JPS5851893B2 - 楕円形コアをもつ単一モ−ド形光ファイバ−の製造法 - Google Patents
楕円形コアをもつ単一モ−ド形光ファイバ−の製造法Info
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- JPS5851893B2 JPS5851893B2 JP54072128A JP7212879A JPS5851893B2 JP S5851893 B2 JPS5851893 B2 JP S5851893B2 JP 54072128 A JP54072128 A JP 54072128A JP 7212879 A JP7212879 A JP 7212879A JP S5851893 B2 JPS5851893 B2 JP S5851893B2
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- C03B37/027—Fibres composed of different sorts of glass, e.g. glass optical fibres
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Description
【発明の詳細な説明】
単一モード形光ファイバーを高帯域の情報伝送などに利
用する場合、偏光の偏光面を維持すること又は非偏光の
偏光化が望ましい。
用する場合、偏光の偏光面を維持すること又は非偏光の
偏光化が望ましい。
楕円形コアをもつ単一モード形ファイバーは入射光の偏
光面を維持するであろう。
光面を維持するであろう。
低損失の単一モード形光ファイバーは好ましくは特定の
用途に、例えばレーザージャイロス（ｌａｓｅｒ ｇｙ
ｒｏｓ）、ソナー検出器、インターフエイシングエレメ
ント、特に平面偏光を用し）る集積された光学装置のイ
ンターフエイシング光ファイバー、及び特に重要なもの
として高データー速度の通信システムに使用される。
用途に、例えばレーザージャイロス（ｌａｓｅｒ ｇｙ
ｒｏｓ）、ソナー検出器、インターフエイシングエレメ
ント、特に平面偏光を用し）る集積された光学装置のイ
ンターフエイシング光ファイバー、及び特に重要なもの
として高データー速度の通信システムに使用される。
光ファイバーの分野において、単一モード形ファイバー
は上記した用途その他に必要とされ望まれていることが
よく知られている。
は上記した用途その他に必要とされ望まれていることが
よく知られている。
現在の問題点は偏光の性質を維持するか又は非偏光を偏
光化させる低損失の単一モード形光ファイバーの製造方
法を開発することである。
光化させる低損失の単一モード形光ファイバーの製造方
法を開発することである。
多くの研究者によって、ファイバーコアが楕円であるこ
との効果が報告され、集束形光ファイバーの磁気−光学
性が試験され、断面の小さな楕円変形によるガラスファ
イバー光波誘導における遅延ディストーションが研究さ
れ、低損失単一モード形ガラスファイバーの線状及び円
状の複屈折が研究され、単一モード形ファイバーの偏光
性能に対する非円形コアの影響が研究され、及び単一モ
ード形ファイバーの短い距離における偏光効果が研究さ
れている。
との効果が報告され、集束形光ファイバーの磁気−光学
性が試験され、断面の小さな楕円変形によるガラスファ
イバー光波誘導における遅延ディストーションが研究さ
れ、低損失単一モード形ガラスファイバーの線状及び円
状の複屈折が研究され、単一モード形ファイバーの偏光
性能に対する非円形コアの影響が研究され、及び単一モ
ード形ファイバーの短い距離における偏光効果が研究さ
れている。
これらの研究等に関する参考文献は下記刊行物に見るこ
とができる： １． Ｈａｒｍｓ、 Ｈ，Ｐａｐｐ、 Ａ、、ａｎｄ
Ｋｅｍｐｔｅｒ共著、”Ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃ
ａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＩｎｄｅｘＧｒａ
ｄｉｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ｆｉｂｅｒｓ 。
とができる： １． Ｈａｒｍｓ、 Ｈ，Ｐａｐｐ、 Ａ、、ａｎｄ
Ｋｅｍｐｔｅｒ共著、”Ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃ
ａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＩｎｄｅｘＧｒａ
ｄｉｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ｆｉｂｅｒｓ 。
Ａｐｐ、 ０ｐｔｉｃｓ、 １５．３．７９９−８０１
頁、１９７６年。
頁、１９７６年。
２、 Ｓ ｃｈｌｏｓｓｅｒ 、 Ｗ、 ０．著、”
Ｄｅｌａｙ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎｏｆ Ｗｅａｋｌｙ
Ｇｕｉｄｉｎｇ ０ｐｔｉｃａｌ Ｆｉｂｅｒｓ Ｄ
ｕｅ ｔ。
Ｄｅｌａｙ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎｏｆ Ｗｅａｋｌｙ
Ｇｕｉｄｉｎｇ ０ｐｔｉｃａｌ Ｆｉｂｅｒｓ Ｄ
ｕｅ ｔ。
Ｅｌｌｉｐｔｉｃ Ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ Ｂ
ｏｕｎｄａｒｙ 。
ｏｕｎｄａｒｙ 。
Ｂ、 Ｓ、 Ｔ、 Ｊ、、 ５１．２．４８７−４９２
頁、１９７２年。
頁、１９７２年。
３、 Ｋａｐｒｏｎ、 Ｆ、 Ｐ、、 Ｂｏｒｅｌｌ
ｉ、 Ｎ、 Ｆ、 ａｎｄＫｅｃｋ。
ｉ、 Ｎ、 Ｆ、 ａｎｄＫｅｃｋ。
Ｄ、Ｂ、共著、”Ｂｉｒｅｆｉｎｇｅｎｃｅ ｉｎ Ｄ
ｉｅｌｅｃｔｒｉｃＯｐｔｉｃａｌ Ｗａｖｅｇｕｉｄ
ｅｓ 、 ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＱｕａｎｔ
ｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＱＥ−８，２，’ ２
２２−２２５頁、１９７２年、。
ｉｅｌｅｃｔｒｉｃＯｐｔｉｃａｌ Ｗａｖｅｇｕｉｄ
ｅｓ 、 ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＱｕａｎｔ
ｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ＱＥ−８，２，’ ２
２２−２２５頁、１９７２年、。
４、 Ｒａｍａｓｗａｍｙ、 Ｖ、 ａｎｄＷ、Ｇ、
Ｆｒｅｎｃｈ共著。
Ｆｒｅｎｃｈ共著。
”Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ Ｎｏｎｃｉｒｃｕｌａｒ
Ｃｏｒｅ ｏｎ ｔｈｅＰｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ
Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ Ｓｉｎｇｌｅ Ｍｏｄ
ｅＦｉｂｒｅｓ 、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒｓ、 １４．５゜１４３−１４４頁、１９７３年
。
Ｃｏｒｅ ｏｎ ｔｈｅＰｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ
Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ Ｓｉｎｇｌｅ Ｍｏｄ
ｅＦｉｂｒｅｓ 、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔ
ｔｅｒｓ、 １４．５゜１４３−１４４頁、１９７３年
。
５、 Ｒａｍａｓｗａｍｙ、 Ｖ、ｔ ５ｔａｎｄｌ
ｅｙ、 Ｒ，Ｄ、、 Ｓｚｅ。
ｅｙ、 Ｒ，Ｄ、、 Ｓｚｅ。
Ｄ、 、 ａｎｄ Ｆｒｅｎｃｈ 、 Ｗ、 Ｇ、共著
＋ ”Ｐｏ１ａｒｉｚａｔｉｏｎＥｆｆｅｃｔｓ ｉｎ
５ｈｏｒｔ Ｌｅｎｇｔｈ、 Ｓ ｉｎｇｌｅ Ｍｏ
ｄｅＦｉｂｅｒｓ 、Ｂ、 Ｓ、 Ｔ、 Ｊ、 ５７．
３．６８５−６５１頁。
＋ ”Ｐｏ１ａｒｉｚａｔｉｏｎＥｆｆｅｃｔｓ ｉｎ
５ｈｏｒｔ Ｌｅｎｇｔｈ、 Ｓ ｉｎｇｌｅ Ｍｏ
ｄｅＦｉｂｅｒｓ 、Ｂ、 Ｓ、 Ｔ、 Ｊ、 ５７．
３．６８５−６５１頁。
１９７３年。
しかし、上記文献のいずれも低損失の単一モード形偏光
光ファイバーの有効で再現性のある製造方法を教示して
はいない。
光ファイバーの有効で再現性のある製造方法を教示して
はいない。
本発明の目的は楕円形コアの単一モード形ファイバーの
製造方法を提供することである。
製造方法を提供することである。
最初に、チューブの内側や外側に存在する汚染物を除く
ために基質となる中空シリカチューブを製造する。
ために基質となる中空シリカチューブを製造する。
その後、このチューブの空孔を正圧にしながら、チュー
ブの内側と外側を火炎研磨仕上げしてチューブを平滑に
且つその空孔から水分を除去する。
ブの内側と外側を火炎研磨仕上げしてチューブを平滑に
且つその空孔から水分を除去する。
この操作は回転旋盤上にチューブを載置して空孔内を正
圧に維持しながら外側と内側を火炎で仕上げることによ
り達成される。
圧に維持しながら外側と内側を火炎で仕上げることによ
り達成される。
シリカチューブを回転させなから空孔中に乾燥８ ｉｃ
１４ ＋Ｑ ２混合物を通過させて酸素−水素のフレ
ームで加熱することによりチューブの空孔中にガラム状
フィルムのバリヤ一層を例えばパス当り約１μ扉の速度
で沈積させて約２μ胤形成する○ 純Ｓ ｉ０２からなるバリヤ一層の形成後、五酸化リン
（Ｐ２Ｏ３）でドープされたボロシリケートガラスのク
ラツディング層を約５０回のパスで５０層をつくり約１
ｍｍの厚さでバリヤ一層上に沈積させる。
１４ ＋Ｑ ２混合物を通過させて酸素−水素のフレ
ームで加熱することによりチューブの空孔中にガラム状
フィルムのバリヤ一層を例えばパス当り約１μ扉の速度
で沈積させて約２μ胤形成する○ 純Ｓ ｉ０２からなるバリヤ一層の形成後、五酸化リン
（Ｐ２Ｏ３）でドープされたボロシリケートガラスのク
ラツディング層を約５０回のパスで５０層をつくり約１
ｍｍの厚さでバリヤ一層上に沈積させる。
その後、後に詳述するコア組成物を沈積させる。
この間コア層の沈積が終るまで旋盤上にチューブを載置
し、このチューブをガラス旋盤で回転させ、その一端か
ら他端にフレーム又は熱源を移動させる。
し、このチューブをガラス旋盤で回転させ、その一端か
ら他端にフレーム又は熱源を移動させる。
次に、楕円形コアを有する単一モード形光ファイバーを
作るために使用しうるプレフォームを作製する。
作るために使用しうるプレフォームを作製する。
まず、チューブの内側を減圧にし、旋盤の回転を停止す
る。
る。
チューブの１側面を例えば酸素−水素フレームで加熱し
て、熱源とこれに近接するチューブ側面との間で熱が界
面に集中される。
て、熱源とこれに近接するチューブ側面との間で熱が界
面に集中される。
熱源はチューブの上記領域で変形温度（ｃｏｌ ｌａｐ
−ｓｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）が得られるもの
であり、続いてフレームその他の熱源はチューブの１側
面の部分的つぶれ（ｃｏｌ １ａｐｓｅ）が得られる速
度でチューブの１側面にそって所望のつぶれが全て得ら
れるまで長手方向に移動される。
−ｓｉｎｇ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）が得られるもの
であり、続いてフレームその他の熱源はチューブの１側
面の部分的つぶれ（ｃｏｌ １ａｐｓｅ）が得られる速
度でチューブの１側面にそって所望のつぶれが全て得ら
れるまで長手方向に移動される。
この時点でチューブを１８０°回転させ、前と反対側面
１こ熱源をあてて所望の程度の部分的つぶれを達成する
。
１こ熱源をあてて所望の程度の部分的つぶれを達成する
。
上記沈積されたチューブの２側面が部分的に変形されつ
ぶされた後、旋盤をスタートさせてつぶされたチューブ
を回転させる。
ぶされた後、旋盤をスタートさせてつぶされたチューブ
を回転させる。
チューブの全円周が加熱されらように熱を与えて空孔を
完全につぶし、楕円形コアをもつ円柱形光フアイバープ
レフォームを作製する。
完全につぶし、楕円形コアをもつ円柱形光フアイバープ
レフォームを作製する。
好ましくは、部分的つぶれの条件はコアの組成及びクラ
ツディング層と関係し、短軸に対する長軸の比が約２：
１である実質的に楕円形断面をもつ単一モード形コアを
作製する。
ツディング層と関係し、短軸に対する長軸の比が約２：
１である実質的に楕円形断面をもつ単一モード形コアを
作製する。
次の工程において、プレフォームから通常の手段によっ
てファイバーを引き出して実質的に楕円形のコアをもつ
単一モード形光ファイバーが製造される。
てファイバーを引き出して実質的に楕円形のコアをもつ
単一モード形光ファイバーが製造される。
次に第１図から第３図により本方法を説明するが、第１
図は中空の基質チューブ１０から作られた中間品であり
、実質的に純粋なシリカのバリヤ一層１２が適用されて
いる。
図は中空の基質チューブ１０から作られた中間品であり
、実質的に純粋なシリカのバリヤ一層１２が適用されて
いる。
バリヤ一層１２は比較的薄いので線で図示した。
無滴、添付の図面は本発明の説明のためのものであり、
寸法的に正確なものではない。
寸法的に正確なものではない。
バリヤ一層１２、例えばシリカの薄いガラス状の層、を
形成した後、モディファイドケミカルペーパーデポジシ
ョン（ＭＣＶＤ）のような当分野で公知の方法を利用し
てバリヤ一層上に比較的厚いクラツディング層１４を沈
積させる。
形成した後、モディファイドケミカルペーパーデポジシ
ョン（ＭＣＶＤ）のような当分野で公知の方法を利用し
てバリヤ一層上に比較的厚いクラツディング層１４を沈
積させる。
クラツディング層として好ましい物質は５酸化リン（Ｐ
２Ｏ３）でドープされたボロシリケートグラスである。
２Ｏ３）でドープされたボロシリケートグラスである。
このクラツディング層はＭＣＶＤ法を利用し、基質チュ
ーブ１０を回転させながら蒸気として導入された反応物
質がガラス状層のような所望のクラツディング層１４物
質を作るのに十分な熱源又はフレームを移動させて形成
される。
ーブ１０を回転させながら蒸気として導入された反応物
質がガラス状層のような所望のクラツディング層１４物
質を作るのに十分な熱源又はフレームを移動させて形成
される。
クラツディング層の形成が終了したとき、空孔２０の内
側でクラツディング層１４の表面上にコア層を同様に沈
積する。
側でクラツディング層１４の表面上にコア層を同様に沈
積する。
得られた構造物は空孔２０上にバリヤ一層１２、クラツ
ディング層１４及びコア層１６を備えた多層コートの基
質チューブ１０である。
ディング層１４及びコア層１６を備えた多層コートの基
質チューブ１０である。
第２図は楕円形コア部分２５をもつ光フアイバープレフ
ォーム２６を作るために利用する本発明の新規な変形つ
ぶし工程のひとつを説明する。
ォーム２６を作るために利用する本発明の新規な変形つ
ぶし工程のひとつを説明する。
第２図において、酸素−水素バーナー（図示せず）のノ
ズル２２は第１図の構造物の１側面上に向けられる酸素
−水素フレーム２４をつくる。
ズル２２は第１図の構造物の１側面上に向けられる酸素
−水素フレーム２４をつくる。
ガラス旋盤による沈積されたチューブの回転は停止され
る。
る。
前記バリヤ一層１２、クラツディング層１４及びコア層
１６を形成するためのデポジション法の間においては、
空孔２０中に多層を均一に沈積するために基質チューブ
１０はガラス旋盤により一定速度で回転されていること
に注意すべきである。
１６を形成するためのデポジション法の間においては、
空孔２０中に多層を均一に沈積するために基質チューブ
１０はガラス旋盤により一定速度で回転されていること
に注意すべきである。
同様に、蒸気相である反応体が空孔中で反応してバリヤ
層１２、クラツディング層１４及びコア層１６を形成す
るために十分な熱を基質チューブ１０の全円周に与える
ように、デポジション法の間、酸素−水素フレーム２４
又はその他の熱源が利用される。
層１２、クラツディング層１４及びコア層１６を形成す
るために十分な熱を基質チューブ１０の全円周に与える
ように、デポジション法の間、酸素−水素フレーム２４
又はその他の熱源が利用される。
第２図において、基質チューブ１０の回転は停止され、
空孔２０は減圧に引かれる。
空孔２０は減圧に引かれる。
同時に熱は第１図の構造物の１側面にのみ与えられる。
構造物のフレーム２４に隣接する側面が所望の十分な変
形（つぶれ）の条件の得られる温度に達するまでノズル
２２の移動はほんのしばらく停止される。
形（つぶれ）の条件の得られる温度に達するまでノズル
２２の移動はほんのしばらく停止される。
この時点で、表面張力及びクラツディング層１４、コア
層１６の性質によって、フレーム２４又は熱源に隣接す
る領域で第２図に示すように一般にたいらに変形する。
層１６の性質によって、フレーム２４又は熱源に隣接す
る領域で第２図に示すように一般にたいらに変形する。
このときノズル２２は構造物の長手方向に移動されてそ
の長手方向にそって均一な変形が得られる。
の長手方向にそって均一な変形が得られる。
所望程度の変形が得られたとき第２図の基質チューブ１
０は１８０°回転され、同じノズル２２及びフレーム２
４が前と反対の側面に適用される。
０は１８０°回転され、同じノズル２２及びフレーム２
４が前と反対の側面に適用される。
あるいは、回転させずに同様のノズル２２及びフレーム
２４を上記反対側面に適用してもよい。
２４を上記反対側面に適用してもよい。
第３図のように構造物は前に部分的に変形された側面と
反対側の側面で変形条件の得られるまで加熱され、熱源
又はフレーム２４は長手方向に沿って移動され、基質チ
ューブ１０及びその沈積層１２゜１４．１６が上記反対
側面で均一につぶされる。
反対側の側面で変形条件の得られるまで加熱され、熱源
又はフレーム２４は長手方向に沿って移動され、基質チ
ューブ１０及びその沈積層１２゜１４．１６が上記反対
側面で均一につぶされる。
また、両側面を同時に部分的に変形する（つぶす）よう
にしてもよい。
にしてもよい。
第２図と第３図に示した工程の結果、構造物は中空領域
即ち空孔２０の所に実質的な開口を残しており、各層は
幾らか楕円形に好ましくは少なくともコア層１６は短軸
に対する長軸の比が約２：１である楕円断面をもつよう
に変形されている。
即ち空孔２０の所に実質的な開口を残しており、各層は
幾らか楕円形に好ましくは少なくともコア層１６は短軸
に対する長軸の比が約２：１である楕円断面をもつよう
に変形されている。
第２図と第３図の工程に続いて、第３図に示す構造物は
第４図に示すように実質的に楕円形のコア２５をもつ円
柱状の充実したプレフォーム２６を作るために空孔２０
をなくす変形工程にさらされる。
第４図に示すように実質的に楕円形のコア２５をもつ円
柱状の充実したプレフォーム２６を作るために空孔２０
をなくす変形工程にさらされる。
プレフォーム２６を作るための変形工程は第３図に示す
構造物を回転させながら熱を加えることを含み、円柱状
のプレフォーム２６が形成されるようにガラス旋盤で構
造物を回転しながら熱源を横移動させることを含む。
構造物を回転させながら熱を加えることを含み、円柱状
のプレフォーム２６が形成されるようにガラス旋盤で構
造物を回転しながら熱源を横移動させることを含む。
第１図から第４図において、各層１０，１２，１４，１
６等は説明の目的で表示されたものであって、第４図の
プレフォーム２６は基質１０からなる外側の同心内層と
、線即ち同心円で示されるバリヤ一層と、これに続くク
ラツディング層１４と、これらで囲まれた楕円形コア２
５とからなることが理解される。
６等は説明の目的で表示されたものであって、第４図の
プレフォーム２６は基質１０からなる外側の同心内層と
、線即ち同心円で示されるバリヤ一層と、これに続くク
ラツディング層１４と、これらで囲まれた楕円形コア２
５とからなることが理解される。
プレフォーム２６の形成後、一般的な光ファイバーの線
引技術を用いて楕円形コア３０をもつ光ファイバー２８
を作製する。
引技術を用いて楕円形コア３０をもつ光ファイバー２８
を作製する。
第５図は寸法的に正確ではなく、プレフォーム２６と完
全なファイバー２８の断面の相対的変化を単に説明する
ためのものである。
全なファイバー２８の断面の相対的変化を単に説明する
ためのものである。
入射された非偏光を偏光化し又は入射された偏光の偏光
面を維持するのに好適な楕円形コア３０をもつ単一モー
ド形光ファイバーを製造する本方法の１具体例を次に説
明する。
面を維持するのに好適な楕円形コア３０をもつ単一モー
ド形光ファイバーを製造する本方法の１具体例を次に説
明する。
基質となるシリカチューブ１０、例えば外径１５ｍｍ、
内径１３ｍｍ及び長さ２０インチの”Ａｍｅｒｓｉ ｌ
ＷＧ“、を選択する。
内径１３ｍｍ及び長さ２０インチの”Ａｍｅｒｓｉ ｌ
ＷＧ“、を選択する。
この基質チューブ１０はフッ化水素酸と硝酸の５０：５
０混合物でエツチングされ残余不純物を除去する。
０混合物でエツチングされ残余不純物を除去する。
更にメタノールでの洗浄、乾燥窒素ガス中での乾燥を行
なう。
なう。
次に、基質チューブ１０をガラス旋盤上に載置して回転
させる。
させる。
このチューブの内側を正圧に維持しながらチューフ二の
表面及び空孔２０の内側を火炎研磨することによって、
チューブの空孔を平滑にするとともに残っている水分又
はＯＨ基を除去する。
表面及び空孔２０の内側を火炎研磨することによって、
チューブの空孔を平滑にするとともに残っている水分又
はＯＨ基を除去する。
チューブの回転を保ちながら、空孔２０中に乾燥した５
ｉＣ１４＋０２混合物を導入する。
ｉＣ１４＋０２混合物を導入する。
このとき熱ゾーン、例えば酸素−水素フレーム、を長手
方向に移動させてチューブの周囲を加熱する。
方向に移動させてチューブの周囲を加熱する。
この熱源からの熱蒸気である反応成分の反応を起させ、
実質的に純粋なＳ １０２が薄いバリヤ一層１２として
その場で沈積される。
実質的に純粋なＳ １０２が薄いバリヤ一層１２として
その場で沈積される。
この場合、熱源の移動を２回おこなうとチューブ１０上
に２μｍ厚のバリヤ一層１２が形成される。
に２μｍ厚のバリヤ一層１２が形成される。
第１図に示す構造物を製造する次の工程は五酸化リンで
ドープされたボロシリケートガラスのクラツディング層
をｌｔｍ厚に沈積することを含む。
ドープされたボロシリケートガラスのクラツディング層
をｌｔｍ厚に沈積することを含む。
この場合、熱源の移動を約５０回おこなうと約１■のク
ラツディング層を得るのに十分である。
ラツディング層を得るのに十分である。
ＭＣＶＤ法又は類似の方法を用いたクラツディング層１
４の形成後、ゲルマニアドープドシリカからなるコア層
を沈積させて１μｍよりうすいコア層１６をつくる。
４の形成後、ゲルマニアドープドシリカからなるコア層
を沈積させて１μｍよりうすいコア層１６をつくる。
この例において、コア層１６は１０回の熱源の移動で作
製される。
製される。
以上説明した第１図の構造物の作製後、この構造物を第
２図及び第３図に示す２回の部分的つぶし工程に移す。
２図及び第３図に示す２回の部分的つぶし工程に移す。
次に周知の技術により第４図に示すような充実したプレ
フォーム２６へのつぶし変形がおこなわれる。
フォーム２６へのつぶし変形がおこなわれる。
熱源を移動させながら第３図の構造物を回転させその円
周のまわりに熱を加えたとき、この構造物は表面張力効
果により実質的な楕円形から円柱状の第４図のようなプ
レフォーム２６に変形し、空孔２０は第４図のように充
実した（ ｓｏｌ ｉｄ）構造となることは当業者に理
解されるであろう。
周のまわりに熱を加えたとき、この構造物は表面張力効
果により実質的な楕円形から円柱状の第４図のようなプ
レフォーム２６に変形し、空孔２０は第４図のように充
実した（ ｓｏｌ ｉｄ）構造となることは当業者に理
解されるであろう。
楕円形コア３０をもつ光ファイバー２８への線引き工程
は通常の技術により達成される。
は通常の技術により達成される。
プレフォーム２６がファイバー２８に引き伸ばされた時
、その円柱状の形状及び楕円形のコア３０の形状は維持
される。
、その円柱状の形状及び楕円形のコア３０の形状は維持
される。
この単一モード型ファイバーでは波長０．６３μ扉で８
．１３ｄＢ／ｋｊｎの損失を有していた。
．１３ｄＢ／ｋｊｎの損失を有していた。
偏光か又は非偏光が入射された場合このファイバーの出
口では偏光が認められた。
口では偏光が認められた。
長軸と短軸の間のパワー強度の比は２０ｄＢであった。
ファイバー２８の外表面にはファイバーへの線引工程中
又はその後に１層又はそれ以上の保護層又は強化層を形
成してもよい。
又はその後に１層又はそれ以上の保護層又は強化層を形
成してもよい。
上記の実施例は１具体例を説明するものであり、本発明
の範囲内で他の技術を使用することもできる。
の範囲内で他の技術を使用することもできる。
第１図は内側に各層をコートした基質チューブの断面図
である。 第２図はコートされた基質チューブの１側面に熱源をあ
ててその側面で空孔を部分的につぶす工程を示す断面図
である。 第３図は上記と反対側面に熱源をあてて部分的につぶす
工程を示す断面図である。 第４図は円柱状のプレフォームの断面図である。 第５図は楕円形コアをもつ単一モード形ファイバーの断
面図である。 １０・・・・・・基質チューブ、１２・・・・・・バリ
ヤ一層、１４・・・・・・クラツディング層、１６・・
・・・・コア層、２０・・・・・・空孔、２２・・・・
・・ノズル、２４・・・・・・フレーム（炎−）、２６
・・・・・・プレフォーム、２８・・・・・・ファイバ
ー ３０・・・・・・コア。
である。 第２図はコートされた基質チューブの１側面に熱源をあ
ててその側面で空孔を部分的につぶす工程を示す断面図
である。 第３図は上記と反対側面に熱源をあてて部分的につぶす
工程を示す断面図である。 第４図は円柱状のプレフォームの断面図である。 第５図は楕円形コアをもつ単一モード形ファイバーの断
面図である。 １０・・・・・・基質チューブ、１２・・・・・・バリ
ヤ一層、１４・・・・・・クラツディング層、１６・・
・・・・コア層、２０・・・・・・空孔、２２・・・・
・・ノズル、２４・・・・・・フレーム（炎−）、２６
・・・・・・プレフォーム、２８・・・・・・ファイバ
ー ３０・・・・・・コア。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 実質的に楕円形のコアを有する単一モード形光ファ
イバーの製造法において、少なくとも基質とクラツディ
ング層とコア層とを有する多層コートされた基質チュー
ブを作製し、この基質チューブのｌ側面を該側面が部分
的につぶれるのに十分な温度に加熱し、この基質チュー
ブの反対側面を該側面が部分的につぶれるのに十分な温
度に加熱し、及び得られた部分的につぶされた基質チュ
ーブを変形させて実質的に楕円形のコア部分をもつ実質
的に円柱形の光フアイバープレフォームを形成すること
を含む、上記単一モード形光ファイバーの製造法。 ２ 上記光フアイバープレフォームを軟化するのに十分
な温度にさらして線引きし、楕円形コアをもつ光ファイ
バーを形成する工程を更に含む特許請求の範囲第１項記
載の製造法。 ３ 上記部分的つぶし工程の実施時にコア部分の楕円形
状が長軸：短軸の比が約２：１となるように実施する特
許請求の範囲第１項ないし第２項のいずれかに記載の製
造法。 ４ 上記部分的つぶし工程の間に、コートされた基質チ
ューブの空孔を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第４項のいずれかに記載の製造法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/914,246 US4184859A (en) | 1978-06-09 | 1978-06-09 | Method of fabricating an elliptical core single mode fiber |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS552293A JPS552293A (en) | 1980-01-09 |
| JPS5851893B2 true JPS5851893B2 (ja) | 1983-11-18 |
Family
ID=25434077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54072128A Expired JPS5851893B2 (ja) | 1978-06-09 | 1979-06-08 | 楕円形コアをもつ単一モ−ド形光ファイバ−の製造法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4184859A (ja) |
| JP (1) | JPS5851893B2 (ja) |
| AT (1) | AT369717B (ja) |
| CH (1) | CH641427A5 (ja) |
| DE (1) | DE2922665A1 (ja) |
| FR (1) | FR2428265A1 (ja) |
| GB (1) | GB2022571B (ja) |
| IT (1) | IT1192737B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61138496U (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-28 |
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1978
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- 1979-05-24 GB GB7918199A patent/GB2022571B/en not_active Expired
- 1979-06-01 CH CH515079A patent/CH641427A5/de not_active IP Right Cessation
- 1979-06-02 DE DE19792922665 patent/DE2922665A1/de active Granted
- 1979-06-06 IT IT23309/79A patent/IT1192737B/it active
- 1979-06-06 FR FR7914420A patent/FR2428265A1/fr active Granted
- 1979-06-08 JP JP54072128A patent/JPS5851893B2/ja not_active Expired
- 1979-07-31 AT AT0525479A patent/AT369717B/de not_active IP Right Cessation
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