JPS5869831A - (+)−トランス第一菊酸の製造法 - Google Patents

(+)−トランス第一菊酸の製造法

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JPS5869831A
JPS5869831A JP16966681A JP16966681A JPS5869831A JP S5869831 A JPS5869831 A JP S5869831A JP 16966681 A JP16966681 A JP 16966681A JP 16966681 A JP16966681 A JP 16966681A JP S5869831 A JPS5869831 A JP S5869831A
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chrysanthemum
trans
monocarboxylic acid
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cis
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Takeo Suzukamo
鈴鴨 剛夫
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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Sumitomo Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光学活性トランス第−薄酸の製造法に−し、さ
らに詳しくは下記式(!)で示されるH−レス鎮−薄酸
を200”〜i!60℃に加熱して、式(局で示される
(+)−トランス第−菊駿化変換させることを特徴とす
る(→−トランス槙−g−菊綾はピレトリン、アレスリ
ン、フタルスリンなどのいわゆるピレスロイドと称さ゛
れる低毒速効性の殺虫性エステルの酸成分を構成する重
要な化合物である。
轟該カルボン酸にはシス、トランスの幾何異性体および
その各々にc刊、Hの光学異性体があり、合計4コの異
性体が存在すA、これら4コの異性体の中で(+)体か
らなるピレスロイド系ヱス妾ル暉虫活性があり、さらに
(→−トランス体からな3エステルが一般に最も強い活
性を示すことが知られている。ちなみに天舷に産する除
虫菊に含まれる第−菊酸エステルは(利−トランス体で
ある。それに対して、H体はシス体、トランス体ともほ
とんど効力がなく無価値なものとしか評価されない。
上述したように第−薄酸にはそのC1位およびC3位に
2ケの不斉真南があり、合計4ケの異性体が存在する。
即ち、(+) −*ス体、H−シス体、(+) −トラ
ンス体、’H−トランス体の4種の異性体であり、これ
らはそれぞれ、(IR18日 )、(18,8R)−(
IR,8R)、(IB、8B)の絶対配置を有する。
従来、シス槙−菊酸類からトランス諺−菊酸類の製造法
としては次のような方法が知られている1例えば、シス
第−薄酸のアルキルエステルに対しである種の塩基性触
媒で処理する方法(特公昭68−18495号公報、特
公昭63−18496号公報など)、またレス第−薄酸
クロリドを高温に加熱する方法(特公昭47−2677
8号公報)あるいは、レス第−薄酸を180℃以上の温
度にて加熱する方法(特開昭49−1!6660号公報
)等が挙げられる。
しかしながらこれらの方法はレス、トランスの異性化方
法、換言すれば、ラセミレス槙−瑠酸一からラセミトラ
ンス体へ変換する方法であり、4つの異性体の中のある
異性体から、より有用な他の異性体へ選択的に立体変換
させるという技術内容をも含むものではない。
薄酸の4ケの異性体は2例えば2.5−ジメチルI−L
4−へキサジエンとジアゾ酢酸エチルを銅触媒で反応さ
せて得られるシス、トランス混合ラセミカルボン酸エス
テルを加水分解して誘導されゐカルボン酸を、光学活性
アミンで分割することによって純粋に取得できる(特開
昭49−126842号公報、特公昭61−18497
号公報、特公昭64−317180号公報等)。
かくして得られる異性体の中で、無効な(へ)体を有効
な(+)体に立体変換させて有用化をはかるξとは工業
的に霞要なことである。     ゛前述のレス、トラ
ンスの異性化方法の中で、レス第−薄酸アルキルヱステ
ルを塩基触媒で処理する方法あるいはリス填−薄酸クロ
リドを高温に加熱する方法によるトランス体への変換は
C1位の立体配置の変換であることが知られているが、
に)−シス菊酸に適用するには一旦エステル化するか又
は酸りo Q kに誘導する必要がある。
また、4種の異性体の各酸ハライドにルイス酸を作用さ
せて、ラセミ体、即ち(J:l一体を得る方法が知られ
ており、この方法は4種の異性体の何れから出発しても
ラセミ化でき、特にH−1ランス体をラセミ化できる点
で優れた方法であるが、に)−シス体を原料とした場合
には(至)−トランスが得られることになる。
従って、H−シス填−薄酸から直接的に(+)−トラン
ス体へ変換する効率的な方法が望まれる。
このような状況の下に、本発明者らJ、tH7’/ス第
−薄酸から他の官能基に化学変化させる仁となく選択的
に立体変換させることにより(+)−〜260℃に加熱
することにより効率よく目的を達成できることを解明し
、本発明を完成した。
以下に本発明方法につき詳しく説明する。
本発明において出発原料である日−レス第−薄酸とはH
−シス体単独もしくはそれに富む第−薄酸であり、該出
発原野は既述したように、・ ラセを第−薄酸の光学分
割法によって得ることができる。従って、本発明の方法
はこれらの技術と組み合わせることにより、殺虫効力の
最も高い成分であるl+) −トランス体が極めて効率
よく得られることになる。
反応を行なうに際しては原料を200C以上に加熱する
のみでよいが、800℃以上では環開裂反広が起ってパ
イロレンが生成するので、温度範囲は200〜260℃
の範囲で−あり、この範囲では10時間以内で充分に目
的を達することができる。
また、本反応に際し、溶媒は必須ではないが、必要に応
じ反応を阻害しない溶媒門用ヒ・ることも可能であり、
また通常は窒素、アルゴン等の不一性ガス雰囲気下で実
施する。
また、本発明方法を実施するに際し、反応の形式はバッ
チ形式あるいは連続形式の何れの形式でも行なうことが
でき、原料のH−シス槙−薄酸を反応容器に一括して入
れる方法あるいは反応の進行に応じて連続的に、または
断続的に入れる方式の何れの方法をも採用することがで
きる。
反応の進行度は旋光度の測定あるいは光学活性アルコー
ルとのジアステレオフイソマーとしてガスクロマトグラ
フィーによる分析などにより知ることができる。
また本発明方法は減圧下または加圧下で実施することが
できるが、常圧下でも容易に目的を適することができる
以上のようにして反応が終了した反応液は01位がエビ
化されて生成した(→−トランス第−薄酸、またはそれ
に富むトランス槙−薄酸として得られる。さらには必要
に応じこれを蒸留、クロマトグラフィーなどにより精製
することもできる。
このようにして得られた←)−トランス第−薄酸はそれ
ぞれの用途に供することができ、例えば(ト)−トラン
ス諺−薄酸はビレスロロン、アレx o o ンic代
表されるピレスロイドアルコールと称され石一群のアル
コールと反応させるコトにより、効力の高い殺虫性化合
物に導くことができる。
次に実施例によって本発明の詳細な説明する。
実施例I H−シス槙−薄酸10.Ofを耐圧硝子アンプルに入れ
、窒素ガスで系内を置換した後、2500の油浴に1時
間浸漬した。冷後反応液をトルエン50−に溶解し、6
4苛性ソーダ水溶液で抽出した。水層を硫酸酸性とし、
1.2−ジクロロエタン50−で抽出、水洗した後硫酸
マグネシュウムで乾燥した。この溶液をガスクロマトグ
ラフィーで分析すると、H−レス体12.94 、(+
) −)ランス体87.1鴫であった。
この溶液に0.25 fの塩化亜鉛を加え、60〜66
℃に2時間加熱攪拌した。今後、水洗し64苛性ソーダ
水溶液で抽出した。水層を硫酸酸性とし、トルエン50
−を加えて抽出、水洗した後、減圧下に溶媒を留去し、
蒸留すると1)、1)、96〜98℃/ O,II w
m H9(D油状物8.1tが得られた。
このものの工Rスペクトル1.N M ELスペクトル
は標準品の(+1−トランス第−薄酸と一致した。また
、このものの旋光度は〔α124+14.1’(C=0
.9.エタノール)であった。
実施例2 実施例1で用いたH−シス第−薄酸1.Ofを耐圧硝子
アンプルに入れ、窒素ガスで系内を置換したのち、密封
し220℃で6時間加熱した。
反応後内容物を取出しトルエン10−に溶解し、6憾苛
性ソーダ水溶液で抽出し、水層を酸析、トルエン抽出、
水洗したのち、減圧下に溶媒を留去すると0.91Fの
第−薄酸を得た。Cのものをガスクロマトグラフィーで
分析するとH−シス体1171←)−トランス体88.
84であった0次いでこれをクロロホルム6−に溶解し
、26岬の塩化亜鉛を加え、以後実施例1と同様に処理
すると、0.80 fの(→−トラシス第−薄酸が得ら
れた。このものの旋光度は〔α〕讐+14.1”(C=
1.5 、エタノール)であった。
実施例8 H−シス体10.0憾、H−トランス体io、。
鳴から成る槙−薄酸10.Ofをオートクレーブに入れ
、窒素ガスで系内を置換した後、密枕し、250℃で4
0分間加熱した。冷後反応液をトルエン50mに溶解し
、6鳴苛性ソーダ水゛溶液で抽出し、水層を硫酸酸性と
し、1.2−ジクロルエタン60−で抽出した。
水洗後硫酸マグネシウムで乾燥し、塩化第二鉄0.8F
を加えて、2時間加熱攪拌した。以下、実施例1と同様
に処理して、(+)−トランス体90.0憾に)−トラ
ンス体toonから成る(→−トランス体に富む槙−薄
酸8.2tが得られた。
実施例4 H−レス体91.2鴫、(+)−シス体8.8憾かう成
る第−薄酸1 G、Ofをオートクレーブに入れ、実施
例8と同様にして240℃で2時間反応した。今後実施
例8と同様に処理して(+3− )ランス体91.2憾
、−一トランス体8.84から成る(ト)−トランス体
に富む第−薄酸8.2tが得られた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (−) シxJll−vi+ 200’ 〜260 C
    a1度の範囲で加熱することを特徴とする(+) −ト
    ラ゛ンス第−薄酸の製造法。
JP16966681A 1981-10-22 1981-10-22 (+)−トランス第一菊酸の製造法 Granted JPS5869831A (ja)

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JPS5869831A true JPS5869831A (ja) 1983-04-26
JPH0253429B2 JPH0253429B2 (ja) 1990-11-16

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49126650A (ja) * 1973-04-17 1974-12-04
JPS5077346A (ja) * 1973-11-12 1975-06-24

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