JPS5856364A - モノリシツクとして構成された光受信器の入力段 - Google Patents
モノリシツクとして構成された光受信器の入力段Info
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- JPS5856364A JPS5856364A JP57155297A JP15529782A JPS5856364A JP S5856364 A JPS5856364 A JP S5856364A JP 57155297 A JP57155297 A JP 57155297A JP 15529782 A JP15529782 A JP 15529782A JP S5856364 A JPS5856364 A JP S5856364A
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- A61C11/00—Dental articulators, i.e. for simulating movement of the temporo-mandibular joints; Articulation forms or mouldings
- A61C11/02—Dental articulators, i.e. for simulating movement of the temporo-mandibular joints; Articulation forms or mouldings characterised by the arrangement, location or type of the hinge means ; Articulators with pivots
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＰＩＮフォトダイオードと、該ダイオードに
接続された電界効果トランジスタとから成る、モノリシ
ックとして構成された光受信器の入力段に関する。
接続された電界効果トランジスタとから成る、モノリシ
ックとして構成された光受信器の入力段に関する。
従来は、光ファイノ々−伝送系のための広幅の光受信器
の入力段には、比較的高感度を有するために少なくとも
電子なだれフォトダイオードが使用された。この種のフ
ォトダイオードの電子なだれ増倍の制御は、極めて高価
な回路によってのみ実施可能であるＣ電子なだれフォト
ダイオ−ｒは後続の増幅回路に比較して供給電圧が高い
ことに基づき容量的に遮断する必要がある。しかし、こ
の手段は、受信器のノ々ンド幅の減少を惹起する好まし
からぬ漏れリアクタンスを伴なう。
の入力段には、比較的高感度を有するために少なくとも
電子なだれフォトダイオードが使用された。この種のフ
ォトダイオードの電子なだれ増倍の制御は、極めて高価
な回路によってのみ実施可能であるＣ電子なだれフォト
ダイオ−ｒは後続の増幅回路に比較して供給電圧が高い
ことに基づき容量的に遮断する必要がある。しかし、こ
の手段は、受信器のノ々ンド幅の減少を惹起する好まし
からぬ漏れリアクタンスを伴なう。
以下の両刊行物ニ
ルシー、？−ズ・フォア・オプチカル・コミュニイケー
ションズ：ア・コンノξリスン・オブ・アノぐランチ・
フォトダイオード・ウィズ・ＰＩＮ−ＦＦＴ、ハイブリ
ッドズ（Ｒｅｃｅｊ、ｖｅｒｓ ｆｏｒ ｏｐｔｉｃａ
ｌｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｌｏｎｓ：ａ ｃｏｍｐａｒｉ
ｓｏｎ ｏｆ ａｖａｌａｎｃｈｅｐｈｏｔｏｄｉｏｄ
ｅｓ ｖｉｔｈ ＰＩＮ−ＦＥＴ ｂｙｂｒｉｄｓ）“
、０ｐｔｉｃａｌ＆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒ、
’ １９７５年１０月、２９３〜３００頁及び ’ ＰＩＮ−ＦＥＴ、ハイブリッド・オプチカル・レシ
ーノンース・フォア・ロンガー・ウーブレングス・オプ
チカル・コミュニケーションーシステムズ（ＰＩＮ−Ｆ
ＥＴ ｈｙｂｒｉｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｒｓ ｆｏｒ ｌｏ−ｎｇｅｒ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ
ｏｐｔｉｃａｌ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ５ｙ
−ｓ ｔｅｍｓ ）“６ ｔｈ Ｅｕｒｏｐ、 Ｃｏｎ
ｆ、 ｏｎ Ｏｐｔ、 Ｃ’ｏｍｍｕｎｉ−ｃａｔｉ＠
ｒｌ、 ＝ ニーヨーク、１９８０年に、光受信器の入
力口にＰＩＮフォトダイオードと該ダイオ−Ｐに接続さ
れた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を使用すれば同じ
・ζンＰ幅ｆ、電子なだれフォトダイオ−Ｐと少なくと
も精確に同じ高さの受信器感度が達成されることが立証
されている。ＰＩＮフォトダイオードは後続された活性
半導体素子（双極−・、電界効果トランジスタ等）に電
圧が匹適する、即ち受信器のバンド幅に不利に作用する
ことがある遮断手段を必要としない。更に、ＰＩＮフォ
トダイオードは電子なだれフォトダイオードとは異なり
ダイオード逆電圧を安定化するための高価な制御回路を
必要としない・光受信に電子なだれフォトダイオードを
使用するのを回避し、それにもかかわらず高い入力感度
を達成するためには、入力段におけるＰＩＮフォトダイ
オ−Ｐ及び電界効果トランジスタには以下の要求が課せ
られる。
ションズ：ア・コンノξリスン・オブ・アノぐランチ・
フォトダイオード・ウィズ・ＰＩＮ−ＦＦＴ、ハイブリ
ッドズ（Ｒｅｃｅｊ、ｖｅｒｓ ｆｏｒ ｏｐｔｉｃａ
ｌｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｌｏｎｓ：ａ ｃｏｍｐａｒｉ
ｓｏｎ ｏｆ ａｖａｌａｎｃｈｅｐｈｏｔｏｄｉｏｄ
ｅｓ ｖｉｔｈ ＰＩＮ−ＦＥＴ ｂｙｂｒｉｄｓ）“
、０ｐｔｉｃａｌ＆ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒ、
’ １９７５年１０月、２９３〜３００頁及び ’ ＰＩＮ−ＦＥＴ、ハイブリッド・オプチカル・レシ
ーノンース・フォア・ロンガー・ウーブレングス・オプ
チカル・コミュニケーションーシステムズ（ＰＩＮ−Ｆ
ＥＴ ｈｙｂｒｉｄ ｏｐｔｉｃａｌ ｒｅｃｅｉｖｅ
ｒｓ ｆｏｒ ｌｏ−ｎｇｅｒ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ
ｏｐｔｉｃａｌ ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ ５ｙ
−ｓ ｔｅｍｓ ）“６ ｔｈ Ｅｕｒｏｐ、 Ｃｏｎ
ｆ、 ｏｎ Ｏｐｔ、 Ｃ’ｏｍｍｕｎｉ−ｃａｔｉ＠
ｒｌ、 ＝ ニーヨーク、１９８０年に、光受信器の入
力口にＰＩＮフォトダイオードと該ダイオ−Ｐに接続さ
れた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を使用すれば同じ
・ζンＰ幅ｆ、電子なだれフォトダイオ−Ｐと少なくと
も精確に同じ高さの受信器感度が達成されることが立証
されている。ＰＩＮフォトダイオードは後続された活性
半導体素子（双極−・、電界効果トランジスタ等）に電
圧が匹適する、即ち受信器のバンド幅に不利に作用する
ことがある遮断手段を必要としない。更に、ＰＩＮフォ
トダイオードは電子なだれフォトダイオードとは異なり
ダイオード逆電圧を安定化するための高価な制御回路を
必要としない・光受信に電子なだれフォトダイオードを
使用するのを回避し、それにもかかわらず高い入力感度
を達成するためには、入力段におけるＰＩＮフォトダイ
オ−Ｐ及び電界効果トランジスタには以下の要求が課せ
られる。
高い量子収量及び低い暗電流を有する極めて容量の小さ
いＰＩＮフォトダイオードを選択すべきである・更に、
電界効果トランジスタはできるだけ低いゲート漏れ電流
、大きな相互コンダクタンス及び小さなゲート−ソース
容量を有すヘキである。最後に、ＰＩＮフォトダイオー
ドと電界効果トランジスタとの間の電気的接続によって
生じるレアクタンスは、受信器の限界周波数を更に高め
、ひいては該受信器を最高のビットレートのためにも使
用できるようにするために、できるかぎり小さく維持°
すべきであるＯ本発明の課題は、特に前記要求を満足す
ることにある。
いＰＩＮフォトダイオードを選択すべきである・更に、
電界効果トランジスタはできるだけ低いゲート漏れ電流
、大きな相互コンダクタンス及び小さなゲート−ソース
容量を有すヘキである。最後に、ＰＩＮフォトダイオー
ドと電界効果トランジスタとの間の電気的接続によって
生じるレアクタンスは、受信器の限界周波数を更に高め
、ひいては該受信器を最高のビットレートのためにも使
用できるようにするために、できるかぎり小さく維持°
すべきであるＯ本発明の課題は、特に前記要求を満足す
ることにある。
前記課題は、本発明によシ、ＰＩＮフォトダイオ−ｒと
、該ダイオードに接続された電界効果トランジスタとか
ら成る、モノシリツクとして構成された光受信器の入力
段において、ＰＩＮフォトダイオードがＧａＩｎＡｓＰ
から成る光線の吸収帯域と、ＩｎＰ層から形成されたｐ
ｎ接合とを有しかつＰＩＮフォトダイオードと電界効果
トランジスタとの共通の支持体が、上方にｎ−−ＩｎＰ
層が配置された半導体のＩｎＰサブストレート１あり、
その際ｎ−ＩｎＰ層が同時に電界効果トランジスタの活
性帯域を成すことによシ解決される０本発明の有利な実
施態様は、特許請求の範囲の第２項以下に記載されてい
る。
、該ダイオードに接続された電界効果トランジスタとか
ら成る、モノシリツクとして構成された光受信器の入力
段において、ＰＩＮフォトダイオードがＧａＩｎＡｓＰ
から成る光線の吸収帯域と、ＩｎＰ層から形成されたｐ
ｎ接合とを有しかつＰＩＮフォトダイオードと電界効果
トランジスタとの共通の支持体が、上方にｎ−−ＩｎＰ
層が配置された半導体のＩｎＰサブストレート１あり、
その際ｎ−ＩｎＰ層が同時に電界効果トランジスタの活
性帯域を成すことによシ解決される０本発明の有利な実
施態様は、特許請求の範囲の第２項以下に記載されてい
る。
ところで、本発明に基づく受信器の入力段のモノリシッ
ク構造の利点は、−面受は少ない、制御可能な漏れレア
クタンス、再現性にありかつ他面ではコストの廉価な回
路の製造にある。
ク構造の利点は、−面受は少ない、制御可能な漏れレア
クタンス、再現性にありかつ他面ではコストの廉価な回
路の製造にある。
次に、図示の実施例につき本発明の詳細な説明する。
第１図には、以下に説明する電界効果トランジスタと共
にモノリシックとして構成するために適当であるＰＩＮ
フォトダイオードが示すしている。このＰＩＮフォトダ
イオ−１は以下のエピタキシ一層から構成される。その
２つの最上部の層はｐｎ−接合を形成しかつｐ／ｎ −
ＩｎＰから成る。それに、光線のためにｎ−Ｇａ１ｎＡ
ｓＰから成る吸収帯域が引続き、更にｎ” −Ｉ ｎ
Ｐ層が引続いている・後者の層は低抵抗の接触帯域上し
て作用する。一方の電極の接触のために、ｎ” −Ｉｎ
Ｐは平坦な範囲を有し、その上に金属被膜が施されてい
る。他方の電極の接触は平坦な最上部のｐ＋ −Ｉ ｎ
Ｐ層ｆ行なわれる。
にモノリシックとして構成するために適当であるＰＩＮ
フォトダイオードが示すしている。このＰＩＮフォトダ
イオ−１は以下のエピタキシ一層から構成される。その
２つの最上部の層はｐｎ−接合を形成しかつｐ／ｎ −
ＩｎＰから成る。それに、光線のためにｎ−Ｇａ１ｎＡ
ｓＰから成る吸収帯域が引続き、更にｎ” −Ｉ ｎ
Ｐ層が引続いている・後者の層は低抵抗の接触帯域上し
て作用する。一方の電極の接触のために、ｎ” −Ｉｎ
Ｐは平坦な範囲を有し、その上に金属被膜が施されてい
る。他方の電極の接触は平坦な最上部のｐ＋ −Ｉ ｎ
Ｐ層ｆ行なわれる。
ｐｎ−接合が大きな・々ンド幅を有する帯域（ｐ”−Ｔ
ｎＰ／ｎ＋ −ＩｎＰ ）に位置することにょシ、極め
テ僅カナタイオーＰ−暗電流が生じるにすぎない。
ｎＰ／ｎ＋ −ＩｎＰ ）に位置することにょシ、極め
テ僅カナタイオーＰ−暗電流が生じるにすぎない。
従って、トンネル電流は一般に発生電流及び再結合電流
に対して無視することができる。エピタキシ一層が第１
図に示した寸法を有するＰＩＮフォトダイオードの暗電
流は、約ｌ ＱｎＡ？’ある。
に対して無視することができる。エピタキシ一層が第１
図に示した寸法を有するＰＩＮフォトダイオードの暗電
流は、約ｌ ＱｎＡ？’ある。
このダイオードの遮断層容量は、ダイオ−Ｐ直径約１０
０μｍで約０．５ｐＦである０これらは直径が減少すれ
ば一層減少する。
０μｍで約０．５ｐＦである０これらは直径が減少すれ
ば一層減少する。
ＰＩＮフォトダイオ−ｒの前記層順序が、薄い（０，５
〜２μｍ）ｎ−ＩｎＰ層で被覆されがッＦｅｆｒｉドー
ゾされたＩｎＰから成るサブ−ストレートより成る支持
体上に施されている。
〜２μｍ）ｎ−ＩｎＰ層で被覆されがッＦｅｆｒｉドー
ゾされたＩｎＰから成るサブ−ストレートより成る支持
体上に施されている。
第２図に示したＭＥｓ−ＦＥＴも同じ支持体を有し、こ
の場合ｎ−ＩｎＰ層は電界効果トランジスタのための活
性帯域として作用する。この活性帯域上には、ソース及
びｒレインのたの接点が存在し、それに対してゲートは
酸化物層によって活性帯域から分離されている。約１０
ｎｍ厚の酸化物層でＩｎＰとＡｕゲートとの間の約０．
８〜０．９ｅｖの高い電位）２ ＩＪギヤーショットキ
ー障壁）が生じる。
の場合ｎ−ＩｎＰ層は電界効果トランジスタのための活
性帯域として作用する。この活性帯域上には、ソース及
びｒレインのたの接点が存在し、それに対してゲートは
酸化物層によって活性帯域から分離されている。約１０
ｎｍ厚の酸化物層でＩｎＰとＡｕゲートとの間の約０．
８〜０．９ｅｖの高い電位）２ ＩＪギヤーショットキ
ー障壁）が生じる。
第３図は、前記のＰＩＮフォトダイオードと、薄膜のゲ
ート酸化物を有するＭＥＳ−ＦＥＴとのモノリシック構
造を示す。両者の組合せ回路のための例として選択した
構成は、第４図の等価回路図から明らかである。
ート酸化物を有するＭＥＳ−ＦＥＴとのモノリシック構
造を示す。両者の組合せ回路のための例として選択した
構成は、第４図の等価回路図から明らかである。
よシ厚い酸化物層を使ル、すると、ＭＥＳ−ＰＥＴから
ＭＩＳ−ＦＥＴが生じる。
ＭＩＳ−ＦＥＴが生じる。
酸化物の代シにゲート金属化によって面状のｐ−ドーピ
ング層をｎ−ＩｎＰに接触させると、遮断層ＦＥＴが生
じる。
ング層をｎ−ＩｎＰに接触させると、遮断層ＦＥＴが生
じる。
ＩｎＰは波長λ〉１μｍに対して透明ｆあるので、鳴
フォトダイオードを上側から又は下側から照射すること
ができる。下側からの照射は・最小の遮断層容量を有す
る極めて小さな面の７オトダイオードの実現を可能にす
る０
ができる。下側からの照射は・最小の遮断層容量を有す
る極めて小さな面の７オトダイオードの実現を可能にす
る０
第１図はＰＩＮフォトダイオードの構成を示す断面図、
第２図は分離したＭＥＳ電界効果トランジスタの構成を
示す断面図、第３図は両者のモノリシック構造の構成を
示す断面図及び第４図は該モノリシソ゛り構造の等価回
路図である。
第２図は分離したＭＥＳ電界効果トランジスタの構成を
示す断面図、第３図は両者のモノリシック構造の構成を
示す断面図及び第４図は該モノリシソ゛り構造の等価回
路図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＰＩＮフォトダイオ−Ｐと、該ダイオードに接続さ
れた電界効果トランジスタとから成る、モノリシックと
して構成された光受信器の入力段において、 ＰＩＮフ
ォトダイオードがＧａＩｎＡｓＰから成る光線の吸収帯
域と、ＩｎＰ層から形成されたｐｎ接合とを有しかつＰ
ＩＮフォトダイオードと電界効果トランジスタとの共通
の支持体が、上方にｎ−ＩｎＰ層が配置された半導体の
ＩｎＰサブストレートであり、その際ｎ−−ＩｎＰ層が
同時に電界効果トランジスタの活性帯域を成すことを特
徴とする、モノリシックとして構成された光受信器の入
力段０２、ＩｎＰ：Ｆｅ／ｎ−ＩｎＰ支持体上に施され
苑Ｐ工Ｎフォトダイオードのエピタキシ一層順序がｎ＋
−ＩｎＰ 、 ｎ７−ＧａＩｎＡｓＰ ％ｎ”−！ｎＰ
、 ｐ”−ＩｎＰである、特許請求の範囲第１項記載の
装置。 ３、 ｎ−”ＩｎＰ層の厚さが０，５〜２μｍであり
、＋−ＩｎＰ層の厚さが１０μｍであり、ｎ−−Ｇａ
ＩｎＡｓＰ層の厚さが２５μｍであり、ｎ＋−Ｉ ｎ
Ｐ層の厚さが１μｍであり、ｐ”−ＩｎＰ層の厚さが２
．５ μｍでありかつＰＩＮ−フォトダイオードの直径
が≦１００μｒｒＩ％ある、特許請求の範囲第２項記載
の装置。 ４、ＰＩＮフォトダイオードのｎ＋−ＩｎＰ層が、ｐ＋
−ＩｎＰ層と接触した電極の反対電極として金属化され
た範囲を有する、特許請求の範囲第２項記載の装置。 ５、電界効果トランジスタとしてｎ−−：［ｎＰ／金属
／半導体−電界効果トランジスタ（ＭＥＳ −ＦＥＴ）
とし１構成されている、特許請求の範囲第１項記載の装
置。 ６、 ｎ”−ＩｎＰ層と電界効果トランジスタのゲー
トとの間に酸化物層が配置されている、特許請求の範囲
第５項記載の装置０ ７、 ｎ−ＩｎＰ層と電界効果トランジスタのゲート
との間に絶縁体が配置されている、特許請求の範囲第１
項記載の装置。 ８、電界効果トランジスタがｐｎ−ＩｎＰ層 ３１Ｍ断
層／電解効果トランジスタとして構成されている、特許
請求の範囲第１項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE31354699 | 1981-09-08 | ||
| DE3135469A DE3135469C1 (de) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | Verfahren zur Anfertigung von Zahnersatz,Zahnersatzteilen oder verlorenen Giessmodellen hierfuer und Formen zur Durchfuehrung dieses Verfahrens |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856364A true JPS5856364A (ja) | 1983-04-04 |
Family
ID=6141099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57155297A Pending JPS5856364A (ja) | 1981-09-08 | 1982-09-08 | モノリシツクとして構成された光受信器の入力段 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4449936A (ja) |
| EP (1) | EP0074527B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5856364A (ja) |
| AT (1) | ATE14521T1 (ja) |
| DE (1) | DE3135469C1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169967A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
| JPS6346782A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-02-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体受光・増幅装置 |
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| DE3909655A1 (de) * | 1989-03-23 | 1990-09-27 | Brehm Peter | Verfahren zur herstellung eines zahnersatzteils, wie krone oder bruecke, sowie artikulator und kauschablone zur durchfuehrung des verfahrens |
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| NL1018887C2 (nl) * | 2001-09-04 | 2003-03-05 | Malte De Moll | Werkwijze voor het vervaardigen van een gebitsprothese. |
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-
1981
- 1981-09-08 DE DE3135469A patent/DE3135469C1/de not_active Expired
-
1982
- 1982-08-24 EP EP82107747A patent/EP0074527B1/de not_active Expired
- 1982-08-24 AT AT82107747T patent/ATE14521T1/de not_active IP Right Cessation
- 1982-09-08 JP JP57155297A patent/JPS5856364A/ja active Pending
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