JPS5852289B2 - 超速断型小型ヒユ−ズ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はエレメント溶断後のアーク時間の短縮と超速断
時性の安定と経時使用の際の不良発生の防止を目的とし
た超速断型小型ヒユーズに関するものである。

従来の超小型電流ヒユーズは、ヒユーズエレメントを基
盤上面に突出したリード線にポンディング或はカシメる
ことにより架張するため、エレメント長をバランかせ、
溶断時間をバランかせた。

更に小型であるという構造上から、その電極であるリー
ド線間隔は２．５４間と極めて狭く、エレメント溶断後
発生するアークが飛び易く、このアークは電極を溶融蒸
発させ金属蒸気量を増し、アーク時間は極めて、長いも
のとした。

その欠点を除くため、エポキシ樹脂でエレメントをお釦
ったものがあるが、これはヒユーズ使用時の温度上昇、
下降に伴い、エポキシ樹脂の熱膨張と収縮を起し、その
為の引張り、収縮の繰返しは、エレメントを異常電流で
はなく、機械的疲労により破断させる結果を招き、改良
が切望されていた。

これらの問題の解決を目的とした本発明を図面にもとづ
いて説明すると、第１図、第２図、第３図、第４図は実
施例■を示し、リード線１の上端面（電極）２は基盤３
上面と一一平面になるよう埋め込み、完全に固定するこ
とにより、電極２間に架張されるエレメント４の長さを
一定に保ち性能を安定させた。

更に、ボンディングによりエレメント４と電極２との電
気的結合をえることにより基盤３上面には突出した電極
部分がなく耐アーク性を向上させた。

更に一対の電極２の中間部に形成された谷形の溝５は電
極２間の沿面距離を延し耐絶縁度を向上させ、またエポ
キシ樹脂等がない為に、温度サイクルによるエレメント
の破断も防止することが可能となった。

更に実施例■として第５図、第６図の如く、電極２を基
盤３の上面及び、下面の中間に位置し、その基盤３の一
部よりなる絶縁側壁６に囲１れた円形孔の底面７と同一
平面上にあり、又、その絶縁側壁６に、両電極を最短距
離で結ぶ細溝８が設けられ、との細溝を通して、エレメ
ント４と電極２をペレット状等、等量に形づくられた半
田９を使用して電気的結合をえた構造のヒユーズにおい
ては、半田９は表面張力によって絶縁側壁に設けられた
細溝８部分には入らず、定量の半田ペレットを使用した
場合には、絶縁側壁に囲１れた円形孔部のみ定量の半田
が収納され、電極の熱容量を※に正確に保ち溶断性能も
安定したものとなった。

此の場合細溝８はエレメントの径とほぼ等しい幅しか有
しないのでエレメント溶断後アークは発生せずアーク防
止の効果を有している。

また電極２とヒユーズエレメント４を半田付けにより固
定する際円形孔よりや＼小さい直径を有する円形の黄銅
板１０を上部にのせた実施例■は第７図、第８図の如く
円形の黄銅板１０の厚み（即ち質量）を増減させること
により、電極の熱容量を可変することが可能となり、必
要な通電容量を得ることが出来るとともに、電極の熱容
量を大とすることにより超速断性はより大きなものとな
った。

本発明の超速新生型電流ヒユーズ実施例■と従来型小型
電流ヒユーズ（リードワイヤーにエレメントをカシメた
もの従来型■と称する）との実施例を比較し示すと 上記の如く電極間距離は短くなったにも関らず耐電圧は
１．６倍に向上し溶断時間とアーク時間の安定向上は著
しい。

これは普通溶断型ヒユーズのエレメントの長さが一般に
３０順に対して小型ヒユーズはニレメントの長さが一部
ち２關±と極めて短いので普通５ 溶断型ヒユーズに於ては問題にならないヒユーズのエレ
メント長さが大きく影響する為に他ならない。

又実施例■の谷形の溝の効果も著しく、耐電圧性能は一
段と向上し、エレメント以外に対向しアークの発生要因
となる電極部分が露出していない為、アーク時間も半導
体保護上も全く支障ない時間に短縮することが可能とな
った。

次に実施例■と従来型（エポキシ樹脂にてエレメントと
を固めたもの従来型■と称する）との実施例を比較する
と 上記の如〈実施例■は長期使用に耐える上、耐電圧性能
に於て一般電源回路よりの過負荷電流に※※対して安全
に遮断する特性を得ることが出来た。

実施例■と従来型■０を比、較すると 上記の如く本発明の超小型電流ヒユーズは従来型の超小
型電流ヒユーズに対してアーク時間の短縮と溶断安定、
温度サイクルの安定といずれも優位の結果を得た。

【図面の簡単な説明】

第１図は透視図、第２図は実施例■のカバーをとった透
視図、第３図、第５図、第７図はそれぞれ実施例■■■
のカバーをとったものの平面図であり、第４図、第６図
、第８図は第３図、第５図、第７図にむけるｐ、−Ａ’
面での縦断面図を示す。 第９図は従来型■第１０図は従来型［Ｆ］の縦断面図を
示す。 １・・・・・・リード線、２・・・・・・電極、３・・
・・・・基盤、４・・・・・・エレメント、５・・・・
・・谷溝、６・・・・・・絶縁側壁、７・・・・・・円
形孔の底面、８・・・・・・細溝、９・・・・・・半田
、１０・・・・・・黄銅板、１１・・・・・・カバー。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １２段タイプ円柱状の絶縁基盤３（以下基盤３と称す）
   の中央部に沿面距離を大きくした谷状の溝５を設け、こ
   の谷状の溝５を隔てた基盤３の対象位置に、１対のリー
   ド線１を貫通固定せしめ、そのリード線１の上端面が、
   基盤上面と同一面にあって、突出部のない電極２を形成
   し、ヒユーズエレメント４を溶着し、基盤３に設けた谷
   状溝５の間を一定の長さで架張せしめ、リード線１の下
   端は基盤３の下面より突出せしめプリント基板に挿着す
   るピン端子とした、カバー１１で密閉する超速断型円筒
   形小型ヒユーズ。 ２ 基盤３上部に、谷状溝５を隔てた対象位置で絶縁側
   壁６に囲１れて、同じ内径と深さを有する円形孔を設け
   、その底面７は基盤３の上面と下面の中間部に位置せし
   め、リード線１の上端面が円形孔の底面７と同一平面上
   にあり、電極２を構成シ、且つ、ヒユーズエレメント４
   が谷状の溝５を隔てて、両電極２−２間に最短距離で架
   張でき、ヒユーズエレメント径と等しい巾の細溝８を設
   け、定量のはんだ９にてヒユーズエレメント４が電極２
   に溶着することを可能とした特許請求の範囲第、Ｌ、！
   ＪＫ記載の超速断型円筒形小型ヒユーズ。 ３ 前記電極２とヒユーズエレメント４を絶縁側壁６に
   囲１れ設けた円形孔にてばんだ９により溶着する場合、
   この円形孔の直径よりやや小さい直径をもち、その厚さ
   を増減することにより速断性をコントロールすることを
   可能にした黄銅板１０をはんだ９の上にのせ高温特性を
   向上させた特許請求の範囲第２項に記載の超速新型円筒
   −形小型２ヒユーズ。