JPS5864218A - チタン酸ストロンチウムの製造方法 - Google Patents
チタン酸ストロンチウムの製造方法Info
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- JPS5864218A JPS5864218A JP16136681A JP16136681A JPS5864218A JP S5864218 A JPS5864218 A JP S5864218A JP 16136681 A JP16136681 A JP 16136681A JP 16136681 A JP16136681 A JP 16136681A JP S5864218 A JPS5864218 A JP S5864218A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチタン酸ストロンチウムの製造方法に係り、特
に電気特性に優ｆ′Ｌ、た半導体磁気材料を４え得るチ
タン酸ストロンチウムの製造方法に関するものである。
に電気特性に優ｆ′Ｌ、た半導体磁気材料を４え得るチ
タン酸ストロンチウムの製造方法に関するものである。
従来エリ、チタン酸ストロンチウム（Ｓ ｒ ’ｌ’
ｉ （、）ｓは、半導体磁気コンデンサの製造原料の一
つとして用いられ、また近年、粒界層（境界層）磁器コ
ンデンサのベース材として、その用途が急速に拡大して
いる。
ｉ （、）ｓは、半導体磁気コンデンサの製造原料の一
つとして用いられ、また近年、粒界層（境界層）磁器コ
ンデンサのベース材として、その用途が急速に拡大して
いる。
ところで、かかるチタン酸ストロンチウムは、通常、炭
酸ストロンチウム（ＳｒＣＵａ）と酸化チタン（’ｌ’
ＩＯｗ ） とを混合して、加熱１反応せしめるこ
とにＬす、製造さｎているが、その製造時ノ粒状形態の
如何に工っで、該チタン酸ストロンチウムを原料成分と
して得ら几る半導体磁器材料の電気特性に大きな差異を
生ずることか、不発１月者らの研究に１って明らかとな
ったのである。
酸ストロンチウム（ＳｒＣＵａ）と酸化チタン（’ｌ’
ＩＯｗ ） とを混合して、加熱１反応せしめるこ
とにＬす、製造さｎているが、その製造時ノ粒状形態の
如何に工っで、該チタン酸ストロンチウムを原料成分と
して得ら几る半導体磁器材料の電気特性に大きな差異を
生ずることか、不発１月者らの研究に１って明らかとな
ったのである。
すなわち、チタン酸ストロンチウムの製造に用いらｎて
いる炭酸ストロンチウムは、公知のソーダ法；ガス法な
どに裏って得られた粒状若しくは塊状；桿状若しくは針
状の約１〜３μ程度の粒径のものであって、こｎが酸化
チタンと混合せしめら扛ているのであるが、本発明者ら
の研究によって、出発原料としての炭酸ストロンチウム
はその） 粒径を小さくして超微粒粉の状態で用いる
ことによす、形成さｎたチタン酸ヌトロンチウムヲ使用
して最終的に得ら九る半導体磁器材料の電気特性ケエリ
一層高め、従来にない半導体磁器が得ら几ることが、明
らかとなったのである、。
いる炭酸ストロンチウムは、公知のソーダ法；ガス法な
どに裏って得られた粒状若しくは塊状；桿状若しくは針
状の約１〜３μ程度の粒径のものであって、こｎが酸化
チタンと混合せしめら扛ているのであるが、本発明者ら
の研究によって、出発原料としての炭酸ストロンチウム
はその） 粒径を小さくして超微粒粉の状態で用いる
ことによす、形成さｎたチタン酸ヌトロンチウムヲ使用
して最終的に得ら九る半導体磁器材料の電気特性ケエリ
一層高め、従来にない半導体磁器が得ら几ることが、明
らかとなったのである、。
本発明は、かかる知見に基づいて完成ａｎたものであっ
て、その要旨とするところは、炭酸ストロンチウムと酸
化チタンとからチタン酸ストロンチウムを製造するに際
して、該炭酸ストロンチウムとして、平均粒径が０，８
μ以下のものを用いるようにしたことにあり、こ扛によ
って該生成したチタン酸ストロンチウムを原料成分とし
た半導体磁器材料の電気特注、例えば誘電率、温度変化
率の著しい改善を図り得たのである。
て、その要旨とするところは、炭酸ストロンチウムと酸
化チタンとからチタン酸ストロンチウムを製造するに際
して、該炭酸ストロンチウムとして、平均粒径が０，８
μ以下のものを用いるようにしたことにあり、こ扛によ
って該生成したチタン酸ストロンチウムを原料成分とし
た半導体磁器材料の電気特注、例えば誘電率、温度変化
率の著しい改善を図り得たのである。
特に、かかる本発明に従って得らｎるチタン酸ストロン
チウムを用いて、こｆｌ、’ｉベース材とし、粒界層半
導体磁器コンデンサを製造すると、従来のものの誘電率
が実用的には約５００００が限界であったのに対して、
その誘電率が１２００００以−ヒを示す高性能のものも
得ることが出来るのであり、また特筆すべきは、炭酸ス
トロンチウムの平均粒径が小さくなればなるほど、そ几
から得ら扛る磁器の誘電率の温度変化率が小さくなる、
驚くべき効果が奏さｎることである。
チウムを用いて、こｆｌ、’ｉベース材とし、粒界層半
導体磁器コンデンサを製造すると、従来のものの誘電率
が実用的には約５００００が限界であったのに対して、
その誘電率が１２００００以−ヒを示す高性能のものも
得ることが出来るのであり、また特筆すべきは、炭酸ス
トロンチウムの平均粒径が小さくなればなるほど、そ几
から得ら扛る磁器の誘電率の温度変化率が小さくなる、
驚くべき効果が奏さｎることである。
ここにおいて、かかる本発明で使用さ扛る炭酸ス）ロン
チウム（Ｓ ｒＣＯａ ）は、公知の各種の手法に従っ
て製造さｎるものであり、例えば「ソーダ法」では、８
０メツシュ程度に粉砕さ扛た原鉱石粉、即ち七レスタイ
ト粉末にコークス粉末を加え、加熱、還元し友ものを水
に溶解し、水硫化ストロンチウムを得１次いでそしにソ
ーダ灰を加えて、炭酸ストロンチウムを製造し、また「
ガス法」では、上記ソーダ法で得た水硫化ストロンチウ
ムに炭酸ガスを加えて、炭酸ストロンチウムを得ており
、更に「直接法」では、セレヌタイト粉末に直接ソーダ
灰を作用させて、炭酸ストロンチウムを得ている。
チウム（Ｓ ｒＣＯａ ）は、公知の各種の手法に従っ
て製造さｎるものであり、例えば「ソーダ法」では、８
０メツシュ程度に粉砕さ扛た原鉱石粉、即ち七レスタイ
ト粉末にコークス粉末を加え、加熱、還元し友ものを水
に溶解し、水硫化ストロンチウムを得１次いでそしにソ
ーダ灰を加えて、炭酸ストロンチウムを製造し、また「
ガス法」では、上記ソーダ法で得た水硫化ストロンチウ
ムに炭酸ガスを加えて、炭酸ストロンチウムを得ており
、更に「直接法」では、セレヌタイト粉末に直接ソーダ
灰を作用させて、炭酸ストロンチウムを得ている。
そして１本発明では、これら各種の手法で得ら扛る炭酸
ストロンチウムをその平均粒径が０．８μ以下となるよ
うに調製して用いるものであって、平均粒径が０．８μ
を越えるような炭酸ストロンチウムでは、生成さ扛たチ
タン酸ストロンチウムか・ら得らｎる半導体磁器材料の
電気特性の改善を充分に図り得ないのである。
ストロンチウムをその平均粒径が０．８μ以下となるよ
うに調製して用いるものであって、平均粒径が０．８μ
を越えるような炭酸ストロンチウムでは、生成さ扛たチ
タン酸ストロンチウムか・ら得らｎる半導体磁器材料の
電気特性の改善を充分に図り得ないのである。
かくの如き平均粒径がｏ、 ｓ ｔｔ以下の炭酸ストロ
ンチウムは、その製造時に粒径に及ぼす要因を制御せし
めたり、粒径の大きなもの全粉砕などの機械的手段によ
って微粒子化したりすること等に工っで、容易に得ら几
るものである。例えば、上記ソーダ法にちっては、粒子
径に及ぼす要因たる水硫化ストロンチウム・ソーダ灰の
濃度を低くシたり１反応時の温度を低くしたり、ソーダ
灰牟位当りの反応時間を長くしたり、炭酸ストロンチウ
ム生成後の煤焼温度または乾燥温度を低くしたりする制
御が行なわ几る。また、ガス法では、水硫化ストロンチ
ウムの濃度や反応温度が低くさｆ′したり、単位当りの
炭酸ガスとの反応時間が長くさ扛たり、煤焼又は乾燥温
度が低く嘔ｎたりさｆることとなる。更に、直接法では
、セレヌタイトの粒モ径がより小さくさｎることとなる
。そして、他の＠緘的手段による微粒化手法にあっては
、粒状乃至は塊状結晶で得られるソーダ法及び直接法の
炭酸ストロンチウムや、桿状乃至は針状結晶で得ら扛る
ガス法の炭酸ヌトロンチウトが、機械的に粉砕せしめら
扛て、０．８ ｔｉ以下の所定の超微粒子とさ扛るので
ある。なお、機械的な粉砕操作に対しては。
ンチウムは、その製造時に粒径に及ぼす要因を制御せし
めたり、粒径の大きなもの全粉砕などの機械的手段によ
って微粒子化したりすること等に工っで、容易に得ら几
るものである。例えば、上記ソーダ法にちっては、粒子
径に及ぼす要因たる水硫化ストロンチウム・ソーダ灰の
濃度を低くシたり１反応時の温度を低くしたり、ソーダ
灰牟位当りの反応時間を長くしたり、炭酸ストロンチウ
ム生成後の煤焼温度または乾燥温度を低くしたりする制
御が行なわ几る。また、ガス法では、水硫化ストロンチ
ウムの濃度や反応温度が低くさｆ′したり、単位当りの
炭酸ガスとの反応時間が長くさ扛たり、煤焼又は乾燥温
度が低く嘔ｎたりさｆることとなる。更に、直接法では
、セレヌタイトの粒モ径がより小さくさｎることとなる
。そして、他の＠緘的手段による微粒化手法にあっては
、粒状乃至は塊状結晶で得られるソーダ法及び直接法の
炭酸ストロンチウムや、桿状乃至は針状結晶で得ら扛る
ガス法の炭酸ヌトロンチウトが、機械的に粉砕せしめら
扛て、０．８ ｔｉ以下の所定の超微粒子とさ扛るので
ある。なお、機械的な粉砕操作に対しては。
ガス法にて得ら扛る炭酸ストロンチウムの方が、工り容
易に超微粒化さｎ得ることが認められている。
易に超微粒化さｎ得ることが認められている。
そして、かくの如く０．８μ以下と超微粒化さ扛た炭酸
ストロンチウムは、通常の粉末状の酸化チタン（Ｔｉ０
２） と混合せしめらｎ、常法に従って加熱１反応せ
しめらｎることに工って、目的とするチタン酸ストロン
チウム（８ｒＴｉＯｓ）が形成されるのである。なお、
炭酸ストロンチウムと酸化チタンとの混合比としては、
一般に前者１モルに対して後者は０．９８〜１，０２モ
ル程度の割合で用いらｎることとなる。また、そｎらの
混合物には、目的とするチタン酸ストロンチウムが形成
さｎるｚうに、一般に約１０５０〜１２５０°Ｃの加熱
操作が施さｎることとなる。
ストロンチウムは、通常の粉末状の酸化チタン（Ｔｉ０
２） と混合せしめらｎ、常法に従って加熱１反応せ
しめらｎることに工って、目的とするチタン酸ストロン
チウム（８ｒＴｉＯｓ）が形成されるのである。なお、
炭酸ストロンチウムと酸化チタンとの混合比としては、
一般に前者１モルに対して後者は０．９８〜１，０２モ
ル程度の割合で用いらｎることとなる。また、そｎらの
混合物には、目的とするチタン酸ストロンチウムが形成
さｎるｚうに、一般に約１０５０〜１２５０°Ｃの加熱
操作が施さｎることとなる。
かくして得らｆ′したチタン酸ストロンチウム生成物に
は、適宜に粉砕１分級などの操作が加えらｎた後、各種
の用途に適用さ几、前述の如き優几た効果を達成するの
である。即ら、例えば、該チタン酸ストロンチウムを粒
界層半導体磁器コンデンサのベース材として用い、こ扛
に少１ｔ（１％未満）の添加物（Ｎｔ）、Ｃａ、Ｓｉ、
ＡＣｆｚどｏ酸化物等）を配合して、焼成し、更に結晶
粒界絶縁化操作２行ない、磁器コンデンサを製造すｎば
、電気特性の著しく優九たものとなるのであり、！、た
その他、中高圧用の磁器コンデンサとして、他の磁器原
料と混合して用いても、その誘電率などの電気特性を効
果的に改善せしめ得るのである。
は、適宜に粉砕１分級などの操作が加えらｎた後、各種
の用途に適用さ几、前述の如き優几た効果を達成するの
である。即ら、例えば、該チタン酸ストロンチウムを粒
界層半導体磁器コンデンサのベース材として用い、こ扛
に少１ｔ（１％未満）の添加物（Ｎｔ）、Ｃａ、Ｓｉ、
ＡＣｆｚどｏ酸化物等）を配合して、焼成し、更に結晶
粒界絶縁化操作２行ない、磁器コンデンサを製造すｎば
、電気特性の著しく優九たものとなるのであり、！、た
その他、中高圧用の磁器コンデンサとして、他の磁器原
料と混合して用いても、その誘電率などの電気特性を効
果的に改善せしめ得るのである。
以下に実施例を挙げ、本発明會更に具体的に明らかにす
るが、本発明がかかる実施例の記載によって何等の制約
をも受けるものでないことは言うまでもないところであ
る。なお、実施例中の部及び百分率はすべて重置基準で
示さｎている。
るが、本発明がかかる実施例の記載によって何等の制約
をも受けるものでないことは言うまでもないところであ
る。なお、実施例中の部及び百分率はすべて重置基準で
示さｎている。
実施例 １
ソーダ法及びガス法で得らｎた炭酸ヌトロンチチタン（
平均粒径：約１．０μ、硫酸法）とを出発原料として、
等モル此の割合となるように秤１し、した。そして、こ
のミ７＋／を２４時間運転して、該ミル内の充填物を充
分に混合せしめた後、充分に乾燥せしめ、その後かかる
得ら′ｎた混合物を常法に従って１１５０°Ｃの温度で
仮焼した。
平均粒径：約１．０μ、硫酸法）とを出発原料として、
等モル此の割合となるように秤１し、した。そして、こ
のミ７＋／を２４時間運転して、該ミル内の充填物を充
分に混合せしめた後、充分に乾燥せしめ、その後かかる
得ら′ｎた混合物を常法に従って１１５０°Ｃの温度で
仮焼した。
ついで、かかる仮焼物をそｎぞｎ製粉分級し、得ら扛た
粉体をＸ線回析することにより、いず庇もチタン酸スト
ロンチウムが生成さ几ていること全確認した。
粉体をＸ線回析することにより、いず庇もチタン酸スト
ロンチウムが生成さ几ていること全確認した。
そして、かくして得ら扛たチタン酸ストロンチウムをベ
ース材として、更にこｔに添加物としてＮｂ２Ｏ＋、０
．７％を湿式混合せしめた後、常法に従って還元雰囲気
中において焼成することにエリ、各種の半導体磁器を得
、更にこの半導体磁器全面に低粘度フリット全、本例で
はＨｉ２０ｇ８５．２％。
ース材として、更にこｔに添加物としてＮｂ２Ｏ＋、０
．７％を湿式混合せしめた後、常法に従って還元雰囲気
中において焼成することにエリ、各種の半導体磁器を得
、更にこの半導体磁器全面に低粘度フリット全、本例で
はＨｉ２０ｇ８５．２％。
５ｉＯｘ３．３％、 Ｂ ２０ｇ 、１．１．５％から
なる混合組成物を塗布し酸化雰囲気中で１１００″Ｃで
再焼成して結晶粒界を絶縁化した後、電極を焼付けて、
粒界層磁器コンデンサ材料を得た。
なる混合組成物を塗布し酸化雰囲気中で１１００″Ｃで
再焼成して結晶粒界を絶縁化した後、電極を焼付けて、
粒界層磁器コンデンサ材料を得た。
そ扛ぞれの粒径の炭酸ストロンチウムを出発原料として
得らｆ″した磁器コンデンサについて、その電気特性を
調べ、その結果を第１表に示す。
得らｆ″した磁器コンデンサについて、その電気特性を
調べ、その結果を第１表に示す。
第１表の結果より明らかなように、従来の如き平均粒子
径が２．８ ＩＩである炭酸ストロンチウムを用いて得
ら扛る磁器（Ａａｌ）や、粉砕しても平均粒子径が１．
０μと大きな炭酸ストロンチウムから得らｎる磁器（Ａ
８）に比して、本発明に従って炭酸ストロンチウムの平
均粒子径を０．３ ／７以下として製造さ扛た磁器（Ａ
２，４．５）においては、その誘電率、誘電率の温度変
化率の如き電気特性において著しく改善さｆ、特に應２
の磁器にあっ（ て、誘電率が１２００００を越える、驚ｌべき結果を示
した。また、炭酸ス；・ロンチウムの平均粒子径が小さ
くなる程、電気特性が良いことが認められるのである。
径が２．８ ＩＩである炭酸ストロンチウムを用いて得
ら扛る磁器（Ａａｌ）や、粉砕しても平均粒子径が１．
０μと大きな炭酸ストロンチウムから得らｎる磁器（Ａ
８）に比して、本発明に従って炭酸ストロンチウムの平
均粒子径を０．３ ／７以下として製造さ扛た磁器（Ａ
２，４．５）においては、その誘電率、誘電率の温度変
化率の如き電気特性において著しく改善さｆ、特に應２
の磁器にあっ（ て、誘電率が１２００００を越える、驚ｌべき結果を示
した。また、炭酸ス；・ロンチウムの平均粒子径が小さ
くなる程、電気特性が良いことが認められるのである。
なお、本発明に従う／Ｆｌｉ ２ 、４ 、５のものは
、誘電損失の値において若干悪くなることが認められる
が、問題にしなければならない工うな数値では全くない
のである。
、誘電損失の値において若干悪くなることが認められる
が、問題にしなければならない工うな数値では全くない
のである。
第 １ 表
また、顕微鏡写真にて各磁器を詳細に観察した結果、平
均粒径の小さい炭酸ストロンチウムを用いて得らｎたチ
タン酸ストロンチウムをペースとしたもの（Ａ２ 、４
．、５ ）程、磁器の個々の結晶の大きさが均一で整然
と組み合わされ、その粒界がはつきりしているのに対し
て、炭酸ストロンチウムの平均粒径の大きいものＣａ、
１ 、８ ）では。
均粒径の小さい炭酸ストロンチウムを用いて得らｎたチ
タン酸ストロンチウムをペースとしたもの（Ａ２ 、４
．、５ ）程、磁器の個々の結晶の大きさが均一で整然
と組み合わされ、その粒界がはつきりしているのに対し
て、炭酸ストロンチウムの平均粒径の大きいものＣａ、
１ 、８ ）では。
磁器の結晶の大きさが不揃いであって、しかも粒界がは
つきりしていないことが認めら扛た。
つきりしていないことが認めら扛た。
実施例 ２
実施例１で使用した５種類の粒子径のチタン酸ヌトロン
チウムについて、中高圧用磁器コンデンサに応用した結
果について述べる。
チウムについて、中高圧用磁器コンデンサに応用した結
果について述べる。
この５種類の各チタン酸ヌトロンチウム４７５％ト、チ
タン酸カルシウム（ＣａＴ１０３）１００％、チタン酸
鉛（ＰＩ）Ｔ ｉ（ｈ＋ ） １８．５％、チタン酸ビ
ヌマヌ（Ｈｉ２’ｌ’１ａＯｏ ） ２９．０％をそ
れぞれ常法に従って５ｉＬ合後乾燥し、バインダー？添
加して頚粒を作り、直径１６ｍ／ｍ、厚さ１ ｍ１ｍ
（成型圧力１０００ Ｋｇ／ｃｄ ）の円板状の成形物
と為した後。
タン酸カルシウム（ＣａＴ１０３）１００％、チタン酸
鉛（ＰＩ）Ｔ ｉ（ｈ＋ ） １８．５％、チタン酸ビ
ヌマヌ（Ｈｉ２’ｌ’１ａＯｏ ） ２９．０％をそ
れぞれ常法に従って５ｉＬ合後乾燥し、バインダー？添
加して頚粒を作り、直径１６ｍ／ｍ、厚さ１ ｍ１ｍ
（成型圧力１０００ Ｋｇ／ｃｄ ）の円板状の成形物
と為した後。
１２５０”ＣＸ８時間で焼成して磁器化せしめ１両面に
銀電極を焼き付け、５種類の資料を得た。得ら扛た各磁
器の電気特性を第２表に示す。
銀電極を焼き付け、５種類の資料を得た。得ら扛た各磁
器の電気特性を第２表に示す。
なお、第１表と第２表の試料番号が同一のものはそｎぞ
ｎ同一のチタン酸ストロンチウムヲ使用したものである
。又、第１表、第２表共各電気測定値は銀電極焼付は後
、３０００時間経過した時の数値を示す。
ｎ同一のチタン酸ストロンチウムヲ使用したものである
。又、第１表、第２表共各電気測定値は銀電極焼付は後
、３０００時間経過した時の数値を示す。
第 ２ 表
Ａｌ １６０００．１ ’＋１５−１８ ）８Ａ２
２８００ ０．２ モ ７−１０
／／／Ｐａ８ １８００ ０．１
モ１７−１８ ／／／Ｉ’ａ ４ １９０
０ ０゜１ モ ８ −１４
／／庖５ ２０５０ ０．２ ＋１０ −１８
／／第２表から明らかなように１本発明に従う
属２゜４．５の磁器が誘電率、変化率において優れた結
果を示した。
２８００ ０．２ モ ７−１０
／／／Ｐａ８ １８００ ０．１
モ１７−１８ ／／／Ｉ’ａ ４ １９０
０ ０゜１ モ ８ −１４
／／庖５ ２０５０ ０．２ ＋１０ −１８
／／第２表から明らかなように１本発明に従う
属２゜４．５の磁器が誘電率、変化率において優れた結
果を示した。
出願人 共立窯業原料株式会社
Claims (1)
- 炭酸ストロンチウムと酸化チタンとからチタン酸ストロ
ンチツム金製道するにあたり、該炭酸ストロンチウムと
して、平均粒径がｏ、 ｓ ｔｔ以下のものを用いるこ
とを特徴とするチタン酸ストロンチウムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16136681A JPS5864218A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | チタン酸ストロンチウムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16136681A JPS5864218A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | チタン酸ストロンチウムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5864218A true JPS5864218A (ja) | 1983-04-16 |
| JPH025687B2 JPH025687B2 (ja) | 1990-02-05 |
Family
ID=15733714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16136681A Granted JPS5864218A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | チタン酸ストロンチウムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5864218A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61146709A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-04 | Asahi Chem Ind Co Ltd | チタン酸ストロンチウム粉末 |
| CN109942018A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-28 | 东北大学秦皇岛分校 | 一种纳米级钛酸锶粉末的制备方法 |
-
1981
- 1981-10-09 JP JP16136681A patent/JPS5864218A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61146709A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-04 | Asahi Chem Ind Co Ltd | チタン酸ストロンチウム粉末 |
| JPH0240002B2 (ja) * | 1984-12-17 | 1990-09-10 | Asahi Chemical Ind | |
| CN109942018A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-28 | 东北大学秦皇岛分校 | 一种纳米级钛酸锶粉末的制备方法 |
| CN109942018B (zh) * | 2019-02-28 | 2021-07-23 | 东北大学秦皇岛分校 | 一种纳米级钛酸锶粉末的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH025687B2 (ja) | 1990-02-05 |
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