
スク1、ウエノ・2を観察するわけであるが、第2図に
不すように対物レンズ14aと15a1またこれと対称
的に構成きれる対物レンズ14bと15bが互いにペア
をなしている。次にこのようなアライメントスコープ糸
で観察されるアライメント用マークについて説明する。
第4図り従来のアライメント用マーク′Jk71<す。
43a 、 44m 、 43b 、 44b rQ
−zスフのアライメントマークを、また45a 、 4
6a 、 45b 、 46b Fiウェハのアライ
メントマークを示す。
−zスフのアライメントマークを、また45a 、 4
6a 、 45b 、 46b Fiウェハのアライ
メントマークを示す。
第4図は従来の系を用いて観察される像の一例であり2
つの対物レンズ15a、15b を介して視野合成し
た場合の系を示し1いる。すなわち43a 、 44a
、 45a 、 46a は一方の対物レンズ15
aを介して、また43b 、 44b 、 45b 、
46b は他方の対物レンズ15bを介して表示面
に視野合成されている。マスク上のアライメントマーク
43aの2本のaは平行で、同様に2本の平行な線より
なるアライメントマーク44aに直交する4111成に
設定され1いる。
つの対物レンズ15a、15b を介して視野合成し
た場合の系を示し1いる。すなわち43a 、 44a
、 45a 、 46a は一方の対物レンズ15
aを介して、また43b 、 44b 、 45b 、
46b は他方の対物レンズ15bを介して表示面
に視野合成されている。マスク上のアライメントマーク
43aの2本のaは平行で、同様に2本の平行な線より
なるアライメントマーク44aに直交する4111成に
設定され1いる。
またウェハ上のアライメントマーク45a 、 46a
は互いに直交するように設定されている。43b。
は互いに直交するように設定されている。43b。
44b 、 45b 、 46bも同様な関係にある。
48はレーザ走査ビームの走査ラインテありビームが走
査これることによりマスク及びウェハのアライメントマ
ークのエツジ部からの走査4F4号出力が時系列的に得
られる。f−eレンズニヨt) v−サヒームの走査速
度が一定であるからアライメントマークのエツジ間隔は
時系列的な信号出力の時間間隔より検出でき、これが飯
米、マスクとウェハとのアライメントはウェハの存在す
る状態で行なっていたので既述したようにマスクのアラ
イメントマーク43a 、 44a 。
査これることによりマスク及びウェハのアライメントマ
ークのエツジ部からの走査4F4号出力が時系列的に得
られる。f−eレンズニヨt) v−サヒームの走査速
度が一定であるからアライメントマークのエツジ間隔は
時系列的な信号出力の時間間隔より検出でき、これが飯
米、マスクとウェハとのアライメントはウェハの存在す
る状態で行なっていたので既述したようにマスクのアラ
イメントマーク43a 、 44a 。
43b 、 44b からのエツジ信号出力が干渉作用
により変動し、安定したアライメント操作が困難であっ
た。
により変動し、安定したアライメント操作が困難であっ
た。
第5図h1本発明のアライメント用マークを用い視野合
成された系、全体の説明図である。
成された系、全体の説明図である。
対物レンズ14a、15a により谷々マーク10a
。
。
11aが視野分割プリズム27a上にその陵線に関し振
り分けられて投影され、而る抜エレクターレンズ・36
aにより同一表示面として撮(11素子37a上に視野
合成されるよう投影される。同様にマスク中心について
対称的な位置に設けられル対物しyス14b、 15
b K j 11) ?−り10b、llbが不図示の
撮像素子37b上に視野合成きれるよう投影される。
り分けられて投影され、而る抜エレクターレンズ・36
aにより同一表示面として撮(11素子37a上に視野
合成されるよう投影される。同様にマスク中心について
対称的な位置に設けられル対物しyス14b、 15
b K j 11) ?−り10b、llbが不図示の
撮像素子37b上に視野合成きれるよう投影される。
撮像素子37a 、 37bからの出力を貴台成し、
同一表示面に表示することはもとより可能である。
同一表示面に表示することはもとより可能である。
ここで注目すべきは、マスク上に設けられるアライメン
ト用マーク41a、 42a、 43a、 44a
。
ト用マーク41a、 42a、 43a、 44a
。
41b 、 42b 、 43b 、 44b のう
ち、対物レンズ光軸方向から見てウェハ域外にアライメ
ント用マー10レ ク41a 、 42a 、 41b 、 42b すな
わち10a、−が設けられることである。
ち、対物レンズ光軸方向から見てウェハ域外にアライメ
ント用マー10レ ク41a 、 42a 、 41b 、 42b すな
わち10a、−が設けられることである。
以下、第5図の左視舒におけるマーク10a。
11aについて第6因を用いて詳述する。$5図の右視
野におけるマーク10b、llb については対称性
より同様に扱えるので省略する。
野におけるマーク10b、llb については対称性
より同様に扱えるので省略する。
第6図においてマスク上のマーク41mは43aに平行
で、ま九421は441Aに平行であり、43aと44
aは互いに直交する。
で、ま九421は441Aに平行であり、43aと44
aは互いに直交する。
従来、マスク上のマーク43a、44a K対し、ウ
ェハ上のマーク45a 、 46mをアライメントさ
せていたが本発明においてはマスク上のマーク41a、
42mに対し、ウェハ上のマーク45a 、46a
をアライメントさせることを用いる。
ェハ上のマーク45a 、 46mをアライメントさ
せていたが本発明においてはマスク上のマーク41a、
42mに対し、ウェハ上のマーク45a 、46a
をアライメントさせることを用いる。
この前提としてマスク上のマーク41g 、 42mに
対し、マスク上のマーク43a 、 44aの位置関
係が特定されることが必要である。これは既述したよう
に第1段階としてウェハが実質的に存在しない状態で安
定して検出するものである。
対し、マスク上のマーク43a 、 44aの位置関
係が特定されることが必要である。これは既述したよう
に第1段階としてウェハが実質的に存在しない状態で安
定して検出するものである。
ここで第2段階としてウェハが実質的に存在フる状態で
、走査ビーム48aで走査するとマスク及びウェハのマ
ークの各エツジ信号からのフォトティチクター35a
、 35’aによる時糸夕1j的出力が第7図に示され
るように得られる。
、走査ビーム48aで走査するとマスク及びウェハのマ
ークの各エツジ信号からのフォトティチクター35a
、 35’aによる時糸夕1j的出力が第7図に示され
るように得られる。
第7図で41−1と示したのがマーク41aの左側の線
からの出力、41−2と示したのがマーク41aの右側
の線からの出力で他の添字もこれに準する。第7図にお
いて視野分割線47aからの出力も微かながら観察され
るので図中に示しだ。
からの出力、41−2と示したのがマーク41aの右側
の線からの出力で他の添字もこれに準する。第7図にお
いて視野分割線47aからの出力も微かながら観察され
るので図中に示しだ。
視野分割線47aは視野分割プリズム27aの陵部が投
影されて生ずるものである。マスクのマーク41aと4
3a 、 42a 、と44a とは互いに平行で
あり41−1と43−1の時間間隔TI、41−2と4
3−2の時間間隔1゛鵞、42−1と44−1の時間間
隔Ts、422と44−2の時間間隔T4は一定の値と
なる。マスクのマーク41a、42aが各々43a。
影されて生ずるものである。マスクのマーク41aと4
3a 、 42a 、と44a とは互いに平行で
あり41−1と43−1の時間間隔TI、41−2と4
3−2の時間間隔1゛鵞、42−1と44−1の時間間
隔Ts、422と44−2の時間間隔T4は一定の値と
なる。マスクのマーク41a、42aが各々43a。
44aに平行となるように設けることは走査ビーム48
aが図中上下に偏位する場合にも安定した針側をなすこ
とができる点で有用である。
aが図中上下に偏位する場合にも安定した針側をなすこ
とができる点で有用である。
ここでマスクのマーク10a uウェハが実質的に存在
しない領域に設けられ、マーク1lahウエハが実質的
に存在する領域に設けられることはM要である。すなわ
ち@7図における各信号出力のうち、マスク上のマーク
43a、 44aからの出力43−1.43−2.4
4−1.44−2t;jウェハからの反射光との干渉作
用により不安定な一方、マスク上のマーク41a、
42mからの出力41−1゜41−2.42−1.42
−2はウェハが実質的に存在しないため干渉作用が無く
極めて安定していることである。
しない領域に設けられ、マーク1lahウエハが実質的
に存在する領域に設けられることはM要である。すなわ
ち@7図における各信号出力のうち、マスク上のマーク
43a、 44aからの出力43−1.43−2.4
4−1.44−2t;jウェハからの反射光との干渉作
用により不安定な一方、マスク上のマーク41a、
42mからの出力41−1゜41−2.42−1.42
−2はウェハが実質的に存在しないため干渉作用が無く
極めて安定していることである。
以下、本発明におけるマスクとウェハとのアライメント
法を詳述する。
法を詳述する。
本究明においてII′i第1段階としてウエノ・の実線
に存在しない状態若しく社シャッター等により光束を辿
る状態すなわち光路中にウェハが実質的に存在しない状
態で、マスク上をレーザビーム走査し、マスク上のマー
ク41a 、 42a と43a 、 44g の
時間間隔を測定しておき、こ7Lをメモリーさせておく
。ここでウエノ・力;実質的に存在しないためマスク上
のマーク41a、42a。
に存在しない状態若しく社シャッター等により光束を辿
る状態すなわち光路中にウェハが実質的に存在しない状
態で、マスク上をレーザビーム走査し、マスク上のマー
ク41a 、 42a と43a 、 44g の
時間間隔を測定しておき、こ7Lをメモリーさせておく
。ここでウエノ・力;実質的に存在しないためマスク上
のマーク41a、42a。
43a、 44aからのエラ248号出力41−1.4
1−2゜42−1.42−2.43−1.43−2.4
4−1.44−2は変動せず、各マーク間の時間間隔は
正確VC61曲1さオLる。
1−2゜42−1.42−2.43−1.43−2.4
4−1.44−2は変動せず、各マーク間の時間間隔は
正確VC61曲1さオLる。
第2段階としてウエノ・を実質的eこマスクの下に存在
させマスク上をレーザビーム71fする。
させマスク上をレーザビーム71fする。
マスク上のマーク41a 、 42aの1警こ虻エウ
エ/% ii介在しないため依然としてエツジ信号出力
41−1、41−2.42−1.42−2 u安定し
て得られる。
エ/% ii介在しないため依然としてエツジ信号出力
41−1、41−2.42−1.42−2 u安定し
て得られる。
$2段階でマスク上のアライメントマーク43a 、
44aからのエツジ(i号出力は干渉(Y用により不
安定となり、このときのエツジ(ri号小出力431.
43−2.44−1.44メはアライメント1トに使用
しないこととする。ただウエノ・のアライメントマーク
45B、46a からのエツジに号出力45.46&
!安定して得られ、これをアライメント操作に用いる。
44aからのエツジ(i号出力は干渉(Y用により不
安定となり、このときのエツジ(ri号小出力431.
43−2.44−1.44メはアライメント1トに使用
しないこととする。ただウエノ・のアライメントマーク
45B、46a からのエツジに号出力45.46&
!安定して得られ、これをアライメント操作に用いる。
マスクが実質的に存在してもウエノ・上のアライメント
マークからのエツジ信号出力が安定して得られるのは既
述したようにマスク下面の反射率が低く、干渉作用が弱
いためである。マスクとウエノ・の位置す1しは第1段
階、第2段階の信号が合成されて検出される。すなわち
、第7図において第1段階でれ時間間隔Tl m T1
1 @ ’r、 f’r、 、 T’si 、 ’r、
が安定して得られ、第2段階では時間間隔Ta、Tb
が安定して得られることとなる。マスクとウエノ・との
アライメントの完了を、マスク上のアライメント用マー
ク43a 、 44a (D丁度申出jにウエノ1上の
アライメントマーク45446aがはさみこまれること
をもって為す場合、走査ビームの走査速度が一定なので
ウエノ・はマスクに対し次式が成立するように相対的に
移動させれば良い。
マークからのエツジ信号出力が安定して得られるのは既
述したようにマスク下面の反射率が低く、干渉作用が弱
いためである。マスクとウエノ・の位置す1しは第1段
階、第2段階の信号が合成されて検出される。すなわち
、第7図において第1段階でれ時間間隔Tl m T1
1 @ ’r、 f’r、 、 T’si 、 ’r、
が安定して得られ、第2段階では時間間隔Ta、Tb
が安定して得られることとなる。マスクとウエノ・との
アライメントの完了を、マスク上のアライメント用マー
ク43a 、 44a (D丁度申出jにウエノ1上の
アライメントマーク45446aがはさみこまれること
をもって為す場合、走査ビームの走査速度が一定なので
ウエノ・はマスクに対し次式が成立するように相対的に
移動させれば良い。
T、 +’r、+’r1茸
Ta x
ここ′でTaは41−1から45までの時間削1隔、T
b1f 42−1カラ46−1 fノ1L)f!1間隔
、Tt Wヨ41−1までの時間間隔、T3 は42
−1力菖ら44−1までの時間間隔、T4は42−2力
箋ら44−2までのkFj間間隔、’I’saは42−
1から42−2まテノt+*間間隔である。
b1f 42−1カラ46−1 fノ1L)f!1間隔
、Tt Wヨ41−1までの時間間隔、T3 は42
−1力菖ら44−1までの時間間隔、T4は42−2力
箋ら44−2までのkFj間間隔、’I’saは42−
1から42−2まテノt+*間間隔である。
ところでマスク上のマークlla (43a、 44a
)が無いと、−rスフ上のマーク10a (41a 、
42a )ね一方の対物レンズ14aで観察され、一
方つエバ上のマーク45a 、 46a 11他方の
対物レンズ15aで観察されるため、すなわち異なる対
物レンズで観察されるため、マスクとウエノ・の完全な
る位1iiT@係が保証されない。然るVこ本発明にお
いてはマスク上のり−クlla (43a、 44a
)を使用し、第1段階の測定にふ・いてこのマスク上の
マークを対物レンズ15aで観察し、第2段階の測定に
おいてウニI・上のマーク45a、46mを同じ対物レ
ンズ15aで観察するため、対物レンズ15aが14m
に対し相対的に位置変化することがあってもマスクとウ
ェハの完全なる位置関係が保証される。
)が無いと、−rスフ上のマーク10a (41a 、
42a )ね一方の対物レンズ14aで観察され、一
方つエバ上のマーク45a 、 46a 11他方の
対物レンズ15aで観察されるため、すなわち異なる対
物レンズで観察されるため、マスクとウエノ・の完全な
る位1iiT@係が保証されない。然るVこ本発明にお
いてはマスク上のり−クlla (43a、 44a
)を使用し、第1段階の測定にふ・いてこのマスク上の
マークを対物レンズ15aで観察し、第2段階の測定に
おいてウニI・上のマーク45a、46mを同じ対物レ
ンズ15aで観察するため、対物レンズ15aが14m
に対し相対的に位置変化することがあってもマスクとウ
ェハの完全なる位置関係が保証される。
ところでTa、 Tb の式でわかる様に第1のアライ
メント用マークl1mと、第2のアライメント用マーク
10aと扛同−若1.<は相似の形状でなくとも良い。
メント用マークl1mと、第2のアライメント用マーク
10aと扛同−若1.<は相似の形状でなくとも良い。
すなわち例えばt!PJ8図に示されるようにマーク4
1a 、 42mが1本に重なったようなマーク51
a 、 52aであっても良い、r49図はマスク上
の@1のアライメント用マークとして43a 、 44
aを、第2のアライメント用マークとして511゜52
aを用いたときの各マークのエツジ信号出方をホす。ウ
ェハが実質的に存在しない状態でのマスク上のアライメ
ントマークからの出力パルス51から43−1までの時
間間隔をTll、51から43−2までの時間間隔をT
ut、52から44−1までの時間間隔をTll 、
52がら44−21での時間間隔をT41で示す、また
ウェハが実質的に存在した状態でのマスク上のマーク5
1a。
1a 、 42mが1本に重なったようなマーク51
a 、 52aであっても良い、r49図はマスク上
の@1のアライメント用マークとして43a 、 44
aを、第2のアライメント用マークとして511゜52
aを用いたときの各マークのエツジ信号出方をホす。ウ
ェハが実質的に存在しない状態でのマスク上のアライメ
ントマークからの出力パルス51から43−1までの時
間間隔をTll、51から43−2までの時間間隔をT
ut、52から44−1までの時間間隔をTll 、
52がら44−21での時間間隔をT41で示す、また
ウェハが実質的に存在した状態でのマスク上のマーク5
1a。
52mからのエツジ信号出力51.52とウェハ上のマ
ーク45g 、 46aからのエツジ1g号出方45゜
46との時間間隔を各々Tal、Tblとする。マスク
上のアライメント用マーク43a、44a の丁度中
間にウェハ上のアライメント用マーク45a、 46a
がはさみこまfすることをもってマスクとウェハのアラ
イメントが完了するとする場合、次式を満たすようウェ
ハがマスクに対し相対的に移動される。
ーク45g 、 46aからのエツジ1g号出方45゜
46との時間間隔を各々Tal、Tblとする。マスク
上のアライメント用マーク43a、44a の丁度中
間にウェハ上のアライメント用マーク45a、 46a
がはさみこまfすることをもってマスクとウェハのアラ
イメントが完了するとする場合、次式を満たすようウェ
ハがマスクに対し相対的に移動される。
Tb1=”” + T41
ここで光電検出系のブロック図を第10図に、また時間
間隔測定の実施例を第11図に示す。
間隔測定の実施例を第11図に示す。
第10図、$11図において主としてウェハの実質的に
存在する第2段階の系について説明する。
存在する第2段階の系について説明する。
フォトディテクター35a 、 35’aからの出力は
(第11図(a) ) ta、アンプで増幅され、論理
レベル交換回路でパルス化され(第11図(b) )
、計測モード設定回路によねパルス第1発註をたたくか
、第2発註をたたくか選択され、各々論理ゲート発生回
路1.2を介してゲート信号が加わり(第11図(C)
若しくU(e))、AND回路を経てマスクの第2のア
ライメントマーク51若しくは52からの4d号と、ウ
ェハのアライメントマーク45若しくは46からの信号
との時間間隔Ta、 Tbが計測され(第11図(d)
着しくはげ))、これが前述の式を満たすようX、Y、
θ駆動される。ところでウェハが実質的に存在しない第
1段階の測定系については計測モード設定回路により適
宜なケート信号が選択されマスクのアライメントマーク
51と43−1からの信号の時間間隔T、、 、 51
と43−2 からの信号の時間間隔T21が計測され、
次のvJ2段階の測定にあたっての基準値が形成される
。第11図におけるゲート信号龜2ΔTのパルス幅をも
ち、ウェハのアライメントマーク45若しくFi46が
2八Tに相応する許容展をもって各々マスクのアライメ
ントマーク43−1.43−2若しくは44−1.44
−2の間に、はさまれるときAND回路よりウエノ・に
関する出力が得られるようになっている。
(第11図(a) ) ta、アンプで増幅され、論理
レベル交換回路でパルス化され(第11図(b) )
、計測モード設定回路によねパルス第1発註をたたくか
、第2発註をたたくか選択され、各々論理ゲート発生回
路1.2を介してゲート信号が加わり(第11図(C)
若しくU(e))、AND回路を経てマスクの第2のア
ライメントマーク51若しくは52からの4d号と、ウ
ェハのアライメントマーク45若しくは46からの信号
との時間間隔Ta、 Tbが計測され(第11図(d)
着しくはげ))、これが前述の式を満たすようX、Y、
θ駆動される。ところでウェハが実質的に存在しない第
1段階の測定系については計測モード設定回路により適
宜なケート信号が選択されマスクのアライメントマーク
51と43−1からの信号の時間間隔T、、 、 51
と43−2 からの信号の時間間隔T21が計測され、
次のvJ2段階の測定にあたっての基準値が形成される
。第11図におけるゲート信号龜2ΔTのパルス幅をも
ち、ウェハのアライメントマーク45若しくFi46が
2八Tに相応する許容展をもって各々マスクのアライメ
ントマーク43−1.43−2若しくは44−1.44
−2の間に、はさまれるときAND回路よりウエノ・に
関する出力が得られるようになっている。
ここでウェハのアライメントマークがマスクのアライメ
ントマークにはさまれないときはウェハに関する出力が
得られなくなる。勿論、この場合も考慮してゲート信号
を適宜選択することは可能である。
ントマークにはさまれないときはウェハに関する出力が
得られなくなる。勿論、この場合も考慮してゲート信号
を適宜選択することは可能である。
第11図は簡略化された実施例をンバしている。
ところで以上、第5図において示した如くマスク上のマ
ーク41a 、 42aは43a 、 44aとペ
アになり、一方の走査ビーム48aで走査され、他方4
1J 42bは43b 、 44b とベアになり
他方の走査ビーム48bで走査されると述べたが、1な
わち新たなマークを2箇所設けるとして述べたが原理的
に祉少なくとも1箇所あれに良い。
ーク41a 、 42aは43a 、 44aとペ
アになり、一方の走査ビーム48aで走査され、他方4
1J 42bは43b 、 44b とベアになり
他方の走査ビーム48bで走査されると述べたが、1な
わち新たなマークを2箇所設けるとして述べたが原理的
に祉少なくとも1箇所あれに良い。
上のアライメントマーク41a 、 42a 、
43g 。
43g 。
44a 、 44b 、 43b 、 41b 、 4
2bと順次走査されるような場合、アライメントマーク
41a 、 42aが有れば41b、 42bが無
くとも良い。同様に41b。
2bと順次走査されるような場合、アライメントマーク
41a 、 42aが有れば41b、 42bが無
くとも良い。同様に41b。
42bが有れば41a、 42aが無くとも良い。
また本発明においてビームの走査方向扛図示されたもの
に限らず、視野合成される結果、マスクの第1.$2の
マーク及びウェハのマークを検出できるものであればど
のような走査方向であっても良い。
に限らず、視野合成される結果、マスクの第1.$2の
マーク及びウェハのマークを検出できるものであればど
のような走査方向であっても良い。
ところで本発明について種々の変形例が考えられる。
第1i図に示されるものは、精度を高めるため、左右方
向だけでなく上下方向にも対物レンズベアを配置したも
のである。
向だけでなく上下方向にも対物レンズベアを配置したも
のである。
マスク上、クロスで示す8箇所が2ライメント川マーク
が設けられる位置である。このうち4箇F9r60a、
60b、 62m、 62b hウェハ2の介
1 在しない領域に設けられる。
が設けられる位置である。このうち4箇F9r60a、
60b、 62m、 62b hウェハ2の介
1 在しない領域に設けられる。
第13図に示すものはマスク1上のアライメント用マー
クを矩形状となるよう4箇所に設けたものである。
クを矩形状となるよう4箇所に設けたものである。
コ(D ’) チ、70a、 71a Uウェハ2の
介在しない領域に設けられる。
介在しない領域に設けられる。
第14図に示すものは、顕Wl硯糸の視野を点線で示す
様にうまくとることにより、対物レンズとして左右1本
づつの1ttZ本で十分な検出を行なうことができる実
施例である。
様にうまくとることにより、対物レンズとして左右1本
づつの1ttZ本で十分な検出を行なうことができる実
施例である。
但し、この実施例ではコンタクト法の場合、マスクとウ
ェハ2の双方同時に完全にピントを合致させることが可
能であるがグロキシミティ法の場合、マスクとウェハに
微小片ヤップがあるためマスクとウェハ双方に完全にピ
ントを合致きせることかできない。しかし実用上、本実
施例はプロキシミティ法にも充分適用可能である。とこ
ろでマスクとウェハーのアライメントが完了すると装置
は露光動作に移行する。
ェハ2の双方同時に完全にピントを合致させることが可
能であるがグロキシミティ法の場合、マスクとウェハに
微小片ヤップがあるためマスクとウェハ双方に完全にピ
ントを合致きせることかできない。しかし実用上、本実
施例はプロキシミティ法にも充分適用可能である。とこ
ろでマスクとウェハーのアライメントが完了すると装置
は露光動作に移行する。
アライメ/it、6位置と無光する位置が同一の場合、
すなわちマスクとウェハーがアライメントを完了した位
置で露光を受ける場合、対物レンズ系を無光の邪魔とな
らぬ様、マスク上側の位置から光路外へ退避させる必要
がある。対物系は姦光後再び元の位置に戻ってくるよう
にすれば良い。この他に第15図に示されるようにアラ
イメント位tAと露光位置Eが完全に分陰されるもので
あっても良い。
すなわちマスクとウェハーがアライメントを完了した位
置で露光を受ける場合、対物レンズ系を無光の邪魔とな
らぬ様、マスク上側の位置から光路外へ退避させる必要
がある。対物系は姦光後再び元の位置に戻ってくるよう
にすれば良い。この他に第15図に示されるようにアラ
イメント位tAと露光位置Eが完全に分陰されるもので
あっても良い。
すなわちこの場合、アライメント用の対物レンズ14a
、 15a、 14b、 15b テマスクとウ
ェハがアライメントされた後、マスクとウェハ扛相対位
置を保ったまま一体的に露光位置Eに送られ露光を受け
ることとなる。
、 15a、 14b、 15b テマスクとウ
ェハがアライメントされた後、マスクとウェハ扛相対位
置を保ったまま一体的に露光位置Eに送られ露光を受け
ることとなる。
以上、述べてきた様に、本発明はマスク信号をウェハに
よる影響を全く受けない状態で取り出しアライメントの
安定化を図ることを特徴とする。本発明を用いれば第1
4図に示される実施例を除いて顕微鏡対物レンズがマス
ク用、ウェハ用と別箇独立して設けられるため、マスク
とウェハ双方に完全にピントを合致させることができ、
特にプロキシミティ法で社フォーカスのずれによる誤差
の混入が除去される。
よる影響を全く受けない状態で取り出しアライメントの
安定化を図ることを特徴とする。本発明を用いれば第1
4図に示される実施例を除いて顕微鏡対物レンズがマス
ク用、ウェハ用と別箇独立して設けられるため、マスク
とウェハ双方に完全にピントを合致させることができ、
特にプロキシミティ法で社フォーカスのずれによる誤差
の混入が除去される。
すなわちウェハの実質的に存在しない領域に設けられる
対物レンズはマスクにピントが合うように、まだウェハ
が実質的に存在する領域に設けられる対物レンズhマス
クではな、く焼付は時のウェハ位置にピントが合うよう
に設定することができる。
対物レンズはマスクにピントが合うように、まだウェハ
が実質的に存在する領域に設けられる対物レンズhマス
クではな、く焼付は時のウェハ位置にピントが合うよう
に設定することができる。
更に本発明においてウェハの実質的に存在しない領域に
設けられるマスク上のアライメントマークはアライメン
トスコープ内での率なる指標として用いられるだけで実
素子パターン々!との相対精度を必要としないので、ア
ライメントマークを設けることも比較的容易になされ得
る。
設けられるマスク上のアライメントマークはアライメン
トスコープ内での率なる指標として用いられるだけで実
素子パターン々!との相対精度を必要としないので、ア
ライメントマークを設けることも比較的容易になされ得
る。
本発明は基本的には基準信号をマスク以外から取り出し
ても良いものであるが、特にマスクから取り出すことに
よって次のような効果がある。
ても良いものであるが、特にマスクから取り出すことに
よって次のような効果がある。
すなわちウェハが実質的に存在しない状態で第1段階の
測定が終わり、而る後にウェハが実質的に存在する状態
で第2段階の測定を行なう際、ウェハとマスクがコンタ
クトすることによりマスク絶対位置が第1段階の測定位
置からシフトすることが考えられるが、本発明において
はマスク上の2種類の7ライメントマーク、すなわちウ
ェハ域にかが知らない第2のマークと、ウェハ域にかか
る第1のマークが同一量シフトすることとなり、第1段
階でのメモリーされた測定値を用いてシフトされたマス
クに対しウェハを正確にアライメントできることとなる
。この場合、勿論表示向上でシフト量が同一となるよう
第1のマークと第2のマークを観察する光学系は同一倍
率であることが望ましい。アライメントスコープにおけ
る対物レンズ14m 、 1531の相対位置の微小
変化祉毎回ウェハが露光を受けて搬出される毎に時間間
隔を測定し、メモリーしておけば完全に補正されること
となる。
測定が終わり、而る後にウェハが実質的に存在する状態
で第2段階の測定を行なう際、ウェハとマスクがコンタ
クトすることによりマスク絶対位置が第1段階の測定位
置からシフトすることが考えられるが、本発明において
はマスク上の2種類の7ライメントマーク、すなわちウ
ェハ域にかが知らない第2のマークと、ウェハ域にかか
る第1のマークが同一量シフトすることとなり、第1段
階でのメモリーされた測定値を用いてシフトされたマス
クに対しウェハを正確にアライメントできることとなる
。この場合、勿論表示向上でシフト量が同一となるよう
第1のマークと第2のマークを観察する光学系は同一倍
率であることが望ましい。アライメントスコープにおけ
る対物レンズ14m 、 1531の相対位置の微小
変化祉毎回ウェハが露光を受けて搬出される毎に時間間
隔を測定し、メモリーしておけば完全に補正されること
となる。
またマスクとウェハとの間に予めオフセット箪のある場
合はその値に応じて時間間隔Ta、Tbを調整してやれ
ば良い。なお、本発明では光電検知の方法をレーザ光走
査によって行なったが他の方法例えば光電顕微鏡を用い
る方法や、撮像管、CCD4の電子的な走査方式を用い
ることも勿論可能である。
合はその値に応じて時間間隔Ta、Tbを調整してやれ
ば良い。なお、本発明では光電検知の方法をレーザ光走
査によって行なったが他の方法例えば光電顕微鏡を用い
る方法や、撮像管、CCD4の電子的な走査方式を用い
ることも勿論可能である。
その際、特にウェハの信号を取る側の顕微縫糸で暗視野
法的な検出を行なうとコントラストが強調されて有利な
場合が多い。
法的な検出を行なうとコントラストが強調されて有利な
場合が多い。
また本発明ではオートアライメント用のマークの為に、
故意に実素子をつぶす実施例のみを示したがアライメン
トマークをスクライブ用のライン上に設ければ実素子を
つぶすことなく、効率的にパターンの配列を行なうこと
ができる。
故意に実素子をつぶす実施例のみを示したがアライメン
トマークをスクライブ用のライン上に設ければ実素子を
つぶすことなく、効率的にパターンの配列を行なうこと
ができる。
ところで、本発明瘉よコンタクト/グロキシミテイ法を
中心に説明したが、他の焼き付は力法例えばレンズ或い
はミラーによるプロジェクション法に本適用できるも?
である。
中心に説明したが、他の焼き付は力法例えばレンズ或い
はミラーによるプロジェクション法に本適用できるも?
である。
まだ本発明の方法は光無光法のみならずX#露光法等、
他の焼き付は露光法に対し広汎な応I彬が可能である。
他の焼き付は露光法に対し広汎な応I彬が可能である。
i1図はマスク上のアライメントマーク4N−+の干渉
による影響の説明図、 第2図は本発明のマスク上のアライメントマークのウェ
ハとの相対位置を示す図、 第3図は本発明におけるアライメントスコープ系の左半
分を示す斜視図、 第4図は従来のマスク、ウエノ・上のアライメントマー
クの全体図、 第5図は本発明のマスク、ウエノ・上のアライメントマ
ークの一実施例の全体図、 第6図は第3図に示すアライメントスコープでの観察像
の図、 第7図Ugg6図で示し九観察偉からの出力の図、 第8図は第3図に示すアライメントスコープでの観察像
の別の実施例の図、 第9図は第8図で示した観察像からの出力の図、 第10図は光電検出系のブロック図、 第11図(a) (b) (c) (d) (e) (
f)は時間間隔測定の実施例の図、 第12図乃至第14図は本発明のアライメントマークの
異なる実施例の図、 第15図はアライメント位置と露光位置が分離された系
の説明図、 図中 1はマスク、2はウエノ・、3h入射光、4〜6は散乱
光、1’Oa、 lla、 10b、 llb nマス
クのアライメント用マーク、14a、 15a。 14b、 15b U対物レンズ、21aLIiレーザ
ー、23aは回転多血辣、24aはf −6v yズ、
35aはフォトディテクター、37aは撮像管、41a
、 42a、 43a、 44a、 41b、 42b
、 43b、 44bはマスク上のアライメント用マー
ク、 45a、46g、45b、46bはウエノ・上のアライ
メント用マークである。 出願 人 キャノン株式会社
による影響の説明図、 第2図は本発明のマスク上のアライメントマークのウェ
ハとの相対位置を示す図、 第3図は本発明におけるアライメントスコープ系の左半
分を示す斜視図、 第4図は従来のマスク、ウエノ・上のアライメントマー
クの全体図、 第5図は本発明のマスク、ウエノ・上のアライメントマ
ークの一実施例の全体図、 第6図は第3図に示すアライメントスコープでの観察像
の図、 第7図Ugg6図で示し九観察偉からの出力の図、 第8図は第3図に示すアライメントスコープでの観察像
の別の実施例の図、 第9図は第8図で示した観察像からの出力の図、 第10図は光電検出系のブロック図、 第11図(a) (b) (c) (d) (e) (
f)は時間間隔測定の実施例の図、 第12図乃至第14図は本発明のアライメントマークの
異なる実施例の図、 第15図はアライメント位置と露光位置が分離された系
の説明図、 図中 1はマスク、2はウエノ・、3h入射光、4〜6は散乱
光、1’Oa、 lla、 10b、 llb nマス
クのアライメント用マーク、14a、 15a。 14b、 15b U対物レンズ、21aLIiレーザ
ー、23aは回転多血辣、24aはf −6v yズ、
35aはフォトディテクター、37aは撮像管、41a
、 42a、 43a、 44a、 41b、 42b
、 43b、 44bはマスク上のアライメント用マー
ク、 45a、46g、45b、46bはウエノ・上のアライ
メント用マークである。 出願 人 キャノン株式会社
Claims (7)
- (1)所定の2つの物体の位置を整合させるための第1
の整合用マークを各々の物体の相対向する位置に設は九
整合装置において、一方の物体が実質的に存在しない領
域に第2の整合用マークが設けられたことを特徴とする
整合装置。 - (2)所定の2つの物体の位置を整合させるための第1
の整合用マークを各々の物体の相対向する位置に設けた
整合装置において、一方の物体が実質的に存在しない領
域であって他方の物体上にv、2の整合用マークが設け
られたことを特徴とする整合装置。 - (3) −記第1の整合用マークを観察する第1の光
学系のピントが一方の物体に合致し、前記第2の整合用
マークを観察する第2の光学系のピントが他方の物体に
合致する特許請求の範囲第2項記載の整合装置。 - (4)前記第1の整合用マークが複数個設けられ、−紀
第2の整合用マークが少なくとも1個設けられる特許請
求の範囲第2項記載の整合装置。 - (5)前記第1.第2の整合用マークが同数設けられる
特許請求の範囲第4項記載の整合装置。 - (6) 削記他方の物体の第1.第2の整合用マーク
が少くとも2つの方向を有するエツジを有し各々対応す
るエツジが平行である特許請求の範囲第2項記載の整合
装置。 - (7)所定の2つの物体の位置を整合させるため、各々
の物体に設けられる整合用マークからの信号を検出する
ことにより2つの物体を整合する方法において、 一方の物体が実質的に存在しない領域にあって他方の物
体上に設けられた第2の整合用マーク及び該他方の物体
の第1の整合用マークからの信号を、一方の物体が実質
的に存在しない状態で検出する第1の段階と、 一方の物体が実質的に存在する状態で、前記第2の整合
用マーク及び該一方の物体の第1の整合用マークからの
信号を検出するts2の段階と、 閑記第1.第2の段階で得られる信号を合成し、前記2
つの物体の位置のずれを検出する第3の段階を含むこと
を特徴とする整合方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56215324A JPS58116541A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 整合方法 |
US06/451,334 US4575250A (en) | 1981-12-29 | 1982-12-20 | Aligning apparatus and method for mitigating instability caused by interference in alignment signal |
GB08236745A GB2115923B (en) | 1981-12-29 | 1982-12-24 | Semiconductor wafer alignment |
DE19823248382 DE3248382A1 (de) | 1981-12-29 | 1982-12-28 | Verfahren und vorrichtung zum ausrichten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56215324A JPS58116541A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 整合方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58116541A true JPS58116541A (ja) | 1983-07-11 |
JPH035651B2 JPH035651B2 (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=16670412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56215324A Granted JPS58116541A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 整合方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4575250A (ja) |
JP (1) | JPS58116541A (ja) |
DE (1) | DE3248382A1 (ja) |
GB (1) | GB2115923B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05234845A (ja) * | 1991-05-08 | 1993-09-10 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2151350A (en) * | 1983-11-25 | 1985-07-17 | Vs Eng Ltd | Sensing arrangement |
US4845373A (en) * | 1984-02-22 | 1989-07-04 | Kla Instruments Corporation | Automatic alignment apparatus having low and high resolution optics for coarse and fine adjusting |
KR940000910B1 (ko) * | 1991-04-12 | 1994-02-04 | 금성일렉트론 주식회사 | 반도체 칩의 얼라인먼트 방법 및 레이저 리페이어용 타겟이 형성된 반도체 칩 |
US5362681A (en) * | 1992-07-22 | 1994-11-08 | Anaglog Devices, Inc. | Method for separating circuit dies from a wafer |
US5557855A (en) * | 1994-03-22 | 1996-09-24 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Reticle |
US5827629A (en) * | 1995-05-11 | 1998-10-27 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Position detecting method with observation of position detecting marks |
JP3624048B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2005-02-23 | キヤノン株式会社 | 照度測定方法 |
JPH11307449A (ja) | 1998-02-20 | 1999-11-05 | Canon Inc | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP4053723B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | 露光用マスクの製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5698831A (en) * | 1979-12-18 | 1981-08-08 | Thomson Csf | Optical system |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1473301A (en) * | 1973-05-03 | 1977-05-11 | Nippon Kogaku Kk | Manufacture of multi-layer structures |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP56215324A patent/JPS58116541A/ja active Granted
-
1982
- 1982-12-20 US US06/451,334 patent/US4575250A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-12-24 GB GB08236745A patent/GB2115923B/en not_active Expired
- 1982-12-28 DE DE19823248382 patent/DE3248382A1/de active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5698831A (en) * | 1979-12-18 | 1981-08-08 | Thomson Csf | Optical system |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH05234845A (ja) * | 1991-05-08 | 1993-09-10 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3248382C2 (ja) | 1991-07-18 |
US4575250A (en) | 1986-03-11 |
DE3248382A1 (de) | 1983-07-07 |
GB2115923A (en) | 1983-09-14 |
GB2115923B (en) | 1986-03-26 |
JPH035651B2 (ja) | 1991-01-28 |
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