JPS586175A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS586175A JPS586175A JP10429981A JP10429981A JPS586175A JP S586175 A JPS586175 A JP S586175A JP 10429981 A JP10429981 A JP 10429981A JP 10429981 A JP10429981 A JP 10429981A JP S586175 A JPS586175 A JP S586175A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gate
- source
- metal
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 33
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 241001062872 Cleyera japonica Species 0.000 description 1
- UNPLRYRWJLTVAE-UHFFFAOYSA-N Cloperastine hydrochloride Chemical compound Cl.C1=CC(Cl)=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)OCCN1CCCCC1 UNPLRYRWJLTVAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000254158 Lampyridae Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229920006268 silicone film Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7831—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with multiple gate structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電界効果トランジスターの構造に関する。
本発明の目的は、電界トランジスターを微細化していく
場合、問題となる短チャンネル効果を、緩和する亀ので
ある。
場合、問題となる短チャンネル効果を、緩和する亀ので
ある。
従来の電界効果トランジスターをl[1図に示す。
101はシリコン基板、102は選択駿化膜、105は
ゲー)#、104けゲート金属、105は拡散層、10
6は層間ゝ絶縁膜、107は了にミニラムtある。この
従来の構造では、ゲート金属のチャンネル長が短かくな
ると、拡散層のはいりこみが無視tきなくなり、できる
だけ拡散層を浅くすることが必要であった。特に%Il
l電界効果Fランシスターでは拡散層を形成する不純物
をリンからヒ素にかえるととKよって、トランジスター
を形成してきた。
ゲー)#、104けゲート金属、105は拡散層、10
6は層間ゝ絶縁膜、107は了にミニラムtある。この
従来の構造では、ゲート金属のチャンネル長が短かくな
ると、拡散層のはいりこみが無視tきなくなり、できる
だけ拡散層を浅くすることが必要であった。特に%Il
l電界効果Fランシスターでは拡散層を形成する不純物
をリンからヒ素にかえるととKよって、トランジスター
を形成してきた。
しかし、P型電界効果トランジスターでは、はう素よ餘
、波数定数が小さく、浅い拡散層を形成できる不純物は
まだなく、相補側電界効果トランジスターを、つくる上
で微細化の一つの大きな障害となっている。
、波数定数が小さく、浅い拡散層を形成できる不純物は
まだなく、相補側電界効果トランジスターを、つくる上
で微細化の一つの大きな障害となっている。
本発明は、上述の問題を解決し、y型、Pal電界効果
トランジスターのみならず、相補瀞電界効果トランジス
ターの會細化を容易−にするものである。
トランジスターのみならず、相補瀞電界効果トランジス
ターの會細化を容易−にするものである。
本発明は、従来のように、電界効果トランジスターのソ
ース、ドレインの拡散層とゲート金属を接することを、
なくシ、ソース、ドレイン絋散層とゲート金属の藺を、
蒙2層目の配線金属に任意の電圧を加えるととKよらて
、反転層を形成させトランジスターを構成するものであ
る。
ース、ドレインの拡散層とゲート金属を接することを、
なくシ、ソース、ドレイン絋散層とゲート金属の藺を、
蒙2層目の配線金属に任意の電圧を加えるととKよらて
、反転層を形成させトランジスターを構成するものであ
る。
本発明の電界効果トランジスターを112図にしめす、
201けシリコン基板、202は選択酸化膜、20!I
はゲート膜、204tjll1層目配線金属、205は
第11%第2層目の配線間の層間絶縁膜、2o6は第2
層目配−金属%207は拡散層、208は層間絶111
11.zov#i第5層じ曽金属’t’7A(=w)ム
チある。
201けシリコン基板、202は選択酸化膜、20!I
はゲート膜、204tjll1層目配線金属、205は
第11%第2層目の配線間の層間絶縁膜、2o6は第2
層目配−金属%207は拡散層、208は層間絶111
11.zov#i第5層じ曽金属’t’7A(=w)ム
チある。
本発明の電界効果トランジスターは、tず、シリコン基
板に選択酸化膜を形成した後、ゲート酸化を行ない、ゲ
ート酸化膜を形成した上に請1層10配線金属として、
リンを含んだポリシリコンを蒸着した螢、熱酸化し、熱
酸化膜をシ威した螢#2層目の配線金属をつけたあと、
ンーヌ、ドレイン領域をイオン打込入によつて、影威し
、その後、層間絶縁膜と鮪3層目の配曽会騨アルζニウ
ムをY威する。
板に選択酸化膜を形成した後、ゲート酸化を行ない、ゲ
ート酸化膜を形成した上に請1層10配線金属として、
リンを含んだポリシリコンを蒸着した螢、熱酸化し、熱
酸化膜をシ威した螢#2層目の配線金属をつけたあと、
ンーヌ、ドレイン領域をイオン打込入によつて、影威し
、その後、層間絶縁膜と鮪3層目の配曽会騨アルζニウ
ムをY威する。
本発明は、ゲートが拡散層と接していたい軸めに、拡散
層の横方向の虻散のけいり、込λが無視で會る0本発明
の郷価回路を館3図にしめす0本発明のトランジスター
の部分は、!101にあたり、ゲートとソース、ドレイ
ン間の反1層は302の抵抗に1hたる、この抵抗はト
ランジスターのI値を少し変化させるが、鎮2層目の配
線会JIK印加する電圧を適’4に変化させれば問題な
い。
層の横方向の虻散のけいり、込λが無視で會る0本発明
の郷価回路を館3図にしめす0本発明のトランジスター
の部分は、!101にあたり、ゲートとソース、ドレイ
ン間の反1層は302の抵抗に1hたる、この抵抗はト
ランジスターのI値を少し変化させるが、鎮2層目の配
線会JIK印加する電圧を適’4に変化させれば問題な
い。
本発明は、上述の様に微細化0IIO短チヤンネル効果
を緩和し%I11. Pal電界効果トランジスターの
みならず、相補膠電界効果トランジスターにも効果があ
る。さらKはゲート金属をソース。
を緩和し%I11. Pal電界効果トランジスターの
みならず、相補膠電界効果トランジスターにも効果があ
る。さらKはゲート金属をソース。
ドレインから両方はなす必要がない場合は、ドレイン側
だけでもよい、嘗た、この榊造は、高耐圧のトランジス
ターにも採用できる。
だけでもよい、嘗た、この榊造は、高耐圧のトランジス
ターにも採用できる。
従来の電界効果トランジスターの断面を111図に示す
0本発明の電界効果トランジスターの断面を112閣に
示す0本発明の電界効果トランジスターの峙m回路を館
5−に示す。 以 上 出願人 株式会社 −訪精工金 代理人 弁理士 最上 務 第2関 1#ノ
0本発明の電界効果トランジスターの断面を112閣に
示す0本発明の電界効果トランジスターの峙m回路を館
5−に示す。 以 上 出願人 株式会社 −訪精工金 代理人 弁理士 最上 務 第2関 1#ノ
Claims (2)
- (1) 電界効果トランジスターにおいて、ゲート金
属と、ソース、ドレイン披散層の間の一方あるいけ、両
方にシリコン基板に誘起された反転層がああことを轡徽
とする半導体装置。 - (2)該電界効果トランジスターにおいて、第1層目の
配線をゲートとして用い、第2層目の配線が、wI第1
層目の配線を絶縁膜を介しておおい、瞭第2層目の配線
の外側の両方に接し、拡散層が存在し、かつ1HIZ層
目の配mlけ、任意の1位に保たれていることを411
1とする特許請求範囲館−項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10429981A JPS586175A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10429981A JPS586175A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS586175A true JPS586175A (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=14377040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10429981A Pending JPS586175A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS586175A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5237193A (en) * | 1988-06-24 | 1993-08-17 | Siliconix Incorporated | Lightly doped drain MOSFET with reduced on-resistance |
US5905291A (en) * | 1994-07-25 | 1999-05-18 | Seiko Instruments Inc. | MISFET semiconductor integrated circuit device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51129188A (en) * | 1975-05-04 | 1976-11-10 | Nippon Denso Co Ltd | Manufacturing method of field efect type semiconductor element. |
JPS52141581A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mos type semiconductor device 7 its manufacture |
JPS5368986A (en) * | 1976-12-01 | 1978-06-19 | Toshiba Corp | Mos type transistor |
-
1981
- 1981-07-02 JP JP10429981A patent/JPS586175A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51129188A (en) * | 1975-05-04 | 1976-11-10 | Nippon Denso Co Ltd | Manufacturing method of field efect type semiconductor element. |
JPS52141581A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mos type semiconductor device 7 its manufacture |
JPS5368986A (en) * | 1976-12-01 | 1978-06-19 | Toshiba Corp | Mos type transistor |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5237193A (en) * | 1988-06-24 | 1993-08-17 | Siliconix Incorporated | Lightly doped drain MOSFET with reduced on-resistance |
US5306656A (en) * | 1988-06-24 | 1994-04-26 | Siliconix Incorporated | Method for reducing on resistance and improving current characteristics of a MOSFET |
US5905291A (en) * | 1994-07-25 | 1999-05-18 | Seiko Instruments Inc. | MISFET semiconductor integrated circuit device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4497106A (en) | Semiconductor device and a method of manufacturing the same | |
US4523213A (en) | MOS Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US6043157A (en) | Semiconductor device having dual gate electrode material and process of fabrication thereof | |
JPS638622B2 (ja) | ||
JPS6070757A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPH0758791B2 (ja) | Mos型半導体装置 | |
JPS62126675A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS586175A (ja) | 半導体装置 | |
US5057445A (en) | Method of making a high-voltage, low on-resistance igfet | |
JPH0279475A (ja) | 半導体装置 | |
JP2729422B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS6344771A (ja) | 半導体集積回路装置及びその製造方法 | |
JP3038857B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6334619B2 (ja) | ||
JPH11220124A (ja) | 半導体装置 | |
JPH069245B2 (ja) | 電界効果型半導体装置 | |
JPS6226850A (ja) | 集積回路装置の製法 | |
JPS63241965A (ja) | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
KR960009991B1 (ko) | Mos fet의 제조방법 | |
JPS63308385A (ja) | 埋込みゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 | |
JP2512760B2 (ja) | 半導体集積回路の製法 | |
JPH0637306A (ja) | 半導体装置 | |
JPS59159572A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0456280A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH07302902A (ja) | 半導体装置 |