JPS5870554A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPS5870554A JPS5870554A JP16869781A JP16869781A JPS5870554A JP S5870554 A JPS5870554 A JP S5870554A JP 16869781 A JP16869781 A JP 16869781A JP 16869781 A JP16869781 A JP 16869781A JP S5870554 A JPS5870554 A JP S5870554A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は相互に絶縁層を介して絶縁された金属または半
導体からなる配Ｓを３層以上積層した半導体集積回路に
関するものであり、特に配線の断線による不良を少なく
してしかも配ＩＩを効率よ゛く行なえるようにしたもの
である。
導体からなる配Ｓを３層以上積層した半導体集積回路に
関するものであり、特に配線の断線による不良を少なく
してしかも配ＩＩを効率よ゛く行なえるようにしたもの
である。
半導体集積回路では金属または半導体を用いて配４１を
行なう。これらの配線は各層内の任意の位置に設けられ
るのでなく、各層ごとにあらかじめ定められ九複数の位
置のいずれかに設けられる。
行なう。これらの配線は各層内の任意の位置に設けられ
るのでなく、各層ごとにあらかじめ定められ九複数の位
置のいずれかに設けられる。
集積回路の設計は、これらのあらかじめ定めた位置に〜
配線チャネルと呼ばれる、仮想的な通路があると考えて
この通路上に王に配線を設けることにより行なわれる。
配線チャネルと呼ばれる、仮想的な通路があると考えて
この通路上に王に配線を設けることにより行なわれる。
通常は、各配線チャネルは相互に平行でかつ規則的に、
たとえば等間隔に設けられている。配線層が２層の場合
にＨ７ｊとえは第１層の配ｗ！Ａは、横方向に延びた、
相互に平行な複数の配線チャネルのいくつかに設けられ
る。一方、第２層の配線は、縦方向に延びた、相互に平
行な複数の配扉チャネルに設けられる。
たとえば等間隔に設けられている。配線層が２層の場合
にＨ７ｊとえは第１層の配ｗ！Ａは、横方向に延びた、
相互に平行な複数の配線チャネルのいくつかに設けられ
る。一方、第２層の配線は、縦方向に延びた、相互に平
行な複数の配扉チャネルに設けられる。
第１層の配線と第２層の配線の接続に第１層の配線チャ
ネルと第２層の配線チャネルとの交点において、この第
２層の配線チャネル下にある絶縁ｍＫスルーホールを設
け、このスルーホールを介して行なう。
ネルと第２層の配線チャネルとの交点において、この第
２層の配線チャネル下にある絶縁ｍＫスルーホールを設
け、このスルーホールを介して行なう。
しかし、近年、集積回路の集積度が向上し、それに伴な
い、一つの集積回路に収容される論理回路素子の数が増
大して来た。
い、一つの集積回路に収容される論理回路素子の数が増
大して来た。
従来のように、二層の配線を用いたのでは、各層の配線
数が多くなるため、集積回路が大きくならざるを得ない
。つまり集積度か低下する。この問題を除くために、３
層以上の配線を設けるようになってきている。
数が多くなるため、集積回路が大きくならざるを得ない
。つまり集積度か低下する。この問題を除くために、３
層以上の配線を設けるようになってきている。
第１図は４層の配ｌ！ヲ用いる場合の各層の配線チャネ
ルの中心の平面的位置を示しており、実線１０１は第１
層の配線のための配線チャネルを示し、一点破１１１０
２は第２層の配線チャネルを示し、点＠１０３は第３層
の配線チャネルを示し、二点破線１０４は第４層の配線
チャネルを示している。配線チャネル１０１と１０３，
１０２と１０４はそれぞれ互いに平行して走っておシ、
配線チャネル１０１と１０３に１０２と１０４に直交し
て走っている。第１図では互すに並行して走る配線チャ
ネル１０１と１０３．および１０２と１０４とが図の上
からみて重ならないように隣接する一対の、第１層の配
線チャネル１０１の間に一つの第３層の配線チャネル１
０３が走り、また、隣接する一対の第２層の配線チャネ
ル１０２の間に一つの第４層の配線チャネル１０４が走
るようにしである。
ルの中心の平面的位置を示しており、実線１０１は第１
層の配線のための配線チャネルを示し、一点破１１１０
２は第２層の配線チャネルを示し、点＠１０３は第３層
の配線チャネルを示し、二点破線１０４は第４層の配線
チャネルを示している。配線チャネル１０１と１０３，
１０２と１０４はそれぞれ互いに平行して走っておシ、
配線チャネル１０１と１０３に１０２と１０４に直交し
て走っている。第１図では互すに並行して走る配線チャ
ネル１０１と１０３．および１０２と１０４とが図の上
からみて重ならないように隣接する一対の、第１層の配
線チャネル１０１の間に一つの第３層の配線チャネル１
０３が走り、また、隣接する一対の第２層の配線チャネ
ル１０２の間に一つの第４層の配線チャネル１０４が走
るようにしである。
特に−第３層配線チャネル１０３は、隣接する一対の第
１層配線チャネル１０１の中間に設けられ、また、第４
層配線チャネル１０４線隣接する一対の第２層配線チャ
ネル１０２の中間に設けられている。
１層配線チャネル１０１の中間に設けられ、また、第４
層配線チャネル１０４線隣接する一対の第２層配線チャ
ネル１０２の中間に設けられている。
第２図は、第１図に基づいて実際に配線を行った集積回
路の斜視図であハフ０１〜７０４はそれぞれ、第１〜第
４層の配線チャネル１０１〜１０４内になされた配線で
あり、７０１は半導体基板である。配［７０１〜７０４
の中心は第１図の配線チャネル１０１〜１０４にそれぞ
れ一致させられている。第２図では配９７０１〜７０４
を相互に絶縁するための絶縁物層は、簡単化のために図
示されていない。第３図は、第２図の回路を配＠７０２
の中心線を含み、基板７１０に垂直な平面で切断して得
られる断面図であり、ｗ、４図は第２の回路を配ＭＡ７
０４の中心１１１′ｔ−含み、基板７１０に垂＠な平面
で切断して得られる断面図である。これらの図におい′
て、６０１〜６０３は、配線７０１と７０２，７０２と
７０３，７０３と７０４をそれぞれ相互に絶縁するため
の絶縁層である。６０４は、配線７０４上の絶縁物層で
ある。
路の斜視図であハフ０１〜７０４はそれぞれ、第１〜第
４層の配線チャネル１０１〜１０４内になされた配線で
あり、７０１は半導体基板である。配［７０１〜７０４
の中心は第１図の配線チャネル１０１〜１０４にそれぞ
れ一致させられている。第２図では配９７０１〜７０４
を相互に絶縁するための絶縁物層は、簡単化のために図
示されていない。第３図は、第２図の回路を配＠７０２
の中心線を含み、基板７１０に垂直な平面で切断して得
られる断面図であり、ｗ、４図は第２の回路を配ＭＡ７
０４の中心１１１′ｔ−含み、基板７１０に垂＠な平面
で切断して得られる断面図である。これらの図におい′
て、６０１〜６０３は、配線７０１と７０２，７０２と
７０３，７０３と７０４をそれぞれ相互に絶縁するため
の絶縁層である。６０４は、配線７０４上の絶縁物層で
ある。
６０５は配＠７０１と７０２を接続するためのスルーホ
ールを示す。配線７０１〜７０４は、たとえば、アルミ
ニウムのような金属や金属の化合物あるいはポリシリコ
ンのような導電性のよい半導体で形成される。また、Ｉ
！縁物層６０１〜６０３は、たとえばスパッタされた二
酸化ケイ素、ポリイミド樹脂、リンガラス等の透明な絶
縁物、あるいはそれらの組合せにより形成されている。
ールを示す。配線７０１〜７０４は、たとえば、アルミ
ニウムのような金属や金属の化合物あるいはポリシリコ
ンのような導電性のよい半導体で形成される。また、Ｉ
！縁物層６０１〜６０３は、たとえばスパッタされた二
酸化ケイ素、ポリイミド樹脂、リンガラス等の透明な絶
縁物、あるいはそれらの組合せにより形成されている。
この工うな多層の配線チャネルを用いて配？Ｒは、公知
の２層配線技術に基づいて次のようにして行なわれる。
の２層配線技術に基づいて次のようにして行なわれる。
第１層の配＠７０１を、いくつかの第１層の配線チャネ
ル１０１の位置に設け、その上に絶縁物層６０１を積層
し、その上に、第２層の配線７０２をいくつかの第２層
の配線チャネル１０２の位置に設け１更に、その上に絶
縁物層６０２を積層し、その上に、第３層の配線７０３
を、いくつかの第３層の配線チャネル１０３の位置に設
け、さらにその上に絶縁物層６０３を積層し、その上に
第４層の配線７０４をいくつかの第４層の配線チャネル
１０４の位置に設け、その上に絶縁物層６０４を設ける
。
ル１０１の位置に設け、その上に絶縁物層６０１を積層
し、その上に、第２層の配線７０２をいくつかの第２層
の配線チャネル１０２の位置に設け１更に、その上に絶
縁物層６０２を積層し、その上に、第３層の配線７０３
を、いくつかの第３層の配線チャネル１０３の位置に設
け、さらにその上に絶縁物層６０３を積層し、その上に
第４層の配線７０４をいくつかの第４層の配線チャネル
１０４の位置に設け、その上に絶縁物層６０４を設ける
。
この際、第１層の配Ｉｍは、回路素子に直接又はスルー
ホールを介して接続され、隣接する層の配線の相互接続
は、それらの間にある絶縁物層に設けたスルーホールを
介して行なわれる。
ホールを介して接続され、隣接する層の配線の相互接続
は、それらの間にある絶縁物層に設けたスルーホールを
介して行なわれる。
ここで第１図のように配線チャネル１０１と１０３が上
からみて重畳しないようにしである理由の１つを述べる
。第３層の配線７０３が第１層の配＠７０１の上にある
場合、これらの二つの配線と第４層の配線７０４とが重
畳する部分において、１層４層の配線７０４の下には、
第１層の配線７０１、絶縁物層６０１，６０２％第３ノ
ーの配線７０３、絶縁物層６０３の５つの層が積層され
ることになる。
からみて重畳しないようにしである理由の１つを述べる
。第３層の配線７０３が第１層の配＠７０１の上にある
場合、これらの二つの配線と第４層の配線７０４とが重
畳する部分において、１層４層の配線７０４の下には、
第１層の配線７０１、絶縁物層６０１，６０２％第３ノ
ーの配線７０３、絶縁物層６０３の５つの層が積層され
ることになる。
一部、この交叉する部分の近傍では、第４層の配線７０
４の下には、第１．第３の配線７０１゜７０３がなく、
３つの絶縁物層６０１〜６０３が積層されることになる
。この結果、この交叉する部分とその近傍においては、
第４層の配＠７０４の高さは２層分だけ変化することに
なる。このように高さの変化か大きいと第４層の配＠７
０４に断線が生じやすいという欠点がある。つまり、一
般に、多層の配線がある場合、同一方向に延びた異なる
層の配線の上で、この方向に直角な方向に延びた別の層
の配線が交叉する場合、この最後の配線の段差が大きく
なり、断線か生じｆすい。しかし、第１図のように配線
チャネル１０１と１０３が重畳しないようにすれば第４
層の配線７０４と＠１層の配＠７０１の交叉する部分の
下には１第３層の配線がない。
４の下には、第１．第３の配線７０１゜７０３がなく、
３つの絶縁物層６０１〜６０３が積層されることになる
。この結果、この交叉する部分とその近傍においては、
第４層の配＠７０４の高さは２層分だけ変化することに
なる。このように高さの変化か大きいと第４層の配＠７
０４に断線が生じやすいという欠点がある。つまり、一
般に、多層の配線がある場合、同一方向に延びた異なる
層の配線の上で、この方向に直角な方向に延びた別の層
の配線が交叉する場合、この最後の配線の段差が大きく
なり、断線か生じｆすい。しかし、第１図のように配線
チャネル１０１と１０３が重畳しないようにすれば第４
層の配線７０４と＠１層の配＠７０１の交叉する部分の
下には１第３層の配線がない。
したがって、第４図から分かるように第４層の配４！７
０４の段差はどこでも１層分だけである。
０４の段差はどこでも１層分だけである。
したがって％ ４層の配ｍを設は定場合第４層の断線が
生じにくいことがわかる。
生じにくいことがわかる。
しかし半導体集積（ロ）路の中の配線は配線チャネルに
直交し九いわゆるべ／ド配Ｓｔ−用いても行なわれる。
直交し九いわゆるべ／ド配Ｓｔ−用いても行なわれる。
第５図（ａ）、 （ｂ）はそれぞれ２層配線の場合の配
線チャネルを用いた配線、およびベンド配線を行なった
場合を示しである。例えば配線チャネルを用いた配線の
場合は第５図（ａ）のように同一信号線である第２層の
配線１０２Ａと１０２Ｂの接続は、スルーホール１２１
Ａ、１２１Ｂと第１層用の縦方向チャネル１０１上の第
１層の配線１２２を介して行なう。−万配＋１ｉ１２２
が横切る配線チャネル１０２上に第２層の配線がない場
合には、第５図（ｂ）のように第２層のベンド配線１２
０Ｃで配＠１０２Ａと１０２Ｂの接１ｉｌＡを行うこと
ができる。このベンド配線の長所として、（ＩＪ配ｆＲ
１２２に工９使われる第１層の配線チャネル１０２ｆ：
他の配線に使える、鰺）通常スルーホールがある個所の
配線はドックボーンとよばれるように太くなる場合か多
く、このため隣り合った配線チャネル上でスルーホール
が設けられない場合、例えばスルーホール１２１Ｃがお
るとスルーホール１２１Ａ・４゛設けれないというよう
な場合にも配＋１１１２０Ａと１２０Ｂとを接続できる
等がめげられ、半導体集積回路ではこのベンド配線が頻
繁に行なわれる。
線チャネルを用いた配線、およびベンド配線を行なった
場合を示しである。例えば配線チャネルを用いた配線の
場合は第５図（ａ）のように同一信号線である第２層の
配線１０２Ａと１０２Ｂの接続は、スルーホール１２１
Ａ、１２１Ｂと第１層用の縦方向チャネル１０１上の第
１層の配線１２２を介して行なう。−万配＋１ｉ１２２
が横切る配線チャネル１０２上に第２層の配線がない場
合には、第５図（ｂ）のように第２層のベンド配線１２
０Ｃで配＠１０２Ａと１０２Ｂの接１ｉｌＡを行うこと
ができる。このベンド配線の長所として、（ＩＪ配ｆＲ
１２２に工９使われる第１層の配線チャネル１０２ｆ：
他の配線に使える、鰺）通常スルーホールがある個所の
配線はドックボーンとよばれるように太くなる場合か多
く、このため隣り合った配線チャネル上でスルーホール
が設けられない場合、例えばスルーホール１２１Ｃがお
るとスルーホール１２１Ａ・４゛設けれないというよう
な場合にも配＋１１１２０Ａと１２０Ｂとを接続できる
等がめげられ、半導体集積回路ではこのベンド配線が頻
繁に行なわれる。
しかし配線層が３層以上の場合のベンド配線を考えてみ
ると配線が２層重なった上に直交して上層の配線が走る
ことがあり、この部分の断差が大きいため断線を生ずる
ことがある。第６図（ａ）はベンド配線のため配線が２
層重なった上を直交して上層の配線が走る場合を示した
図であり、第３層の配線チャネル上の配５１６０と第２
層のベンド配置１１２０ｃが重なった上に第４層の配線
チャネル上の配線１６１が直交し、１６２の部分で配線
１６１の断線が生じ易いことを示している。第８図は第
６図（ａ）において配線１６１の中心を通る断面図であ
り、配線１２０Ｃと１６０の上と近傍で２層分の断差が
アり配線が生じ易いことを示している。−１第６図（ｂ
）は第１層の配線チャネル１０１上の配ｍ１６３と第２
層のベンド配線１２０Ｃが重なった上に第４層の配線チ
ャネル上の配線１６１が直交している場合を示しである
。この場合半導体製造技術に工９差異がメジ、配＃１２
０Ｃと配［１６１（７）間には２つの絶縁層６０２，６
０３（図示せずンが存在する比め絶縁層６０３の上部で
平坦化されて、１６４の部分で配９１６２が断線する可
能性が少ない場合と、平坦化されないでＷＲ線し易い場
合と両方がある。
ると配線が２層重なった上に直交して上層の配線が走る
ことがあり、この部分の断差が大きいため断線を生ずる
ことがある。第６図（ａ）はベンド配線のため配線が２
層重なった上を直交して上層の配線が走る場合を示した
図であり、第３層の配線チャネル上の配５１６０と第２
層のベンド配置１１２０ｃが重なった上に第４層の配線
チャネル上の配線１６１が直交し、１６２の部分で配線
１６１の断線が生じ易いことを示している。第８図は第
６図（ａ）において配線１６１の中心を通る断面図であ
り、配線１２０Ｃと１６０の上と近傍で２層分の断差が
アり配線が生じ易いことを示している。−１第６図（ｂ
）は第１層の配線チャネル１０１上の配ｍ１６３と第２
層のベンド配線１２０Ｃが重なった上に第４層の配線チ
ャネル上の配線１６１が直交している場合を示しである
。この場合半導体製造技術に工９差異がメジ、配＃１２
０Ｃと配［１６１（７）間には２つの絶縁層６０２，６
０３（図示せずンが存在する比め絶縁層６０３の上部で
平坦化されて、１６４の部分で配９１６２が断線する可
能性が少ない場合と、平坦化されないでＷＲ線し易い場
合と両方がある。
本発明の目的は３層以上の配線層を持っ半導体集積回路
においてベンド配Ｓｔ−行なっても２層の配線が重なっ
た上に隣接して上層の配線か直交しない工うにして、ベ
ンド配線にょる配線効率のよさを保持し九まま、しかも
ＷＲ線による不良を少なくした半導体集積回路を提供す
ることにある。
においてベンド配Ｓｔ−行なっても２層の配線が重なっ
た上に隣接して上層の配線か直交しない工うにして、ベ
ンド配線にょる配線効率のよさを保持し九まま、しかも
ＷＲ線による不良を少なくした半導体集積回路を提供す
ることにある。
そこで本発明ではベンド配ｍｔ−行なえる配線層、ある
いは配線位置を制限することにより、ベンド配線による
配線効率のよさを保持し九まま、しかも断線による不良
を少なくした半導体集積回路を実現した。
いは配線位置を制限することにより、ベンド配線による
配線効率のよさを保持し九まま、しかも断線による不良
を少なくした半導体集積回路を実現した。
以下本発明を配一層４層の場合の実施列に沿って説明す
る。第７図（ａ）ｆｌ第１層の配＊＊配様チャネル１０
４に沿ったベンド配線を許し、第４層の配線は配線チャ
ネル１０１に沿ったベンド配ｍ’ｔ−許し、それ以外の
ベンド配−を禁止した場合の配置１ｆｌｌを示してるる
。第７図（Ｊｌ）から明らかなように第１層のべ／ド配
線７５０が平行して走るのは配線チャネル１０４を用い
る最上層の第４層の配線のみであり、第４層のベンド配
線７５１にベンド配＃７５０と第２層の配線７５２が重
ならない位置を走るため２層分の断差による断線は生じ
ない。
る。第７図（ａ）ｆｌ第１層の配＊＊配様チャネル１０
４に沿ったベンド配線を許し、第４層の配線は配線チャ
ネル１０１に沿ったベンド配ｍ’ｔ−許し、それ以外の
ベンド配−を禁止した場合の配置１ｆｌｌを示してるる
。第７図（Ｊｌ）から明らかなように第１層のべ／ド配
線７５０が平行して走るのは配線チャネル１０４を用い
る最上層の第４層の配線のみであり、第４層のベンド配
線７５１にベンド配＃７５０と第２層の配線７５２が重
ならない位置を走るため２層分の断差による断線は生じ
ない。
第９図は第７図（ａ）において配線７５１の中心を通る
断面図であり、配線７５１の下で２層分の断差がある個
所はなく断線が生じないことを示している。また第７図
（ｂ）は第６図（ｂ）で半導体製造技術により平行して
走る２層の配線の上に２つの絶縁層があれば平坦化され
その上に直交して走る配線が断線しない場合を示し次回
である。この場合第２層の配線では配線チャネル１０１
に沿ったべ／ド装置１１２０Ｃと、第４層の配線では配
置チャネル１０１に沿ったべ／ド装置１７５１が可能と
なることは明らかである。以上の説明ではベンド可能な
配線の１例について述べたが、ベンド可能な配線層、配
線チャネルの組合せはいくらでもアシ、ま７’ｊ２つの
配線層の配線の上に直交した配線がなければベンド可能
なことは明らかである。
断面図であり、配線７５１の下で２層分の断差がある個
所はなく断線が生じないことを示している。また第７図
（ｂ）は第６図（ｂ）で半導体製造技術により平行して
走る２層の配線の上に２つの絶縁層があれば平坦化され
その上に直交して走る配線が断線しない場合を示し次回
である。この場合第２層の配線では配線チャネル１０１
に沿ったべ／ド装置１１２０Ｃと、第４層の配線では配
置チャネル１０１に沿ったべ／ド装置１７５１が可能と
なることは明らかである。以上の説明ではベンド可能な
配線の１例について述べたが、ベンド可能な配線層、配
線チャネルの組合せはいくらでもアシ、ま７’ｊ２つの
配線層の配線の上に直交した配線がなければベンド可能
なことは明らかである。
以上の発明から明らかなように本発明を用いると半導体
集積回路においてベンド配線が可能となるので従来の２
層配線と同様配線効率がよい配線を断線による不要を少
なくして実現できるという効果がある。
集積回路においてベンド配線が可能となるので従来の２
層配線と同様配線効率がよい配線を断線による不要を少
なくして実現できるという効果がある。
第１図は従来の４層の配線チャネルの配置を示す図、第
２図は第１図の配線チャネルの配置に従って設けられた
４層の配ｆＩ７Ａｔｌ−有する半導体集積回路の図、第
３図は第２図の集積回路を第２層の配線の中心を通る面
で切断した図、第４図は第２図の集積回路を第４層の配
線の中心を通る面で切断した図、第５図はベンド配線を
説明するための図、第６図はベンド配線による問題点を
説明するための図を第７図は本発明によるベンド配Ｉｍ
を説明する几めの図、第８図は第６図（ａＣｔ−第４層
の配線の中心を通る面で切断した図、第９図は第７図（
ａ）ｆ：第４層のぺ／ド配線の中心を通る面で切断した
図箒１図 ￥Ｉ２月 ￥：Ｊ３図 粥４図 下 タ 図 （ｂ） ｏｔ １躬 ６ 図 （０−２ ′￥３ ６ 図 （ｂ〕 ｏｔ ’Ｊｌ！１７１１１−ｆ久ノ ０３ ｙｌ ７ 図 （ｂ） ｏｔ
２図は第１図の配線チャネルの配置に従って設けられた
４層の配ｆＩ７Ａｔｌ−有する半導体集積回路の図、第
３図は第２図の集積回路を第２層の配線の中心を通る面
で切断した図、第４図は第２図の集積回路を第４層の配
線の中心を通る面で切断した図、第５図はベンド配線を
説明するための図、第６図はベンド配線による問題点を
説明するための図を第７図は本発明によるベンド配Ｉｍ
を説明する几めの図、第８図は第６図（ａＣｔ−第４層
の配線の中心を通る面で切断した図、第９図は第７図（
ａ）ｆ：第４層のぺ／ド配線の中心を通る面で切断した
図箒１図 ￥Ｉ２月 ￥：Ｊ３図 粥４図 下 タ 図 （ｂ） ｏｔ １躬 ６ 図 （０−２ ′￥３ ６ 図 （ｂ〕 ｏｔ ’Ｊｌ！１７１１１−ｆ久ノ ０３ ｙｌ ７ 図 （ｂ） ｏｔ
Claims (1)
- １．３以上の複数の配線層を絶縁体を介して積層し、各
層毎に複数の配ｓｔ−有し、各層の複数の配線は各層毎
にあらかじめ設けられた相互に平行でかつ規則的に配列
されｔ複数の通常配線位置のいくつかと、該通常配線位
置に直交するベンド配線位置のいくつかに設けられ、奇
数番目の配線層の該通常配線位置は偶数番目の配線層の
該通常配線位置と直交する半導体集積回路において、該
ベンド配線位置の配＃に隣接した上あるいに下の配線層
と重畳しないか、重畳しても重畳した２＃の配線層に隣
接する上層の配線層に直交しない位置にあることを特徴
とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16869781A JPS5870554A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16869781A JPS5870554A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5870554A true JPS5870554A (ja) | 1983-04-27 |
| JPH0542821B2 JPH0542821B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=15872782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16869781A Granted JPS5870554A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5870554A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60134440A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| DE3608402A1 (de) * | 1985-03-13 | 1986-09-18 | Toyota Jidosha K.K., Toyota, Aichi | Daempfungsvorrichtung an einer riemenscheibe einer kurbelwelle einer brennkraftmaschine eines fahrzeugs |
| JPH02106968A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置及びその形成方法 |
| EP0381248A2 (en) | 1985-10-15 | 1990-08-08 | Tokai Rubber Industries, Ltd. | Dual-type damper device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55138253A (en) * | 1979-04-12 | 1980-10-28 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP16869781A patent/JPS5870554A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55138253A (en) * | 1979-04-12 | 1980-10-28 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
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| JPH0576782B2 (ja) * | 1983-12-23 | 1993-10-25 | Hitachi Ltd | |
| DE3608402A1 (de) * | 1985-03-13 | 1986-09-18 | Toyota Jidosha K.K., Toyota, Aichi | Daempfungsvorrichtung an einer riemenscheibe einer kurbelwelle einer brennkraftmaschine eines fahrzeugs |
| DE3608402C2 (de) * | 1985-03-13 | 1994-04-14 | Toyota Motor Co Ltd | Dämpfungsvorrichtung an einer Riemenscheibe einer Kurbelwelle einer Brennkraftmaschine eines Fahrzeugs |
| EP0381248A2 (en) | 1985-10-15 | 1990-08-08 | Tokai Rubber Industries, Ltd. | Dual-type damper device |
| JPH02106968A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置及びその形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0542821B2 (ja) | 1993-06-29 |
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