JPS5868210A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS5868210A JPS5868210A JP16418481A JP16418481A JPS5868210A JP S5868210 A JPS5868210 A JP S5868210A JP 16418481 A JP16418481 A JP 16418481A JP 16418481 A JP16418481 A JP 16418481A JP S5868210 A JPS5868210 A JP S5868210A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトリソグラフィー技術で作製される薄膜磁
気ヘッドにかかわり、とくに再生、記録の効率がすぐれ
、雑音が小さい誘導盤薄膜磁気ヘッドの構造に関する。
気ヘッドにかかわり、とくに再生、記録の効率がすぐれ
、雑音が小さい誘導盤薄膜磁気ヘッドの構造に関する。
薄膜磁気ヘッドはフォトリソグラフィー技術を用いるこ
とにより、微小かつ精密な磁気回路を一括して一度に多
数形成することができる特徴を令する。しかし、これを
具１的に実現しようとすると、大きな記録電流が必要と
なるため、回路糸の負担が大きくなるとか、再生出力が
不足するなどといった多くの問題を抱えている。これま
で、これらの問題を解決するため磁極に巻く、巻き線の
数を増すことが試みられてきた。しかし電磁変換効率は
出猟回路形状依存性が非常に強いので、巻線数を増して
も、再生出力は比例して増大しないことがわかっている
。すなわち、磁極光漏にまいた巻き縁は効率がよいが、
先端からはなれるに従って効率が悪くなる。したがって
、巻線数を増しても再生出力がほとんど増加しないとか
、場合によっては記録効率がかえって低下してしまうと
いう問題がおった。
とにより、微小かつ精密な磁気回路を一括して一度に多
数形成することができる特徴を令する。しかし、これを
具１的に実現しようとすると、大きな記録電流が必要と
なるため、回路糸の負担が大きくなるとか、再生出力が
不足するなどといった多くの問題を抱えている。これま
で、これらの問題を解決するため磁極に巻く、巻き線の
数を増すことが試みられてきた。しかし電磁変換効率は
出猟回路形状依存性が非常に強いので、巻線数を増して
も、再生出力は比例して増大しないことがわかっている
。すなわち、磁極光漏にまいた巻き縁は効率がよいが、
先端からはなれるに従って効率が悪くなる。したがって
、巻線数を増しても再生出力がほとんど増加しないとか
、場合によっては記録効率がかえって低下してしまうと
いう問題がおった。
本発明はこれらの困蛾を解決するため、磁極先端付近に
巻き巌し、できるだけ効率の良いヘッド構造とし、同時
に同一基板内に＃膜トランスを別に形成して記録、再生
の効率ｔ−尚めたものである。
巻き巌し、できるだけ効率の良いヘッド構造とし、同時
に同一基板内に＃膜トランスを別に形成して記録、再生
の効率ｔ−尚めたものである。
が氏くなるためリード線部のインダクタンスが大きく、
雑音が大きくなる、２）マルチヘッド化する場曾多くの
トランスを使用しなくてはならないという欠点がろって
実相にはなっていない。
雑音が大きくなる、２）マルチヘッド化する場曾多くの
トランスを使用しなくてはならないという欠点がろって
実相にはなっていない。
本発明は磁極に巻いた導電体が同一基板内の薄膜トラン
スの巻き巌に直接つながり、電気的に閉じた構造になっ
ているので雑音が小さく、マルチヘッド化も容易である
。また薄膜トランスも薄線ヘッどの製造工程とほぼ同様
の工程で作製可能であり、本発明の９１．施は容易であ
る。
スの巻き巌に直接つながり、電気的に閉じた構造になっ
ているので雑音が小さく、マルチヘッド化も容易である
。また薄膜トランスも薄線ヘッどの製造工程とほぼ同様
の工程で作製可能であり、本発明の９１．施は容易であ
る。
以下、実施例に従って本発明を説明する。
実施例
第１図〜第４図に本発明による誘導型＃展磁気ヘッドの
作製工程の一例を示す。第１図に示すように、非磁性基
板１としてコーニング社（米）のホトセラム金柑い、磁
性体としてｐｅ−８３ｗ１％Ｎ１合金を約１μｍ蒸着し
、ホトエツチング法によって磁極（下部磁性層）となる
部分２と、薄膜トランスの磁心となる部分３を形成する
。つぎにこの上に絶縁物として８’Ｏｔをスパッタ法で
０．４μｍつけさらにこの上に導電体としてＡｔを約１
μｍ蒸着し、第２図に示すようにホトエツチング法によ
って、磁極に巻き縁するための導体と、薄膜トランスの
一次巻き線となる導体４、および薄膜トランスの二次巻
き線となる導体５を形成する。
作製工程の一例を示す。第１図に示すように、非磁性基
板１としてコーニング社（米）のホトセラム金柑い、磁
性体としてｐｅ−８３ｗ１％Ｎ１合金を約１μｍ蒸着し
、ホトエツチング法によって磁極（下部磁性層）となる
部分２と、薄膜トランスの磁心となる部分３を形成する
。つぎにこの上に絶縁物として８’Ｏｔをスパッタ法で
０．４μｍつけさらにこの上に導電体としてＡｔを約１
μｍ蒸着し、第２図に示すようにホトエツチング法によ
って、磁極に巻き縁するための導体と、薄膜トランスの
一次巻き線となる導体４、および薄膜トランスの二次巻
き線となる導体５を形成する。
つぎに、絶縁物としてＳ’Ｏｔをスパッタ法で０．４μ
ｍつけｆｃあと、第３図に示すように下部磁性層と接触
させるために点線７で示される部分のｓｉｏ、をホトエ
ツチング法によって除去したあと磁性体としてｐｅ−８
３ｗ１％Ｎ１合金を約１μｍ蒸層し、ホトエツチング法
によって磁極（上部磁性１−）となる部分８と、ｆｊＩ
ｉ膜トランスの磁心となる部分９を形成する。以上の工
程によって磁極の先端に１ａ気仝隙６が形成される。本
実施例ではその長さは０．８μｍである。
ｍつけｆｃあと、第３図に示すように下部磁性層と接触
させるために点線７で示される部分のｓｉｏ、をホトエ
ツチング法によって除去したあと磁性体としてｐｅ−８
３ｗ１％Ｎ１合金を約１μｍ蒸層し、ホトエツチング法
によって磁極（上部磁性１−）となる部分８と、ｆｊＩ
ｉ膜トランスの磁心となる部分９を形成する。以上の工
程によって磁極の先端に１ａ気仝隙６が形成される。本
実施例ではその長さは０．８μｍである。
さらにＩＰ３縁物としてＳｉＯ，をスパッタ法で０．４
μｍつげ、第４図に示すように下部のＡｔ導電体５の巻
き線と接触させるため点ｌ１ｉ１１０で示される部分の
ｓｉｏ、ｔ−ホトエツチング法によって除去しためと、
導電体としてＡｔを約ＩＡｍ蒸層し、ホトエツチング法
によって薄膜トランスの二次巻き線のリード線となる導
体１１を形成する。
μｍつげ、第４図に示すように下部のＡｔ導電体５の巻
き線と接触させるため点ｌ１ｉ１１０で示される部分の
ｓｉｏ、ｔ−ホトエツチング法によって除去しためと、
導電体としてＡｔを約ＩＡｍ蒸層し、ホトエツチング法
によって薄膜トランスの二次巻き線のリード線となる導
体１１を形成する。
以上が本発明の実施例の概略であるがこのあと磁気空隙
深さを決めるため適当に研まを行ない薄膜トランスの二
次巻き料に外部から電流を流すためにリード線をとｐつ
けるなど従来公知の方法で最終的にヘッドにしあげるが
ここでは省略する。
深さを決めるため適当に研まを行ない薄膜トランスの二
次巻き料に外部から電流を流すためにリード線をとｐつ
けるなど従来公知の方法で最終的にヘッドにしあげるが
ここでは省略する。
本実施例では磁極に巻き巌された数はｌターン、薄膜ト
ランスの巻き練性は１対４となっている。
ランスの巻き練性は１対４となっている。
各部分の寸法、形状９巻き線数１巻き線比等は実際に使
用される状況にあわせ最適化することができる。また薄
膜トランスの構造も、１次巻線と２次巻き線が直接鎖交
するようにするなどによってさらに効率を高めることが
できることはいうまでもない。これらのトランス構造に
ついては従来のトランス構造を参考にすればよい。材料
および製法は現在もつとも一般的に用いられているもの
で、これらの工夫によってヘッド効率を改善し、さらに
容易にヘッド作製が行なえることはいうまでもない。た
とえば、磁気空隙長は、本実施例では、導電体と磁性体
との絶縁の厚みで規定されてしまうが独立に制御するこ
とももちろん可能である。
用される状況にあわせ最適化することができる。また薄
膜トランスの構造も、１次巻線と２次巻き線が直接鎖交
するようにするなどによってさらに効率を高めることが
できることはいうまでもない。これらのトランス構造に
ついては従来のトランス構造を参考にすればよい。材料
および製法は現在もつとも一般的に用いられているもの
で、これらの工夫によってヘッド効率を改善し、さらに
容易にヘッド作製が行なえることはいうまでもない。た
とえば、磁気空隙長は、本実施例では、導電体と磁性体
との絶縁の厚みで規定されてしまうが独立に制御するこ
とももちろん可能である。
また導電体の配線はかどばっていると発熱が大きくなる
ことがわかっておりできるだけ丸くした方がよいことが
すでにわかっているし、導電材料としてＡｔの他Ａｕ、
Ｃｕなどが使えることも知られている。磁性体の形成法
としては蒸着法だけでなくスパッタ法、メッキ法なども
便えることは当然である。本発明はこれらの構造、材料
、製法のいかんにかかわらず、薄膜磁気ヘッドと薄膜ト
ランスを同一基板内に形成し、すなわち、磁極に巻き蔵
された導電体が同一基板の範囲内で電気的に閉じている
ことを特徴とする。これによって、記録効率、再生効率
が向上し、雑音の低減がはかれる。
ことがわかっておりできるだけ丸くした方がよいことが
すでにわかっているし、導電材料としてＡｔの他Ａｕ、
Ｃｕなどが使えることも知られている。磁性体の形成法
としては蒸着法だけでなくスパッタ法、メッキ法なども
便えることは当然である。本発明はこれらの構造、材料
、製法のいかんにかかわらず、薄膜磁気ヘッドと薄膜ト
ランスを同一基板内に形成し、すなわち、磁極に巻き蔵
された導電体が同一基板の範囲内で電気的に閉じている
ことを特徴とする。これによって、記録効率、再生効率
が向上し、雑音の低減がはかれる。
第５図は本実施例の磁気ヘッドを用い磁気ディスクに記
録したときの、記録電流と再生出力の関係（曲［１１で
示す）を示す。同様の構造（磁極への巻きｆｔＡ＃！１
．が１ター／）で薄膜トランスを使用せず、磁極に巻き
線された導電体が基板上で電気的に開−た構造の磁気ヘ
ッドに対する特性を曲線１２で示す。本実施例では−の
記録電流で同じ再生電王が得られることがわかる。この
ように薄膜トランスを用いれば、トランスの巻き線数比
にほぼ比例して効率が尚められる。従来法で磁極に巻き
線する数を増しても、巻き線数に比例するよりはずっと
効率の改善が悪いことが知られており、本発明の効果は
明らかである。
録したときの、記録電流と再生出力の関係（曲［１１で
示す）を示す。同様の構造（磁極への巻きｆｔＡ＃！１
．が１ター／）で薄膜トランスを使用せず、磁極に巻き
線された導電体が基板上で電気的に開−た構造の磁気ヘ
ッドに対する特性を曲線１２で示す。本実施例では−の
記録電流で同じ再生電王が得られることがわかる。この
ように薄膜トランスを用いれば、トランスの巻き線数比
にほぼ比例して効率が尚められる。従来法で磁極に巻き
線する数を増しても、巻き線数に比例するよりはずっと
効率の改善が悪いことが知られており、本発明の効果は
明らかである。
第１図、第２図、第３図、第４図は本発明による薄膜磁
気ヘッドの作製工程の一例を示した図、第５図は本発明
の一実施例における磁気ヘッドの記録電流と再生出力と
の関係を従来技術の場合と比較して示したグラフである
。 ２・・・磁極（下部磁性層）となる部分、３・・・薄膜
トランスの磁心となる部分、４，５・・・導体、１１・
・・本発明の一実施例の場合、１２・・・従来技術の場
合。 第 １ 図 肩 ３ 図 第 ５ 図 畜と金敢電浅 （Ａ） 第１頁の続き ０発 明 者 由比藤勇 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 上坂保太部 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 前板登行 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
気ヘッドの作製工程の一例を示した図、第５図は本発明
の一実施例における磁気ヘッドの記録電流と再生出力と
の関係を従来技術の場合と比較して示したグラフである
。 ２・・・磁極（下部磁性層）となる部分、３・・・薄膜
トランスの磁心となる部分、４，５・・・導体、１１・
・・本発明の一実施例の場合、１２・・・従来技術の場
合。 第 １ 図 肩 ３ 図 第 ５ 図 畜と金敢電浅 （Ａ） 第１頁の続き ０発 明 者 由比藤勇 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 上坂保太部 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 前板登行 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
Claims (1)
- １、基板上に形成されｆｃ＋＊４型薄膜磁気ヘッドにお
いて、磁極に巻き巌された４蝋体は同一基板の範囲内で
電気的に閉Ｂているととｔ−ｅ像とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16418481A JPS5868210A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16418481A JPS5868210A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868210A true JPS5868210A (ja) | 1983-04-23 |
Family
ID=15788294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16418481A Pending JPS5868210A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868210A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0199522A2 (en) * | 1985-04-18 | 1986-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Step-up type magnetic head |
| US4927804A (en) * | 1987-07-15 | 1990-05-22 | U.S. Philips Corp. | Thin-film transformer and magnetic head provided with such a transformer |
| US5097243A (en) * | 1987-07-15 | 1992-03-17 | U.S. Philips Corp. | Thin-film transformer utilizing superconductive components |
| EP0714090A1 (fr) * | 1994-11-25 | 1996-05-29 | Thomson-Csf | Tête magnétique d'enregistrement/lecture et procédé de réalisation |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP16418481A patent/JPS5868210A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0199522A2 (en) * | 1985-04-18 | 1986-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Step-up type magnetic head |
| US4927804A (en) * | 1987-07-15 | 1990-05-22 | U.S. Philips Corp. | Thin-film transformer and magnetic head provided with such a transformer |
| US5097243A (en) * | 1987-07-15 | 1992-03-17 | U.S. Philips Corp. | Thin-film transformer utilizing superconductive components |
| EP0714090A1 (fr) * | 1994-11-25 | 1996-05-29 | Thomson-Csf | Tête magnétique d'enregistrement/lecture et procédé de réalisation |
| FR2727555A1 (fr) * | 1994-11-25 | 1996-05-31 | Thomson Csf | Tete magnetique d'enregistrement/lecture et son procede de realisation |
| US5671106A (en) * | 1994-11-25 | 1997-09-23 | Thomson-Csf | Matrix magnetic recording/reading head |
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