JPS5871645A - ICリ−ドフレ−ム用Alクラツド板及びその製造法 - Google Patents
ICリ−ドフレ−ム用Alクラツド板及びその製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス封止型のいわゆるサーディツプ型ICパ
ッケージ)f用いられるリードフレーム素材のA!ツク
ラッド板関する。
ッケージ)f用いられるリードフレーム素材のA!ツク
ラッド板関する。
近年、ICの高集積度化が進む一方容量の増大が進み、
パッケージ自体の大きさは縮少傾向にあり、必然的にガ
ラス封止部の面積の縮少が余儀なくされている。各種パ
ッケージの中でサーディツプ型ICパッケージも多用さ
れており高信頼性と低コスト化が強く要望されている。
パッケージ自体の大きさは縮少傾向にあり、必然的にガ
ラス封止部の面積の縮少が余儀なくされている。各種パ
ッケージの中でサーディツプ型ICパッケージも多用さ
れており高信頼性と低コスト化が強く要望されている。
このICパッケージのICと外部回路の接続に使用され
るリードフレームの素材として、従来第1図にその斜視
拡大図を示す如く、Fe−Ni合金lの1表面中央部に
Aノ2がクラッドされたAツクラッド板が用いられてい
る。このAツクラッド板を所定形状に金型によって打抜
き、第2図に示す様に、リードフレーム5として利用さ
れる。基板8上に塔載されたICチップ4とリードフレ
ームのAノ部7の間がAノワイヤー8によってボンデン
グされている。そして基板、上蓋及びリードフレームは
低融点ガラス6によって封止される。サーディツプのガ
ラス封止機構は、金属表面の酸化物層とガラスの相互拡
散によるものであるが、封止温度が低温である為、気密
性を保証するためにはガラス封止面積の確保が重要であ
る。一方上述の如くパッケージの小型化の要望も強く、
その両方を満足するためには従来のリードフレーム用A
ツクラッド板では不充分となって来た。
るリードフレームの素材として、従来第1図にその斜視
拡大図を示す如く、Fe−Ni合金lの1表面中央部に
Aノ2がクラッドされたAツクラッド板が用いられてい
る。このAツクラッド板を所定形状に金型によって打抜
き、第2図に示す様に、リードフレーム5として利用さ
れる。基板8上に塔載されたICチップ4とリードフレ
ームのAノ部7の間がAノワイヤー8によってボンデン
グされている。そして基板、上蓋及びリードフレームは
低融点ガラス6によって封止される。サーディツプのガ
ラス封止機構は、金属表面の酸化物層とガラスの相互拡
散によるものであるが、封止温度が低温である為、気密
性を保証するためにはガラス封止面積の確保が重要であ
る。一方上述の如くパッケージの小型化の要望も強く、
その両方を満足するためには従来のリードフレーム用A
ツクラッド板では不充分となって来た。
本発明はこの問題を解消せんとするものでありパッケー
ジの小型化による封止面積の縮少に対処し得るAツクラ
ッド板を提供するものである。
ジの小型化による封止面積の縮少に対処し得るAツクラ
ッド板を提供するものである。
すなわち、第8図に本発明のAツクラッド板の断面を示
す如く、Fe−Ni合金1の表面部にAノ部9をクラッ
ドし、その両側に四部lOを設けることによって封止部
の接触面積の増大を計るものである。
す如く、Fe−Ni合金1の表面部にAノ部9をクラッ
ドし、その両側に四部lOを設けることによって封止部
の接触面積の増大を計るものである。
あるいは第4図に示す如く、Aツクラッド面及び反対面
の四部表面に、下地の密着性の良いFe −M合金層1
1を介在させ接触面積増大以外に拡散促進も計ることが
できるものである。
の四部表面に、下地の密着性の良いFe −M合金層1
1を介在させ接触面積増大以外に拡散促進も計ることが
できるものである。
封止部表面積を増大させる方法として、従来、表面粗さ
を粗くするため−プラッシュ研摩等のメカニカルな方法
があるが、寸法精度の問題があるばかりでなく、研摩粉
の残存による表面汚染が、ガラス封止後の気密性の要因
となるほど実用上問題があった。
を粗くするため−プラッシュ研摩等のメカニカルな方法
があるが、寸法精度の問題があるばかりでなく、研摩粉
の残存による表面汚染が、ガラス封止後の気密性の要因
となるほど実用上問題があった。
本発明品はこのような問題を解消するものである。ガラ
ス封止部にAJを残す考えもあるが、AJは封止ガラス
との熱膨張係数の差が大きく、封止部からはみ出すとエ
レクトロ・マイグレーションやAJの腐食などの問題が
生起することがあるのでAJはワイヤーボンディング部
のみに残し、他は除去することによって四部として封止
部との表面積増大に寄与させるのが本発明の特徴である
。
ス封止部にAJを残す考えもあるが、AJは封止ガラス
との熱膨張係数の差が大きく、封止部からはみ出すとエ
レクトロ・マイグレーションやAJの腐食などの問題が
生起することがあるのでAJはワイヤーボンディング部
のみに残し、他は除去することによって四部として封止
部との表面積増大に寄与させるのが本発明の特徴である
。
本発明のAツクラッド板を製造する方法は次の通りであ
る。先ず第1図た示す如きAツクラッドF e −N
i合金板を準備し、Aノ部2のうち、ワイヤーボンディ
ングに必要な部分(第8図、第4図の9)にレジスト膜
の形成、あるいは耐薬品テープを貼り付けによってマス
キングし、 NaOH溶液等のアルカリ浸漬によってマ
スキング部以外のAJを除去し、そのあとレジスト又は
テープを除き、第4図の断面を有するAツクラッドFe
−Ni合金テープを製造することができる。
る。先ず第1図た示す如きAツクラッドF e −N
i合金板を準備し、Aノ部2のうち、ワイヤーボンディ
ングに必要な部分(第8図、第4図の9)にレジスト膜
の形成、あるいは耐薬品テープを貼り付けによってマス
キングし、 NaOH溶液等のアルカリ浸漬によってマ
スキング部以外のAJを除去し、そのあとレジスト又は
テープを除き、第4図の断面を有するAツクラッドFe
−Ni合金テープを製造することができる。
このA!ツクラッド板所定形状tて打抜いたリードフレ
ーム12を用いてICパッケージを作製した例を第5図
にて示す。
ーム12を用いてICパッケージを作製した例を第5図
にて示す。
実施例
予めAノ巾6.8LllLをその中央にクラッドした4
0%Ni−Fe合金テープを用意し、その中央部に45
u巾の耐薬品性テープを連続的に接着した後、2096
NaOH水溶液中で不要部のAJを溶解除去して、第8
図に示す如き、中央部45JLjL巾のAJがクラッド
され、その両側に0.9μ巾の表面粗さを大きくした四
部を有するAノークラッドFe−Niテープを製作した
。
0%Ni−Fe合金テープを用意し、その中央部に45
u巾の耐薬品性テープを連続的に接着した後、2096
NaOH水溶液中で不要部のAJを溶解除去して、第8
図に示す如き、中央部45JLjL巾のAJがクラッド
され、その両側に0.9μ巾の表面粗さを大きくした四
部を有するAノークラッドFe−Niテープを製作した
。
第5図は、本発明によるAツクラッドFe−Niテープ
から打抜いて作製したリードフレームによるサーディツ
プ型ICパッケージを示す。本発明品によるAツクラッ
ドテープを素材としたリードフレームのガラス封止部の
接着強度は9〜11Kpであり、第1図の如き従来のA
1合金テープを用いた場合の7〜8 Kyに較べて約2
0%接着強度が向上した。また、パッケージ後のICの
高温高温テストでも°リーク不良率を著しく減少するこ
とができた。
から打抜いて作製したリードフレームによるサーディツ
プ型ICパッケージを示す。本発明品によるAツクラッ
ドテープを素材としたリードフレームのガラス封止部の
接着強度は9〜11Kpであり、第1図の如き従来のA
1合金テープを用いた場合の7〜8 Kyに較べて約2
0%接着強度が向上した。また、パッケージ後のICの
高温高温テストでも°リーク不良率を著しく減少するこ
とができた。
第1図は従来のリードフレーム用Aツクラッドテープの
斜視図、第2図は第1図のテープを素材としたリードフ
レーム使用のICパッケージの断面図、第8図、第4図
は本発明のAツクラッド板の実施例の断面図、第5図は
本発明のAツクラッド板を素材としたリードフレームで
作製したICパッケージの断面図である。 1 : Fe−Ni合金、2:AJ、3:基板、4:I
Cチップ、5,12:リードフレーム、6:封止ガラス
、7,9:AJ、8:Aノボンデンデイングワイヤー、
lO:凹部、11 : Fe −An層X11図 ル2図 カ3図 ヤ4図 1 卑5図 3 203−
斜視図、第2図は第1図のテープを素材としたリードフ
レーム使用のICパッケージの断面図、第8図、第4図
は本発明のAツクラッド板の実施例の断面図、第5図は
本発明のAツクラッド板を素材としたリードフレームで
作製したICパッケージの断面図である。 1 : Fe−Ni合金、2:AJ、3:基板、4:I
Cチップ、5,12:リードフレーム、6:封止ガラス
、7,9:AJ、8:Aノボンデンデイングワイヤー、
lO:凹部、11 : Fe −An層X11図 ル2図 カ3図 ヤ4図 1 卑5図 3 203−
Claims (2)
- (1)サーディツプ型ICパッケージ用AツクラッドF
e−N i板において、リードフレームのワイヤーボ
ンド部のみにA1層があり、その両側に四部が形成され
ていることを特徴とするtCリードフレーム用Aツクラ
ッド板。 - (2)サーディツプ型ICパッケージ用AツクラッドF
e−Ni板の製造法において、Fe−Ni板上のガラス
封着に接する部分全面にAノをクラッドを行いその後、
ワイヤボンディングに必要な部分をマスキングしてそれ
以外をエツチングによりAノを除去することを特徴とす
るA1層の両側が四部を形成しているICリードフレー
ム用Aツクラッド板の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56170396A JPS5871645A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | ICリ−ドフレ−ム用Alクラツド板及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56170396A JPS5871645A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | ICリ−ドフレ−ム用Alクラツド板及びその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5871645A true JPS5871645A (ja) | 1983-04-28 |
JPS6222532B2 JPS6222532B2 (ja) | 1987-05-19 |
Family
ID=15904146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56170396A Granted JPS5871645A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | ICリ−ドフレ−ム用Alクラツド板及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5871645A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4750262A (en) * | 1986-05-01 | 1988-06-14 | International Business Machines Corp. | Method of fabricating a printed circuitry substrate |
CN111090058A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-05-01 | 珠海格力电器股份有限公司 | 框架、其制备方法以及高温反相偏压试验 |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP56170396A patent/JPS5871645A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4750262A (en) * | 1986-05-01 | 1988-06-14 | International Business Machines Corp. | Method of fabricating a printed circuitry substrate |
CN111090058A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-05-01 | 珠海格力电器股份有限公司 | 框架、其制备方法以及高温反相偏压试验 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6222532B2 (ja) | 1987-05-19 |
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