JPS6351604B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気記録再生装置の記録信号処理回
路等に使用されるノンリニア・プリエンフアシス
回路に関するものである。

第１図に、従来の磁気記録再生装置に用いたノ
ンリニア・プリエンフアシス回路を示す。図に於
て、入力端子１に入つた入力信号のうち、低周波
成分は抵抗器２と抵抗器３により分圧されて出力
端子４に出力され、高周波成分は抵抗器２，５お
よびコンデンサ６からなる合成インピーダンスと
抵抗器３とにより分圧されて出力端子４に出力さ
れる。又、高周波成分のうち波高値の大きいもの
は、コンデンサ７とダイオード８ａ，８ｂにより
振幅が制限されるようになつている。

第２図は磁気記録再生装置におけるノンリニ
ア・エンフアシス回路の特性曲線の一例であり、
第１図のノンリニア・プリエンフアシス回路を用
いてこの特性を実現している。第２図に於て、横
軸に周波数、縦軸に出力の相対利得を示してい
る。イは基準振幅の入力信号に対する伝達特性、
ロ，ハは各々入力信号が弱くなつたときの伝達特
性を示している。

しかしながら、第１図のような構成でノンリニ
ア・プリエンフアシス回路を集積回路化した場
合、コンデンサ６，７が外付となるため、コンデ
ンサ外付端子が最低３本必要であり、外付部品も
増加し、又、抵抗器２，３，５はある程度の精度
と温度安定度が必要となるが、現在のモノリシツ
ク集積回路技術ではこのようなことは困難であ
り、しかも入力電圧がダイオードでリミツトされ
るようなある程度の振幅を必要とするなどの欠点
があつた。

本発明はこのような点に鑑みなされたもので、
その目的は、ノンリニア・プリエンフアシス回路
を集積回路化した場合の端子数と外付部品を減ら
し、又、温度安定度、精度の向上が計れ、さらに
小入力振幅でも動作をするようにしたものであ
る。

このような目的を達成するため本発明では、入
力トランジスタに於てエミツタピーキングにより
高周波成分を増幅し、その出力を差動増幅器によ
り増幅及び振幅制限し、後段で、この高周波成分
と、入力信号とを合成するようにしたものであ
る。

第３図は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。図に於て、トランジスタ１２のベース入力端
子１１に接続され、エミツタは定電流源１３を介
して接地されかつ、コンデンサ１４と抵抗器１５
の直列回路を介して接地され、コレクタは抵抗器
１６を介して電源に接続されている。なお、この
コンデンサ１４と抵抗器１５はトランジスタ１２
のエミツタから外付端子により集積回路外部に取
付けられている。又、トランジスタ１７のベース
はトランジスタ１２のコレクタに接続され、エミ
ツタは抵抗器１８と定電流源１９の直列回路を介
して接地され、コレクタは直接電源に接続されて
いる。トランジスタ２０のベースはトランジスタ
１２のベースと同様に入力端子１１に接続され、
エミツタは定電流源２１を介して接地され、コレ
クタは抵抗器２２を介して電源に接続されてい
る。トランジスタ２３のベースはトランジスタ２
０のコレクタに接続され、エミツタは抵抗器２４
を介して抵抗器１８と定電流源１９の接続点に接
続され、コレクタは抵抗器２５を介して電源に接
続されている。トランジスタ２６のベースはトラ
ンジスタ２３のコレクタに接続され、エミツタは
抵抗器２７を介して出力端子２９に接続され、コ
レクタは電源に直接接続されている。トランジス
タ２８のベースはトランジスタ１２，２０のベー
スと同様に入力端子１１に接続され、エミツタは
抵抗器３０を介して接地され、コレクタは出力端
子２９に接続されている。なお、トランジスタ１
７，２３は抵抗器１８，２４を介して共通接続さ
れ、定電流源１９を介して接地されて差動増幅回
路を構成している。

上記構成に於て、入力信号は入力端子１１から
トランジスタ１２のベースに加えられ、コンデン
サ１４、抵抗器１５，１６により高周波成分のみ
がエミツタピーキングされて増幅され、トランジ
スタ１２のコレクタに出力される。なお、入力信
号を加えないときのトランジスタ１７のベース電
圧とトランジスタ２３のベース電圧が等しくなる
ように、定電流源１３，２１、抵抗器１６，２２
の値を選んでおく。次に、トランジスタ１７，２
３、抵抗器１８，２４，２５、定電流源１９によ
り構成された差動増幅器により、高周波成分はさ
らに増幅される。ここで、入力信号が大きいとき
は差動増幅器は飽和して振幅が制限される。差動
増幅器の出力はトランジスタ２６によりインピー
ダンス変換される。一方、入力信号はトランジス
タ２８により電流増幅されて、前記トランジスタ
２６によりインピーダンス変換された高周波成分
と合成されて出力端子２９に出力信号として現わ
れる。

第４図は本発明の他の実施例を示す回路図であ
る。第４図は第３図の実施例のトランジスタ２０
を除去して、定電流源２１をトランジスタ２３の
ベースに接続したものである。

この回路に於て、トランジスタ１７，２３のベ
ース直流電圧が等しくなるように、定電流源１
３，２１、抵抗器１６，２２の値を選べば第３図
の実施例とほゞ同様の効果を得ることができる。

又、抵抗器１８，２４は、必要とする伝達特性
に応じて短絡してもよい。

以上述べてきたように本発明によれば、入力信
号は入力トランジスタに於てエミツタピーキング
して増幅されるので、外付端子を１つとして外付
部品も抵抗器とコンデンサ各１個にすることがで
きる。又、差動増幅器構成にしたので抵抗器を集
積回路で形成しても温度安定度、精度が向上でき
る。従つて、ノンリニア・プリエンフアシス回路
の集積回路化が容易となる。又、トランジスタの
積み重ね段数が少なく、入力信号振幅も少なくて
すむので比較的低電圧で動作させることができ
る。さらに、入力信号の高周波成分を独立して増
幅するので、振幅の大きな低周波成分に重畳した
高周波成分を含む入力信号に対しても、十分なダ
イナミツクレンジを得ることができるなどの効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のノンリニア・プリエンフアシス
回路の回路図、第２図はノンリニア・プリエンフ
アシス特性曲線の一例を示すグラフ、第３図は本
発明の一実施例を示す回路図、第４図は本発明の
他の実施例を示す回路図である。 １１……入力端子、１２，１７，２０，２３，
２６，２８……トランジスタ、１３，１９，２１
……定電流源、１４……コンデンサ、１５，１
６，１８，２２，２４，２５，２７，３０……抵
抗器、２９……出力端子。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ベースは入力端子に接続され、エミツタは第
   １の定電流源を介して接地されかつ第１のコンデ
   ンサと第１の抵抗器の直列回路を介して接地さ
   れ、コレクタは第２抵抗器を介して電源に接続さ
   れた第１のトランジスタと、ベースは第１のトラ
   ンジスタのコレクタに接続され、エミツタは第３
   の抵抗器と第２の定電流源の直列回路を介して接
   地され、コレクタは直接電源に接続された第２の
   トランジスタと、ベースは入力端子に接続され、
   エミツタは第３の定電流源を介して接地され、コ
   レクタは第４の抵抗器を介して電源に接続された
   第３のトランジスタと、ベースは第３のトランジ
   スタのコレクタに接続され、エミツタは第５の抵
   抗器を介して第３抵抗器と第２定電流源の接続点
   に接続され、コレクタは第６の抵抗器を介して電
   源に接続された第４のトランジスタと、ベースは
   第４のトランジスタのコレクタに接続され、エミ
   ツタは第７の抵抗器を介して出力端子に接続さ
   れ、コレクタは直接電源に接続された第５のトラ
   ンジスタと、ベースは入力端子に接続され、エミ
   ツタは第８の抵抗器を介して接地され、コレクタ
   は出力端子に接続された第６のトランジスタとか
   ら構成されていることを特徴とするノンリニア・
   プリエンフアシス回路。 ２ ベースは入力端子に接続され、エミツタは第
   １の定電流源を介して接地されかつ第１のコンデ
   ンサと第１の抵抗器の直列回路を介して接地さ
   れ、コレクタは第２抵抗器を介して電源に接続さ
   れた第１のトランジスタと、ベースは第１のトラ
   ンジスタのコレクタに接続され、エミツタは第３
   の抵抗器と第２の定電流源の直列回路を介して接
   地され、コレクタは直接電源に接続された第２の
   トランジスタと、ベースは第３の定電流源を介し
   て接地されかつ第４の抵抗器を介して電源に接続
   され、エミツタは第５の抵抗器を介して第３抵抗
   器と第２定電流源の接続点に接続され、コレクタ
   は第６の抵抗器を介して電源に接続された第４の
   トランジスタと、ベースは第４のトランジスタの
   コレクタに接続され、エミツタは第７の抵抗器を
   介して出力端子に接続され、コレクタは直接電源
   に接続された第５のトランジスタと、ベースは入
   力端子に接続され、エミツタは第８の抵抗器を介
   して接地され、コレクタは出力端子に接続された
   第６のトランジスタとから構成されていることを
   特徴とするノンリニア・プリエンフアシス回路。