JPS5853892A - 混成多層配線基板 - Google Patents
混成多層配線基板Info
- Publication number
- JPS5853892A JPS5853892A JP15177181A JP15177181A JPS5853892A JP S5853892 A JPS5853892 A JP S5853892A JP 15177181 A JP15177181 A JP 15177181A JP 15177181 A JP15177181 A JP 15177181A JP S5853892 A JPS5853892 A JP S5853892A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wiring
- conductor
- wiring board
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多層配線基板、特に、絶縁層としてセラミック
と低温焼成無機材料とを用い良高密度配線基板に関する
。
と低温焼成無機材料とを用い良高密度配線基板に関する
。
従来、この種の多層配線基板は、第1図に示すように、
セラミック板l/を多層に積層し、その間隙に高融点金
属系の導体配線層lコを形成するか、あるいは第一図に
示すように、セラミック基板X上に焼成等の方法によっ
て固化可能な絶縁ペースト等を絶縁層コlとして用いる
ことにより、導体配線層−とこれらの絶縁層とを交互に
積上げて多層化し九4のが用いられて来友。
セラミック板l/を多層に積層し、その間隙に高融点金
属系の導体配線層lコを形成するか、あるいは第一図に
示すように、セラミック基板X上に焼成等の方法によっ
て固化可能な絶縁ペースト等を絶縁層コlとして用いる
ことにより、導体配線層−とこれらの絶縁層とを交互に
積上げて多層化し九4のが用いられて来友。
前者では、セラミック板が焼成前の生シート、いわゆる
グリーンシートの状態の時にその表面にモリブデ/To
るiはタングステンなどの高融点金属系の導体ペースト
を配線パター/状に印刷し、各層を目合わせして積層し
同時に焼成する事によって固化させるという製法が用い
られているが、グリーンシート状態の時に導体パターン
の印刷、位置合わせといつ喪高精度を要求される作業が
行なわれる為に、焼成固化後に現われる寸法誤差が大き
く、導体パターンの実現可能な最小寸法は高々aS−〇
〇ミクロン、配線間隔200ミクロン程度で1L更に導
体層とセラミック板が同時に焼成によって形成される為
に、導体層の材料としては高温においても反応性の低い
高融点系金属が用いられる必要があり、これらの金属は
いずれも導電性の面で銅あるいは銀に劣るという欠点が
あった。
グリーンシートの状態の時にその表面にモリブデ/To
るiはタングステンなどの高融点金属系の導体ペースト
を配線パター/状に印刷し、各層を目合わせして積層し
同時に焼成する事によって固化させるという製法が用い
られているが、グリーンシート状態の時に導体パターン
の印刷、位置合わせといつ喪高精度を要求される作業が
行なわれる為に、焼成固化後に現われる寸法誤差が大き
く、導体パターンの実現可能な最小寸法は高々aS−〇
〇ミクロン、配線間隔200ミクロン程度で1L更に導
体層とセラミック板が同時に焼成によって形成される為
に、導体層の材料としては高温においても反応性の低い
高融点系金属が用いられる必要があり、これらの金属は
いずれも導電性の面で銅あるいは銀に劣るという欠点が
あった。
後者では、絶縁層としてセラミック基のものを用いる事
、も低温焼成無機材料を用いる事も可能な為に、導体層
の材料としては特に制約がなく、線幅so tクロン配
線間隔iooきクロ/@度のものも実現可能であるが、
セラミック基板の表裏を貫通する様なスルーホールを形
成するのは不可能ではないにして亀、困at事およびこ
の様なスルーホールを品種別に異なる場所に形成できな
い事等の欠点があった。更に前者では各層を別々に並列
して印刷しておき金属を同時に積層して焼成できるので
、リード−タイムの短縮が図れるのに対して後者では各
層ごとに順次形成していかなければならないという欠点
があつ九。
、も低温焼成無機材料を用いる事も可能な為に、導体層
の材料としては特に制約がなく、線幅so tクロン配
線間隔iooきクロ/@度のものも実現可能であるが、
セラミック基板の表裏を貫通する様なスルーホールを形
成するのは不可能ではないにして亀、困at事およびこ
の様なスルーホールを品種別に異なる場所に形成できな
い事等の欠点があった。更に前者では各層を別々に並列
して印刷しておき金属を同時に積層して焼成できるので
、リード−タイムの短縮が図れるのに対して後者では各
層ごとに順次形成していかなければならないという欠点
があつ九。
本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は、積層セラ建ツクfjKよってス
ルーホールあるいは品種別に異なる導体配線パターンの
一部を形成すると同時に、低温焼成無根゛の絶縁層と銅
、銀、金などの導電性の高い金属による配線層とを積層
した高密度な配線層とを組み合わせる事によシ、上記欠
点を解決し、大量生産に適し九新規な高密度多層配線基
板を提供することにある。
従って本発明の目的は、積層セラ建ツクfjKよってス
ルーホールあるいは品種別に異なる導体配線パターンの
一部を形成すると同時に、低温焼成無根゛の絶縁層と銅
、銀、金などの導電性の高い金属による配線層とを積層
した高密度な配線層とを組み合わせる事によシ、上記欠
点を解決し、大量生産に適し九新規な高密度多層配線基
板を提供することにある。
本発明の上記目的は、基板の表裏の配線を接続する為の
スルーホールを形成する為、゛あるいは配線用導体層を
形成する為の通常、高融点金属系から成る配線用導体と
絶縁および配線基板を構成する構造体としての複数の生
シートを同時に焼成する事によって得られたセラミック
板とから構成されるセラミック積層配線基板と、該配線
基板上に低温焼成無オ辣の絶縁材と導体配線層とから形
成された多層配線層とで構成される多層配線基板、によ
って達成される。
スルーホールを形成する為、゛あるいは配線用導体層を
形成する為の通常、高融点金属系から成る配線用導体と
絶縁および配線基板を構成する構造体としての複数の生
シートを同時に焼成する事によって得られたセラミック
板とから構成されるセラミック積層配線基板と、該配線
基板上に低温焼成無オ辣の絶縁材と導体配線層とから形
成された多層配線層とで構成される多層配線基板、によ
って達成される。
次に本発明をその成好な一実施例について第3図を参照
しながら詳細に説明する。
しながら詳細に説明する。
第3図において、グリーンシートを積層し焼成する事に
よって得られ九積層セラミック板30には、体ペースト
でその空隙を満たされたスルーホール3Jが設けられて
いる。導体層3−とスルーホールJJは共にタングステ
ン系を九はモリブデン系の高融点金属系ペーストで構成
され、積層セラミック板30が焼成される時に同時に焼
成固化される。上記積層セラミック基yの上には、低融
点ガラスなどの低温焼成無jft材料による絶縁層31
と選択めっき法あるいは選択エツチング法によって形成
された金または銅などの導体配線層34Iとそれらを結
ぶバイア3jが設けられている。バイア3jは導体配線
層J41と同一の方法によって形成することが可能であ
る。
よって得られ九積層セラミック板30には、体ペースト
でその空隙を満たされたスルーホール3Jが設けられて
いる。導体層3−とスルーホールJJは共にタングステ
ン系を九はモリブデン系の高融点金属系ペーストで構成
され、積層セラミック板30が焼成される時に同時に焼
成固化される。上記積層セラミック基yの上には、低融
点ガラスなどの低温焼成無jft材料による絶縁層31
と選択めっき法あるいは選択エツチング法によって形成
された金または銅などの導体配線層34Iとそれらを結
ぶバイア3jが設けられている。バイア3jは導体配線
層J41と同一の方法によって形成することが可能であ
る。
本発明は、以上説明したように、基板の表裏両面が有効
に活用できると同時に、高密[な−配線パターンを実現
でき、かつ大量生産にも向く高密度多層配線基板が実現
できるという効果がある。
に活用できると同時に、高密[な−配線パターンを実現
でき、かつ大量生産にも向く高密度多層配線基板が実現
できるという効果がある。
第1図と第一図は従来技術の多層配線基板の構成例を側
面から示す断面図、第3図は本発明の一実施例を側面か
ら示す断面図である。 //、30・・・積層セラミック板、〃・・・セラミッ
ク基板、λi、、yi・・・絶縁層、/1.W、3コ、
34I・・・配線用導体、/3,33・・・スルーホー
ル、JJ、3!r・・・バイア。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士熊谷雄太部 第1図 2 第2図 第3図 手続補正書(方式) 昭和57都5月5日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 1 事件の表示 昭和56年特許願111151771号2 斃明の名称 混成多層配線基板 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京sm区芝五丁@53番1号名 称 (42
3)日本電気株式会社 代表者 社長 −本 忠 弘 4代理人 住 所 神奈川県座間市栗原2215−22熊谷特許事
務所 昭和57都2月25日 6 補正の対象
面から示す断面図、第3図は本発明の一実施例を側面か
ら示す断面図である。 //、30・・・積層セラミック板、〃・・・セラミッ
ク基板、λi、、yi・・・絶縁層、/1.W、3コ、
34I・・・配線用導体、/3,33・・・スルーホー
ル、JJ、3!r・・・バイア。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士熊谷雄太部 第1図 2 第2図 第3図 手続補正書(方式) 昭和57都5月5日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 1 事件の表示 昭和56年特許願111151771号2 斃明の名称 混成多層配線基板 3 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京sm区芝五丁@53番1号名 称 (42
3)日本電気株式会社 代表者 社長 −本 忠 弘 4代理人 住 所 神奈川県座間市栗原2215−22熊谷特許事
務所 昭和57都2月25日 6 補正の対象
Claims (1)
- セラミックを多層に積層シ、その内部ま喪は表面に配線
用の導体を有するセラミック積層配線基板と、該配線基
板上に形成された低温焼成無オ汐絶縁層と導体配線層か
らなる多層配線層とで構成されることを特徴とした混成
多層配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15177181A JPS5853892A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 混成多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15177181A JPS5853892A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 混成多層配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5853892A true JPS5853892A (ja) | 1983-03-30 |
Family
ID=15525929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15177181A Pending JPS5853892A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 混成多層配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5853892A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02264295A (ja) * | 1989-04-04 | 1990-10-29 | Sharp Corp | 表示装置 |
US8790097B2 (en) | 2009-06-11 | 2014-07-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Refrigerant compressor and heat pump apparatus |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5586195A (en) * | 1978-12-25 | 1980-06-28 | Fujitsu Ltd | Method of fabricating multilayer circuit board |
JPS5686204A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Bergens Mek Verksted | Hydraulic pressure control valve gear |
JPS56115498A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-10 | Shimizu Construction Co Ltd | Method of executing moving type side wall flask |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP15177181A patent/JPS5853892A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5586195A (en) * | 1978-12-25 | 1980-06-28 | Fujitsu Ltd | Method of fabricating multilayer circuit board |
JPS5686204A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Bergens Mek Verksted | Hydraulic pressure control valve gear |
JPS56115498A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-10 | Shimizu Construction Co Ltd | Method of executing moving type side wall flask |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02264295A (ja) * | 1989-04-04 | 1990-10-29 | Sharp Corp | 表示装置 |
US8790097B2 (en) | 2009-06-11 | 2014-07-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Refrigerant compressor and heat pump apparatus |
US9011121B2 (en) | 2009-06-11 | 2015-04-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Refrigerant compressor and heat pump apparatus |
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