JPH01192168A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01192168A JPH01192168A JP1592988A JP1592988A JPH01192168A JP H01192168 A JPH01192168 A JP H01192168A JP 1592988 A JP1592988 A JP 1592988A JP 1592988 A JP1592988 A JP 1592988A JP H01192168 A JPH01192168 A JP H01192168A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体光素子が他の素子とそノリシックに
複合形成された半導体装置に関する。
複合形成された半導体装置に関する。
（従来の技術）
半導体光素子の高機能化を計るため、あるいは電子集積
回路間の信号を高速で伝送するために、半導体光素子と
他の光半導体素子や電子素子等とを一枚の半導体基板上
に複合化した半導体装置、いわゆる光ＩＣや光電子集積
回路（ＯＢＩＣ）が注目されている。しかし、半導体光
素子から漏れ出た光は他の半導体光素子や電子素子の動
作に影響を与える恐五がある。また半導体光素子の中に
は、他の光素子や電子素子と比べて大電流や高電圧で駆
動するために、高速信号で駆動する際に容量性の結合に
より他の低レベルで動作する素子に電気的に悪影響を与
える恐れのあるものもある。
回路間の信号を高速で伝送するために、半導体光素子と
他の光半導体素子や電子素子等とを一枚の半導体基板上
に複合化した半導体装置、いわゆる光ＩＣや光電子集積
回路（ＯＢＩＣ）が注目されている。しかし、半導体光
素子から漏れ出た光は他の半導体光素子や電子素子の動
作に影響を与える恐五がある。また半導体光素子の中に
は、他の光素子や電子素子と比べて大電流や高電圧で駆
動するために、高速信号で駆動する際に容量性の結合に
より他の低レベルで動作する素子に電気的に悪影響を与
える恐れのあるものもある。
この様な光学的、電気的な素子間の寄生結合を防ぐため
、従来素子間に光吸収層ないし光吸収領域を設ける、高
抵抗基板、高抵抗層、高抵抗領域、溝等により電気的な
素子分離をはかるなどの方法がとられてきた。しかしな
がら、この方法だけでは光吸収層で発生したキャリアの
分布の時間変動により電位分布が変化して各素子の動作
が変化する。あるいは光吸収領域を介した容量性結合を
防止できない等の問題があり、アイソレージ璽ンは不十
分であった。
、従来素子間に光吸収層ないし光吸収領域を設ける、高
抵抗基板、高抵抗層、高抵抗領域、溝等により電気的な
素子分離をはかるなどの方法がとられてきた。しかしな
がら、この方法だけでは光吸収層で発生したキャリアの
分布の時間変動により電位分布が変化して各素子の動作
が変化する。あるいは光吸収領域を介した容量性結合を
防止できない等の問題があり、アイソレージ璽ンは不十
分であった。
次に、従来技術の問題点を第３図の半導体レーザ５４と
接合ゲー） ＦＥＴ ５５を集積化した半導体装置を例
にとって具体的に説明する。この半導体装置は、ｎ十形
Ｉｎｐ基板４１上ｋｉｎ形Ｉｎｐバッファ層４２、アン
ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層４３％Ｐ形Ｉ ｎ Ｐ ｊ
５ ｙ ｌ’ ＰＭ ４４．７ン）’−フＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層４５、アンドープ高抵抗ＩｎＡＡｊＡｓ層４
６、ｎ形ＩｎＧａＡｓＦＥＴチャネル層４７を順次積層
したエピタキシャル成長基板上に形成されている。半導
体レーザ部５２には、ストライプ状に表面からｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層４４に達するＰ形不純物注入領域４８が形
成されており、アンドープＩｎＡｌＡｓ層４６をつらぬ
く電流の流路がこの部分に限られるため、活性層のこの
ストライプ直下の部分４９が発光領域となる。
接合ゲー） ＦＥＴ ５５を集積化した半導体装置を例
にとって具体的に説明する。この半導体装置は、ｎ十形
Ｉｎｐ基板４１上ｋｉｎ形Ｉｎｐバッファ層４２、アン
ドープＩｎＧａＡｓＰ活性層４３％Ｐ形Ｉ ｎ Ｐ ｊ
５ ｙ ｌ’ ＰＭ ４４．７ン）’−フＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層４５、アンドープ高抵抗ＩｎＡＡｊＡｓ層４
６、ｎ形ＩｎＧａＡｓＦＥＴチャネル層４７を順次積層
したエピタキシャル成長基板上に形成されている。半導
体レーザ部５２には、ストライプ状に表面からｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層４４に達するＰ形不純物注入領域４８が形
成されており、アンドープＩｎＡｌＡｓ層４６をつらぬ
く電流の流路がこの部分に限られるため、活性層のこの
ストライプ直下の部分４９が発光領域となる。
Ｐ形不純物注入領域４８の上にはＰゼオ−ミック電極５
１、基板には−ｎ形オーミック電極５３が形成されてい
る。一方、接合ゲー） ＦＥＴ ５５はｒｒ−Ｉ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓチャネル層４７のメサ内に形成されてい
る。チャネル層表面に浅いＰ形不純物拡散領域５０、そ
の上にＰゼオ−ミック電極５１が形成され、これらがゲ
ートとなる。ゲート電極の両側にはソース、ドレイン電
極となるｎ形オーミック電極５２が形成されている。各
素子間の電気的アイソレージ冒ンは、高抵抗Ｉ ｎ Ａ
Ｉ Ａ ｓ層４６によってなされる。半導体レーザか
らの漏れ光の大部分は光吸収層４５により吸収されるた
め、ＦＥＴの動作に直接的な悪影響は及ばない。しかし
、光吸収により発生したキャリアにより光吸収層４５の
抵抗率が変化し、レーザ駆動電流の流路が変化し、ＦＥ
Ｔ直下の吸収層の電位も変化する。光吸収層とＦＢＴの
間には容量的な結合があるため、ＦＥＴの動作状態が変
化してしまうことになる。
１、基板には−ｎ形オーミック電極５３が形成されてい
る。一方、接合ゲー） ＦＥＴ ５５はｒｒ−Ｉ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓチャネル層４７のメサ内に形成されてい
る。チャネル層表面に浅いＰ形不純物拡散領域５０、そ
の上にＰゼオ−ミック電極５１が形成され、これらがゲ
ートとなる。ゲート電極の両側にはソース、ドレイン電
極となるｎ形オーミック電極５２が形成されている。各
素子間の電気的アイソレージ冒ンは、高抵抗Ｉ ｎ Ａ
Ｉ Ａ ｓ層４６によってなされる。半導体レーザか
らの漏れ光の大部分は光吸収層４５により吸収されるた
め、ＦＥＴの動作に直接的な悪影響は及ばない。しかし
、光吸収により発生したキャリアにより光吸収層４５の
抵抗率が変化し、レーザ駆動電流の流路が変化し、ＦＥ
Ｔ直下の吸収層の電位も変化する。光吸収層とＦＢＴの
間には容量的な結合があるため、ＦＥＴの動作状態が変
化してしまうことになる。
特に、レーザ駆動電流を高速変調する際には、Ｆ］１３
Ｔの直下近傍を流れる電流が高速で変化するため、光吸
収がなくともＦＥＴ直下の部分の電位が変動し、低レベ
ルで動作するＦＥＴの動作に大きな影響が出ることにな
る。
Ｔの直下近傍を流れる電流が高速で変化するため、光吸
収がなくともＦＥＴ直下の部分の電位が変動し、低レベ
ルで動作するＦＥＴの動作に大きな影響が出ることにな
る。
（発明が解決しようとする課題）
前項に述べたように、従来の技術では光吸収層で発生し
たキャリアにより光吸収層の電位が変化し、間接的に他
の素子の動作に悪影響が出るおそれがあり、光アイソレ
ージｌンは不完全であった。また、容量性の電気的結合
に対するアイソレージ璽ンも不完全であった。
たキャリアにより光吸収層の電位が変化し、間接的に他
の素子の動作に悪影響が出るおそれがあり、光アイソレ
ージｌンは不完全であった。また、容量性の電気的結合
に対するアイソレージ璽ンも不完全であった。
本発明は、光吸収層の電位変化等の間接的な、影響１．
に対しても有効な、優れた光学的、電気的アイソレージ
冒ンを実現した半導体装置を提供することを目的とする
う 〔発明の構成〕 （課題を解決するための手段） 半導体レーザ、発光ダイオード、ホトダイオード、光伝
導素子、半導体光変調器等の半導体光素子を別の半導体
光素子やＦＥＴ（ｉｌ界効果トランジスタ）、ＨＢＴ（
ヘテロバイゲーラトランジスタ）等の半導体光子素チと
複合集積化するに当たって、本発明では基板に半絶縁性
基！を用い、該半導体光素子は半絶縁性基板表面近傍の
光吸収領域により下部と周囲を囲まれたセル内に形成さ
れており、該光吸収層は低抵抗率の半導体材料がらなり
、はぼ一定電位に保たれている。
に対しても有効な、優れた光学的、電気的アイソレージ
冒ンを実現した半導体装置を提供することを目的とする
う 〔発明の構成〕 （課題を解決するための手段） 半導体レーザ、発光ダイオード、ホトダイオード、光伝
導素子、半導体光変調器等の半導体光素子を別の半導体
光素子やＦＥＴ（ｉｌ界効果トランジスタ）、ＨＢＴ（
ヘテロバイゲーラトランジスタ）等の半導体光子素チと
複合集積化するに当たって、本発明では基板に半絶縁性
基！を用い、該半導体光素子は半絶縁性基板表面近傍の
光吸収領域により下部と周囲を囲まれたセル内に形成さ
れており、該光吸収層は低抵抗率の半導体材料がらなり
、はぼ一定電位に保たれている。
、（作用）
各素子は半絶縁性基板により直流的に分離されている。
半導体光素子からの漏れ光は光吸収層により吸収される
ので、各素子は光学的にも分離されている。さらに光吸
収層は一定軍位に保たれてい−るため、光吸収により発
生したキャリアによる電位分布の変化はほとんどなく、
発生キャリアによる他の素子の動作の変化も抑制される
。また、一定電位に保たれた光吸収層のシールド効果に
より、セル内の光半導体素子とセル外の素子の間の静電
的、誘導的な結合が抑制され、交流的にも電気的なアイ
ソレージ冒ンがはかれる。よって、半導体光素子からの
漏れ光や電気的な雑音は該半導体光素子の属するセルの
外へほとんど出てこないことになる。
ので、各素子は光学的にも分離されている。さらに光吸
収層は一定軍位に保たれてい−るため、光吸収により発
生したキャリアによる電位分布の変化はほとんどなく、
発生キャリアによる他の素子の動作の変化も抑制される
。また、一定電位に保たれた光吸収層のシールド効果に
より、セル内の光半導体素子とセル外の素子の間の静電
的、誘導的な結合が抑制され、交流的にも電気的なアイ
ソレージ冒ンがはかれる。よって、半導体光素子からの
漏れ光や電気的な雑音は該半導体光素子の属するセルの
外へほとんど出てこないことになる。
（実施例）
第１図は、本発明の第一の実施例である半導体装置の断
面の概念図である。この半導体装置はＩｎＧａＡｓＰ半
導体レ−ｆ１４とし ｎＧａＡｓ接合ゲー）ＦＥＴ１５
とが一枚の半絶縁性ＩｎＰ基板１上に集積された０ＢＩ
Ｃである。この０ＲＩＣは次の様にして製造される。ま
ず基板１０半導体レーザを作製しようとする部分に凹部
を形成し、この凹部に選択的にＭＯ−ＣＶＤ法により第
１のｒ” Ｉｎ Ｇ ａ Ａ Ｓ光吸収層２、高抵抗１
−ｎ Ａ ７３ Ａ ｓ絶縁Ｎ３、ｎ”ＩｎＰクラッド
層４を成長する。続いてこの選択成長した部分の側壁を
含む部分に凹部を形成し、第２のｎ”ＩｎＧａＡｓ光吸
収層５をＭＯＣＶＤ法で選択的に埋込み成長する。この
後半導体レーザの活性層６やＦＥＴの能動層７となるｎ
（〜Ｉ Ｘ １０”ｃｉりＩ ｎＧａＡｓ層を成長し
、活性領域６０両サイドの部分のみエツチングで除去す
る。次にＰ”Ｉ ｎ Ｐ層８、Ｐ’ＩｎＧａＡｓＰキャ
ップ層９を積層し、Ｐ形オーミック電極１０を所定部に
形成し、これをマスクとしてＰ＋ｌ ｎＧａＡｓ２層８
のメサを形成する。次に、所定位置にｎ形にオーミック
電極１’ｌ、１２を形成し、ｎクツラド層４と第２の光
吸収層５の間の分離溝１３を開け、最後に必要な配線を
行なうことにより、第一の実施例の０ＢＩＣが完成する
。半導体レーザ１４は、低抵抗ｒｒ４−１ｎＧａＡｓ吸
収層２，５と高抵抗層３．溝１３で半絶縁性基板１と分
離されたセル内に形−成されている。光吸収層２．５は
電極１２を介して一定電位を与えられている。半導体レ
ーザからの漏れ光は光吸収層２，５で吸収されるので基
板からＦＥＴ１５へ漏れ込むことはない。さらに、光吸
収層２．５は一定電位に保たれでいるので、セル内の霊
流、電圧の変化、発生キャリアによる電位の変化゛はシ
ールドされる。よりて、半導体レーザとＦＢＴの間の十
分な光学的１電気的アイソレージ璽ンが実現できる。
面の概念図である。この半導体装置はＩｎＧａＡｓＰ半
導体レ−ｆ１４とし ｎＧａＡｓ接合ゲー）ＦＥＴ１５
とが一枚の半絶縁性ＩｎＰ基板１上に集積された０ＢＩ
Ｃである。この０ＲＩＣは次の様にして製造される。ま
ず基板１０半導体レーザを作製しようとする部分に凹部
を形成し、この凹部に選択的にＭＯ−ＣＶＤ法により第
１のｒ” Ｉｎ Ｇ ａ Ａ Ｓ光吸収層２、高抵抗１
−ｎ Ａ ７３ Ａ ｓ絶縁Ｎ３、ｎ”ＩｎＰクラッド
層４を成長する。続いてこの選択成長した部分の側壁を
含む部分に凹部を形成し、第２のｎ”ＩｎＧａＡｓ光吸
収層５をＭＯＣＶＤ法で選択的に埋込み成長する。この
後半導体レーザの活性層６やＦＥＴの能動層７となるｎ
（〜Ｉ Ｘ １０”ｃｉりＩ ｎＧａＡｓ層を成長し
、活性領域６０両サイドの部分のみエツチングで除去す
る。次にＰ”Ｉ ｎ Ｐ層８、Ｐ’ＩｎＧａＡｓＰキャ
ップ層９を積層し、Ｐ形オーミック電極１０を所定部に
形成し、これをマスクとしてＰ＋ｌ ｎＧａＡｓ２層８
のメサを形成する。次に、所定位置にｎ形にオーミック
電極１’ｌ、１２を形成し、ｎクツラド層４と第２の光
吸収層５の間の分離溝１３を開け、最後に必要な配線を
行なうことにより、第一の実施例の０ＢＩＣが完成する
。半導体レーザ１４は、低抵抗ｒｒ４−１ｎＧａＡｓ吸
収層２，５と高抵抗層３．溝１３で半絶縁性基板１と分
離されたセル内に形−成されている。光吸収層２．５は
電極１２を介して一定電位を与えられている。半導体レ
ーザからの漏れ光は光吸収層２，５で吸収されるので基
板からＦＥＴ１５へ漏れ込むことはない。さらに、光吸
収層２．５は一定電位に保たれでいるので、セル内の霊
流、電圧の変化、発生キャリアによる電位の変化゛はシ
ールドされる。よりて、半導体レーザとＦＢＴの間の十
分な光学的１電気的アイソレージ璽ンが実現できる。
次に、第２の実施例である半導体装置について、第２図
を用い゛て説明する。この半導体装置は、半絶縁性Ｉｎ
Ｐ基板２１上に導波型ホトダイオード３８、電子素子３
７．半導体レーザ３６を集積してなる光中継器用０ＥＩ
Ｃである。こ０ＯＥＩＣの製造に当たっては、まず素子
を形成する領域に凹部を形成し、その中にＭＯＣＶＤ法
によりｎ＋Ｉ ｎＧａＡｓＧａＡｓ光吸収半２２性Ｉｎ
Ａｊ’Ａｓ層２３順次選択的に埋め込み成長し、セル
を形成する。次に、ホトダイオード、セル内に再び凹部
全形成し、ｎ−ＩｎＧ１Ａｓ光吸収量ｓａ、牟絶縁性Ｉ
ｎＡ７人Ｓクラッド層２６を選択埋込み成長する。同様
に、半導体レーザ、セル内にもアンドープＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層２５、半絶縁性ＩｎＡＪＡｓクラッド層２６を
遷都成長する。次に、ホトダイオード、セルと半導体レ
ーザ、セルのＰ電極領域に活性層２５より十分禁制帯幅
の広いＰ”−Ｉｎ（＋ａＡａＰ２７を、同様にしてｎ電
極領域にＨ＋Ｉｎ Ｐ ２ Ｂをそれぞれ選択埋込み成
長する。間部に電子素子セル内にもＩｎＧａＡ１能動層
とＩｎＡｊＡｓ障壁層からなるＰＥＴＮ＃２９を選択埋
込成長する。次に、Ｐ領域のオーミック電極３０％ｎ領
域のオーミ、り１！極３１．３２、−シ曹ット午−電極
３３を順次形成し、必要な配線を行ない、半導体光素子
３６．３８で用いる波長に対して不透明な厚い絶縁膜３
４で全体をおおう。最後に、光吸収領域上のオーミ、り
電極３２の上の絶繰膜に開口を設け、この開口を通して
オーミック電極３２に接続されるように金属膜３５で各
素子をおおうＯこの様にして形成された各素子３６．３
７．３８は、光吸収層２２と不透明な絶縁膜３４と金属
膜３５と半絶縁性基板２１とで光学的にも電気的にもシ
ールド分離されてい′る。電子素子３７もセル内に形成
するのは、半導体光素子３６．３８の光吸収層で吸収し
きれなかった光や、配！！部や端面等の信号入出力部か
ら漏れた電気的雑音の侵入を妨げるためであるが、高レ
ベル信号で動作する半導体装置ザ駆動用電子素子のノイ
ズが低レベル信号で動作する光受信器フロントエンド部
の電子素子に悪影響を与−えるのを防ぐ効果ももつ。光
吸収Ｗ４２２は電＠ａ２を介して交流的に接地されてい
るので、吸収により発生した中ヤリアによる電位変化の
影響を防ぐことができる。光吸収層２２は週明な半絶縁
性半導体層２３、及び半絶縁性基板２１で囲まれており
、光吸収層と各素子の間、または異なるセルの光吸収層
間に光電流が流れることはなく、発生したキャリアは光
吸収層内で再結合する。各素子は単に絶縁分離されてい
るだけでなく、電気的にシールドされているので、高速
変調時にも容量結合によるクロストークに対して十分な
アイソレージ璽ンが計れる。以上の効果により、各素子
間には従来より強固な光学的、電気的なアイソレージ曹
ンが計れることになる。
を用い゛て説明する。この半導体装置は、半絶縁性Ｉｎ
Ｐ基板２１上に導波型ホトダイオード３８、電子素子３
７．半導体レーザ３６を集積してなる光中継器用０ＥＩ
Ｃである。こ０ＯＥＩＣの製造に当たっては、まず素子
を形成する領域に凹部を形成し、その中にＭＯＣＶＤ法
によりｎ＋Ｉ ｎＧａＡｓＧａＡｓ光吸収半２２性Ｉｎ
Ａｊ’Ａｓ層２３順次選択的に埋め込み成長し、セル
を形成する。次に、ホトダイオード、セル内に再び凹部
全形成し、ｎ−ＩｎＧ１Ａｓ光吸収量ｓａ、牟絶縁性Ｉ
ｎＡ７人Ｓクラッド層２６を選択埋込み成長する。同様
に、半導体レーザ、セル内にもアンドープＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層２５、半絶縁性ＩｎＡＪＡｓクラッド層２６を
遷都成長する。次に、ホトダイオード、セルと半導体レ
ーザ、セルのＰ電極領域に活性層２５より十分禁制帯幅
の広いＰ”−Ｉｎ（＋ａＡａＰ２７を、同様にしてｎ電
極領域にＨ＋Ｉｎ Ｐ ２ Ｂをそれぞれ選択埋込み成
長する。間部に電子素子セル内にもＩｎＧａＡ１能動層
とＩｎＡｊＡｓ障壁層からなるＰＥＴＮ＃２９を選択埋
込成長する。次に、Ｐ領域のオーミック電極３０％ｎ領
域のオーミ、り１！極３１．３２、−シ曹ット午−電極
３３を順次形成し、必要な配線を行ない、半導体光素子
３６．３８で用いる波長に対して不透明な厚い絶縁膜３
４で全体をおおう。最後に、光吸収領域上のオーミ、り
電極３２の上の絶繰膜に開口を設け、この開口を通して
オーミック電極３２に接続されるように金属膜３５で各
素子をおおうＯこの様にして形成された各素子３６．３
７．３８は、光吸収層２２と不透明な絶縁膜３４と金属
膜３５と半絶縁性基板２１とで光学的にも電気的にもシ
ールド分離されてい′る。電子素子３７もセル内に形成
するのは、半導体光素子３６．３８の光吸収層で吸収し
きれなかった光や、配！！部や端面等の信号入出力部か
ら漏れた電気的雑音の侵入を妨げるためであるが、高レ
ベル信号で動作する半導体装置ザ駆動用電子素子のノイ
ズが低レベル信号で動作する光受信器フロントエンド部
の電子素子に悪影響を与−えるのを防ぐ効果ももつ。光
吸収Ｗ４２２は電＠ａ２を介して交流的に接地されてい
るので、吸収により発生した中ヤリアによる電位変化の
影響を防ぐことができる。光吸収層２２は週明な半絶縁
性半導体層２３、及び半絶縁性基板２１で囲まれており
、光吸収層と各素子の間、または異なるセルの光吸収層
間に光電流が流れることはなく、発生したキャリアは光
吸収層内で再結合する。各素子は単に絶縁分離されてい
るだけでなく、電気的にシールドされているので、高速
変調時にも容量結合によるクロストークに対して十分な
アイソレージ璽ンが計れる。以上の効果により、各素子
間には従来より強固な光学的、電気的なアイソレージ曹
ンが計れることになる。
本発明は以上の実施例に限らず、半導体レーザ。
アレイやホトダイオード、アレイの各チャネル開−双方
向光通信用半導体レーザ、ホトダイオード集積素子の送
受チャネル聞咎のアイソレージ冒ンにも応用できる。ま
た、材料系はＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡＪＡ
ｓ系に限定されるものではなく 、Ｇ ａ Ａ ｓ／
Ａ Ｉ Ｇ ａ入ｓ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡＩＰ
系、Ｇａ８ｂ／人Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ ８ ｂ ／Ｇ
ａ ＩｎＡ＠Ｓｂ系等、樗々Ｏ材料系に応用することが
できる。
向光通信用半導体レーザ、ホトダイオード集積素子の送
受チャネル聞咎のアイソレージ冒ンにも応用できる。ま
た、材料系はＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡＪＡ
ｓ系に限定されるものではなく 、Ｇ ａ Ａ ｓ／
Ａ Ｉ Ｇ ａ入ｓ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡＩＰ
系、Ｇａ８ｂ／人Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ ８ ｂ ／Ｇ
ａ ＩｎＡ＠Ｓｂ系等、樗々Ｏ材料系に応用することが
できる。
以上述べたように、本発明によれば、光吸収層で発生し
たキャリアによる電位変化等の間接的な影響も含めて十
分な光学的アイソレージ冒ンがはかれる。また、交流的
に接地された光吸収層のシールド効果により、従来の単
に素子間容量を減らしただけのアイソレージ曹ンに比し
て強い電気的アイソレージ嘗ンが実現でき、ひいてはよ
り高速な領域での安定な動作が可能となる。
たキャリアによる電位変化等の間接的な影響も含めて十
分な光学的アイソレージ冒ンがはかれる。また、交流的
に接地された光吸収層のシールド効果により、従来の単
に素子間容量を減らしただけのアイソレージ曹ンに比し
て強い電気的アイソレージ嘗ンが実現でき、ひいてはよ
り高速な領域での安定な動作が可能となる。
第１図はこの発明の第一の実施例の半導体装置の断面を
概念的に示す図、第２図は第二の実施例の半導体装置の
断面を概念的に示す図、ｆｓａ図は従来例の半導体装置
の断面を概念的に示す図であるＯ １．２１．４１・・・半導体基板、 １４．３６．５４・・・半導体レーザ、１５．３７，５
５・・・電子素子、 ３８・・・ホトダイオード、 ２．５，２２，４５・・・光吸収領域、３．２３．４６
・・・絶縁層、 １２．３２・・・光吸収領域に形成された電極〇代理人
弁理士 則 近 憲 佑 同 松 山 光 ２ 第１ｇＡ 第２図
概念的に示す図、第２図は第二の実施例の半導体装置の
断面を概念的に示す図、ｆｓａ図は従来例の半導体装置
の断面を概念的に示す図であるＯ １．２１．４１・・・半導体基板、 １４．３６．５４・・・半導体レーザ、１５．３７，５
５・・・電子素子、 ３８・・・ホトダイオード、 ２．５，２２，４５・・・光吸収領域、３．２３．４６
・・・絶縁層、 １２．３２・・・光吸収領域に形成された電極〇代理人
弁理士 則 近 憲 佑 同 松 山 光 ２ 第１ｇＡ 第２図
Claims (3)
- （１）半導体光素子を他の半導体光素子若しくは電子素
子と同一半導体基板上に集積してなる半導体装置におい
て、基板として半絶縁性基板を用い、該半導体光素子は
抵抗率の低い半導体材料からなる光吸収領域により下部
と周囲を囲まれたセル内に形成されており、該光吸収領
域は一定の電位を与えられていることを特徴とする半導
体装置。 - （２）該半導体光素子と該光吸収領域の間に該半導体光
素子で用いる波長の光に対して透明な高抵抗半導体領域
が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置。 - （３）該半導体光素子の上部の信号入出力部以外の部分
には絶縁膜を介して導電体膜が形成されており、該導電
体膜には一定電位が与えられており、少なくとも該絶縁
膜と該導電体膜のいずれかが該半導体光素子で用いる波
長の光に対して不透明であることを特徴とする請求項１
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1592988A JPH01192168A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1592988A JPH01192168A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192168A true JPH01192168A (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=11902462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1592988A Pending JPH01192168A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01192168A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100752057B1 (ko) * | 2005-02-16 | 2007-08-27 | 대주전자재료 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성용 유리 조성물 및이를 이용한 격벽 형성 방법 |
| JP2011249619A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 波長可変半導体レーザ |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP1592988A patent/JPH01192168A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100752057B1 (ko) * | 2005-02-16 | 2007-08-27 | 대주전자재료 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성용 유리 조성물 및이를 이용한 격벽 형성 방법 |
| JP2011249619A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 波長可変半導体レーザ |
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