JPS59174528A - スズ酸バリウム微粒子の製造方法 - Google Patents
スズ酸バリウム微粒子の製造方法Info
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- JPS59174528A JPS59174528A JP4976583A JP4976583A JPS59174528A JP S59174528 A JPS59174528 A JP S59174528A JP 4976583 A JP4976583 A JP 4976583A JP 4976583 A JP4976583 A JP 4976583A JP S59174528 A JPS59174528 A JP S59174528A
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- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、誘電体材料の１種であるスズ酸バリウムＢａ
ＳｎＯ３微粒子の製造方法忙関する。
ＳｎＯ３微粒子の製造方法忙関する。
近年、誘電体材料を微粒子化するための製造方法が種々
の角度から研究されているが、その微粒子化した誘電体
材料の用途の一つとしてセラミックコンデンサへの応用
がある。電子製品の小型化、高密度化に伴い、コンデン
サについても他の電子部品と同様に小形、軽量にし、更
に大容量化、高周波化が要求されている。このため、セ
ラミックコンデンサにおいては、セラミック層の厚みを
薄く、゛均一にするため釦も誘電体材料の微粒子化が必
要となる。また、従来焼結性、温度特性等を改善する目
的から熱処理の際、例えば酸化鉛ＰｂＯを添加していた
が、この熱処理の際酸化鉛の一部が蒸発して均一な特性
を有するコンデンサが得られないという問題点があった
。従って、焼結温度を低くして酸化鉛の蒸発を防ぎ、特
性の均一なコンデンサを得るためにも誘電体材料の微粒
子化が望まれる。
の角度から研究されているが、その微粒子化した誘電体
材料の用途の一つとしてセラミックコンデンサへの応用
がある。電子製品の小型化、高密度化に伴い、コンデン
サについても他の電子部品と同様に小形、軽量にし、更
に大容量化、高周波化が要求されている。このため、セ
ラミックコンデンサにおいては、セラミック層の厚みを
薄く、゛均一にするため釦も誘電体材料の微粒子化が必
要となる。また、従来焼結性、温度特性等を改善する目
的から熱処理の際、例えば酸化鉛ＰｂＯを添加していた
が、この熱処理の際酸化鉛の一部が蒸発して均一な特性
を有するコンデンサが得られないという問題点があった
。従って、焼結温度を低くして酸化鉛の蒸発を防ぎ、特
性の均一なコンデンサを得るためにも誘電体材料の微粒
子化が望まれる。
この他、電歪材料、圧電材料、透明セラミック材料等の
原料としても、焼結性、温度特性を改善する上から、粒
子径が小さく、均一なものが期待されている。
原料としても、焼結性、温度特性を改善する上から、粒
子径が小さく、均一なものが期待されている。
このような誘電体材料の一つとしてスズ酸・クリラムＢ
ａＳｎＯ３があシ、この微粒子を製造するための方法と
して、従来炭酸バリウムＢａＣＯ３と酸化スズ５ｎ０２
とをボールミル中で粉砕、混合し、更にブレスし、これ
を１３００〜１４００℃の高温度で固相反応させた後、
ゾールミル等を使用して微粉砕し、篩分けすることによ
シ製造する方法があった。しかしこの製法による場合、
ぎ−ルミルでの微粉砕は長時間を要すること、金属酸化
物等の不純物の混人があること、粒度分布が悪い上に、
粗大粒子の混入が避けられない等の欠点があった。
ａＳｎＯ３があシ、この微粒子を製造するための方法と
して、従来炭酸バリウムＢａＣＯ３と酸化スズ５ｎ０２
とをボールミル中で粉砕、混合し、更にブレスし、これ
を１３００〜１４００℃の高温度で固相反応させた後、
ゾールミル等を使用して微粉砕し、篩分けすることによ
シ製造する方法があった。しかしこの製法による場合、
ぎ−ルミルでの微粉砕は長時間を要すること、金属酸化
物等の不純物の混人があること、粒度分布が悪い上に、
粗大粒子の混入が避けられない等の欠点があった。
また、最近、金属アルコキシドを利用してスズ酸バリウ
ムを湿式合成する方法が開発されている。
ムを湿式合成する方法が開発されている。
しかし、この方法では製造コストが高く、実用化が阻ま
れていた。
れていた。
本発明は、上述のような問題点を解決することができる
、均一で高活性度のスズ酸バリウム微粒子の製造方法を
提供するものである。
、均一で高活性度のスズ酸バリウム微粒子の製造方法を
提供するものである。
本発明は、Ｓｎ化合物の加水分解生成物もしくは可溶性
Ｓｎ酸塩と水溶性Ｂａ塩とを強アルカリ水溶液中で反応
させ、生成した沈殿を水又は温水で洗浄してＫ” 、
Ｎａ＋、 Ｌけ等のアルカリイオンを除去し、濾過、水
洗、乾燥させることによｐ Ｂａ５ｎ（ＯＨ）６微粒子
を得る。次いで、このＢａ８ｎ（ＯＨ）６微粒子を３０
０℃以上の温度で熱処理して脱水してＢａＳｎＯ３微粒
子を得る。
Ｓｎ酸塩と水溶性Ｂａ塩とを強アルカリ水溶液中で反応
させ、生成した沈殿を水又は温水で洗浄してＫ” 、
Ｎａ＋、 Ｌけ等のアルカリイオンを除去し、濾過、水
洗、乾燥させることによｐ Ｂａ５ｎ（ＯＨ）６微粒子
を得る。次いで、このＢａ８ｎ（ＯＨ）６微粒子を３０
０℃以上の温度で熱処理して脱水してＢａＳｎＯ３微粒
子を得る。
ことで、Ｓｎ化合物としては、例えば塩化スズＦ３ｎＣ
１４、硝酸スズ８ｎ（Ｎ０３）４、硫酸スズ８ｎ（８０
４）２．５ｎ（８０４）２・２Ｈ２０を使用することが
できる。
１４、硝酸スズ８ｎ（Ｎ０３）４、硫酸スズ８ｎ（８０
４）２．５ｎ（８０４）２・２Ｈ２０を使用することが
できる。
塩化スズ、硝酸スズの加水分解生成物を得る場合は、そ
のスズ化合物を水に溶解させた後、ＮＨ４（）１、Ｌｉ
ＯＨ、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等で加水分解させればよい。
のスズ化合物を水に溶解させた後、ＮＨ４（）１、Ｌｉ
ＯＨ、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等で加水分解させればよい。
また、スズ化合物が硫酸スズの場合には、水に溶解し、
ＮＨ４ＯＨ、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｌ ｉＯＨ等で加水分
解させた後、硫酸根ＳＯ４を除去するためにデカンテー
ション、濾過、水洗等の処理を行う必要がある。
ＮＨ４ＯＨ、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、Ｌ ｉＯＨ等で加水分
解させた後、硫酸根ＳＯ４を除去するためにデカンテー
ション、濾過、水洗等の処理を行う必要がある。
可溶性Ｓｎ酸塩としては、ヘキサヒドロオキソスズ酸ナ
トリウムＮａ ２ （Ｓｎ （ＯＨ）ａ ） 、ヘキサ
ヒドロオキソスズ酸カリウムＫｚ［５ｎ（ＯＨ）ｓ）等
のへキサヒドロオキソスズ酸塩を使用することができる
。
トリウムＮａ ２ （Ｓｎ （ＯＨ）ａ ） 、ヘキサ
ヒドロオキソスズ酸カリウムＫｚ［５ｎ（ＯＨ）ｓ）等
のへキサヒドロオキソスズ酸塩を使用することができる
。
水溶性Ｂａ塩としては、酸化バリウムＢａＯ１水酸化バ
リウムＢａ（ＯＨ）２、Ｂａ （ＯＨ）２ ・８Ｈ２０
、塩化バリウムＢａＣｌ２、ＢａＣｌ２・２Ｈ２０、硝
酸パリウＡ Ｂａ（ＮＯ３）２、酢酸バリウムＢａ （
ＣＨ３αη）２・Ｎ２０等を使用することができる。
リウムＢａ（ＯＨ）２、Ｂａ （ＯＨ）２ ・８Ｈ２０
、塩化バリウムＢａＣｌ２、ＢａＣｌ２・２Ｈ２０、硝
酸パリウＡ Ｂａ（ＮＯ３）２、酢酸バリウムＢａ （
ＣＨ３αη）２・Ｎ２０等を使用することができる。
Ｂａ５ｎ（ＯＨ）ｓを合成する際の反応条件として、強
アルカリ水溶液の−は１３．０以上、好ましくは１３．
２以上とする。反応温度は８０℃以上、好ましくは９０
℃以上とする。Ｂａ 、！： Ｓｎのモル比（Ｂａ ／
Ｓｎ ）は０．１から１６の範囲、好ましくは０．３
から２．０の範囲とする。反応時間は６分以上、好まし
くは３０分以上とする。
アルカリ水溶液の−は１３．０以上、好ましくは１３．
２以上とする。反応温度は８０℃以上、好ましくは９０
℃以上とする。Ｂａ 、！： Ｓｎのモル比（Ｂａ ／
Ｓｎ ）は０．１から１６の範囲、好ましくは０．３
から２．０の範囲とする。反応時間は６分以上、好まし
くは３０分以上とする。
Ｂａ５ｎ（ＯＨ）６を脱水してＢａ８ｎ０３にするため
の熱処理温度は、２５０℃以上、好ましくは３００℃以
上とする。
の熱処理温度は、２５０℃以上、好ましくは３００℃以
上とする。
上述した通シ、本発明は、湿式合成法によりＢａ８ｎ（
ＯＨ）６を析出させ、更に熱処理によって脱水してＢａ
ＳｎＯ３微粒子を製造す金力法であるため、粒子サイズ
が微小で均一、且つ高活性度のＢａＳｎＯ３微粒子を得
ることができ、微粒子のＢａ／Ｓｎの組成比も正確に１
に保たれる。また、従来のように？−ルミル等を使用し
て機械的に微粒子化する製造方法とは異るので、金属酸
化物等の不純物の混入の虞がない。
ＯＨ）６を析出させ、更に熱処理によって脱水してＢａ
ＳｎＯ３微粒子を製造す金力法であるため、粒子サイズ
が微小で均一、且つ高活性度のＢａＳｎＯ３微粒子を得
ることができ、微粒子のＢａ／Ｓｎの組成比も正確に１
に保たれる。また、従来のように？−ルミル等を使用し
て機械的に微粒子化する製造方法とは異るので、金属酸
化物等の不純物の混入の虞がない。
本発明によるＢａＳｎＯ３微粒子をセラミックコンデン
サに用いるときは、低い温度で焼結させることができる
ため、ＰｂＯを均一に含有させることができ、特性のバ
ラツキをなくすることができる。また、本発明のＢａＳ
ｎＯ３微粒子は粒子サイズが微小で均一であるため、セ
ラミックコンデンサの添加物として好適であるばかシで
なく、電歪材料、圧電材料等の原料として、また透明セ
ラミック材料等への添加剤として好適である。
サに用いるときは、低い温度で焼結させることができる
ため、ＰｂＯを均一に含有させることができ、特性のバ
ラツキをなくすることができる。また、本発明のＢａＳ
ｎＯ３微粒子は粒子サイズが微小で均一であるため、セ
ラミックコンデンサの添加物として好適であるばかシで
なく、電歪材料、圧電材料等の原料として、また透明セ
ラミック材料等への添加剤として好適である。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
実施例１
５０ｇの塩化スズ８ｎＣ１４を氷水１００ｄ中ＶＣ２〜
３分かけて滴下して塩化スズ水溶液をつくる。この溶液
に２００．１ｉＩ／ｌ （７）ＫＯＨ溶液を約２００ａ
／加、ｔ、更ＫＫＯＨ溶液でＰＨ７とし、水を加えて５
００ ｍにする。
３分かけて滴下して塩化スズ水溶液をつくる。この溶液
に２００．１ｉＩ／ｌ （７）ＫＯＨ溶液を約２００ａ
／加、ｔ、更ＫＫＯＨ溶液でＰＨ７とし、水を加えて５
００ ｍにする。
この５００ ｍｊの懸濁液から５０−を採取し、この中
に硝酸ハＡノウＡ Ｂａ（ＮＯａ）２を５．０２９溶解
し、ＫＯＨ溶液でｐＨ１３，５とし、更に水を加えて１
００−にする。この溶液を１００℃で６時間反応させる
。反応波生成した白色沈殿をデカンテーションによシ水
洗してアルカリイオン等の不純物を除去し、更に濾過、
水洗した後、９０℃で１昼夜乾燥させる。
に硝酸ハＡノウＡ Ｂａ（ＮＯａ）２を５．０２９溶解
し、ＫＯＨ溶液でｐＨ１３，５とし、更に水を加えて１
００−にする。この溶液を１００℃で６時間反応させる
。反応波生成した白色沈殿をデカンテーションによシ水
洗してアルカリイオン等の不純物を除去し、更に濾過、
水洗した後、９０℃で１昼夜乾燥させる。
上記操作によシ得られた物質を、Ｘ線回折（銅ターダッ
ト、ニッケルフィルタ）によシ分析した結果を第１図に
示す。ＡＳＴＭカードによると、この物質は９−５３の
回折パターンと一致しておシ、Ｂａ５ｎ（ＯＨ）６ テ
あることが確認できた。このＢａ８ｎ（Ｇ（）６微粒子
の走査型電子顕微鏡写真を第５図に示す。
ト、ニッケルフィルタ）によシ分析した結果を第１図に
示す。ＡＳＴＭカードによると、この物質は９−５３の
回折パターンと一致しておシ、Ｂａ５ｎ（ＯＨ）６ テ
あることが確認できた。このＢａ８ｎ（Ｇ（）６微粒子
の走査型電子顕微鏡写真を第５図に示す。
次にこのＢａ５ｎ（ＯＨ）６を６００℃で２時間熱処理
して得られた物質のＸ線回折パターンを第４図に示す。
して得られた物質のＸ線回折パターンを第４図に示す。
この回折パターンはＡＳＴＭカードの１５−７８０と一
致しておシ、この微粒子は立方晶系ペロブスカイト相の
１３ａ８ｎ０３であった。このＢａＳｎＯ３微粒子の透
過型電子顕微鏡写真を第６図に示す。
致しておシ、この微粒子は立方晶系ペロブスカイト相の
１３ａ８ｎ０３であった。このＢａＳｎＯ３微粒子の透
過型電子顕微鏡写真を第６図に示す。
実施例２
５０Ｉ！の塩化スズ５ｎＣｔ４を氷水１００＊／に２〜
３分かけて滴下して塩化スズ水溶液をつくる。この溶液
に２００ ｇ／ｌのＫＯＨ溶液を約２００４加えて白色
懸濁液をつ〈シ、更に■溶液でｐＨ７とした後、水を加
えて５００ ｍｌにする。この溶液から５９ｍ／を採取
し、水酸化バリウムＢａ （ＯＨ）２ ・８Ｈ２０を６
．０６ｇ加え、ＫＯＨ溶液でｐＨ１３，８とし、更に水
を加えて１０（１／にする。この溶液をマグネチツクス
ターラで攪拌しながら１００℃で７時間反応させる。反
応後生成した白色沈殿にデカンテーションを繰シ返して
アルカリイオン等の不純物を除去し、更に濾過、水洗の
後、９０℃で１昼夜乾燥させる。
３分かけて滴下して塩化スズ水溶液をつくる。この溶液
に２００ ｇ／ｌのＫＯＨ溶液を約２００４加えて白色
懸濁液をつ〈シ、更に■溶液でｐＨ７とした後、水を加
えて５００ ｍｌにする。この溶液から５９ｍ／を採取
し、水酸化バリウムＢａ （ＯＨ）２ ・８Ｈ２０を６
．０６ｇ加え、ＫＯＨ溶液でｐＨ１３，８とし、更に水
を加えて１０（１／にする。この溶液をマグネチツクス
ターラで攪拌しながら１００℃で７時間反応させる。反
応後生成した白色沈殿にデカンテーションを繰シ返して
アルカリイオン等の不純物を除去し、更に濾過、水洗の
後、９０℃で１昼夜乾燥させる。
上記操作によシ得られた物質のＸ線回折・り一ンは第１
図と全く同じであシ、この物質はＢａｒｎ （（Ｉ（）
ｓであった。また、走査型電子顕微鏡写真によれば、第
５図と略同じ形状、大きさの結晶が確認できた。
図と全く同じであシ、この物質はＢａｒｎ （（Ｉ（）
ｓであった。また、走査型電子顕微鏡写真によれば、第
５図と略同じ形状、大きさの結晶が確認できた。
次に、こＯＢａ５ｎ（ＯＨ）６を６００℃で２時間熱処
理して得られた物質のＸ線回折パターンは、第４図と全
く同一であシ、この微粒子は立方晶系ペロブスカイト相
のＢａＳｎＯ３であった。また、透過型電子顕微鏡写真
によれば、第６図と略同じ形状、大きさの結晶が確認で
きた。
理して得られた物質のＸ線回折パターンは、第４図と全
く同一であシ、この微粒子は立方晶系ペロブスカイト相
のＢａＳｎＯ３であった。また、透過型電子顕微鏡写真
によれば、第６図と略同じ形状、大きさの結晶が確認で
きた。
実施例３
５０９の塩化スズ８ｎＣｔ４を水１００フに２〜３分か
けて滴下して塩化スズ水溶液をつくる。この溶液に濃ア
ンキニア水を加えて白色懸濁液をつくり、更にアンモニ
ア水でｐＨ８とし、水を加えて５００−にする。この溶
液を５０ｗｊ採取して塩化バリウムＢａＣ２２・２Ｈ２
０を４．６８，９溶解し、ＮａＯＨ溶液でｐＨ１３，６
とし、水を加えて１００ｍ／にする。この溶液をマグネ
チツクスターラで攪拌しながら１００℃で６時間反応さ
せる。反応後生成した白色沈殿にデカンテーションを繰
シ返してアルカリイオン等の不純物を除去し、更に濾過
、水洗の後、９０℃で１昼夜乾燥させる。
けて滴下して塩化スズ水溶液をつくる。この溶液に濃ア
ンキニア水を加えて白色懸濁液をつくり、更にアンモニ
ア水でｐＨ８とし、水を加えて５００−にする。この溶
液を５０ｗｊ採取して塩化バリウムＢａＣ２２・２Ｈ２
０を４．６８，９溶解し、ＮａＯＨ溶液でｐＨ１３，６
とし、水を加えて１００ｍ／にする。この溶液をマグネ
チツクスターラで攪拌しながら１００℃で６時間反応さ
せる。反応後生成した白色沈殿にデカンテーションを繰
シ返してアルカリイオン等の不純物を除去し、更に濾過
、水洗の後、９０℃で１昼夜乾燥させる。
上記操作により ｔｖられた物質のＸ線回折・母ターン
は第１図と全く同じであシ、この物質はＢａ５ｎ（ＯＨ
）ｓであった。また、走査型電子顕微鏡写真によれば、
第５図と略同じ形状、大きさの結晶が確認できた。
は第１図と全く同じであシ、この物質はＢａ５ｎ（ＯＨ
）ｓであった。また、走査型電子顕微鏡写真によれば、
第５図と略同じ形状、大きさの結晶が確認できた。
次に、このＢａＳｎ （ＯＨ）６を６００ ℃で２時間
熱処理して得られた物質のＸ線回折パターンは、第４図
と全く同じであシ、この微粒子は立方晶系ペロブスカイ
ト相のＢａ８ｎ０３であった。また、この透過型電子顕
微鏡写真によれば、第６図と略同じ形状、大きさの結晶
が確認できた。
熱処理して得られた物質のＸ線回折パターンは、第４図
と全く同じであシ、この微粒子は立方晶系ペロブスカイ
ト相のＢａ８ｎ０３であった。また、この透過型電子顕
微鏡写真によれば、第６図と略同じ形状、大きさの結晶
が確認できた。
実施例４
スズ酸ナトリウムＮａ２（Ｓｎ（α（）、） ５．３３
４ 、！ｉＦ ト水酸化バリウムＢａ （ＯＨ）２ ・
８Ｈ２０６，３１Ｊｉ’を７ｏＷｔｌの水に溶解し、Ｎ
ａＯＨ溶液でｐ）（１３，８とし、更に水を加えて１０
０ｄにする。この溶液をマグネチックスターラで攪拌し
ながら１００℃で７時間反応させる。反応後生成した白
色沈殿にデカンテーションを繰シ返してアルカリイオン
等の不純物を除去し、更に濾過、水洗の後、１００℃で
１昼夜乾燥させる。
４ 、！ｉＦ ト水酸化バリウムＢａ （ＯＨ）２ ・
８Ｈ２０６，３１Ｊｉ’を７ｏＷｔｌの水に溶解し、Ｎ
ａＯＨ溶液でｐ）（１３，８とし、更に水を加えて１０
０ｄにする。この溶液をマグネチックスターラで攪拌し
ながら１００℃で７時間反応させる。反応後生成した白
色沈殿にデカンテーションを繰シ返してアルカリイオン
等の不純物を除去し、更に濾過、水洗の後、１００℃で
１昼夜乾燥させる。
上記操作によシ得られた物質についてのＸ線回折・母タ
ーンは第１図と全く同じであシ、この物質はＢａ５ｎ（
ＯＨ）６であった。また走査型電子顕微鏡写真によれば
、第５図と略同じ形状、大きさの結晶が確認できた。次
にこのＢａ５ｎ（ＯＨ）６を６００１？：で２時間熱処
理して得られた物質のＸ線回折・母ターンは第４図と全
く同じであシ、この物質は立方晶系ペロブスカイト相の
Ｂａ８ｎ０３であった。また、透過型を子顕微鏡写真に
よれば、第６図と略同じ形状、大きさの結晶が確認でき
た。
ーンは第１図と全く同じであシ、この物質はＢａ５ｎ（
ＯＨ）６であった。また走査型電子顕微鏡写真によれば
、第５図と略同じ形状、大きさの結晶が確認できた。次
にこのＢａ５ｎ（ＯＨ）６を６００１？：で２時間熱処
理して得られた物質のＸ線回折・母ターンは第４図と全
く同じであシ、この物質は立方晶系ペロブスカイト相の
Ｂａ８ｎ０３であった。また、透過型を子顕微鏡写真に
よれば、第６図と略同じ形状、大きさの結晶が確認でき
た。
Ｂａｒｎ （ＯＨ） ６の熱処理温度を変えて結晶構造
を解析したところ（処理時間は２時間）、２ｏｏ℃では
Ｂａ８ｎ（ＯＨ）６．３００℃以上では脱水されて立方
晶系４０ブスカイト相のＢａＳｎＯ３となシ、格子定数
ａｏは４００℃では４．１２４Ｘ、 ６００℃テｉｄ
４．１２０ Ｋ、 ８００ ’Ｃ及び１０００℃では
４．１１８ Ｋ、 １２００℃では４．１１６ Ｘで
あった。３００℃で熱処理した際のＸ線回折・母ターン
は第２図に示す通シであシ、これはＡＳＴＭカードの１
５−７８０に一致していた。この回折／４ターンから、
Ｂａｒｎ （ＯＨ）６の回折ピークがガくなり、立方晶
系ペロブスカイト相のＢａ Ｓｎ０３に相当する回折ピ
ークが出始めていることがわかる。また、３５０℃で熱
処理した際のＸａ回折ノ卆ターンは第３図に示す通シで
あシ、立方晶系ペロブスカイト相のＢａ８ｎ０３に相当
する回折−一りが強くなってくる。６００℃で熱処理し
た際のＸ線回折Ａ？ターンは第４図に示す通シであシ、
立方晶系ペロブスカイト相のＢａＳｎＯ３に相当する回
折ピークが更に強く々る。このように、熱処理温度が３
５０℃より高くなるに従ってピークが高くなシ、半値幅
は小さくなる。なお、第２図における各ピーク値は、第
３図及び第４図のピーク値よ）相対的に大きくとっであ
る。
を解析したところ（処理時間は２時間）、２ｏｏ℃では
Ｂａ８ｎ（ＯＨ）６．３００℃以上では脱水されて立方
晶系４０ブスカイト相のＢａＳｎＯ３となシ、格子定数
ａｏは４００℃では４．１２４Ｘ、 ６００℃テｉｄ
４．１２０ Ｋ、 ８００ ’Ｃ及び１０００℃では
４．１１８ Ｋ、 １２００℃では４．１１６ Ｘで
あった。３００℃で熱処理した際のＸ線回折・母ターン
は第２図に示す通シであシ、これはＡＳＴＭカードの１
５−７８０に一致していた。この回折／４ターンから、
Ｂａｒｎ （ＯＨ）６の回折ピークがガくなり、立方晶
系ペロブスカイト相のＢａ Ｓｎ０３に相当する回折ピ
ークが出始めていることがわかる。また、３５０℃で熱
処理した際のＸａ回折ノ卆ターンは第３図に示す通シで
あシ、立方晶系ペロブスカイト相のＢａ８ｎ０３に相当
する回折−一りが強くなってくる。６００℃で熱処理し
た際のＸ線回折Ａ？ターンは第４図に示す通シであシ、
立方晶系ペロブスカイト相のＢａＳｎＯ３に相当する回
折ピークが更に強く々る。このように、熱処理温度が３
５０℃より高くなるに従ってピークが高くなシ、半値幅
は小さくなる。なお、第２図における各ピーク値は、第
３図及び第４図のピーク値よ）相対的に大きくとっであ
る。
第７図は、Ｂａ５ｎ（ＯＨ）６生成量の声依存性を調べ
たグラフであシ、−が１３．０から生成量が増加１７．
１３．０と１４．０の略中央でピークに達する。このグ
ラフから−は１３．０以上、好ましくは１３．２以上で
反応させるのが良い。反応条件は、Ｂａ／５ｎ＝１．０
５．１００℃、６時間である。なお１、グラフ縦軸の生
成量は、Ｘ線回折ピークの面積から求めた値であり、最
大量を１．００とした場合の相対値である。
たグラフであシ、−が１３．０から生成量が増加１７．
１３．０と１４．０の略中央でピークに達する。このグ
ラフから−は１３．０以上、好ましくは１３．２以上で
反応させるのが良い。反応条件は、Ｂａ／５ｎ＝１．０
５．１００℃、６時間である。なお１、グラフ縦軸の生
成量は、Ｘ線回折ピークの面積から求めた値であり、最
大量を１．００とした場合の相対値である。
第８図は、Ｂａ５ｎ（ＯＨ）６生成量の反応温度依存性
を示すグラフであり、８０℃以上の温度で生成量が著し
く増加する。このグラフから反応温度は８０℃以上、好
ましくは９０℃以上が良い。反応条件は、Ｂａ ／ Ｓ
ｎ ＝ １．０５、ｐｉ−１１３，８，６時間である。
を示すグラフであり、８０℃以上の温度で生成量が著し
く増加する。このグラフから反応温度は８０℃以上、好
ましくは９０℃以上が良い。反応条件は、Ｂａ ／ Ｓ
ｎ ＝ １．０５、ｐｉ−１１３，８，６時間である。
第９図は、Ｂａ５ｎ（ＯＨ）６生成量の反応時間依存性
を表すグラフであり、６分以上から生成量が漸増する。
を表すグラフであり、６分以上から生成量が漸増する。
このグラフから反応時間は６分以上、好ましくは３０分
以上であることがわかる。反応条件は、Ｂａ ／ ８ｎ
＝ １．０５、ｐＨ１３，８，６時間である。
以上であることがわかる。反応条件は、Ｂａ ／ ８ｎ
＝ １．０５、ｐＨ１３，８，６時間である。
第１０図は、Ｂａ８ｎ（ＯＨ）６生成量のＢａ／Ｓｎの
モル比依存性を示すグラフであ、！ｌ）、０．７前後で
ピークに達する。このグラフからＢａ／Ｓｎのモル比は
０．１から１６の範囲、好ましくは０．３から２．０の
範囲であルコトカワカル。反応条件は、ＰＨ１３，８，
１００℃、６時間である。
モル比依存性を示すグラフであ、！ｌ）、０．７前後で
ピークに達する。このグラフからＢａ／Ｓｎのモル比は
０．１から１６の範囲、好ましくは０．３から２．０の
範囲であルコトカワカル。反応条件は、ＰＨ１３，８，
１００℃、６時間である。
第１１図は、Ｂａ５ｎ（ＯＨ）６の示差熱分析結果を示
すグラフである。
すグラフである。
第１２図は、Ｂａ５ｎ（ＯＨ）６の熱重量分析結果を示
すグラフである。
すグラフである。
第１図〜第４図は本発明によシ合成したＢａ５ｎ（ＣＨ
）６の熱処理温度を変えて測定したＸ線回折・臂ターン
を示す図、第５図はＢａ５ｎ（ＯＨ）６微粒子の走査型
電子顕微鏡写真、第６図はＢａＳｎＯ３微粒子の透過型
電子顕微鏡写真、第７図はＢａ５ｎ（ＯＨ）６生成量の
一依存性を示す特性図、第８図はＢａｒｎ （ＯＨ）６
生成量の反応温度依存性を示す特性図、第９図はＢａ５
ｎ（ＯＨ）６生成量□の反応時間依存性を示す特性図、
第１０図はＢａ８ｎ（ＯＨ）ｓ生成量のＢａ ／ Ｓｎ
のモル比依存性を示す特性図、第１１図及び第１２図は
夫、Ｊ、 Ｂａ５ｎ（ＯＨ）６Ｏ示差熱分析及び熱重量
分析の結果を示す図である。 同 松隈秀盛４、廃 一１′。 第１図 Ｚθ 第２１″ＡＩ ３００℃（Ｉｔの
（Ｚ（ＪＯ） （２／／） （２’１Ｏ）Ｚθ 第３図 第５図 ×９θθθ ’ｙ’ｌ’ｌＧ図 Ｘ２θθθ第７
図 第９１ 第１０図 Ｂａ１５ｎ ａｎ ｅｐｔａｌし ｆＨ１３−Ｂ
、／θθ９Ｃ夕 θｈト第１１図 督 第１２図 峯７ｋ（−ｃ＞ ’ 手続補正書 １、事件の表示 昭和５８年特許願第 ４９７６５ 号２°発明′）′
名称 スズ酸・（リウム微粒子の製造方法３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典雄 ４、代 理 人 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号（
新宿ビル）６、補正により増加する発明の数 （１） 明細書中、第６頁１４行「でｐＨ１３，５と
し、更に水を加えてｘｏｏｍｊｌにする。」を「と水を
加えてｐＨを１３．５、全容量を１００ｍｊ！にする。 Ｊと補正する。 （２） 同、第７頁１８行「ＫＱＨ溶液でＰＨ１３，
８とし、更に水を加えて１００ｍＱＪをｒ ＫＯＨ溶液
と水を加えてｐＨを１３．８、全容量を１００ｍｇＪと
補正する。 （３）同、第８頁２０行〜第９頁１行「ＮａＯＨ溶液で
ｐＨ１３，６トＬ、水を加え”Ｃ１００ｍｇにする。」
を［ＮａＯＨ溶液と水を加えてｐＨを１３．６．全容量
を１００ｍｇにする。」と補正する。 （４）同、第９頁２０行〜第１Ｏ頁１行「ＮａＯＨ溶液
てｐＨｉａ、ｓとし、更に水を加えてｔｏｏｍｇにする
。」を［ＮａＯＨ溶液と水を加えてｐＨを１３．８、全
容量を１００ｍ１にする。」と補正する。 以 上 ド
）６の熱処理温度を変えて測定したＸ線回折・臂ターン
を示す図、第５図はＢａ５ｎ（ＯＨ）６微粒子の走査型
電子顕微鏡写真、第６図はＢａＳｎＯ３微粒子の透過型
電子顕微鏡写真、第７図はＢａ５ｎ（ＯＨ）６生成量の
一依存性を示す特性図、第８図はＢａｒｎ （ＯＨ）６
生成量の反応温度依存性を示す特性図、第９図はＢａ５
ｎ（ＯＨ）６生成量□の反応時間依存性を示す特性図、
第１０図はＢａ８ｎ（ＯＨ）ｓ生成量のＢａ ／ Ｓｎ
のモル比依存性を示す特性図、第１１図及び第１２図は
夫、Ｊ、 Ｂａ５ｎ（ＯＨ）６Ｏ示差熱分析及び熱重量
分析の結果を示す図である。 同 松隈秀盛４、廃 一１′。 第１図 Ｚθ 第２１″ＡＩ ３００℃（Ｉｔの
（Ｚ（ＪＯ） （２／／） （２’１Ｏ）Ｚθ 第３図 第５図 ×９θθθ ’ｙ’ｌ’ｌＧ図 Ｘ２θθθ第７
図 第９１ 第１０図 Ｂａ１５ｎ ａｎ ｅｐｔａｌし ｆＨ１３−Ｂ
、／θθ９Ｃ夕 θｈト第１１図 督 第１２図 峯７ｋ（−ｃ＞ ’ 手続補正書 １、事件の表示 昭和５８年特許願第 ４９７６５ 号２°発明′）′
名称 スズ酸・（リウム微粒子の製造方法３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称（２１
８） ソニー株式会社 代表取締役 大 賀 典雄 ４、代 理 人 東京都新宿区西新宿１丁目８番１号（
新宿ビル）６、補正により増加する発明の数 （１） 明細書中、第６頁１４行「でｐＨ１３，５と
し、更に水を加えてｘｏｏｍｊｌにする。」を「と水を
加えてｐＨを１３．５、全容量を１００ｍｊ！にする。 Ｊと補正する。 （２） 同、第７頁１８行「ＫＱＨ溶液でＰＨ１３，
８とし、更に水を加えて１００ｍＱＪをｒ ＫＯＨ溶液
と水を加えてｐＨを１３．８、全容量を１００ｍｇＪと
補正する。 （３）同、第８頁２０行〜第９頁１行「ＮａＯＨ溶液で
ｐＨ１３，６トＬ、水を加え”Ｃ１００ｍｇにする。」
を［ＮａＯＨ溶液と水を加えてｐＨを１３．６．全容量
を１００ｍｇにする。」と補正する。 （４）同、第９頁２０行〜第１Ｏ頁１行「ＮａＯＨ溶液
てｐＨｉａ、ｓとし、更に水を加えてｔｏｏｍｇにする
。」を［ＮａＯＨ溶液と水を加えてｐＨを１３．８、全
容量を１００ｍ１にする。」と補正する。 以 上 ド
Claims (1)
- スズ化合物の加水分解生成物もしくは可溶性スズ酸塩と
水溶性バリウム塩とを強アルカリ水溶液中で反応させて
Ｂａ５ｎ（ＯＨ）６を得るスズ酸バリウム微粒子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4976583A JPS59174528A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | スズ酸バリウム微粒子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4976583A JPS59174528A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | スズ酸バリウム微粒子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59174528A true JPS59174528A (ja) | 1984-10-03 |
Family
ID=12840267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4976583A Pending JPS59174528A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | スズ酸バリウム微粒子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59174528A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4911914A (en) * | 1986-09-29 | 1990-03-27 | Kazuko Satake | Method for producing an exhaust gas sensor |
| CN100378004C (zh) * | 2006-06-09 | 2008-04-02 | 云南锡业集团有限责任公司 | 锡酸钾的生产新方法 |
| KR101439835B1 (ko) * | 2012-07-11 | 2014-11-04 | 서울대학교산학협력단 | Ｓｎ 기반 삼성분계 산화물 반도체 나노 분말 제조 방법 및 제조된 분말을 이용한 광전극 제조 방법 |
| JP2020512434A (ja) * | 2017-03-20 | 2020-04-23 | シクパ ホルディング ソシエテ アノニムＳｉｃｐａ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｓａ | フォトルミネッセント鉄ドープスズ酸バリウム材料、セキュリティインク組成物及びそれらのセキュリティ特徴 |
-
1983
- 1983-03-25 JP JP4976583A patent/JPS59174528A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4911914A (en) * | 1986-09-29 | 1990-03-27 | Kazuko Satake | Method for producing an exhaust gas sensor |
| CN100378004C (zh) * | 2006-06-09 | 2008-04-02 | 云南锡业集团有限责任公司 | 锡酸钾的生产新方法 |
| KR101439835B1 (ko) * | 2012-07-11 | 2014-11-04 | 서울대학교산학협력단 | Ｓｎ 기반 삼성분계 산화물 반도체 나노 분말 제조 방법 및 제조된 분말을 이용한 광전극 제조 방법 |
| JP2020512434A (ja) * | 2017-03-20 | 2020-04-23 | シクパ ホルディング ソシエテ アノニムＳｉｃｐａ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｓａ | フォトルミネッセント鉄ドープスズ酸バリウム材料、セキュリティインク組成物及びそれらのセキュリティ特徴 |
| JP2022043125A (ja) * | 2017-03-20 | 2022-03-15 | シクパ ホルディング ソシエテ アノニム | フォトルミネッセント鉄ドープスズ酸バリウム材料、セキュリティインク組成物及びそれらのセキュリティ特徴 |
| US11352517B2 (en) | 2017-03-20 | 2022-06-07 | Sicpa Holding Sa | Photoluminescent iron-doped barium stannate material, security ink composition and security feature thereof |
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