JPS5867725A - ポリイミドエステルおよびその製造法 - Google Patents
ポリイミドエステルおよびその製造法Info
- Publication number
- JPS5867725A JPS5867725A JP16582381A JP16582381A JPS5867725A JP S5867725 A JPS5867725 A JP S5867725A JP 16582381 A JP16582381 A JP 16582381A JP 16582381 A JP16582381 A JP 16582381A JP S5867725 A JPS5867725 A JP S5867725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- compound
- ester
- reaction
- phenylene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規な重合体およびその製造方法に関するも
のであり、特に耐熱性に優れ、しかも機械的物性および
加工性の改jL−gれた重合体を提供するものである。
のであり、特に耐熱性に優れ、しかも機械的物性および
加工性の改jL−gれた重合体を提供するものである。
芳香族/ IJイ建ドは、耐熱性が4iK優れた樹脂と
して知られているが、一般に耐熱性能が向上すると、樹
脂は脆くなる傾向が認められ1機械的物性の中で4.伸
度、耐衝撃性などが明らかに低下する。しかも、耐熱性
が向上すると、轟然のことなから、溶融加工が困難とな
り、また溶媒への溶解性亀低下し、最終製品へO成形加
工が容品でないため、用辿面で大きな制約を受けている
。
して知られているが、一般に耐熱性能が向上すると、樹
脂は脆くなる傾向が認められ1機械的物性の中で4.伸
度、耐衝撃性などが明らかに低下する。しかも、耐熱性
が向上すると、轟然のことなから、溶融加工が困難とな
り、また溶媒への溶解性亀低下し、最終製品へO成形加
工が容品でないため、用辿面で大きな制約を受けている
。
一方、芳香族ぼりエステル中lリカーーネート類は加工
性、機械的物性は共に優れてお)、特に耐衝撃性の点で
は公知の樹脂類の中でも、優れ九性能を有す石ものの範
嗜に入る。
性、機械的物性は共に優れてお)、特に耐衝撃性の点で
は公知の樹脂類の中でも、優れ九性能を有す石ものの範
嗜に入る。
しか屯、耐熱性の面でも芳香族−リイミドよりは劣るが
、優れた性能を有する丸め耐熱を要求される分野に4広
く使用されている。
、優れた性能を有する丸め耐熱を要求される分野に4広
く使用されている。
重合体分子中に、イミド結合とエステル結合を含むfリ
イミドエステルは、すでによく知られている。しかしな
がら、例えばり、 F。
イミドエステルは、すでによく知られている。しかしな
がら、例えばり、 F。
Lonorlml (J、 Polym、8ai、
、 Partム−141531= (1966))が報告しているように、公知の/リイζ
ドエステルはいずれもイξドーイ5ドーエステルーエス
テ2ルの結合による繰返し単位をもっておシ、イζド結
合とエステル結合が交互に配列した一すイギドエステル
については、よく知られていない、しかも、公知O−リ
イ電ドエステルは、芳香族トリカルd y @ @導体
の他に通常、芳香族ジアンンおよびビスフェノール成分
を使用する丸め、これら原料成分の性質に大きく影響さ
れ、イミド結合とエステル結合の性能が相互に補完し合
り九望ましい性能を得ることは従来困難であった。
、 Partム−141531= (1966))が報告しているように、公知の/リイζ
ドエステルはいずれもイξドーイ5ドーエステルーエス
テ2ルの結合による繰返し単位をもっておシ、イζド結
合とエステル結合が交互に配列した一すイギドエステル
については、よく知られていない、しかも、公知O−リ
イ電ドエステルは、芳香族トリカルd y @ @導体
の他に通常、芳香族ジアンンおよびビスフェノール成分
を使用する丸め、これら原料成分の性質に大きく影響さ
れ、イミド結合とエステル結合の性能が相互に補完し合
り九望ましい性能を得ることは従来困難であった。
本発明者らは、芳香族lリイζドがもつ優れ九耐熱性能
を保持し、しかも機械的物性および加工性が改^され九
新規な重合体を得ゐ目的で検討を続けて来たが、分子中
にイ(ド結合とエステル結合を交互に含む4リイ建ドエ
ステルが上記、9目的に適することを見い出し本発明を
完成するに至った。
を保持し、しかも機械的物性および加工性が改^され九
新規な重合体を得ゐ目的で検討を続けて来たが、分子中
にイ(ド結合とエステル結合を交互に含む4リイ建ドエ
ステルが上記、9目的に適することを見い出し本発明を
完成するに至った。
本発明の一つは、一般式(1)
(式中ムrは二価の芳香族基を示す)で表ゎされる繰返
し単位を有するぼりインドエステルにかんする。
し単位を有するぼりインドエステルにかんする。
本発VSO他O一つは、一般式(1)
基を示す)を表わし、Yは水素i九は炭素数l〜1ll
O炭化水素を表わす)で示されるイミド化合物よ如、一
般式(厘) xoy
(厘)(式中X及びYは上記0とお〉)で示される
化合物を脱離させ今ととを特徴とする、一般式(1) (式中ムrは上記のとシシ)で表わされる繰返し単位を
有するポリイミドエステルの製造方法Kかんする。
O炭化水素を表わす)で示されるイミド化合物よ如、一
般式(厘) xoy
(厘)(式中X及びYは上記0とお〉)で示される
化合物を脱離させ今ととを特徴とする、一般式(1) (式中ムrは上記のとシシ)で表わされる繰返し単位を
有するポリイミドエステルの製造方法Kかんする。
上記一般式(1)において基ムrは二価の芳香族基な表
わし、たとえば次の一般式 (31〜R4は互いに同じでも異なってもよく水素、ハ
ログア原子、まえは炭素数1〜10の炭化水素基、Bは
炭素数1〜1002ilの炭化水素基、o%l 110
. gos又はCOを示す。a、e、dは互いに同じ又
は異ゐ1〜40整数、bは1〜6の整数を示し、これら
が8以上の整数の場合、複数である個々の翼鳳〜R4は
、いずれも互いに同一でも異ってもよい、iたR1の夫
々はす7タレン積の残余の6炭素原子の任意04C)K
、112合する。
わし、たとえば次の一般式 (31〜R4は互いに同じでも異なってもよく水素、ハ
ログア原子、まえは炭素数1〜10の炭化水素基、Bは
炭素数1〜1002ilの炭化水素基、o%l 110
. gos又はCOを示す。a、e、dは互いに同じ又
は異ゐ1〜40整数、bは1〜6の整数を示し、これら
が8以上の整数の場合、複数である個々の翼鳳〜R4は
、いずれも互いに同一でも異ってもよい、iたR1の夫
々はす7タレン積の残余の6炭素原子の任意04C)K
、112合する。
・は1を九はOを示し、oのときはIO存在なしに2個
の芳香環が結合していることを示す、)で表わされる。
の芳香環が結合していることを示す、)で表わされる。
上記の基は異体的にはたとえば、p−7エ二レン基、墓
−フェニレン基、・−フェニレン基、3.4−トリレン
基、1g−)リレン基、2.6−)Ifルーシーフェニ
レン基、2.5−f/エステル1−7エエレン基、2−
ニチルーp−フェニレンaSS−イソプロピル−1−フ
ェニレン基、2−り四ローp−フエニ” 基、2 *
3− s’ / a a −p −7エ二レン基、2−
メトキシ−p −7エエレン基、2−メチル−3−メト
キシ−p−7二二レン基、2−fロモー5−ターEl
−p −フェニレンj、2−/?ルー論−フェニレン基
%S−1@rt−ツテルー鵬−フェニレン基、2.4−
ジイソデロビルーーーフェニレ7as x −s−シタ
ロロー醜−フェニレン基、6−7”ロモー醜−フェニレ
7基、2−メトキシ−m−フェニレンah z −s−
ジメトキシ−m−7エエレン基、3−メチル−・−フェ
ニレン基、4.5−ジエチル−〇−フェニレン基、4゜
5−ジブロモ−・−フェニレン基、3.6−ジクロロ−
〇−ツエエレン基、3−メトキシ−・−フェニレン基、
3−エトキシ−・−フェニレン基、2.6−す7テレン
基、1.s−ナ7テレ7基、2− tart−fテ#−
1,8−す7テレン基、2−エテル−i、s−す7テレ
ン基、2−り四ルー1.S−す7テレy基、2−メトキ
シ−1,S−ナフチレン基、メチレン−y(p−フェニ
レン)基、メテレクージ(3−り冑ロー1−フェニレン
)基、メテレクージ(2−メチル−p−7エエレン)基
、メチレン−N (m −フェニレン)基%/チレンク
ー(2−メチル−m−フェニレン)基、イソプロビリデ
ン−2,2−ゾ(p−フェニレン)基、インプ田ヒリデ
クー2.2−ジ(2’−クロローーーフェニレン)l
イソプロピリデン−2,2−ジ(2′−メチル−m−フ
ェニレン)基、オキシージ(P−フェニレン)基、オキ
シ−f)(2−10H−p−フェニレン)基、オキシー
ジ(4−メゾルー・−フェニレン)基、スルホニル−N
(p−7エエレン)基、スルホエルージ(m−フェニレ
ン)基、スルフニルージ(2−クロロ−p−フェニレン
)基、スルホニル−r(!−メチルーp−7エエレン)
基、スルホエルージ(4−エチル−m−7エニレン)基
、スルホニルー−)(4−)トキシーーーフェニレ7H
1lt、スルフイエルージ(P−7エニレン)基、スル
フィニルーゾ(1!−メチル−p −フェニレン)基、
スルフィニル−/ (4−:r−fルーm−フェニレン
)基、スルフィニルージ(4−メトキシ−・−フェニレ
ン)基、テオージ(p−フェニレン)基、チオーシ(鵬
−7xニレン)基、テオージ(2−メチル−p−フェニ
レン)基、テオージ(4−メトキシ−・−フェニレン)
基、4.4’−ビフェニレン基、2.4’−ビフエエレ
7基、2−クロロ−3′−メトキシ−4,4′−ぜ7エ
二レン基などが挙げられる。
−フェニレン基、・−フェニレン基、3.4−トリレン
基、1g−)リレン基、2.6−)Ifルーシーフェニ
レン基、2.5−f/エステル1−7エエレン基、2−
ニチルーp−フェニレンaSS−イソプロピル−1−フ
ェニレン基、2−り四ローp−フエニ” 基、2 *
3− s’ / a a −p −7エ二レン基、2−
メトキシ−p −7エエレン基、2−メチル−3−メト
キシ−p−7二二レン基、2−fロモー5−ターEl
−p −フェニレンj、2−/?ルー論−フェニレン基
%S−1@rt−ツテルー鵬−フェニレン基、2.4−
ジイソデロビルーーーフェニレ7as x −s−シタ
ロロー醜−フェニレン基、6−7”ロモー醜−フェニレ
7基、2−メトキシ−m−フェニレンah z −s−
ジメトキシ−m−7エエレン基、3−メチル−・−フェ
ニレン基、4.5−ジエチル−〇−フェニレン基、4゜
5−ジブロモ−・−フェニレン基、3.6−ジクロロ−
〇−ツエエレン基、3−メトキシ−・−フェニレン基、
3−エトキシ−・−フェニレン基、2.6−す7テレン
基、1.s−ナ7テレ7基、2− tart−fテ#−
1,8−す7テレン基、2−エテル−i、s−す7テレ
ン基、2−り四ルー1.S−す7テレy基、2−メトキ
シ−1,S−ナフチレン基、メチレン−y(p−フェニ
レン)基、メテレクージ(3−り冑ロー1−フェニレン
)基、メテレクージ(2−メチル−p−7エエレン)基
、メチレン−N (m −フェニレン)基%/チレンク
ー(2−メチル−m−フェニレン)基、イソプロビリデ
ン−2,2−ゾ(p−フェニレン)基、インプ田ヒリデ
クー2.2−ジ(2’−クロローーーフェニレン)l
イソプロピリデン−2,2−ジ(2′−メチル−m−フ
ェニレン)基、オキシージ(P−フェニレン)基、オキ
シ−f)(2−10H−p−フェニレン)基、オキシー
ジ(4−メゾルー・−フェニレン)基、スルホニル−N
(p−7エエレン)基、スルホエルージ(m−フェニレ
ン)基、スルフニルージ(2−クロロ−p−フェニレン
)基、スルホニル−r(!−メチルーp−7エエレン)
基、スルホエルージ(4−エチル−m−7エニレン)基
、スルホニルー−)(4−)トキシーーーフェニレ7H
1lt、スルフイエルージ(P−7エニレン)基、スル
フィニルーゾ(1!−メチル−p −フェニレン)基、
スルフィニル−/ (4−:r−fルーm−フェニレン
)基、スルフィニルージ(4−メトキシ−・−フェニレ
ン)基、テオージ(p−フェニレン)基、チオーシ(鵬
−7xニレン)基、テオージ(2−メチル−p−フェニ
レン)基、テオージ(4−メトキシ−・−フェニレン)
基、4.4’−ビフェニレン基、2.4’−ビフエエレ
7基、2−クロロ−3′−メトキシ−4,4′−ぜ7エ
二レン基などが挙げられる。
特に好ましいムrとしては、p−フェニレン基、!l−
7ヱニレン基、2.4−)リレン基、2.6−)リレン
’!%メチレクージ(p−フェニレン)基、イソプロピ
リデン−2゜2−ジ(p−フェニレン)基、スルホエル
ージ(p−フェニレン)基、チオージ(p−フェニレン
)基などである。
7ヱニレン基、2.4−)リレン基、2.6−)リレン
’!%メチレクージ(p−フェニレン)基、イソプロピ
リデン−2゜2−ジ(p−フェニレン)基、スルホエル
ージ(p−フェニレン)基、チオージ(p−フェニレン
)基などである。
本発明の4リイ建ドエステルは従来のIリイ建ドエステ
ルと結合の繰返し単位が異なシイ建ド結合とエステル結
合が規則的に交互に配列し九構造よシなるものであシ、
典型金体的な性質を示す従来の一すイミドエステルに対
し均一重合体としての性質が強く表われる。
ルと結合の繰返し単位が異なシイ建ド結合とエステル結
合が規則的に交互に配列し九構造よシなるものであシ、
典型金体的な性質を示す従来の一すイミドエステルに対
し均一重合体としての性質が強く表われる。
し九がって、本発明のIリイ電ドエステルより得られる
成形品は、通常の芳書族Iリイミドと比較すると機械物
性が明らかに向上してお)、q#に伸度中耐債撃性は着
しく改jllれている。しかも、芳香族?リイ電ドと比
較すれば、均一に導入されたエステル結合の効果によ〉
、溶剤に対すゐ溶解性が増加し、溶融温度も低下してい
る。
成形品は、通常の芳書族Iリイミドと比較すると機械物
性が明らかに向上してお)、q#に伸度中耐債撃性は着
しく改jllれている。しかも、芳香族?リイ電ドと比
較すれば、均一に導入されたエステル結合の効果によ〉
、溶剤に対すゐ溶解性が増加し、溶融温度も低下してい
る。
上記の改良効果は、従来のlリイ建ドエステルでは構成
する七ノi−原料を種々に変化させても認められず、本
発明の構造を有するIリマーにおいて、はじめて実現さ
れ九l)である。
する七ノi−原料を種々に変化させても認められず、本
発明の構造を有するIリマーにおいて、はじめて実現さ
れ九l)である。
本発明の4リイ電ドエステルは、たとえば一般式(璽)
Oイミド化合物よ〉一般式1厘)O化合物を脱離させる
ことによシ製造される。
Oイミド化合物よ〉一般式1厘)O化合物を脱離させる
ことによシ製造される。
一般式(1)において基ムrは一般式(■厚おける基ム
rと同一の二価の芳香族基であり、さきに説明し具体的
に例示し九とおシである。
rと同一の二価の芳香族基であり、さきに説明し具体的
に例示し九とおシである。
一般<<璽)OXで示堪れ4基としては、水素の具体的
な例としては、メチル、エチル、−−プロビル、Is・
−プロピル、l−ブチル1t−エチル、1−アミル、!
1@0−(エチル、鳳−ヘキシル、!■−オクチル、ノ
ニル、デシル、フェニル、トリル、ナフチル、アリル、
シタロインチル、シクロヘキシルなどを挙げで、R“が
メチル、エチル、フェニル、シクロヘキシルなどの場合
である。
な例としては、メチル、エチル、−−プロビル、Is・
−プロピル、l−ブチル1t−エチル、1−アミル、!
1@0−(エチル、鳳−ヘキシル、!■−オクチル、ノ
ニル、デシル、フェニル、トリル、ナフチル、アリル、
シタロインチル、シクロヘキシルなどを挙げで、R“が
メチル、エチル、フェニル、シクロヘキシルなどの場合
である。
また、一般式(創のYで示される基は水素又は炭素数1
〜18の炭化水素基である。Yの具体的な例としては水
素、メチル、エチル、亀−プロピル、1so−プ四ぜル
、1−ブチル、t−エチル、−−ア建ル、 n@@−碩
ンチル、聰−ヘキシル、 1so−オクチル、ノニル
、デシル、フェニル、トリル、ジメチルフェニル、ナフ
チル、アリル、シフ四(エチル、シクロヘキシルなどを
挙げることができる。
〜18の炭化水素基である。Yの具体的な例としては水
素、メチル、エチル、亀−プロピル、1so−プ四ぜル
、1−ブチル、t−エチル、−−ア建ル、 n@@−碩
ンチル、聰−ヘキシル、 1so−オクチル、ノニル
、デシル、フェニル、トリル、ジメチルフェニル、ナフ
チル、アリル、シフ四(エチル、シクロヘキシルなどを
挙げることができる。
特に好ましいYとしては水素およびメチル。
エチル、■−プロピル、フェニル、シタ■へキシルなと
である。
である。
一般式■のムrsx%Yで示される具体的な基の例は上
記の通シであるが、上記の例に制約または隈定畜れるも
のではない。
記の通シであるが、上記の例に制約または隈定畜れるも
のではない。
本発WAQ方法に用いられる一般式■Oイミド化合物は
、種々の製造方法によ)得ることができる。製造方法と
しては、例えば、一般式■ 〔式中、Yは前述と同じ意味を示す、〕で示される、ト
リメリット酸無水物誘導体と、一般式(至) &N−ムr −OX ff)〔式中
、Ar、Xは前述と同じ意味を示す、〕で表わされる芳
香族アミノ化合物・誘導体とO反応により、一般式(至
) ■ (式中Ar、!及びYは前述と同じ意味を示す)で示さ
れるアミド酸を生成させ、ついでこれを脱水、濃化する
ことにより、式(1)Oイミド化合物が得られる。
、種々の製造方法によ)得ることができる。製造方法と
しては、例えば、一般式■ 〔式中、Yは前述と同じ意味を示す、〕で示される、ト
リメリット酸無水物誘導体と、一般式(至) &N−ムr −OX ff)〔式中
、Ar、Xは前述と同じ意味を示す、〕で表わされる芳
香族アミノ化合物・誘導体とO反応により、一般式(至
) ■ (式中Ar、!及びYは前述と同じ意味を示す)で示さ
れるアミド酸を生成させ、ついでこれを脱水、濃化する
ことにより、式(1)Oイミド化合物が得られる。
上記のトリメリット酸無水物誘導体(転)と、芳香族ア
建ノ化合物霞導体(至)の反応は、両成分を好ましくは
溶液として接触させるだけで容易に進行し、難溶性のア
之ドa@を生成し、通常は沈澱として析出する0反応は
室温で十分に進行するが好ましい反応温度条件は一50
〜100℃の範囲であシ、多くの場合O〜80℃の範囲
で夷tI/lA15れる0反応は短時間で進行し、通常
特別な触媒の存在を必要としない。
建ノ化合物霞導体(至)の反応は、両成分を好ましくは
溶液として接触させるだけで容易に進行し、難溶性のア
之ドa@を生成し、通常は沈澱として析出する0反応は
室温で十分に進行するが好ましい反応温度条件は一50
〜100℃の範囲であシ、多くの場合O〜80℃の範囲
で夷tI/lA15れる0反応は短時間で進行し、通常
特別な触媒の存在を必要としない。
上記(至)式で示されるアミド酸の脱水環化には種にの
方法が用いられている。具体的な例としては、(1)カ
ルノン酸無水物の共存下に脱水濃化すゐ方法、(2)脱
水作用を有する無機酸およびその縮合物によ)脱水、環
化する方法、(3)酸触媒存在下における共沸脱水、環
化する方法、(4)特殊な脱水剤を使用すゐ濃化法、(
5)加熱による脱水積化法などが挙けられる。
方法が用いられている。具体的な例としては、(1)カ
ルノン酸無水物の共存下に脱水濃化すゐ方法、(2)脱
水作用を有する無機酸およびその縮合物によ)脱水、環
化する方法、(3)酸触媒存在下における共沸脱水、環
化する方法、(4)特殊な脱水剤を使用すゐ濃化法、(
5)加熱による脱水積化法などが挙けられる。
(1)は最も一般的に用いられ【いるもので、好ましく
は脂肪族カルがン酸無水物のような液状の酸無水物と、
第三級アミンの存在下に40〜1sOで付近に加熱して
脱水環化を行なう、触媒としてニッケル、コバルト、!
ダネシウム、カルシウム系化合物が有効である。
は脂肪族カルがン酸無水物のような液状の酸無水物と、
第三級アミンの存在下に40〜1sOで付近に加熱して
脱水環化を行なう、触媒としてニッケル、コバルト、!
ダネシウム、カルシウム系化合物が有効である。
(2)は濃硫酸、縮合リン酸(−リリン酸)などを使用
し、O@〜80℃で脱水環化を行なうことができる。(
3)は硫酸、p−トルエンスルホン酸等の酸触媒の存在
下、芳香族炭化水素勢を共沸脱水用の溶媒として用いる
もので、溶媒の沸点付近で比較的長時間還流して目的と
する反応を進行させることができる。(荀は、ジシク四
へキシルカル−シイミド、ホスr5/%ケテン、塩化チ
オニルなど脱水剤として作用する試薬で処理する方法で
ある。(5)のように%アミド酸を単に加熱するのみで
も脱水、環化は進行する。この方法では、アミド酸を通
常200℃以上、好ましくは250℃以上の温度で、少
くとも数時間保持することが必要で、減圧下では、さら
に容易に脱水、環化が進行する。さらに加熱を続けるか
、高温で加熱を行なうと、以下に詳述するように(至)
式で示される化合物の脱離が進行し、重合体が得られる
ようにな〕、■式のイミド化合物を得る目的には好まし
くない。しかしく至)式のアミド酸から直接ポリイずド
エステルを得る目的では実施することができる。この方
法は、操作上は(転)式のア(ド酸から1段でポリイミ
ドエステルが得られるが、実際は(10式のイミド化合
物を経由する反応であるため、本発明の範囲に包含され
るものである。
し、O@〜80℃で脱水環化を行なうことができる。(
3)は硫酸、p−トルエンスルホン酸等の酸触媒の存在
下、芳香族炭化水素勢を共沸脱水用の溶媒として用いる
もので、溶媒の沸点付近で比較的長時間還流して目的と
する反応を進行させることができる。(荀は、ジシク四
へキシルカル−シイミド、ホスr5/%ケテン、塩化チ
オニルなど脱水剤として作用する試薬で処理する方法で
ある。(5)のように%アミド酸を単に加熱するのみで
も脱水、環化は進行する。この方法では、アミド酸を通
常200℃以上、好ましくは250℃以上の温度で、少
くとも数時間保持することが必要で、減圧下では、さら
に容易に脱水、環化が進行する。さらに加熱を続けるか
、高温で加熱を行なうと、以下に詳述するように(至)
式で示される化合物の脱離が進行し、重合体が得られる
ようにな〕、■式のイミド化合物を得る目的には好まし
くない。しかしく至)式のアミド酸から直接ポリイずド
エステルを得る目的では実施することができる。この方
法は、操作上は(転)式のア(ド酸から1段でポリイミ
ドエステルが得られるが、実際は(10式のイミド化合
物を経由する反応であるため、本発明の範囲に包含され
るものである。
式(1)においてX及びYが水素以外の基であるイミド
化合曹はそれぞれの対応すゐ置換基を有すゐ式(転)及
び式(V)0冬山発原料を用いる反応によって得ること
もで龜、又式(至)のX及びYが水素であるイミド化合
物から二次的に誘導すゐこともできる。
化合曹はそれぞれの対応すゐ置換基を有すゐ式(転)及
び式(V)0冬山発原料を用いる反応によって得ること
もで龜、又式(至)のX及びYが水素であるイミド化合
物から二次的に誘導すゐこともできる。
一般式(2)の化合物は、(幻式の化合物よシ(夏)式
のポリイミドエステルが生成される際に、脱離される化
合物である。一般式(至)の基XおよびYは、一般式(
IDと同様であ〉、一般式(至)で示した範囲の4のが
すべて用いられる。一般式(至)の化合物の具体的な例
としては、水、メタノール、イソプローノール、1−ブ
タノール、t−エチルアルコール、II−エチルアルコ
ール、鳳・、−ヘンチルアルコール、論−ヘンチルアル
コール、1so−オクチルアルコール、ノニルアルコー
ル、デシルアルコール、フェノール、クレゾール類、ナ
フトール類、アリルアルコール、シクロペンタノール、
シクロヘキサノール、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、n−
酪酸、l5o−酪酸%膣−盲軍酸、トリメチル酢酸、カ
ブリン酸、t−エチル酢酸、1−ヘプタン酸、ノナン酸
、デカン酸、ドデカン酸、安息香酸、フェニル酢酸、ト
ルイルII)IIl、す7トエ*a、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸イソfaビル、酢酸ブチル、酢酸7エエル
、f−ピオン酸メチル、デミピオン酸エテル、1−酪酸
メチル、io−酪酸メチル、安息香酸メチル、安息香酸
フェニル、ギ酸メチル、4#酸エチルなどを挙げること
ができる。
のポリイミドエステルが生成される際に、脱離される化
合物である。一般式(至)の基XおよびYは、一般式(
IDと同様であ〉、一般式(至)で示した範囲の4のが
すべて用いられる。一般式(至)の化合物の具体的な例
としては、水、メタノール、イソプローノール、1−ブ
タノール、t−エチルアルコール、II−エチルアルコ
ール、鳳・、−ヘンチルアルコール、論−ヘンチルアル
コール、1so−オクチルアルコール、ノニルアルコー
ル、デシルアルコール、フェノール、クレゾール類、ナ
フトール類、アリルアルコール、シクロペンタノール、
シクロヘキサノール、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、n−
酪酸、l5o−酪酸%膣−盲軍酸、トリメチル酢酸、カ
ブリン酸、t−エチル酢酸、1−ヘプタン酸、ノナン酸
、デカン酸、ドデカン酸、安息香酸、フェニル酢酸、ト
ルイルII)IIl、す7トエ*a、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸イソfaビル、酢酸ブチル、酢酸7エエル
、f−ピオン酸メチル、デミピオン酸エテル、1−酪酸
メチル、io−酪酸メチル、安息香酸メチル、安息香酸
フェニル、ギ酸メチル、4#酸エチルなどを挙げること
ができる。
本発明の方法においては、原料である([)式Oイミド
化合物によシ、脱離される(至)式の化合物は決定され
るが、以下に示す化金物が脱離成分となっているとき反
応は比較的容易に進行する。即ち水、メタノール、イソ
デ四Δノール、n−ツタノール、フェノール、クレー/
−km、アリルアルコール、シクロペンタノール、シフ
胃ヘキナノール、df1111酢酸、プロピオン酸、1
−酪酸、安息香酸、ギ酸メチル、ギ酸エテル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸インゾロぎル、安息香酸メチルな
どを挙げることができる。
化合物によシ、脱離される(至)式の化合物は決定され
るが、以下に示す化金物が脱離成分となっているとき反
応は比較的容易に進行する。即ち水、メタノール、イソ
デ四Δノール、n−ツタノール、フェノール、クレー/
−km、アリルアルコール、シクロペンタノール、シフ
胃ヘキナノール、df1111酢酸、プロピオン酸、1
−酪酸、安息香酸、ギ酸メチル、ギ酸エテル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸インゾロぎル、安息香酸メチルな
どを挙げることができる。
本発明の方法で娘、一般式(至)の化合物の脱離の方法
、態様に制限はない。即ち、結果的に一般式(至)の化
合物に相当するものが脱離されていればよく、脱離成分
が、一般式@に相当する化合物として同定されb必要は
、必らずしもない、具体的には、一般式(至)の化合物
を脱離させる丸めに、脱離化合物と容易に反応する脱離
剤を使用し、実際には脱離剤と反応し九形態で一般式(
至)に相当する化金物が脱離されていてもよい。
、態様に制限はない。即ち、結果的に一般式(至)の化
合物に相当するものが脱離されていればよく、脱離成分
が、一般式@に相当する化合物として同定されb必要は
、必らずしもない、具体的には、一般式(至)の化合物
を脱離させる丸めに、脱離化合物と容易に反応する脱離
剤を使用し、実際には脱離剤と反応し九形態で一般式(
至)に相当する化金物が脱離されていてもよい。
また、一般式(f)のX基とOY基、またはxO基とY
基をそれぞれ別個に脱離剤と反応場せて脱離させてもよ
く、化学量論的に一般式(2)の化合物XOYが、結果
的に一般式■のイζド化合物から除去されていればよく
、反応後に一般式(至)の化金物(XOY)が必ずし4
存在する必要はない。
基をそれぞれ別個に脱離剤と反応場せて脱離させてもよ
く、化学量論的に一般式(2)の化合物XOYが、結果
的に一般式■のイζド化合物から除去されていればよく
、反応後に一般式(至)の化金物(XOY)が必ずし4
存在する必要はない。
本発明の製造方法において、脱離方法は特に制約はない
が、一般には、上記O千ン電化舎物を必要に応じ溶媒、
触媒、脱離剤の存在下に、加熱することによって、本反
応の方法を実施することができる。使用されるS*とし
ては、原料のインド化合物otti鱗度の大きなもので
、しかも好壇しくは生成する4リイ2ド工ステルO嬉解
度も大きなものである。具体的な例としてはN、N−ジ
メテルホルムア建ド、N。
が、一般には、上記O千ン電化舎物を必要に応じ溶媒、
触媒、脱離剤の存在下に、加熱することによって、本反
応の方法を実施することができる。使用されるS*とし
ては、原料のインド化合物otti鱗度の大きなもので
、しかも好壇しくは生成する4リイ2ド工ステルO嬉解
度も大きなものである。具体的な例としてはN、N−ジ
メテルホルムア建ド、N。
N−ジメチルアセドアミド、N−メチル−2−L’−リ
ドン、ジメチルスルホキシド、スルホクン、ジメチルス
ルホン、ジフェニルスルホン、クレゾール類、フェノー
ル、ナフトール類、ナフタレン、ビフェニル、テトラク
ロルエタンM、)リクロルエタン類、りpルベンゼン、
ジク習ルベンゼン類、ヘキサメチルホスホルトリアミド
などである。
ドン、ジメチルスルホキシド、スルホクン、ジメチルス
ルホン、ジフェニルスルホン、クレゾール類、フェノー
ル、ナフトール類、ナフタレン、ビフェニル、テトラク
ロルエタンM、)リクロルエタン類、りpルベンゼン、
ジク習ルベンゼン類、ヘキサメチルホスホルトリアミド
などである。
溶媒の使用量は、厘科イ建ド化合物中溶媒の種類によ)
異なゐが、通常原料イ々ド化合物の重量を基準として0
.1〜100倍の範囲であシ、好オしくは0.5〜50
倍のaSである。上記aS以下では、溶媒の効果が認め
られなくな)、上記範囲以上では多量の溶媒を使用する
ため、実用上の価値が乏しくなる。
異なゐが、通常原料イ々ド化合物の重量を基準として0
.1〜100倍の範囲であシ、好オしくは0.5〜50
倍のaSである。上記aS以下では、溶媒の効果が認め
られなくな)、上記範囲以上では多量の溶媒を使用する
ため、実用上の価値が乏しくなる。
本発明の方法においては、必ずしも溶媒を使用する必要
はなく、原料イミド化合−を無溶媒で加熱することによ
っても目的とするIリイ建ドエステルを得ることができ
る。原料イミド化合物は、多くの鳩舎固体であるので無
溶媒での反応の場合は、黴細な粉末状として用いること
が好ましく、加熱も出来るだけ均一に実施できるようK
ll々公知の方法を使用することができる。
はなく、原料イミド化合−を無溶媒で加熱することによ
っても目的とするIリイ建ドエステルを得ることができ
る。原料イミド化合物は、多くの鳩舎固体であるので無
溶媒での反応の場合は、黴細な粉末状として用いること
が好ましく、加熱も出来るだけ均一に実施できるようK
ll々公知の方法を使用することができる。
本発明の方法において、原料のイミド化合物よシ、一般
式(至)で示される化合物の脱離、それに伴う一すイミ
ドエステルの生成を促進するために%触媒を使用するこ
とができる。
式(至)で示される化合物の脱離、それに伴う一すイミ
ドエステルの生成を促進するために%触媒を使用するこ
とができる。
この触媒は、以下に説明する脱離剤と共に使用されるこ
ともあるし、また単独でも用いられる。使用される触媒
の種類としては、酸性、塩基性、中性のいずれの種類を
問わず、i九有機、無機化合物の区別なく使用すること
ができる。具体的な触媒は脱離基れる化合物の種類によ
シ異なシ、また脱離剤と共用される楊合紘、その脱離剤
の種類によっても最適な触媒の種類は異なる。
ともあるし、また単独でも用いられる。使用される触媒
の種類としては、酸性、塩基性、中性のいずれの種類を
問わず、i九有機、無機化合物の区別なく使用すること
ができる。具体的な触媒は脱離基れる化合物の種類によ
シ異なシ、また脱離剤と共用される楊合紘、その脱離剤
の種類によっても最適な触媒の種類は異なる。
本発明の方法に使用される触媒の具体的な例としては塩
化第二錫、塩化亜鉛、塩化第二鉄、三7ツ化ホウ素、三
7ツ化ホウ素と有機化合物との錯体、塩化第二鋼、 ’
ill@第二鋼、硫酸第二水銀、硫酸第一水銀、塩化第
二水銀、塩化第−水銀、硫酸水素ナトリウム、ジメチル
**、ジエチルam、四塩化チタン、アルン二つムアセ
テルアセトナート、アル電工ウム一一デトヤナイド、ア
ル建ニウムt−ブトキナイド、チタニウム鵬−プトキサ
イド、テタニウムヱトキサイド、テタエウムインプクポ
キサイド、酢酸ニッケル、酸化ニッケル、酢#Ilプパ
ルト、酸化コバルト、酢酸マダネシウム、酸化マダネシ
ウム、塩化マダネシウム、P−)ルエンスルホン酸、)
!J/闘ロメタンスルホン酸、活性アル々す、活性シリ
カ−アル建す、活性白土、*性白土、トリエテルア(ン
、N、N−ジメチルアニリン、ピリジン、キノリン、ト
リエチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、などを
挙げることができ、これらは111まえは2種以上の混
合物として使用される。
化第二錫、塩化亜鉛、塩化第二鉄、三7ツ化ホウ素、三
7ツ化ホウ素と有機化合物との錯体、塩化第二鋼、 ’
ill@第二鋼、硫酸第二水銀、硫酸第一水銀、塩化第
二水銀、塩化第−水銀、硫酸水素ナトリウム、ジメチル
**、ジエチルam、四塩化チタン、アルン二つムアセ
テルアセトナート、アル電工ウム一一デトヤナイド、ア
ル建ニウムt−ブトキナイド、チタニウム鵬−プトキサ
イド、テタニウムヱトキサイド、テタエウムインプクポ
キサイド、酢酸ニッケル、酸化ニッケル、酢#Ilプパ
ルト、酸化コバルト、酢酸マダネシウム、酸化マダネシ
ウム、塩化マダネシウム、P−)ルエンスルホン酸、)
!J/闘ロメタンスルホン酸、活性アル々す、活性シリ
カ−アル建す、活性白土、*性白土、トリエテルア(ン
、N、N−ジメチルアニリン、ピリジン、キノリン、ト
リエチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、などを
挙げることができ、これらは111まえは2種以上の混
合物として使用される。
触媒の使用量は、原料Oイミド化合物中脱離の有無によ
に、溶媒存在下の反応では使用する#1#lの種類によ
シ異なシまた反応条件などに大巾に影響を受け、大巾に
変化する。一般に、最適−触媒の使用量は、イミド化合
物の重量を基準として、0.01〜80910II囲で
あ〉好ましくはo、 i〜Is Oso*vsである。
に、溶媒存在下の反応では使用する#1#lの種類によ
シ異なシまた反応条件などに大巾に影響を受け、大巾に
変化する。一般に、最適−触媒の使用量は、イミド化合
物の重量を基準として、0.01〜80910II囲で
あ〉好ましくはo、 i〜Is Oso*vsである。
本発明の方法においては、脱離を容易に進行させる丸め
の脱離剤が、必要に応じて使用される。ζこで脱離剤と
称する庵のは、多くの場合、脱離される化合物と選択的
に反応して、脱離反応を促進する化金物である。脱離剤
の種類によっては、上記の触媒としての作用も有し、両
者の区別が困難なもO%#)為。
の脱離剤が、必要に応じて使用される。ζこで脱離剤と
称する庵のは、多くの場合、脱離される化合物と選択的
に反応して、脱離反応を促進する化金物である。脱離剤
の種類によっては、上記の触媒としての作用も有し、両
者の区別が困難なもO%#)為。
用いられる脱離剤は、脱離され為化合物によって異なシ
、まえ、使用されゐ条件によって変化する。具体的な脱
離剤の例としては1無水酢酸、無水fa♂オン酸、無水
安息香酸、無水トルイル酸、無水硫酸、硫酸、五酸化リ
ン、ビ闘すン識、縮合リン酸、塩化カルシウム、硫酸ナ
トリウム、エチレンオキナイド、faピレンオキ夛イド
、ホスダン、ジシクーへ中ジルカル−シイ建ド、トリレ
ンジイソシアネート類、フェニルイソシアネート、鵬−
フェニレンジイノシアネート、ケテンなどを挙けること
ができ、以上の化金物は1種また紘2種以上で使用する
ことができる。
、まえ、使用されゐ条件によって変化する。具体的な脱
離剤の例としては1無水酢酸、無水fa♂オン酸、無水
安息香酸、無水トルイル酸、無水硫酸、硫酸、五酸化リ
ン、ビ闘すン識、縮合リン酸、塩化カルシウム、硫酸ナ
トリウム、エチレンオキナイド、faピレンオキ夛イド
、ホスダン、ジシクーへ中ジルカル−シイ建ド、トリレ
ンジイソシアネート類、フェニルイソシアネート、鵬−
フェニレンジイノシアネート、ケテンなどを挙けること
ができ、以上の化金物は1種また紘2種以上で使用する
ことができる。
本発明の方法において、反応温度はイミド化合物中脱離
する化合物の種類、溶媒O有無、濤媒下反応のときは使
用する溶媒の種類、目標とする一すイミドエステルの重
合度などによ)、大暑〈変イεする。一般に上記の反応
温度は、3G−500℃の範囲であシ、好重しくa8G
〜400℃OSmである。上記Iii!lよ〉低い温
度では、目的とする脱離反応が進行し難く、好ましい溶
媒、触媒、脱離剤を使用して4、実用的な速度で反応を
進行させるのは困難である。一方、上記範囲以上の温度
では、生成された?リイ建ドエステルの熱分解が開始さ
れる恐れがある丸め好ましくない。
する化合物の種類、溶媒O有無、濤媒下反応のときは使
用する溶媒の種類、目標とする一すイミドエステルの重
合度などによ)、大暑〈変イεする。一般に上記の反応
温度は、3G−500℃の範囲であシ、好重しくa8G
〜400℃OSmである。上記Iii!lよ〉低い温
度では、目的とする脱離反応が進行し難く、好ましい溶
媒、触媒、脱離剤を使用して4、実用的な速度で反応を
進行させるのは困難である。一方、上記範囲以上の温度
では、生成された?リイ建ドエステルの熱分解が開始さ
れる恐れがある丸め好ましくない。
好ましい反応温度範囲は上記o4シであるが、一定の反
応温度で反応させてもよく反応温度を段階的に上昇させ
てもよく、反応温度の設定方法fcI!#に制約はない
。
応温度で反応させてもよく反応温度を段階的に上昇させ
てもよく、反応温度の設定方法fcI!#に制約はない
。
本発明の方法を実施する際O反応時間は、反応温度、イ
ミド化合物や脱離すゐ化合物の種類、溶媒の有無、溶媒
存在下の反応の際は使用する溶媒の種類などによ〉広範
に変化するが、通常10分〜10日の範囲である。さら
に、好ましくは30分〜100時間の範囲である。上記
範囲よシ短時間では目的の反応を十分進行させることは
困難であり、を九上記範囲よ〉長い反応時間では夾用土
の価値が乏しくなる。
ミド化合物や脱離すゐ化合物の種類、溶媒の有無、溶媒
存在下の反応の際は使用する溶媒の種類などによ〉広範
に変化するが、通常10分〜10日の範囲である。さら
に、好ましくは30分〜100時間の範囲である。上記
範囲よシ短時間では目的の反応を十分進行させることは
困難であり、を九上記範囲よ〉長い反応時間では夾用土
の価値が乏しくなる。
本発明の方法を実施する際の反応雰囲気は41に制限は
なく空気中1えは、不活性気体中でも実施することがで
きる。しかし、q#に高温で反応を行なう際は空気雰囲
気中では酸化反応が進行し鳥いため、不活性気体中での
反応が好ましい、こむで不活性気体と称するものはヘリ
ウム、アルジン、ネオン等に限らず窒素、炭酸ガスなど
も含まれる0反応中、上記O気体は静止させても流通さ
せてもよい。
なく空気中1えは、不活性気体中でも実施することがで
きる。しかし、q#に高温で反応を行なう際は空気雰囲
気中では酸化反応が進行し鳥いため、不活性気体中での
反応が好ましい、こむで不活性気体と称するものはヘリ
ウム、アルジン、ネオン等に限らず窒素、炭酸ガスなど
も含まれる0反応中、上記O気体は静止させても流通さ
せてもよい。
本発wAの方法を実施する際の反応時O圧力に制限はな
いが、一般式(至)で示される化合物を脱離しながら、
反応は進行する丸め常圧または減圧下の反応が好ましい
、特に減圧下では、脱離反応が容AK進行し、分子量の
高い目的生成物を容易に得ることができる。
いが、一般式(至)で示される化合物を脱離しながら、
反応は進行する丸め常圧または減圧下の反応が好ましい
、特に減圧下では、脱離反応が容AK進行し、分子量の
高い目的生成物を容易に得ることができる。
、本発明の方法で得られるポリイ2ドエステルを反応終
了後に分離、精製するには通常知られている方法がいず
れも特に制限なく用いられる。例えば溶媒を使用した反
応では、多くの場合、生成したポリイミドエステルが析
出してくるのでこれをP別、洗浄、乾燥すればよい、t
+、生成した4リイ建ドエステルが溶媒に溶解して存在
しているときは、lリイミドエステルの貧溶媒を加える
か、又は逆に?リマー溶液を貧溶媒中に滴下、攪拌して
、−リイ電ドエステルを析出させることが可能である。
了後に分離、精製するには通常知られている方法がいず
れも特に制限なく用いられる。例えば溶媒を使用した反
応では、多くの場合、生成したポリイミドエステルが析
出してくるのでこれをP別、洗浄、乾燥すればよい、t
+、生成した4リイ建ドエステルが溶媒に溶解して存在
しているときは、lリイミドエステルの貧溶媒を加える
か、又は逆に?リマー溶液を貧溶媒中に滴下、攪拌して
、−リイ電ドエステルを析出させることが可能である。
無WI媒の反応では通常目的とする一すイ建ドエステル
が、反応容器中に残留するので特に分離、精製の必要は
ないが、微量存在する未反応原料および脱離生成物を適
尚な溶媒で洗浄することによ〕除去すれば、純度の高い
ぼリイミドエステルが得うれる。
が、反応容器中に残留するので特に分離、精製の必要は
ないが、微量存在する未反応原料および脱離生成物を適
尚な溶媒で洗浄することによ〕除去すれば、純度の高い
ぼリイミドエステルが得うれる。
以上のように本発明の方法により、純度の高い4リイ電
ドエステルが容易に得られる。
ドエステルが容易に得られる。
しかしながら、さらに純度の高いがリイ電ドエステルが
要求される場合は、各種の溶媒で洗浄を繰り返すか、ま
たは適切な溶媒に再溶解させ、貧溶媒を使用して再沈さ
せるなど、公知の精製方法が制限なく使用できる。
要求される場合は、各種の溶媒で洗浄を繰り返すか、ま
たは適切な溶媒に再溶解させ、貧溶媒を使用して再沈さ
せるなど、公知の精製方法が制限なく使用できる。
本発明の重合体はイミド結合とエステル結合が規則的に
繰返し連結した構造を有するため、通常のIリイ建ドエ
ステルは共重合体的な性質を示すのに対し均一重合体と
しての性質が強く現われ、目的とする性能を容易に得る
ことができるのである。
繰返し連結した構造を有するため、通常のIリイ建ドエ
ステルは共重合体的な性質を示すのに対し均一重合体と
しての性質が強く現われ、目的とする性能を容易に得る
ことができるのである。
し九がって、ポリイミドエステル類の従来の用途は主に
耐熱ワニスヤワイヤ・エナメルなどに限られていたが、
本発明のIリインドエステルはその改良された物性によ
〉広く耐熱性の成形材料として使用することが可能にな
り九。
耐熱ワニスヤワイヤ・エナメルなどに限られていたが、
本発明のIリインドエステルはその改良された物性によ
〉広く耐熱性の成形材料として使用することが可能にな
り九。
本発明を実施例などにより更に詳しく説明する。
参考例1
無水トリメリット酸9,6(1(50ζすそル)を、乾
燥ジオキシサン70−に溶解し、さらKP−アミノフェ
ノール5.4511(50ζリモル)を加えた。溶液を
室温で攪拌し続けゐと、1時間で沈澱が析出する。3時
間で攪拌を停止し、減圧下Km謀を留去する。得られ九
無色の固体は、アミド酸であ〉、収量は、14.$6j
l(収率99−)であり九、アミド駿フ、2011を、
減圧下lsO℃で3時間加熱し、淡褐色の粗製イミドを
&83JF(収率9γチ)得た。これをジオキサンより
再結晶して、4−カルがキシ−N−(p−ヒドロキシフ
ェニル)7タルイ建ドの黄色粒状の結晶を4031(収
率58−)得え。
燥ジオキシサン70−に溶解し、さらKP−アミノフェ
ノール5.4511(50ζリモル)を加えた。溶液を
室温で攪拌し続けゐと、1時間で沈澱が析出する。3時
間で攪拌を停止し、減圧下Km謀を留去する。得られ九
無色の固体は、アミド酸であ〉、収量は、14.$6j
l(収率99−)であり九、アミド駿フ、2011を、
減圧下lsO℃で3時間加熱し、淡褐色の粗製イミドを
&83JF(収率9γチ)得た。これをジオキサンより
再結晶して、4−カルがキシ−N−(p−ヒドロキシフ
ェニル)7タルイ建ドの黄色粒状の結晶を4031(収
率58−)得え。
融点322℃(分解)
1R(Klr) ; 1780 、1720 (ske
wller )、1700儂 ”HNMR(M@180−4s ) : J=ILil
O(II ; C0OH)、10.00 (sg ;
OH) N32 (44”、H’) ;Ja、s−7,8Hs
、JasstmL4Ml 、N20 (d 4 :H’
) : Jhl ” 1.415襲、71%m−0,6
Rm s 7.95 (443H” ) : Jl@1
=0.6Ml s Jssm−7,8Km 、 7.2
0 (d ;H’am4 H”);J4%l ’=1e
、2 Hls 6.83 (d : H”% ’H酪勺
;JI%4−w9、2 Mm、 Imtt@m5lty
rail・: 141:1:1:1:2:LC*iH
*NOi (283,2)Caf@、C63,61H&
2ON4.95F@wmd C62,89II 2.8
4 N4.91参考例2 4−カルIヤシ−N−(p−ヒドロキシフェニル)7タ
ルイζド酸0.60.91(20ンリ七ル、未精製品)
を、N、N−ジメチルアセトアミドlO−に溶解し、ピ
リジン014mおよび無水酢酸0.94−を、室温で攪
拌下に加え九。約1時間で沈澱が生成したが、さらに−
夜攪拌を続は九1反応液t−5oo−の水中に投入し、
沈澱をP別、乾燥した。収量は、0.56j(収率86
−)であった、粗生成物をジオキサンよシ再結晶して0
.41N(収率63s)の4−カル−キシ−N−(p−
アセトキシフヱエル)ツタルイζドを、無色粒状の結晶
として得九。
wller )、1700儂 ”HNMR(M@180−4s ) : J=ILil
O(II ; C0OH)、10.00 (sg ;
OH) N32 (44”、H’) ;Ja、s−7,8Hs
、JasstmL4Ml 、N20 (d 4 :H’
) : Jhl ” 1.415襲、71%m−0,6
Rm s 7.95 (443H” ) : Jl@1
=0.6Ml s Jssm−7,8Km 、 7.2
0 (d ;H’am4 H”);J4%l ’=1e
、2 Hls 6.83 (d : H”% ’H酪勺
;JI%4−w9、2 Mm、 Imtt@m5lty
rail・: 141:1:1:1:2:LC*iH
*NOi (283,2)Caf@、C63,61H&
2ON4.95F@wmd C62,89II 2.8
4 N4.91参考例2 4−カルIヤシ−N−(p−ヒドロキシフェニル)7タ
ルイζド酸0.60.91(20ンリ七ル、未精製品)
を、N、N−ジメチルアセトアミドlO−に溶解し、ピ
リジン014mおよび無水酢酸0.94−を、室温で攪
拌下に加え九。約1時間で沈澱が生成したが、さらに−
夜攪拌を続は九1反応液t−5oo−の水中に投入し、
沈澱をP別、乾燥した。収量は、0.56j(収率86
−)であった、粗生成物をジオキサンよシ再結晶して0
.41N(収率63s)の4−カル−キシ−N−(p−
アセトキシフヱエル)ツタルイζドを、無色粒状の結晶
として得九。
融点 212℃(分解)
&33 (dd; H”) : J、、I ’w y、
s Jim、Jhl−14)1m、&23(4d;H’
); Js%嘗xx 1.4 Km、Jhs
=0.6Hs 、7.98 (4CH” ); J1
%l −0,6Hss Jssw−7,8’Ih。
s Jim、Jhl−14)1m、&23(4d;H’
); Js%嘗xx 1.4 Km、Jhs
=0.6Hs 、7.98 (4CH” ); J1
%l −0,6Hss Jssw−7,8’Ih。
7.53 (d J II4、H4勺; JJ%am9
.3 Mm、 7J7 (CH’% H”) E
JI%4 =9.3 Hz、 II2(s;CHs)
。
.3 Mm、 7J7 (CH’% H”) E
JI%4 =9.3 Hz、 II2(s;CHs)
。
Imt@ma1ty ratlo : 1 :1:1!
1:2!2:3゜CI?H11No−(325,3)C
alt C62L7? HS、41 N 4.31
F・mad C62,,36HS、IS N 4.14
参考例3 4−メトキシカル−エル−N−(P−*ド田キシ7エエ
ル)7タルイミドの製造 4−カル−キシ−N−(p−ヒドロ中ジフェニル)フタ
ルイζドL83.?(10jリモル)を乾燥メタノール
10dK溶解した溶液に、IP、−メI / −k (
BFs E 12L51g )を、Ls−を加えた。こ
れを還流下に3時間加熱して透明な溶液を得た。さらに
、3時間加熱し九後に500mgの飽和炭酸水素ナトリ
ウム溶液中に生成液を加え生成物を沈澱させ九。
1:2!2:3゜CI?H11No−(325,3)C
alt C62L7? HS、41 N 4.31
F・mad C62,,36HS、IS N 4.14
参考例3 4−メトキシカル−エル−N−(P−*ド田キシ7エエ
ル)7タルイミドの製造 4−カル−キシ−N−(p−ヒドロ中ジフェニル)フタ
ルイζドL83.?(10jリモル)を乾燥メタノール
10dK溶解した溶液に、IP、−メI / −k (
BFs E 12L51g )を、Ls−を加えた。こ
れを還流下に3時間加熱して透明な溶液を得た。さらに
、3時間加熱し九後に500mgの飽和炭酸水素ナトリ
ウム溶液中に生成液を加え生成物を沈澱させ九。
得られたメチルエステルをP別し、メタノールよシ再結
晶して黄色針状晶を2.21j(収率74−)得た。
晶して黄色針状晶を2.21j(収率74−)得た。
融点 218〜219℃
Ill (Klr ) : 1770.17So (s
h@1ller )、 1720(sk@wtdsr)
、1?OOcm−’。
h@1ller )、 1720(sk@wtdsr)
、1?OOcm−’。
” II NMR(MmJO−dg )! a=fJ、
’lB (1:ou)、&43(442H” ) ;
Jl sm ” 7.9 Hm、Jhl = 1.3
Hs、 &30(纏d;H亀 ); J鳳、露■1.3
R謳s J1%l誼 0.6 Hs s 8.
07(44: II” ); Jsss−0,6IIs
、 Js4Wγ’、 9 Is s 7.27(4;
H’、枦’ ) ; J4%#■9.2 ill、 6
.90(d:が、H”):Jlsa wg*、2 Hm
、 4.00 (s: CHI )、I+atem―量
ty rails:1:1:1:1:12:3゜ C■HttNOi (297,3) Cafe、
C64,64H3,73N4.7Fownd C64
,23M 3.45 N 4.61実施例I N、N−ジメチルアセドアミドl−に4−カルー中シー
N−(p−ヒト−キシフェニル)ツタルイミド0.28
J’(111111@1)を溶解し。
’lB (1:ou)、&43(442H” ) ;
Jl sm ” 7.9 Hm、Jhl = 1.3
Hs、 &30(纏d;H亀 ); J鳳、露■1.3
R謳s J1%l誼 0.6 Hs s 8.
07(44: II” ); Jsss−0,6IIs
、 Js4Wγ’、 9 Is s 7.27(4;
H’、枦’ ) ; J4%#■9.2 ill、 6
.90(d:が、H”):Jlsa wg*、2 Hm
、 4.00 (s: CHI )、I+atem―量
ty rails:1:1:1:1:12:3゜ C■HttNOi (297,3) Cafe、
C64,64H3,73N4.7Fownd C64
,23M 3.45 N 4.61実施例I N、N−ジメチルアセドアミドl−に4−カルー中シー
N−(p−ヒト−キシフェニル)ツタルイミド0.28
J’(111111@1)を溶解し。
との溶液を攪拌しながら無水酢酸4−を加えた後さらに
攪拌しながら還流下に24時間反応させ九、3時間で沈
澱が析出し始め、反応終了後、反応液を水に注ぎ析出し
た沈澱をP別しえ、さらに水で沈澱を十分に洗浄し乾燥
して無色粉末状の固体を得え、!RsPよびNMRよ〉
生成物は一すイζドエステルの低分子量重金体で′Iり
り、アセトキシイζドも含まれ【いることが明らかにな
った。
攪拌しながら還流下に24時間反応させ九、3時間で沈
澱が析出し始め、反応終了後、反応液を水に注ぎ析出し
た沈澱をP別しえ、さらに水で沈澱を十分に洗浄し乾燥
して無色粉末状の固体を得え、!RsPよびNMRよ〉
生成物は一すイζドエステルの低分子量重金体で′Iり
り、アセトキシイζドも含まれ【いることが明らかにな
った。
原料及び生成物の赤外吸収ス(クトルを第1図に示す。
実施例2
4−カル−キシ−N−(p−アセトキシ7エエル)ツタ
ルイミドを、良く粉砕して0.651JFを50−のフ
クスコにと)減圧下に300i ℃にて1時間加熱し九
。さらに2時間加熱した後赤褐色の固体な01416g
(収率78()得九、得られた固体の91nhは0.1
441−f”([1804中0625F−4j 25℃
)であj) 、ZB(KBr)は1775.1738
(sh@u14@r)、 17151 のそれぞれに吸
収を示し九。
ルイミドを、良く粉砕して0.651JFを50−のフ
クスコにと)減圧下に300i ℃にて1時間加熱し九
。さらに2時間加熱した後赤褐色の固体な01416g
(収率78()得九、得られた固体の91nhは0.1
441−f”([1804中0625F−4j 25℃
)であj) 、ZB(KBr)は1775.1738
(sh@u14@r)、 17151 のそれぞれに吸
収を示し九。
実施例3〜6
加熱温度および時間を変化させ九以外は、実施例2と同
様に反応を行ない表−1に示す結果を得た。
様に反応を行ない表−1に示す結果を得た。
a)理論収量に対する生成物の重量収率実施例フ
4−メトキシカルがニル−N、−(p−1ドロキシフエ
ニル)フタルイミド0.297Nに、テタニウムテトラ
ット中サイドを1滴加え、窒素雰囲気下常圧にて220
℃で1時間加熱した。反応物は融解して、透明な液体と
なりその後再び固化し褐色の固体となった。これをさら
に220℃で1時間、20n+Hfの減圧下に反応させ
、十分に粉砕した。さらに、220℃、20wHfで2
時間、SOO℃、110IHgで3時間反応させて淡褐
色の粉末状固体を得え、収量はo、zs1#(収率87
1g)。
ニル)フタルイミド0.297Nに、テタニウムテトラ
ット中サイドを1滴加え、窒素雰囲気下常圧にて220
℃で1時間加熱した。反応物は融解して、透明な液体と
なりその後再び固化し褐色の固体となった。これをさら
に220℃で1時間、20n+Hfの減圧下に反応させ
、十分に粉砕した。さらに、220℃、20wHfで2
時間、SOO℃、110IHgで3時間反応させて淡褐
色の粉末状固体を得え、収量はo、zs1#(収率87
1g)。
9111には6.114ト1 (H2BO3flj液
、0.251i−4125℃)であシ、IR(Kllr
)では17γ6゜174 G (showll*r )
、1γ151 にそれぞれ吸収を示し九・ 実施例8 実施例7における最後の加熱条件であるSOO℃、lm
Hg3時間を、280℃1wHII3時間に変えた他は
すべて実施例7と同様に行ない淡褐色粉末状固体を得た
。収率51G、1Itskは0.1241−9 (H
15104溶液。
、0.251i−4125℃)であシ、IR(Kllr
)では17γ6゜174 G (showll*r )
、1γ151 にそれぞれ吸収を示し九・ 実施例8 実施例7における最後の加熱条件であるSOO℃、lm
Hg3時間を、280℃1wHII3時間に変えた他は
すべて実施例7と同様に行ない淡褐色粉末状固体を得た
。収率51G、1Itskは0.1241−9 (H
15104溶液。
0.251l−at 25℃)であった。
第1図の■は実施例1に使用した4−カルー命シーN−
(p−ヒドロキシフェニル)7タルイオド、(搬は、実
施例1で得られたIリイ電ドエステルのそれぞれ■8ス
ペクトル(Klr)を示す。 第2図の(2)は、実施例1に使用し九4−カルーキシ
−N−(p−にドロキシフェニル)フタルイミド、(2
)は実施例2〜6に使用し九4−カルがキシ−N−(p
−アセト中タフエ二h ) 7 fi ルイi )”、
(Cりは実施例7.8に&用し九4−メトキシカルfI
Pエル−N−(p−ヒトルキシフェニル)フタルイミド
、鋤は、実施例3で俤)よシ得られた?ソイ5ドエステ
ルそれヤれの加熱温度と残存重量(優)を示す。 手続補正書 昭和56年11月20日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿1 事件の表示 am昭56−165823号 2 発明の名称 Iリイずドエステルおよびその製造法 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 (312)三井痰圧化学株式会社4 代 理
人
(p−ヒドロキシフェニル)7タルイオド、(搬は、実
施例1で得られたIリイ電ドエステルのそれぞれ■8ス
ペクトル(Klr)を示す。 第2図の(2)は、実施例1に使用し九4−カルーキシ
−N−(p−にドロキシフェニル)フタルイミド、(2
)は実施例2〜6に使用し九4−カルがキシ−N−(p
−アセト中タフエ二h ) 7 fi ルイi )”、
(Cりは実施例7.8に&用し九4−メトキシカルfI
Pエル−N−(p−ヒトルキシフェニル)フタルイミド
、鋤は、実施例3で俤)よシ得られた?ソイ5ドエステ
ルそれヤれの加熱温度と残存重量(優)を示す。 手続補正書 昭和56年11月20日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿1 事件の表示 am昭56−165823号 2 発明の名称 Iリイずドエステルおよびその製造法 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 (312)三井痰圧化学株式会社4 代 理
人
Claims (1)
- (1) 一般式(1) (式中ムrは二価の芳香族基な示す)で表わ畜れる繰返
し単位を有するぼりイずドエステル。 0) 一般式(1) 水素基な示す)を表わし、Yは水素を九は炭素数1〜1
8の炭化水素を表わす)で示堪れるイ建ド化合物よ〉、
一般式(1)%式%( (式中X及びYは上記のとシシ)で示される化合物を脱
離させることを特徴とする、一般式(1) (式中ムrは上記のとおシ)で表わされる繰返し単位を
有すゐ4リイζドエステルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16582381A JPS5867725A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | ポリイミドエステルおよびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16582381A JPS5867725A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | ポリイミドエステルおよびその製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5867725A true JPS5867725A (ja) | 1983-04-22 |
Family
ID=15819671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16582381A Pending JPS5867725A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | ポリイミドエステルおよびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5867725A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0171707A2 (de) * | 1984-08-11 | 1986-02-19 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Polyimidestern der Trimellitsäure |
US4954606A (en) * | 1987-10-31 | 1990-09-04 | Bayer Aktiengesellschaft | Solid phase post polymerization condensation of thermotropic polyester imides |
US4994545A (en) * | 1988-12-27 | 1991-02-19 | Ethyl Corporation | Polyetherimide |
US5003030A (en) * | 1988-05-17 | 1991-03-26 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Thermoplastic wholly aromatic copolyimide ester and process for producing the same |
EP1907438A4 (en) * | 2005-07-27 | 2012-08-08 | Flint Hills Resources Chemical Intermediates Llc | N-HYDROXYALKYLTRIMELLITIMIDESTER AND BIS- (TRIMELLITIMID) ESTERS AND THEIR MANUFACTURING PROCESS |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP16582381A patent/JPS5867725A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0171707A2 (de) * | 1984-08-11 | 1986-02-19 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Polyimidestern der Trimellitsäure |
US4954606A (en) * | 1987-10-31 | 1990-09-04 | Bayer Aktiengesellschaft | Solid phase post polymerization condensation of thermotropic polyester imides |
US5003030A (en) * | 1988-05-17 | 1991-03-26 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Thermoplastic wholly aromatic copolyimide ester and process for producing the same |
US4994545A (en) * | 1988-12-27 | 1991-02-19 | Ethyl Corporation | Polyetherimide |
EP1907438A4 (en) * | 2005-07-27 | 2012-08-08 | Flint Hills Resources Chemical Intermediates Llc | N-HYDROXYALKYLTRIMELLITIMIDESTER AND BIS- (TRIMELLITIMID) ESTERS AND THEIR MANUFACTURING PROCESS |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2883670B2 (ja) | イミド環を有する新規ビスフェノール類およびその製造方法 | |
JP2845957B2 (ja) | イミド環を有する新規ジフェノール類およびその製造方法 | |
Tong et al. | Synthesis and properties of aromatic polyimides derived from 2, 2,′ 3, 3′‐biphenyltetracarboxylic dianhydride | |
JPS5867725A (ja) | ポリイミドエステルおよびその製造法 | |
US4973707A (en) | Acetylene bis-phthalic compounds and polyimides made therefrom | |
JPS604178B2 (ja) | 芳香族ビス(エーテル酸無水物)の製造方法 | |
US4002645A (en) | Bis aromatic anhydrides | |
JPH0755928B2 (ja) | イミド環含有ジアミン類およびその製造方法 | |
CN111484412A (zh) | 一种合成含茚满结构化合物的方法 | |
JPH0755929B2 (ja) | イミド環を有する新規ジフエノ−ル類およびその製造方法 | |
JPS5822113B2 (ja) | ビスマレイミドの製造方法 | |
JP3386383B2 (ja) | ポリイミドの製造方法 | |
JPH02152962A (ja) | ジイミドジカルボン酸 | |
JPS6019903B2 (ja) | マレイミドおよびその製造方法 | |
KR940006437B1 (ko) | 비스말레이미드화합물 및 그 제조방법 | |
JPH02145568A (ja) | ビスフタルイミド類の製造法 | |
JP2509252B2 (ja) | 新規共重合体とその製造法 | |
JPS6341456A (ja) | 新規ビスマレイミド化合物およびその製造方法 | |
JPH0341067A (ja) | 2―(4―ヒドロキシフェニル)―2―(4’―マレイミドフェニル)プロパンの製造方法 | |
JPS6019746B2 (ja) | ポリイミドの製造法 | |
JPH0446155A (ja) | 4―(ヒドロキシフェノキシ)フェニルマレイミドおよびその製造方法 | |
JPS5822112B2 (ja) | N−(ヒドロキシフェニル)マレイミド類の製造方法 | |
JPH06107629A (ja) | ビスマレイミド類の精製方法 | |
JPS59231069A (ja) | 含イオウ芳香族化合物並びにその製造及び使用方法 | |
JPH01211563A (ja) | ビスマレイミドの製造方法 |