JPS586119A - 化合物半導体のアニ−ル方法 - Google Patents
化合物半導体のアニ−ル方法Info
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は化合物半纏体を＾温にてアニールする方法に関
する。
する。
砒化ガリウム（（ｊａＡａ）を用い九シ曹ットキパリア
ゲート電界効果トランジスタ＜Ｍｋ、８１に、Ｔ ＞は
、現在、マイクロ波通信−ＩＩＫおけ為中心デバイスと
して使用されている・近年、ζ□ＧｉＡ龜Ｍｇ８ＦＥＴ
と（ｊａＡｓダイオード等を一素子上に集積化し、Ｇｂ
ｉｌｆ１号ｔｍ通しう為集Ｓｔ騙略（ＩＣ）特に＾速ロ
ジックやメモリの一発が！ＭＫ行なわれ、これらの（ｊ
ａＡｓｌＣを瑚−て計算機の＾連化や通信システムのｉ
！１ｌａＩＩ！化がＩＩ！楓できる町ａｍがでてきた。
ゲート電界効果トランジスタ＜Ｍｋ、８１に、Ｔ ＞は
、現在、マイクロ波通信−ＩＩＫおけ為中心デバイスと
して使用されている・近年、ζ□ＧｉＡ龜Ｍｇ８ＦＥＴ
と（ｊａＡｓダイオード等を一素子上に集積化し、Ｇｂ
ｉｌｆ１号ｔｍ通しう為集Ｓｔ騙略（ＩＣ）特に＾速ロ
ジックやメモリの一発が！ＭＫ行なわれ、これらの（ｊ
ａＡｓｌＣを瑚−て計算機の＾連化や通信システムのｉ
！１ｌａＩＩ！化がＩＩ！楓できる町ａｍがでてきた。
ＧａＡｓＩＣ０ｊｌｌ産を実現する九めＫｒｊ、 Ｇａ
ム易１０の構成愛嵩で６ｐ、ｉＩ＆１−素子として崩い
られる）ＩＴのスレッシ■−ルド亀圧（Ｖりを均一に再
境性よ〈作４ことが重１である拳このν！の均一性を可
１ＩＩＫする方法としてシリコン（８４）を用いたｌＣ
と同一に、イオン注入法による不純物添加が試みられて
いる・イオン注入法によ１添２１１され九不純物を活性
化させるために不純物を注入された８ｉやＧａＡｓ基板
は通常、高温でアニールされる。しかしながら、Ｇ、Ａ
、は８ｉと異なり１通常のアニール温度である７００〜
９５０℃では分解する・従りて、一般ＫＧａＡｓを７ニ
ールする場合には、 ＧａＡ、の分解を防ぐため、 Ｇ
ＩＡｓ表面に二酸化シリコン（８ｉ（Ｊ、）や窒化シリ
コン（Ｓｉ、Ｎ４）等の絶縁膜を被着してアニールする
・絶縁膜のＵａＡｓ表面への被着方法としてはスパッタ
法、化学的化学成長（ＣＶＤ）法、プラズマＣＶＤ法が
一般的である・スパッタ法とプラズマＣＶＤ法はＧ Ｂ
Ａ ＠が分解しない低温で、０ＢＡｓ上に絶縁ｉｇｉ
′４を形成しうる利点があるが、絶縁膜の被着されたＧ
ａ Ａ Ｓを前記のアニール温度に昇温させた場合に
は、絶縁膜とＧａＡ３との熱膨張係数の違りにもとづく
絶Ｍ映の微細なりラックが生じ、クラック近傍のＧ Ｂ
Ａ Ｂの分解を招来する・このクラックの生じる温度
は絶縁膜の成長条件と共に、注入イオン量（ドーズｉｉ
）に大きく依存する。ＣＶＤ法は比較的１Ｉｔｉ温で絶
縁ＩＩＩＩｔ−成長させる方法であるが、前記の７二一
ル温度と成長温度の差が大きいと中は〉アニール時の高
温でクラックが生じ前述と同一０間■が生じる・ま九Ｃ
ＶＤ法の間龜点は絶縁膜を成長する反応炉と７エール炉
とが異なる丸めに、通常絶縁−が被着されたＧａＡ、は
アニール温度と−じ５ｉＷｔの楓匿差を受ける。従りて
絶縁膜とＧＲＡ＠との閾で生じる歪がＧａＡ、中の不純
物の拡歇を増進させることが多く、均一なＶ！の再現性
は弗常に愚い。
ム易１０の構成愛嵩で６ｐ、ｉＩ＆１−素子として崩い
られる）ＩＴのスレッシ■−ルド亀圧（Ｖりを均一に再
境性よ〈作４ことが重１である拳このν！の均一性を可
１ＩＩＫする方法としてシリコン（８４）を用いたｌＣ
と同一に、イオン注入法による不純物添加が試みられて
いる・イオン注入法によ１添２１１され九不純物を活性
化させるために不純物を注入された８ｉやＧａＡｓ基板
は通常、高温でアニールされる。しかしながら、Ｇ、Ａ
、は８ｉと異なり１通常のアニール温度である７００〜
９５０℃では分解する・従りて、一般ＫＧａＡｓを７ニ
ールする場合には、 ＧａＡ、の分解を防ぐため、 Ｇ
ＩＡｓ表面に二酸化シリコン（８ｉ（Ｊ、）や窒化シリ
コン（Ｓｉ、Ｎ４）等の絶縁膜を被着してアニールする
・絶縁膜のＵａＡｓ表面への被着方法としてはスパッタ
法、化学的化学成長（ＣＶＤ）法、プラズマＣＶＤ法が
一般的である・スパッタ法とプラズマＣＶＤ法はＧ Ｂ
Ａ ＠が分解しない低温で、０ＢＡｓ上に絶縁ｉｇｉ
′４を形成しうる利点があるが、絶縁膜の被着されたＧ
ａ Ａ Ｓを前記のアニール温度に昇温させた場合に
は、絶縁膜とＧａＡ３との熱膨張係数の違りにもとづく
絶Ｍ映の微細なりラックが生じ、クラック近傍のＧ Ｂ
Ａ Ｂの分解を招来する・このクラックの生じる温度
は絶縁膜の成長条件と共に、注入イオン量（ドーズｉｉ
）に大きく依存する。ＣＶＤ法は比較的１Ｉｔｉ温で絶
縁ＩＩＩＩｔ−成長させる方法であるが、前記の７二一
ル温度と成長温度の差が大きいと中は〉アニール時の高
温でクラックが生じ前述と同一０間■が生じる・ま九Ｃ
ＶＤ法の間龜点は絶縁膜を成長する反応炉と７エール炉
とが異なる丸めに、通常絶縁−が被着されたＧａＡ、は
アニール温度と−じ５ｉＷｔの楓匿差を受ける。従りて
絶縁膜とＧＲＡ＠との閾で生じる歪がＧａＡ、中の不純
物の拡歇を増進させることが多く、均一なＶ！の再現性
は弗常に愚い。
本発明の目的は、このような従来方法（よるアニール法
の欠点を除き、ａ温時において一〇、ムｉ等の化合物半
導体上に被着され丸ＩＰ１縁−にクラックが生゛じない
ような化合物半導体のアニール方法を提供することＫあ
る。
の欠点を除き、ａ温時において一〇、ムｉ等の化合物半
導体上に被着され丸ＩＰ１縁−にクラックが生゛じない
ような化合物半導体のアニール方法を提供することＫあ
る。
本発明によれば１反応管内Ｋｉ？いて′ハなるｍ度を有
する化合物半導体上に絶ｌｌＩ［を化学的気相成長法に
より成長せしめ、しかる後―紀化合物牛尋体を反応管よ
シ出す仁となく、Ｔ、よりＡ楓であるＴ、 Ｋ昇温せし
め、絶縁−が被着され死後の化合物半導体の受けるａ＃
ニストレスを最小にするようにしたことを４１黴とする
化合物半４体のアニール方法が得られる・ ζ０７二−ル法によ）％９５０℃の高温でアニールして
も、化合物半導体上に被着され九絶縁膜にクラックが生
じることはない・ 次に本発明の方法を図を用いて説明する。
する化合物半導体上に絶ｌｌＩ［を化学的気相成長法に
より成長せしめ、しかる後―紀化合物牛尋体を反応管よ
シ出す仁となく、Ｔ、よりＡ楓であるＴ、 Ｋ昇温せし
め、絶縁−が被着され死後の化合物半導体の受けるａ＃
ニストレスを最小にするようにしたことを４１黴とする
化合物半４体のアニール方法が得られる・ ζ０７二−ル法によ）％９５０℃の高温でアニールして
も、化合物半導体上に被着され九絶縁膜にクラックが生
じることはない・ 次に本発明の方法を図を用いて説明する。
［１−は本発明のアニール方法を東現しうる装置の原理
を示す、謔１図において、ｌは赤外線の反射板であシ、
２は赤外−ラングであ夛、３は反応管であり、４社反応
ガスＶｒ１ｉｌ入する導入口５を有するガえばステンレ
ス製０４人ウィルソンシールでめり、６は排気ガスを排
出する排出ロアを有する飼えばステンレス製の排気ウィ
ルソンシールであ）１８は化合物半導体９ｔ−反応管内
において保持する保持台である・菖２図Ｉｆｉ鶴１図に
示す赤外−ラン１によシ消費される電力を制御して化合
物半導体の温度を変える場合の代表的な温度変更グログ
ラムの一丙である・Ｊｌ１２１において、！ＩＩ！誠は
化合物半導体の温度の時間変化を示し、縦軸は温度を℃
で、横軸は時間を分で示す・菖！図と第２１１を用いて
本！ｌａ＃４のアニール方法を説明する。
を示す、謔１図において、ｌは赤外線の反射板であシ、
２は赤外−ラングであ夛、３は反応管であり、４社反応
ガスＶｒ１ｉｌ入する導入口５を有するガえばステンレ
ス製０４人ウィルソンシールでめり、６は排気ガスを排
出する排出ロアを有する飼えばステンレス製の排気ウィ
ルソンシールであ）１８は化合物半導体９ｔ−反応管内
において保持する保持台である・菖２図Ｉｆｉ鶴１図に
示す赤外−ラン１によシ消費される電力を制御して化合
物半導体の温度を変える場合の代表的な温度変更グログ
ラムの一丙である・Ｊｌ１２１において、！ＩＩ！誠は
化合物半導体の温度の時間変化を示し、縦軸は温度を℃
で、横軸は時間を分で示す・菖！図と第２１１を用いて
本！ｌａ＃４のアニール方法を説明する。
纂１ａ！Ｉにおいて反応ガス、例えば、モノシラン（Ｓ
ｉＨ４）とアンモニア（Ｎ搗）と窒素（八）の混合ガス
を反応ガス導入口５より反応管３の内に導入し、定常な
ガス流を作為０次に、赤外−ラング２ＫｍＥＥＥを印加
し、保持台８を加−することにより化合物半導体９を昇
温させ１反応ガスによる絶縁膜の成長＠匿、ｔＭえば７
ＧＱＣ１，で上ける・この様子をＷ！２図中のＡ−Ｂｉ
４１で示す、昇温速シは１５０℃／秒からｌＯ℃／秒ま
で任意ＫＩｉＫＩ−可能である０次に、化合物半導体９
の温ｔＬを一定、丙えは７００℃に保ち、絶縁膜を所定
の犀さに成長させる。
ｉＨ４）とアンモニア（Ｎ搗）と窒素（八）の混合ガス
を反応ガス導入口５より反応管３の内に導入し、定常な
ガス流を作為０次に、赤外−ラング２ＫｍＥＥＥを印加
し、保持台８を加−することにより化合物半導体９を昇
温させ１反応ガスによる絶縁膜の成長＠匿、ｔＭえば７
ＧＱＣ１，で上ける・この様子をＷ！２図中のＡ−Ｂｉ
４１で示す、昇温速シは１５０℃／秒からｌＯ℃／秒ま
で任意ＫＩｉＫＩ−可能である０次に、化合物半導体９
の温ｔＬを一定、丙えは７００℃に保ち、絶縁膜を所定
の犀さに成長させる。
この様子をａＩ２図中のＨ−Ｃ１１４で示す・胸先は１
９ｉ桟：Ｎ）ｉ、：Ｎ、＝１ ： ２０ ： ３００の
ガス流量比を癩する混合ガスを反応カスとして用いた場
合にはＪａ２の成長速度は約１０ＯＡ／秒でありた０次
に８Ａ鳩−ＮＨ，のガスの番人を中止し、８１［有］塊
を成長を止め反応管内を桟〃スでみたす、仁の様子を謳
２図中のＣ−Ｄ間で示す１反応管内のガスを桟で十分に
置換し九＊、赤外−ランプの”電圧を上昇印加して絶縁
−の成長ａｔ、鉤えは７６０℃よ〕化曾物半導体９の温
度をアニール温度％的えば９０Ｇ’Ｃまで上昇させる。
９ｉ桟：Ｎ）ｉ、：Ｎ、＝１ ： ２０ ： ３００の
ガス流量比を癩する混合ガスを反応カスとして用いた場
合にはＪａ２の成長速度は約１０ＯＡ／秒でありた０次
に８Ａ鳩−ＮＨ，のガスの番人を中止し、８１［有］塊
を成長を止め反応管内を桟〃スでみたす、仁の様子を謳
２図中のＣ−Ｄ間で示す１反応管内のガスを桟で十分に
置換し九＊、赤外−ランプの”電圧を上昇印加して絶縁
−の成長ａｔ、鉤えは７６０℃よ〕化曾物半導体９の温
度をアニール温度％的えば９０Ｇ’Ｃまで上昇させる。
この様子を第２図中Ｄ−Ｂ間で示す・アニール温度に違
しｔ鏝イオン注入により受けた化合物半導体の破傷層の
結晶性を回避させ注入イオンの活性化を計る。一般に７
ニ一ル時間はアニール温度が烏い程、短（てよいが、５
〜２０分１ｉａ４！！度でるる・この様子を第２図中で
に、−１間で示す１１久に赤外−ランプの電源を切ハ保
持台と共に化合物半導体の温度を下げる。
しｔ鏝イオン注入により受けた化合物半導体の破傷層の
結晶性を回避させ注入イオンの活性化を計る。一般に７
ニ一ル時間はアニール温度が烏い程、短（てよいが、５
〜２０分１ｉａ４！！度でるる・この様子を第２図中で
に、−１間で示す１１久に赤外−ランプの電源を切ハ保
持台と共に化合物半導体の温度を下げる。
嬉２図に示すように、本発明の方法では、絶縁属を被着
された化合物半導体を反応管よシ出すことなくそのまま
外温してアニールされるために。
された化合物半導体を反応管よシ出すことなくそのまま
外温してアニールされるために。
該化合物半導体の受ける１ｌｉｉｌｌｊｉ！差は１反応
管から出し、改めてアニールを行なう従来の方法に比べ
て小さく（第２−中Ｄ−Ｅ間で示す）、９５０Ｃ１での
アニール温度まで該化合物半導体の温度を上げても絶撒
員にクンツクが入ることがなく、該化合物半導体の表−
は荒れることがなくアニールされる。オ友１本方法で嬬
同−反応管内で７ニールされるため、Ｓ縁−表面か汚染
されてアニール時に化合物半導体内に異種不純物が拡散
されることもない、また例えば８ｉｓＮ、を被着して化
合物半導体をアニールする場合、アニール時の組ＩＮ４
のクラックを防ぐ九め、その瞑鳳は１０００Ａ±２０Ｏ
Ａ程ては８００Ａより２５００Ａｔでｏｇ＊の８６Ｎ４
を化合物半導体に被着してアニールしてもクラックが入
ることはなく、別ｓＮ＊＠厚の許容幅が大きくなる利点
も見だされ丸。
管から出し、改めてアニールを行なう従来の方法に比べ
て小さく（第２−中Ｄ−Ｅ間で示す）、９５０Ｃ１での
アニール温度まで該化合物半導体の温度を上げても絶撒
員にクンツクが入ることがなく、該化合物半導体の表−
は荒れることがなくアニールされる。オ友１本方法で嬬
同−反応管内で７ニールされるため、Ｓ縁−表面か汚染
されてアニール時に化合物半導体内に異種不純物が拡散
されることもない、また例えば８ｉｓＮ、を被着して化
合物半導体をアニールする場合、アニール時の組ＩＮ４
のクラックを防ぐ九め、その瞑鳳は１０００Ａ±２０Ｏ
Ａ程ては８００Ａより２５００Ａｔでｏｇ＊の８６Ｎ４
を化合物半導体に被着してアニールしてもクラックが入
ることはなく、別ｓＮ＊＠厚の許容幅が大きくなる利点
も見だされ丸。
本発明を実埃する他の方法は例えば１反応管に少（とも
絶縁膜の成長温度領域とアニールｉ！寂領域とを設けて
行なう方法である。その原理を第３図を用ｉて銃明する
。第３■におｉて、１ｏは電気炉であり、［気炉ｌＯは
反応管１１の中の温度がＴＩと′ｌ−を示すように２つ
Ｏｉ１度領域部に分はうしてお９１例えば、ウィルソン
シール１２の反応ガス都入口１３に近匹方ＯＳ域を低温
餉櫨（種化合物＃Ｐ４体１５は反応ガス導入口１３に近
い方ＯａＫマグネット１６が付けられた保持台１７の上
に乗せられる・まず、化合物半導体ｉｓａ第３図に示さ
れるように温ｆＴｔの領域に入れられ１反応ガス導入口
１３よシ反応ｌスを導入することによ〕表ｍＫ絶縁票を
被着される０次に反応カスを止め八ま九はアルゴンガス
等の不活性ガスを反応ガス導入口１３よ）反応管中に導
入し１反応管中に残りていた反応ガスを置換せしめた九
反応管外よシ磁石を用いてマグネッ）１６を動かし保持
台１丁と共に化合物半導体１５をアニール温！ｌ： Ｔ
ｔに設定され九高温領域に移動させ、化合物半導体ＩＳ
を７ニールする。この方法によっても本発明の主旨は実
行されうる・ 本発明のアニール方法は化合物半導体のみでなく１例え
ば他の８１等の半導体にも通用されうるむとけ旨うまで
もない。
絶縁膜の成長温度領域とアニールｉ！寂領域とを設けて
行なう方法である。その原理を第３図を用ｉて銃明する
。第３■におｉて、１ｏは電気炉であり、［気炉ｌＯは
反応管１１の中の温度がＴＩと′ｌ−を示すように２つ
Ｏｉ１度領域部に分はうしてお９１例えば、ウィルソン
シール１２の反応ガス都入口１３に近匹方ＯＳ域を低温
餉櫨（種化合物＃Ｐ４体１５は反応ガス導入口１３に近
い方ＯａＫマグネット１６が付けられた保持台１７の上
に乗せられる・まず、化合物半導体ｉｓａ第３図に示さ
れるように温ｆＴｔの領域に入れられ１反応ガス導入口
１３よシ反応ｌスを導入することによ〕表ｍＫ絶縁票を
被着される０次に反応カスを止め八ま九はアルゴンガス
等の不活性ガスを反応ガス導入口１３よ）反応管中に導
入し１反応管中に残りていた反応ガスを置換せしめた九
反応管外よシ磁石を用いてマグネッ）１６を動かし保持
台１丁と共に化合物半導体１５をアニール温！ｌ： Ｔ
ｔに設定され九高温領域に移動させ、化合物半導体ＩＳ
を７ニールする。この方法によっても本発明の主旨は実
行されうる・ 本発明のアニール方法は化合物半導体のみでなく１例え
ば他の８１等の半導体にも通用されうるむとけ旨うまで
もない。
第１国は本発明を実施する装置の−Ｍｅ示し。
縞２図？ｉ第１−に示す装置を用いて本発明管夷ａし丸
場合Ｏ化合物半導体０＊にの時間纏移を示し＄１３８１
昧本発＠を実施する装置の他の一飼を示したものである
。 ｔｌｌＪＫｉ？いて、ｌは赤外−の反射板、２は赤外−
ランプ、４．１１は反応管、Ｉ ４，６．１２はウィル
ソンシール、５．１３は反応ガスの導入口ｓ７＠１４は
排気ガスの排出０．８．１７は保持台、９，１５ａ化合
物午導体、１０ｔ；を電気式１６はマグネットである。 １１図 ２ 第 ２ 図 一−→峙間（分）
場合Ｏ化合物半導体０＊にの時間纏移を示し＄１３８１
昧本発＠を実施する装置の他の一飼を示したものである
。 ｔｌｌＪＫｉ？いて、ｌは赤外−の反射板、２は赤外−
ランプ、４．１１は反応管、Ｉ ４，６．１２はウィル
ソンシール、５．１３は反応ガスの導入口ｓ７＠１４は
排気ガスの排出０．８．１７は保持台、９，１５ａ化合
物午導体、１０ｔ；を電気式１６はマグネットである。 １１図 ２ 第 ２ 図 一−→峙間（分）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ）反応管内ＫｔｌＰいて、ＴＩなる温匿を有する１ヒ
合物！Ｐ尋体上ｖｃ絶緻暎を化学的気相成長法により成
長せしめ、しかる俵、前ｍｌ化合物半半導体反応管よ〉
出す仁とな（、Ｔ、よ！ｌ）Ａ＠でめるＴ、に昇温せし
めることを特徴とする化合物半纏体のアニール方法・ ２）化合物＋ｓ体のｆｆｉ度を１゛凰より１′諺に上昇
せしめるに、赤外−ランプを用いることを特徴とする特
許１１１ＸＩＺ）範囲第１項記載のアニール方法。 ３）絶縁−を成員せしめる一度１“富 とＴ、上り尚温
である一疲゛五−の少くとも２つの温度−城をもつ反応
管において、１′１する温直論域の反応管内において絶
繊験會成長せしめ、久いでＴ、からなる瓢ｊ［−鳩にｍ
−せしめることを特徴とする特許請求の軸−ｌＥ五積１
載の７二−ル方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10396281A JPS586119A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 化合物半導体のアニ−ル方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10396281A JPS586119A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 化合物半導体のアニ−ル方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586119A true JPS586119A (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=14368000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10396281A Pending JPS586119A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 化合物半導体のアニ−ル方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586119A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178720A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59225399A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | 東京電力株式会社 | 防護衣類の洗濯方法 |
| JPS6468923A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-15 | Mitsubishi Monsanto Chem | Annealing of single crystal substrate of inorganic compound |
-
1981
- 1981-07-03 JP JP10396281A patent/JPS586119A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178720A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH023537B2 (ja) * | 1983-03-29 | 1990-01-24 | Fujitsu Ltd | |
| JPS59225399A (ja) * | 1983-06-06 | 1984-12-18 | 東京電力株式会社 | 防護衣類の洗濯方法 |
| JPH0450556B2 (ja) * | 1983-06-06 | 1992-08-14 | Tokyo Denryoku Kk | |
| JPS6468923A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-15 | Mitsubishi Monsanto Chem | Annealing of single crystal substrate of inorganic compound |
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