JPH0459617A - 誘電体磁器組成物の製造方法 - Google Patents
誘電体磁器組成物の製造方法Info
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- JPH0459617A JPH0459617A JP2169132A JP16913290A JPH0459617A JP H0459617 A JPH0459617 A JP H0459617A JP 2169132 A JP2169132 A JP 2169132A JP 16913290 A JP16913290 A JP 16913290A JP H0459617 A JPH0459617 A JP H0459617A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 10
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 6
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 6
- DJZHPOJZOWHJPP-UHFFFAOYSA-N magnesium;dioxido(dioxo)tungsten Chemical compound [Mg+2].[O-][W]([O-])(=O)=O DJZHPOJZOWHJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000010303 mechanochemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- FKSZLDCMQZJMFN-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Pb] Chemical compound [Mg].[Pb] FKSZLDCMQZJMFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 abstract description 7
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 235000012254 magnesium hydroxide Nutrition 0.000 abstract 2
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017672 MgWO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 1
- NKTZYSOLHFIEMF-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)tungsten;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][W]([O-])(=O)=O NKTZYSOLHFIEMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は誘電体磁器組成物の製造方法に関し、特にセラ
ミックコンデンサに使用するセラミック粉末の製造方法
に関する。
ミックコンデンサに使用するセラミック粉末の製造方法
に関する。
従来積層セラミックコンデンサに用いられるセラミック
混合粉末は原材料となる金属酸化物と純水をボールミル
に入れ、粉砕と混合を行なった後に回収し、予焼を行な
う。この予焼したセラミック混合体と純水を再度ホール
ミルに入れ、目的の粒度まて粉砕した後に回収し、乾燥
してセラミック粉末として使用していた。
混合粉末は原材料となる金属酸化物と純水をボールミル
に入れ、粉砕と混合を行なった後に回収し、予焼を行な
う。この予焼したセラミック混合体と純水を再度ホール
ミルに入れ、目的の粒度まて粉砕した後に回収し、乾燥
してセラミック粉末として使用していた。
上述した従来のセラミック混合粉末製造方法ではマグネ
シウム・タングステン酸鉛を合成するために原材料とし
て酸化マグネシウム（ＭｇＯ）三酸化タングステン＜Ｗ
Ｏ３）、酸化鉛（Ｐ ｂ Ｏ）を用いて行なっている。
シウム・タングステン酸鉛を合成するために原材料とし
て酸化マグネシウム（ＭｇＯ）三酸化タングステン＜Ｗ
Ｏ３）、酸化鉛（Ｐ ｂ Ｏ）を用いて行なっている。
しかし酸化マグネシウムは精錬時の焼成条件等で粒径１
反応性が著しく異なる。酸化マグネシウムの反応性が悪
い場合には酸化鉛と酸化タングステンが液相を生成して
組成ズレを生じるために焼結体の誘電率の低下、誘電率
の温度特性の変化が不安定になるという欠点がある。
反応性が著しく異なる。酸化マグネシウムの反応性が悪
い場合には酸化鉛と酸化タングステンが液相を生成して
組成ズレを生じるために焼結体の誘電率の低下、誘電率
の温度特性の変化が不安定になるという欠点がある。
本発明の目的は、焼結体の誘電率の低下、誘電率の温度
特性の変化が不安定になることなく、安定した電気特性
が得られる誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること
にある。
特性の変化が不安定になることなく、安定した電気特性
が得られる誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること
にある。
本発明の誘電体磁器生成物の製造方法はマグネシウム・
タングステン酸鉛〔Ｐｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ！／２ ） ０
３ 〕を成分として有する鉛系複合ペロブスカイト構造
組成物の製造において、水酸化マグネシウムと酸化タン
グステンを用いて原料の湿式混合時にメカノケミカル反
応によりタングステン酸マグネシウム［：ＭｇＷ○４〕
を生成させるという特徴を有している。
タングステン酸鉛〔Ｐｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ！／２ ） ０
３ 〕を成分として有する鉛系複合ペロブスカイト構造
組成物の製造において、水酸化マグネシウムと酸化タン
グステンを用いて原料の湿式混合時にメカノケミカル反
応によりタングステン酸マグネシウム［：ＭｇＷ○４〕
を生成させるという特徴を有している。
次に本発明をデータを用いて説明する。第１図はＰｂＭ
ｇ＋ｙ□Ｗ１／２０３を合成するために出発原材料を変
えることでどう反応が変わるかを示差熱分析装置（理学
電機製）を用いて、サンプル５０ｍｇを１０°Ｃ／ｍｉ
ｎの昇温レートにて分析した結果である６ （ａ）は一
般的な原材料である２ＰｂＯ−’−，ＭｇＯ＋Ｗ○３、
（ｂ）は液相を生成するＰｂ２ＷＯ５を含んだＰｂ２Ｗ
○５＋Ｍｇ○、（ｃ）は本発明の２ Ｐ ｂ Ｏ＋ Ｍ
ｇ （ＯＨ） ２ ＋Ｗ○３をボールミルを用いて２
０時間混合を行なったものである。（ａ）が７３０°Ｃ
でＰｂＷＯ４、（ａ）と（ｂ）が９３５°ＣでＰｂ２Ｗ
○、の液相と生成しているのに比べ、（ｃ）は８００°
Ｃの付近てＰｂ２ＭｇＷＯ６を生成している。これはボ
ールミル混合中にボールミルの機械的衝撃によりＭ ｇ
（ＯＨ） ２ ＋ｗｏ３→ＭｇＷ○４・Ｈ２Ｏの反応
が起こり、昇温過程でＭ ｇ Ｗ Ｏ４・Ｈ２Ｏ−Ｍｇ
ＷＯ４＋Ｈ２０となり、８００℃付近て２ＰｂＯ＋Ｍｇ
ＷＯ４→Ｐｂ２ＭｇＷ○６の反応が起こっていることか
わかる。
ｇ＋ｙ□Ｗ１／２０３を合成するために出発原材料を変
えることでどう反応が変わるかを示差熱分析装置（理学
電機製）を用いて、サンプル５０ｍｇを１０°Ｃ／ｍｉ
ｎの昇温レートにて分析した結果である６ （ａ）は一
般的な原材料である２ＰｂＯ−’−，ＭｇＯ＋Ｗ○３、
（ｂ）は液相を生成するＰｂ２ＷＯ５を含んだＰｂ２Ｗ
○５＋Ｍｇ○、（ｃ）は本発明の２ Ｐ ｂ Ｏ＋ Ｍ
ｇ （ＯＨ） ２ ＋Ｗ○３をボールミルを用いて２
０時間混合を行なったものである。（ａ）が７３０°Ｃ
でＰｂＷＯ４、（ａ）と（ｂ）が９３５°ＣでＰｂ２Ｗ
○、の液相と生成しているのに比べ、（ｃ）は８００°
Ｃの付近てＰｂ２ＭｇＷＯ６を生成している。これはボ
ールミル混合中にボールミルの機械的衝撃によりＭ ｇ
（ＯＨ） ２ ＋ｗｏ３→ＭｇＷ○４・Ｈ２Ｏの反応
が起こり、昇温過程でＭ ｇ Ｗ Ｏ４・Ｈ２Ｏ−Ｍｇ
ＷＯ４＋Ｈ２０となり、８００℃付近て２ＰｂＯ＋Ｍｇ
ＷＯ４→Ｐｂ２ＭｇＷ○６の反応が起こっていることか
わかる。
以上説明したように本発明はマグネシウム・タングステ
ン酸鉛を成分として有する鉛系複合ペロブスカイト構造
組成物の製造時に原料として酸化タングステンと水酸化
マグネシウムを用いることで混合時にメカノケミカル反
応にてタングステン酸マグネシウム［ＭｇＷ○４〕を生
成することて、誘電率の低下１組成ズレの原因となるＰ
ｂ２Ｗ○５の生成をおさえ、安定した電気特性を得られ
るという効果がある。
ン酸鉛を成分として有する鉛系複合ペロブスカイト構造
組成物の製造時に原料として酸化タングステンと水酸化
マグネシウムを用いることで混合時にメカノケミカル反
応にてタングステン酸マグネシウム［ＭｇＷ○４〕を生
成することて、誘電率の低下１組成ズレの原因となるＰ
ｂ２Ｗ○５の生成をおさえ、安定した電気特性を得られ
るという効果がある。
第１図は本発明の酸化タングステンと水酸化マグネシウ
ムを原料とした場合と従来の酸化タングステンと酸化タ
マグネシウムを原料とした場合の混合物の示差熱分析の
結果を示す図である。 なお、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のそれぞれの原料組成は
以下のとおりである。 （ａ）：２ＰｂＯ＋ＭｇＯ＋Ｗ○３ （ｂ）：Ｐｂ２ＷＯ５＋Ｍｇ○
ムを原料とした場合と従来の酸化タングステンと酸化タ
マグネシウムを原料とした場合の混合物の示差熱分析の
結果を示す図である。 なお、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のそれぞれの原料組成は
以下のとおりである。 （ａ）：２ＰｂＯ＋ＭｇＯ＋Ｗ○３ （ｂ）：Ｐｂ２ＷＯ５＋Ｍｇ○
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マグネシウム・タングステン酸鉛〔Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿
／＿２Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３〕を成分として有する鉛
系複合ペロブスカイト構造組成物の製造において、水酸
化マグネシウムと酸化タングステンを用いて原料の湿式
混合時にメカノケミカル反応によりタングステン酸マグ
ネシウム〔ＭｇＷＯ＿４〕を生成させることを特徴とす
る誘電体磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2169132A JPH0459617A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2169132A JPH0459617A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0459617A true JPH0459617A (ja) | 1992-02-26 |
Family
ID=15880877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2169132A Pending JPH0459617A (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0459617A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1054829C (zh) * | 1994-06-03 | 2000-07-26 | H·C·施塔克公司 | 纯相结晶金属钨酸盐的制备方法 |
| US10170904B2 (en) | 2013-04-02 | 2019-01-01 | Pivot Electronics Pty Ltd | Surge reduction filter |
-
1990
- 1990-06-27 JP JP2169132A patent/JPH0459617A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1054829C (zh) * | 1994-06-03 | 2000-07-26 | H·C·施塔克公司 | 纯相结晶金属钨酸盐的制备方法 |
| US10170904B2 (en) | 2013-04-02 | 2019-01-01 | Pivot Electronics Pty Ltd | Surge reduction filter |
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