JPS5853847A - 超高周波モジュ−ル - Google Patents
超高周波モジュ−ルInfo
- Publication number
- JPS5853847A JPS5853847A JP15167281A JP15167281A JPS5853847A JP S5853847 A JPS5853847 A JP S5853847A JP 15167281 A JP15167281 A JP 15167281A JP 15167281 A JP15167281 A JP 15167281A JP S5853847 A JPS5853847 A JP S5853847A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- casing
- high frequency
- flange
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波モジ異−ルを構成する筺体に収容する着
脱可能な高周波回路ユニットの有効な実装構造に関する
。
脱可能な高周波回路ユニットの有効な実装構造に関する
。
従来は導波管で構成されている高周波回路部品は最近マ
イクロ波ＩＣ（ＭＩＣ）化の傾向に６る１゜更に各種の
ΔｆｆＩｃを結合して高周波回路機能をもたせ１個の筐
体に収容するＯ又、高周波回路ユニットを搭載する複数
のキャリアが上記置体に実装される際キャリア間を相互
に接続する必要があるＯ その接続方法は第１図の断面図のように、セラ宥ツク、
ガラス等の誘電体基板１に受動索子とＭＩＣ等の能動素
子から成る高周波回路ユニットがキャリア２に塔載され
独立した回路機能を構成する単位上ジ為−ルとなる。
イクロ波ＩＣ（ＭＩＣ）化の傾向に６る１゜更に各種の
ΔｆｆＩｃを結合して高周波回路機能をもたせ１個の筐
体に収容するＯ又、高周波回路ユニットを搭載する複数
のキャリアが上記置体に実装される際キャリア間を相互
に接続する必要があるＯ その接続方法は第１図の断面図のように、セラ宥ツク、
ガラス等の誘電体基板１に受動索子とＭＩＣ等の能動素
子から成る高周波回路ユニットがキャリア２に塔載され
独立した回路機能を構成する単位上ジ為−ルとなる。
複数の高周波回路品ニットは筺体３に図のように収容さ
れ。誘電体基板ｌ上の信号導体面を接続用リボン４で半
田付は又は熱圧着等によ〕接続する。その両端は高周波
コネクタ５に接続されて一つの集積され九回路機能をも
つ１つの高周波モジ為−ルとなる。
れ。誘電体基板ｌ上の信号導体面を接続用リボン４で半
田付は又は熱圧着等によ〕接続する。その両端は高周波
コネクタ５に接続されて一つの集積され九回路機能をも
つ１つの高周波モジ為−ルとなる。
その接続部を第２−の０）、（ロ）図に示す００）図は
接続部を示す上面図であり、（ロ）図は接続部を示す断
面図である。
接続部を示す上面図であり、（ロ）図は接続部を示す断
面図である。
信号縁をなす誘電体基板ｌのパターン導体ｌａ面に接続
用のりゼア４をその接続部に載置し前述のように半田付
は又は熱圧情勢により融層固定するＯ しかしこの様にして得られる高周波モジ凰−ルはその接
地回路形成において、（ロ）図に示すように筺体３に像
するキャリアの底面５と誘電体基板１の上面との間隔り
によって回路形成される。従って空気層を介しての回路
形成で１）りてＬが大きいと尚周波電磁界がみだれ、接
続部の定在波比（ＶＳＷＲ）の劣化および電磁界の放射
損失の増加等を生じ、接続部分の伝送損失の増加、温度
、振動等の外ｓ９ｉ因による動作不安定を生じ、特に超
高周波領域ではこれが更に顕著であって使用が不可能で
めった。−男手型、軽量化の要鯖があり各種の検討がな
されている。
用のりゼア４をその接続部に載置し前述のように半田付
は又は熱圧情勢により融層固定するＯ しかしこの様にして得られる高周波モジ凰−ルはその接
地回路形成において、（ロ）図に示すように筺体３に像
するキャリアの底面５と誘電体基板１の上面との間隔り
によって回路形成される。従って空気層を介しての回路
形成で１）りてＬが大きいと尚周波電磁界がみだれ、接
続部の定在波比（ＶＳＷＲ）の劣化および電磁界の放射
損失の増加等を生じ、接続部分の伝送損失の増加、温度
、振動等の外ｓ９ｉ因による動作不安定を生じ、特に超
高周波領域ではこれが更に顕著であって使用が不可能で
めった。−男手型、軽量化の要鯖があり各種の検討がな
されている。
本発明は上記の点に鑑み超高周波モジ為−ルにおいて、
能動素子で構成される高周波回路ユニットの着脱が可能
で、その接続部分でｌ１ｉｌＬ磁界の不連続性を軽減し
、併せて有効な放熱効果が得られるモジ島−ル構造の提
供を目的とする。
能動素子で構成される高周波回路ユニットの着脱が可能
で、その接続部分でｌ１ｉｌＬ磁界の不連続性を軽減し
、併せて有効な放熱効果が得られるモジ島−ル構造の提
供を目的とする。
上記目的を達成するために本発明はマイクロ波ＩＣ等を
主体とする能動回路で構成される高周波回路ユニットを
キャリアに＃！？載し、該キャリアを筐体に形成された
所定の凹部領域に嵌合せしめ、該筐体表面に予め固着さ
れた誘電体基板上に形成された受動回路との接続を行な
うに除し、上記キャリアの上面にフランジ状の鍔を設け
、上記筐体に形成された凹布゛周辺にはこれに対応する
ステップを設妙て該キャリアを嵌合せしめ、凹部紙面に
は放熱特性に優れた軟金属からなるｆＩｈシートを設け
ることを特徴とする。ま九上記筐体に形成された凹部と
キャリアの嵌合に際し該キャリアの上部をテーバ状の嵌
合構造としたことを特徴とする。
主体とする能動回路で構成される高周波回路ユニットを
キャリアに＃！？載し、該キャリアを筐体に形成された
所定の凹部領域に嵌合せしめ、該筐体表面に予め固着さ
れた誘電体基板上に形成された受動回路との接続を行な
うに除し、上記キャリアの上面にフランジ状の鍔を設け
、上記筐体に形成された凹布゛周辺にはこれに対応する
ステップを設妙て該キャリアを嵌合せしめ、凹部紙面に
は放熱特性に優れた軟金属からなるｆＩｈシートを設け
ることを特徴とする。ま九上記筐体に形成された凹部と
キャリアの嵌合に際し該キャリアの上部をテーバ状の嵌
合構造としたことを特徴とする。
以下本発明について図面によりその実施例を詳細に説明
する。
する。
第３図は本発明の一実施例である超高周波モジュールを
示す断面図である０第４図はＪＩａ図における回路ユＳ
−ットの実装溝造を示す斜視図である０筺体１３にじか
に塔載する誘電体基板には、例えば伝送線路、モニター
回路、結合器及びサーキユレータ等の受動回路を構成す
る。
示す断面図である０第４図はＪＩａ図における回路ユＳ
−ットの実装溝造を示す斜視図である０筺体１３にじか
に塔載する誘電体基板には、例えば伝送線路、モニター
回路、結合器及びサーキユレータ等の受動回路を構成す
る。
キャリア１２にはＭＩＣ等を主体とする高周波（ロ）路
を含む、半導体索子等を設けた誘電体基板２１を塔載し
、回路ユニットとして予じめ装着前に回路特性等の各試
験完了して嵌合される。また筐体底部にはインジクム箔
１４等を臭えて回路ユニットの放熱効果を高める・これ
は装着に際してフランジ状のｓ１５が、キャリア挿入＃
１１６の縁に設けたステップ１７に係止されるため底部
は間隙を生じ空気ノーを生ずることがあるから、図のよ
うに放熱用の金属箔を設け、それを防止する。例えばイ
ンジウム箔を敷くことによｐ熱抵抗の上昇を防止する。
を含む、半導体索子等を設けた誘電体基板２１を塔載し
、回路ユニットとして予じめ装着前に回路特性等の各試
験完了して嵌合される。また筐体底部にはインジクム箔
１４等を臭えて回路ユニットの放熱効果を高める・これ
は装着に際してフランジ状のｓ１５が、キャリア挿入＃
１１６の縁に設けたステップ１７に係止されるため底部
は間隙を生じ空気ノーを生ずることがあるから、図のよ
うに放熱用の金属箔を設け、それを防止する。例えばイ
ンジウム箔を敷くことによｐ熱抵抗の上昇を防止する。
第５図は本発明によって得られる接続部の従来例との比
較を示す説明図である。
較を示す説明図である。
従来接地回路は第２図で説明したように、誘電体基板１
の上面と中ヤリア底面との間隔Ｂによって形成される。
の上面と中ヤリア底面との間隔Ｂによって形成される。
本発明では単位モジ纂−ル１２の鍔１５との間隔Ａが接
地回路を形成するから接地部までの距離は短くな９電磁
界の不連続性を軽減することができ、更にキャリアと筐
体間の熱抵抗を軟金属を介して低下させるために超高周
波域に使用可能なモジ纂−ルを得ることができる。
地回路を形成するから接地部までの距離は短くな９電磁
界の不連続性を軽減することができ、更にキャリアと筐
体間の熱抵抗を軟金属を介して低下させるために超高周
波域に使用可能なモジ纂−ルを得ることができる。
第６図は本発明の他の実施例であるキャリア上部をテー
パー状とした断面図である。
パー状とした断面図である。
図のようにキャリア２２の上部をテーパー状１８に形成
して嵌合させることによｐキャリア上面と底部の間隔は
災に短くなりて良好な接地機構が得られる。またキャリ
ア底部には軟金属箔２４を設けることにより放熱効果を
高める。
して嵌合させることによｐキャリア上面と底部の間隔は
災に短くなりて良好な接地機構が得られる。またキャリ
ア底部には軟金属箔２４を設けることにより放熱効果を
高める。
更に、キャリア上部をテーバ状とすることによシキャリ
ア２２の筐体凹部とのよｐ安定な嵌合構造が実現できる
。
ア２２の筐体凹部とのよｐ安定な嵌合構造が実現できる
。
以上説明し友ように本発明のキャリア構造をすること及
び軟金属を設けて放熱効果を高めることによｐ１超高周
波用モジ為−ルが得られるから装置の小型化、信頼性の
向上に有利となる。
び軟金属を設けて放熱効果を高めることによｐ１超高周
波用モジ為−ルが得られるから装置の小型化、信頼性の
向上に有利となる。
本発明によれば、個この調整及び特性試・麺を必要とす
る能動回路ユニットの着脱が可能であるから作業性は向
上し、障害の際の交換も容易となシ優れた効果がある・
その実用的効果は著しい。
る能動回路ユニットの着脱が可能であるから作業性は向
上し、障害の際の交換も容易となシ優れた効果がある・
その実用的効果は著しい。
第１図は従来例の高周波モジ、−ル構造を示す＠面図、
Ｗ１２図の（イ）、（ロ）図は従来例の豪絖部を示し、
ピ）因はその上面図Ｃ→図は断面図、第３図は本考案の
一実施例である超高周波モジ１−ルを示る説明図、第６
図は他の実施例である中ヤリ７部をテーパー状とした断
面図である。 １２．２２はキャリア、３．１３．２３は筐体、４拉接
続用リボン、５は高周波コネクタ、１４は軟金属箔、１
５は鍔、１６は挿入溝、１１４ニステツプを示す◎ １１目 多２回 （わ ［」 １”、ｆｌ Ｉ２ 寮６閏 手続補正書（自発） 昭和 年 月 日 ５７、 Ｔ、 ２８ 特許庁長官 若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和６６年特許顆第１１ｓ１６’Ｆｌ１号２発明の名称 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地（５
２２）名称富士通株式会社 本願明細書の特許請求の範囲を下記の通り補正する。 ［（１） マイクロ波ＩＣ等を主体とする能ＩＩｂＬ
ｇｌ路で構成される高周波回路ユニットをキャリアに塔
威し、該キャリアを筐体に形成され九所定の凹部領域に
嵌合せしめ、該筐体減面に予めＩＩＩＪＩされたｔＩｌ
ｔ体基板上に形成された受ＩＩｇｌｌｔｇｌ路との接続
を行なうに際して、上記キャリアの上面に７ランジ状の
鍔を設け、上記筐体に形成され九凹部周辺にはこれに対
応するステップを設けて該キャリアを嵌合せしめること
を特徴とする超高周波モジュール、（２） 上ｍｌ
筺体に形成され九一部底面に放熱特性に優れ九軟金属か
ら成る薄膜シートを設けたことを特徴とするＱｆＦ＃’
ｆ請求の範囲第１現記−の超高周波モジュール。
Ｗ１２図の（イ）、（ロ）図は従来例の豪絖部を示し、
ピ）因はその上面図Ｃ→図は断面図、第３図は本考案の
一実施例である超高周波モジ１−ルを示る説明図、第６
図は他の実施例である中ヤリ７部をテーパー状とした断
面図である。 １２．２２はキャリア、３．１３．２３は筐体、４拉接
続用リボン、５は高周波コネクタ、１４は軟金属箔、１
５は鍔、１６は挿入溝、１１４ニステツプを示す◎ １１目 多２回 （わ ［」 １”、ｆｌ Ｉ２ 寮６閏 手続補正書（自発） 昭和 年 月 日 ５７、 Ｔ、 ２８ 特許庁長官 若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和６６年特許顆第１１ｓ１６’Ｆｌ１号２発明の名称 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地（５
２２）名称富士通株式会社 本願明細書の特許請求の範囲を下記の通り補正する。 ［（１） マイクロ波ＩＣ等を主体とする能ＩＩｂＬ
ｇｌ路で構成される高周波回路ユニットをキャリアに塔
威し、該キャリアを筐体に形成され九所定の凹部領域に
嵌合せしめ、該筐体減面に予めＩＩＩＪＩされたｔＩｌ
ｔ体基板上に形成された受ＩＩｇｌｌｔｇｌ路との接続
を行なうに際して、上記キャリアの上面に７ランジ状の
鍔を設け、上記筐体に形成され九凹部周辺にはこれに対
応するステップを設けて該キャリアを嵌合せしめること
を特徴とする超高周波モジュール、（２） 上ｍｌ
筺体に形成され九一部底面に放熱特性に優れ九軟金属か
ら成る薄膜シートを設けたことを特徴とするＱｆＦ＃’
ｆ請求の範囲第１現記−の超高周波モジュール。
Claims (3)
- （１）マイクμ波ＩＣ等を主体とする能動回路で構成さ
れる高周波回路３−ニットをキャリアに塔載し、該キャ
リアを筐体に形成された所定の凹部領域に欽合せしめ、
該筐体表面に予め固着されたー電体基板上に形成された
受動回路との接続を行なうに際して、上記キャリアの上
面にフラジ状の鍔を設け、上記筐体に形成された凹部周
辺にはこれに対応するステップを設けて該キャリアを嵌
合せしめることを特徴とする超高周波モジュール。 - （２）上記筐体に形成された凹部ＪＩ底面に放熱特性に
優れた軟金−から成る薄膜シートを設は九ヒとを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の超高周波モジ、−ル。 - （３）上記筺体に形成された凹部とキャリアの嵌合ｆｃ
際し、該キャリアの上部をテーパー状の嵌合構造とし九
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載
の超高周波モジ為−ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15167281A JPS5853847A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 超高周波モジュ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15167281A JPS5853847A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 超高周波モジュ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5853847A true JPS5853847A (ja) | 1983-03-30 |
| JPS634712B2 JPS634712B2 (ja) | 1988-01-30 |
Family
ID=15523712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15167281A Granted JPS5853847A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 超高周波モジュ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853847A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60178361U (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-27 | 日本電子機器株式会社 | 内燃機関の燃料噴射量検出装置 |
| WO1990001215A1 (en) * | 1988-07-22 | 1990-02-08 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US5545924A (en) * | 1993-08-05 | 1996-08-13 | Honeywell Inc. | Three dimensional package for monolithic microwave/millimeterwave integrated circuits |
| KR100805812B1 (ko) | 2005-12-01 | 2008-02-21 | 한국전자통신연구원 | 적층기판 내 소자 실장 구조 및 방법과, 이에 사용되는적층기판 및 소자모듈 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01111010U (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-26 | ||
| JPS63291721A (ja) * | 1988-04-15 | 1988-11-29 | Tokiwa Chem Kogyo Kk | 車輌のフロント硝子用モールデイング |
| JP2769112B2 (ja) * | 1994-08-03 | 1998-06-25 | トキワケミカル工業株式会社 | 車両のフロントガラス用モールディング |
| JPH07149144A (ja) * | 1994-08-03 | 1995-06-13 | Tokiwa Chem Kogyo Kk | 車両のフロントガラス用モールディング |
| JPH07149143A (ja) * | 1994-08-03 | 1995-06-13 | Tokiwa Chem Kogyo Kk | 車両のフロントガラス用モールディング |
| JPH07172166A (ja) * | 1994-08-03 | 1995-07-11 | Tokiwa Chem Kogyo Kk | 車両のフロントガラス用モールディング |
| JPH07149142A (ja) * | 1994-08-18 | 1995-06-13 | Tokiwa Chem Kogyo Kk | 車両のフロントガラス取付構造 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56108253U (ja) * | 1980-01-22 | 1981-08-22 | ||
| JPS56108254U (ja) * | 1980-01-22 | 1981-08-22 |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP15167281A patent/JPS5853847A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56108253U (ja) * | 1980-01-22 | 1981-08-22 | ||
| JPS56108254U (ja) * | 1980-01-22 | 1981-08-22 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60178361U (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-27 | 日本電子機器株式会社 | 内燃機関の燃料噴射量検出装置 |
| WO1990001215A1 (en) * | 1988-07-22 | 1990-02-08 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US5153700A (en) * | 1988-07-22 | 1992-10-06 | Nippondenso Co., Ltd. | Crystal-etched matching faces on semiconductor chip and supporting semiconductor substrate |
| EP0448713B1 (en) * | 1988-07-22 | 1993-10-27 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US5545924A (en) * | 1993-08-05 | 1996-08-13 | Honeywell Inc. | Three dimensional package for monolithic microwave/millimeterwave integrated circuits |
| KR100805812B1 (ko) | 2005-12-01 | 2008-02-21 | 한국전자통신연구원 | 적층기판 내 소자 실장 구조 및 방법과, 이에 사용되는적층기판 및 소자모듈 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS634712B2 (ja) | 1988-01-30 |
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