JPS586328B2 - ハンドウタイフイルタソウチ - Google Patents

ハンドウタイフイルタソウチ

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Publication number
JPS586328B2
JPS586328B2 JP6036475A JP6036475A JPS586328B2 JP S586328 B2 JPS586328 B2 JP S586328B2 JP 6036475 A JP6036475 A JP 6036475A JP 6036475 A JP6036475 A JP 6036475A JP S586328 B2 JPS586328 B2 JP S586328B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diode
network
circuit
filter
diodes
Prior art date
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Expired
Application number
JP6036475A
Other languages
English (en)
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JPS51135342A (en
Inventor
佐々木玲一
木谷晃夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS51135342A publication Critical patent/JPS51135342A/ja
Publication of JPS586328B2 publication Critical patent/JPS586328B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/04—Frequency selective two-port networks
    • H03H11/12—Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback
    • H03H11/1213—Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback using transistor amplifiers

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  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体集積回路化したアクティブ型の半導体フ
ィルタ装置に関するものである。
第１図に従来のアクティブ・フィルタの一例を示す。
これを説明すると、入力端子１より入った信号は抵抗２
とコンデンサ亭および、抵抗４とコンデンサ５よりなる
２次の時定数回路で構成されるＲＣ回路網を経て次段の
トランジスタ６と抵抗７より成るエミツタフオロアに導
かれる。
トランジスタ６のコレクタには端子８より与えられた電
源電圧が印加され、トランジスタ６のエミツタ側の出力
はコンデンサ３を介して帰還され、単なるＲＣ回路網で
は得られないフィルタ特性を有するアクティブ・フィル
タを形成している。
このような従来例では各回路素子は個別部品で構成され
ており、部品点数が多いという欠点を有している。
本発明は主として、ビデオ信号回路の低域通過フィルタ
を構成する場合に、前述の従来例の欠点を除去しうる新
しいフィルタ装置を提供するものである。
第２図に本発明の具体的な一実施例の回路図を示す。
これを説明すると、入力端子１１からの信号は抵抗１２
とダイオード１３の接合容量，抵抗１４とダイオード１
５の接合容量よりなる２次の時定数回路を形成し、その
出力はトランジスタ１６，１７．２３および抵抗１８，
１９，２０，２４より成る差動増幅器で増幅される。
抵抗２１，２６，およびダイオード２５により上記差動
増幅器にバイアスが印加される。
また、上記差動増幅器の出力信号はトランジスタ２７お
よび抵抗２８より成るエミツタフオロアを介して出力端
子３０に出力信号を得る。
なお、端子２９には電源電圧が印加される。
一方、トランジスタ２７のエミツタからの出力信号の一
部はダイオード１３の接合容量を介して抵抗１２と１４
の接続点に帰還されアクティブ・フィルタを構成する。
ダイオード１３と１５には逆バイアスを印加し、所望の
接合容量となるように設計される。
前述の通り取扱う信号がビデオ信号の場合、その振幅は
１〜２Ｖｐｐ程度であり，ダイオード１３．１５には十
分深い逆バイアスを印加しておかなければ信号振幅によ
り接合容量が大幅に変化するおそれがあり、フィルタ特
性が変化しやすい。
本発明では、このように信号振幅によって接合容量が多
少変動してもフィルタ特性への影響が少ないようにダイ
オード１３，１５の逆バイアスに配慮がなされている。
すなわち、入力信号の振幅変化に対して，ダイオード１
３とダイオード１５には容量変化が相反する極性で変化
するように逆バイアス回路が設計されている。
入力信号の振幅が大きくなった時はダイオード１３の逆
バイアスは浅くなり接合容量は増えるが、ダイオード１
５の逆バイアスは逆に深くなり、その接合容量は減少す
る。
したがって、フィルタ特性には殆んど影響しない。
以上のように本発明は、アクティブ・フィルタの構成要
素であるＲＣ回路網と増幅器を一体化して半導体集積回
路で構成するだけでなく、前記ＲＣ回路網に必要な複数
の容量としてダイオードの接合容量を用い、しかも信号
振幅に対して、それらのダイオードの接合容量の変化が
相殺するように各ダイオードの逆バイアス条件を選定し
、フィルタ特性への影響が僅少となるようにしたもので
ある。
なお、本発明はビデオ信号回路への応用を主目的として
おり、ＲＣ回路網の容量値は数ｐＦ〜数１００ｐＦであ
り、半導体集積回路に適している。
以上の説明から明らかなように本発明は次のような種々
の特長を有するものである。
（１）アクティブ・フィルタの構成要素であるＲＣ回路
網と増幅器を一体化して半導体集積回路で実現できるの
で部品点数が大幅に低減できる。
（２）アクティブ・フィルタに必要な帰還回路も半導体
集積回路中に包含でき、半導体集積回路の端子数は増加
せず，他の回路と一緒に大規模集積化するのに適する。
（３）比較的大振幅の信号でも取扱うことができる。
（４）フィルタ特性は固定であるので、特定のフィルタ
特性で、しかも需要の多いビデオ機器において特に経済
的効果が大きい。
（５）ビデオ周波数帯での設計に適する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のアクティブ・フィルタの一例の回路図、
第２図は本発明の一実施例の回路図である。 １２，１４，１８，１９，２０，２１，２２，２４，２
６，２８……抵抗、１３．１５……ダイオード、１６，
１７，２３，２７……トランジスタ、

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ アクティブ・フィルタの構成要素であるＲＣ回路網
    と増幅器を一体化して半導体集積回路で構成し、前記Ｒ
    Ｃ回路網に必要な複数の容量としてダイオードの接合容
    量を用い、信号振幅に対して前記複数個の接合容量が受
    ける容量変化の影響が相殺されるごとく前記ダイオード
    の逆バイアス条件を選定したことを特徴とする半導体フ
    ィルタ装置。
JP6036475A 1975-05-19 1975-05-19 ハンドウタイフイルタソウチ Expired JPS586328B2 (ja)

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JP6036475A JPS586328B2 (ja) 1975-05-19 1975-05-19 ハンドウタイフイルタソウチ

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JPS51135342A JPS51135342A (en) 1976-11-24
JPS586328B2 true JPS586328B2 (ja) 1983-02-04

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