JPS5858871A - 電流形インバ−タにおける半導体スイツチング素子の過電流防止方法 - Google Patents
電流形インバ−タにおける半導体スイツチング素子の過電流防止方法Info
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- JPS5858871A JPS5858871A JP56155664A JP15566481A JPS5858871A JP S5858871 A JPS5858871 A JP S5858871A JP 56155664 A JP56155664 A JP 56155664A JP 15566481 A JP15566481 A JP 15566481A JP S5858871 A JPS5858871 A JP S5858871A
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- semiconductor switching
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/505—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
- H02M7/515—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電流形インバータにおける半導体スイッチング
素子の過電流防止方法に関するものである。
素子の過電流防止方法に関するものである。
第１図に示すような直流の定電流源工ｐと半導体スイッ
チング素子８ト」１ を用いてなる電流形インバ１夕と
からなる８相の交流発振器においては、３相の出力線平
衡している必要があり、不平衡出力又は完全な単相出力
を得ることはむすかしかつ丸、つオリ８相が完全に平衡
した場合には、半導体スイッチング素子幻〜むけイデュ
ーテイで通流しており、これにみあった電流定格の素子
を選定することが一般的であり、単相負荷をとると半導
体スイッチング索子の電流は１．５倍となってしまい、
素子の破壊へとつながる。
チング素子８ト」１ を用いてなる電流形インバ１夕と
からなる８相の交流発振器においては、３相の出力線平
衡している必要があり、不平衡出力又は完全な単相出力
を得ることはむすかしかつ丸、つオリ８相が完全に平衡
した場合には、半導体スイッチング素子幻〜むけイデュ
ーテイで通流しており、これにみあった電流定格の素子
を選定することが一般的であり、単相負荷をとると半導
体スイッチング索子の電流は１．５倍となってしまい、
素子の破壊へとつながる。
本発明はこのような間Ｍｔ−解決しようとするもので、
以下図面を用いて説明する。
以下図面を用いて説明する。
本発明は、第１図で８相不平衡出力又は完全な単相出力
電流をとっても、半導体スイッチング素子Ｓ、−むが電
流定格を越えないように第２図の如き方法により、電流
形インノ（−夕における半導体スイッチング素子の過電
流による破壊を防止するようにしたものである。
電流をとっても、半導体スイッチング素子Ｓ、−むが電
流定格を越えないように第２図の如き方法により、電流
形インノ（−夕における半導体スイッチング素子の過電
流による破壊を防止するようにしたものである。
第２図において、／は半導体スイッチング素子的の通流
幅に対応したオン信号（オンゲートノ（ルス）を検出す
る回路といった具合に、ｌ−１は夫々半導体スイッチン
グ素子Ｓυ〜ｓ１の通流幅に対応し九オン信号（オンゲ
ートノ（ルス）を検出する回路、７〜ｌコは夫々検出回
路／〜≦と対応し、検出回路／〜４で検出した半導体ス
イッチング素子８０〜ｇｇのオン信号を夫々積分し、電
圧信号として出力する積分器、／Ｊは積分器７〜／コの
出力電圧信号のうち最大のもの、即ち通流幅の最大のも
のを検出し出力する最大値検出回路である。この最大値
検出回路１３で検出された積分器７〜／Ｊの出力のうち
の最大のものに対応する半導体スイッチング素子が通流
電流が最大な素子となる。／弘は一方の入力端には各半
導体スイッチング素子８Ｕ−８にの通流幅が均一な場合
の電圧（基準電圧）ＶＯが供給され、かつ他方の入力端
には最大値検出回路１３の出力ｖｏＩが供給宴れ、ｖｏ
をｙｏ ／で割り算して出８相平衡出力時の直流電流設
定値（各半導体スイッチング素子の通流幅が均一な場合
の直流電流基ｆｊ／４値）Ｘｘｒｏ（ＡＪｔｍけ算Ｌ／
テＩＤＯｘ−’７ （−Ｄｏ’ ） ｔＯ 出力すみ掛算器である。ここで、完全な８相平衡出力時
の直流電流設定値をＩｘ＋ｏ（Ａ）とし、このときの積
分器の出力ヲｖｏとなっているとする。
幅に対応したオン信号（オンゲートノ（ルス）を検出す
る回路といった具合に、ｌ−１は夫々半導体スイッチン
グ素子Ｓυ〜ｓ１の通流幅に対応し九オン信号（オンゲ
ートノ（ルス）を検出する回路、７〜ｌコは夫々検出回
路／〜≦と対応し、検出回路／〜４で検出した半導体ス
イッチング素子８０〜ｇｇのオン信号を夫々積分し、電
圧信号として出力する積分器、／Ｊは積分器７〜／コの
出力電圧信号のうち最大のもの、即ち通流幅の最大のも
のを検出し出力する最大値検出回路である。この最大値
検出回路１３で検出された積分器７〜／Ｊの出力のうち
の最大のものに対応する半導体スイッチング素子が通流
電流が最大な素子となる。／弘は一方の入力端には各半
導体スイッチング素子８Ｕ−８にの通流幅が均一な場合
の電圧（基準電圧）ＶＯが供給され、かつ他方の入力端
には最大値検出回路１３の出力ｖｏＩが供給宴れ、ｖｏ
をｙｏ ／で割り算して出８相平衡出力時の直流電流設
定値（各半導体スイッチング素子の通流幅が均一な場合
の直流電流基ｆｊ／４値）Ｘｘｒｏ（ＡＪｔｍけ算Ｌ／
テＩＤＯｘ−’７ （−Ｄｏ’ ） ｔＯ 出力すみ掛算器である。ここで、完全な８相平衡出力時
の直流電流設定値をＩｘ＋ｏ（Ａ）とし、このときの積
分器の出力ヲｖｏとなっているとする。
従って、不平衡出力時には、第１図の直流電流源ｘＤの
直流電流の大きさが、第２図の掛算器ｔＳの出力！１０
′にもとづいてＩ塾ｏｘ−卆ｒとなるように設Ｖ。
直流電流の大きさが、第２図の掛算器ｔＳの出力！１０
′にもとづいてＩ塾ｏｘ−卆ｒとなるように設Ｖ。
定制御し、これにより半導体スイッチング素子的〜θ２
が８相不平衡出力又は不平衡が極端な場合における完全
な単相出力電流をとっても、半導体スイッチング素子８
ＴＪ〜８ｚが電流定格を越えないようにしたものである
。即ち不平衡出力時には、半導体スイッチング素子ｓｇ
〜８ｚのうちオン信号の゛積分値の最大な半導体スイッ
チング素子の通流幅にみあって直流電流設定値の大きさ
が調整されることになる。
が８相不平衡出力又は不平衡が極端な場合における完全
な単相出力電流をとっても、半導体スイッチング素子８
ＴＪ〜８ｚが電流定格を越えないようにしたものである
。即ち不平衡出力時には、半導体スイッチング素子ｓｇ
〜８ｚのうちオン信号の゛積分値の最大な半導体スイッ
チング素子の通流幅にみあって直流電流設定値の大きさ
が調整されることになる。
もし、不平衡出力時には、直流電流源工ｐの大きさｔｖ
４整しないとすれば、半導体スイッチング素子ＢｔＦ〜
８１１の通流幅は異なっており、この時の積分器７〜／
コの出力の最大のものｔｏｏ’とすると半導体スイッチ
ング素子Ｂ、〜８１の平均電流の最大ｖＯ′ の屯のは１１０ Ｘ１７となってしまい、！塾。よりも
大きくなり不都合である。よって本発明では不平となる
ように制御し、半導体スイッチング素子８υ〜幻の電流
定格を越えないようにしたものである。
４整しないとすれば、半導体スイッチング素子ＢｔＦ〜
８１１の通流幅は異なっており、この時の積分器７〜／
コの出力の最大のものｔｏｏ’とすると半導体スイッチ
ング素子Ｂ、〜８１の平均電流の最大ｖＯ′ の屯のは１１０ Ｘ１７となってしまい、！塾。よりも
大きくなり不都合である。よって本発明では不平となる
ように制御し、半導体スイッチング素子８υ〜幻の電流
定格を越えないようにしたものである。
なお、８相平衡出力時には、第２図においてｖｏ′−ｖ
６となり、従して１１０’−よりｏとなシ直流電流源Ｘ
）の設定値１１Ｘｙａ６となることはいうまでもないこ
とである。
６となり、従して１１０’−よりｏとなシ直流電流源Ｘ
）の設定値１１Ｘｙａ６となることはいうまでもないこ
とである。
上述した本発明を用いれば、次のような種々の効果を奏
する。
する。
（１） 半導体スイッチング素子の通流幅を検出し、
その通流幅にみあった電流を流すために素子の電流定格
會越えることがない。
その通流幅にみあった電流を流すために素子の電流定格
會越えることがない。
（２）従って８相発振器として、不平衡出力を取り出し
たり、又は不平衡が極端な場合には完全な単相発振器と
しても使用することも可能である。
たり、又は不平衡が極端な場合には完全な単相発振器と
しても使用することも可能である。
第１図は本発明に係る電流形インバータを用いた８相の
交流発振器の一例を示す回路図、第２図は第１図の半導
体スイッチング素子の過電流防止方浩の一実施例を示す
構成図であって１図中工ｐは直流電流源、８１１ｒ〜８
ｚは夫々半導体スイッチング素子、／〜１は検出回路、
７〜ｌコは積分器、１３は最大値検出回路％ｌ弘は割Ｘ
器ｓ／ｊＦｉ掛算器を示す。
交流発振器の一例を示す回路図、第２図は第１図の半導
体スイッチング素子の過電流防止方浩の一実施例を示す
構成図であって１図中工ｐは直流電流源、８１１ｒ〜８
ｚは夫々半導体スイッチング素子、／〜１は検出回路、
７〜ｌコは積分器、１３は最大値検出回路％ｌ弘は割Ｘ
器ｓ／ｊＦｉ掛算器を示す。
Claims (1)
- 直流電流源の出力を複数個の半導体スイッチング素子を
用いてなる電流形インノ（−夕に供給し所定の交流出力
を取り出すものにおいて、前記各半導体スイッチング素
子の通流幅に対応したオン信号を夫々検出し、それらオ
ン信号を夫々積分器で積分して電圧信号として出力し、
該積分器の出力電圧の最大のものＴｏ’ を検出しこれ
で基準電圧ｖＯを割り、直流電流基準値よりｏ ｔ−掛
は算して得られるものを直流電流設定値とし、これにも
とづいて前記直流電流源の大きさの設定を行なうように
したことを＊＊とする電流形インバータにおける半導体
スイッチング素子の過電流防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155664A JPS5858871A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 電流形インバ−タにおける半導体スイツチング素子の過電流防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155664A JPS5858871A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 電流形インバ−タにおける半導体スイツチング素子の過電流防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858871A true JPS5858871A (ja) | 1983-04-07 |
| JPH0218030B2 JPH0218030B2 (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=15610888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56155664A Granted JPS5858871A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 電流形インバ−タにおける半導体スイツチング素子の過電流防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858871A (ja) |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56155664A patent/JPS5858871A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0218030B2 (ja) | 1990-04-24 |
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